JP5465311B2 - 有機発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
有機発光表示装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5465311B2 JP5465311B2 JP2012272419A JP2012272419A JP5465311B2 JP 5465311 B2 JP5465311 B2 JP 5465311B2 JP 2012272419 A JP2012272419 A JP 2012272419A JP 2012272419 A JP2012272419 A JP 2012272419A JP 5465311 B2 JP5465311 B2 JP 5465311B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- oxide semiconductor
- semiconductor layer
- layer
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 67
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 193
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 92
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 54
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 19
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 16
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 86
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 11
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Geometry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
本発明は、有機発光表示装置に関し、特に、製造工程を単純化できる有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
多様な情報を画面上に具現する映像表示装置は、情報通信時代の核心技術であって、より薄く、より軽く、携帯が可能であるとともに、高性能の方向に発展している。空間性、便利性の追求で曲げられるフレキシブルディスプレイが要求されるなか、最近では、平板表示装置として有機発光層の発光量を制御する有機発光表示装置が脚光を浴びている。
有機発光表示装置は、基板上に形成された薄膜トランジスタアレイ部と、薄膜トランジスタアレイ部上に位置する有機発光セルと、有機発光セルを外部から隔離させるためのガラスキャップとを含む。有機発光表示装置は、有機発光層の両端に形成された陰極及び陽極に電界を加えて有機発光層内に電子と正孔を注入及び伝達し、これらを互いに結合するときの結合エネルギーによって発光される電界発光現象を用いるもので、有機発光層で対をなす電子と正孔は、励起状態から基底状態に落ちながら発光する。
具体的には、有機発光表示装置は、ゲート配線とデータ配線との交差によって定義された画素領域に配列された複数のサブピクセルを備える。それぞれのサブピクセルは、ゲート配線にゲートパルスが供給されるとき、データ配線からデータ信号を受けて、データ信号に相応する光を発生させる。このとき、各サブピクセルは、基板上に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと接続された有機発光セルとを含む。
図１は、一般的な有機発光表示装置の断面図で、以下では、図１を参照して一般的な有機発光表示装置の製造方法を説明する。
図１に示すように、一般的な有機発光表示装置は、基板１０上に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと接続され、第１の電極１８、有機発光層（図示せず）及び有機発光層（図示せず）上に形成された第２の電極（図示せず）を含む有機発光セルとを含む。
具体的には、基板１０上には、第１のマスクを用いて遮光膜１１が形成され、遮光膜１１を覆うようにバッファー層１２が形成される。そして、バッファー層１２上に第２のマスクを用いて酸化物半導体層１３が形成され、酸化物半導体層１３上に第３のマスクを用いてゲート絶縁膜１４とゲート電極１４ａが順次積層される。
そして、第４のマスクを用いてゲート電極１４ａを覆うように形成された層間絶縁膜１５は、酸化物半導体層１３の両側縁部を露出させ、第５のマスクを用いて露出した酸化物半導体層１３の両側縁部と接続されるようにソース、ドレイン電極１６ａ、１６ｂが形成される。第６のマスクを用いて層間絶縁膜１５上に形成される保護膜１７はドレイン電極１６ｂを露出させる。
第７のマスクを用いて保護膜１７上に形成された第１の電極１８は露出したドレイン電極１６ｂと接続され、第１の電極１８上には第８のマスクを用いてバンク絶縁膜１９が形成され、このバンク絶縁膜１９は、サブピクセルの発光領域と非発光領域を定義する。また、図示していないが、露出した第１の電極１８上に有機発光層が形成され、有機発光層を覆うように第２の電極がさらに形成される。
すなわち、前記のような一般的な有機発光表示装置は、バンク絶縁膜１９まで８個のマスクを用いて製造されるので、製造費用及び工程時間が増加してしまう。
本発明は、前記のような問題を解決するためになされたもので、酸化物半導体層と第１の電極を同時に形成し、バンク絶縁膜を除去することによってマスクの数を減少させ、第１の電極の仕事関数を調節することによって製造工程を単純化し、製造費用を節減できる有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。
前記のような目的を達成するための本発明の有機発光表示装置は、基板と、前記基板上に形成された遮光膜と、前記遮光膜を覆うように前記基板の全面に形成されたバッファー層と、前記バッファー層上に形成され、ソース領域、ドレイン領域および前記ソース領域と前記ドレイン領域の間にあるチャンネル領域を有する酸化物半導体層と、前記バッファー層上に形成された第１の電極と、前記酸化物半導体層の前記チャンネル領域上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、前記ゲート絶縁層と前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、前記酸化物半導体層の前記ソース領域と接続されたソース電極と、前記酸化物半導体層の前記ドレイン領域と接続され、前記第１の電極と接続されたドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うように形成され、前記第１の電極の一部領域を露出させるように形成された保護膜と、を含む。
前記酸化物半導体層は前記遮光膜と重畳され、前記遮光膜の幅が前記酸化物半導体層の幅より大きくてもよい。
前記保護膜を通して露出した前記第１の電極の仕事関数は、前記酸化物半導体層の仕事関数より大きくてもよい。
前記第１の電極と重畳されるように前記基板とバッファー層との間に形成された反射層をさらに含んでもよい。
また、同一の目的を達成するための本発明の有機発光装置の製造方法は、前記基板上に遮光膜を形成するステップと、前記遮光膜を覆うように前記基板の全面にバッファー層を形成するステップと、ソース領域、ドレイン領域および前記ソース領域と前記ドレイン領域の間にあるチャンネル領域を有するように酸化物半導体層を前記バッファー層上に形成するステップと、前記バッファー層上に第１の電極を形成するステップと、前記酸化物半導体層の前記チャンネル領域上にゲート絶縁層を、前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成するステップと、前記ゲート絶縁層と前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜を形成するステップと、前記酸化物半導体層の前記ソース領域と接続されたソース電極を形成するステップと、前記酸化物半導体層の前記ドレイン領域と接続され、前記第１の電極と接続されたドレイン電極を形成するステップと、前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆い、かつ、前記第１の電極の一部領域を露出させるように保護膜を形成するステップと、を含む。
前記ゲート絶縁膜とゲート電極を形成するための第１の実施例では、前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極を形成するステップは、前記基板の前記全面にゲート絶縁物質とゲート電極物質を順次形成するステップと、前記チャンネル領域上に第１のフォトレジストパターンを形成し、前記第１の電極上に第２のフォトレジストパターンを形成し、前記第１のフォトレジストパターンを前記第２のフォトレジストパターンより高くするステップと、前記第１および第２のフォトレジストパターンをマスクとして用いたエッチング工程で前記ゲート電極物質および前記ゲート絶縁物質をパターニングし、前記チャンネル領域および前記第１の電極上にゲート絶縁膜およびゲート電極を形成し、かつ、前記ソース領域および前記ドレイン領域を露出するステップと、前記ソース領域および前記ドレイン領域をヘリウム（Ｈｅ）プラズマ、水素（Ｈ２）プラズマ及び窒素（Ｎ２）プラズマのうち少なくともいずれか１つでプラズマ処理するステップと、前記第１のフォトレジストパターンを低くし、前記第２のフォトレジストパターンを除去するように、前記第１および第２のフォトレジストパターンをアッシングするステップと、前記第１の電極上のゲート電極及びゲート絶縁膜を除去し、前記第１の電極を露出させるステップと、前記チャンネル領域上の前記第１のフォトレジストパターンを除去するステップと、を含んでもよい。
前記ゲート絶縁膜とゲート電極を形成するための第２の実施例では、前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極を形成するステップは、前記基板の前記全面にゲート絶縁物質とゲート電極物質を順次形成するステップと、前記チャンネル領域上にフォトレジストパターンを形成するステップと、前記フォトレジストパターンをマスクとして用いたエッチング工程で前記ゲート電極物質およびゲート絶縁物質をパターニングし、前記チャンネル領域上にゲート絶縁膜およびゲート電極を形成し、かつ、前記ソース領域、前記ドレイン領域および前記第１の電極を露出するステップと、前記ソース領域、前記ドレイン領域および前記第１の電極をヘリウム（Ｈｅ）プラズマ、水素（Ｈ２）プラズマ及び窒素（Ｎ２）プラズマのうち少なくともいずれか１つでプラズマ処理するステップと、前記チャンネル領域上の前記フォトレジストパターンを除去するステップと、を含んでもよい。
前記保護膜を形成した後に、前記第１の電極を２００℃〜３００℃の温度で３０分〜２時間熱処理し、前記第１の電極の仕事関数を前記酸化物半導体層の仕事関数より大きくするステップをさらに含んでもよい。
前記酸化物半導体層は前記バッファー層を挟んで前記遮光膜と重畳され、前記遮光膜の幅が前記酸化物半導体層の幅より大きくてもよい。
前記第１の電極と重畳されるように前記基板とバッファー層との間に反射層を形成することをさらに含んでもよい。
前記のような本発明の有機発光表示装置及びその製造方法は、次のような効果を有する。
第一に、酸化物半導体層と第１の電極を同時に形成することによって、第１の電極を形成するためのマスクの数を１個だけ節減することができる。特に、第１の電極を熱処理することによって、第１の電極の仕事関数を調節することができる。したがって、第１の電極と有機発光層との間の各機能層を除去する場合にも第１の電極から正孔が有機発光層に円滑に注入され、有機発光表示装置の発光効率を向上させると同時に工程を単純化し、製造費用を節減することができる。
第二に、ソース、ドレイン電極上に形成される保護膜がサブピクセルの発光領域と非発光領域を定義するバンク絶縁膜としての機能を行うことによって、バンク絶縁膜を形成するためのマスクの数を１個だけ節減することができる。
以下、添付の図面を参照して、本発明の有機発光表示装置及びその製造方法を詳細に説明する。
図２は、本発明の有機発光表示装置の断面図で、図３は、図２の有機発光表示装置が上部発光方式である場合を示した断面図である。
図２に示したように、基板１００上には遮光膜１１０が形成される。遮光膜１１０は、光を吸収し、後述する酸化物半導体層に外部光が入射されることを防止するためのもので、モリブデン（Ｍｏ）などの金属物質で形成されたり、ブラック系列の有機物質で形成される。そして、遮光膜１１０を覆うように基板１００の全面にバッファー層１２０が形成される。
バッファー層１２０上には酸化物半導体層１３０と第１の電極１８０が形成され、酸化物半導体層１３０と第１の電極１８０はＩＧＺＯ、ＩＴＺＯ、ＩＡＺＯなどの酸化物で形成される。このとき、酸化物半導体層１３０は、遮光膜１１０と重畳されるように形成され、外部光が酸化物半導体層１３０に入射されることを防止することができ、酸化物半導体層１３０に外部光が入射されることを完全に遮断するために、遮光膜１１０の幅が酸化物半導体層１３０の幅より大きいことが望ましい。このような酸化物半導体層１３０は、ソース電極１６０ａと接続されるソース領域１３０ａと、ドレイン電極１６０ｂと接続されるドレイン領域１３０ｂと、ゲート絶縁膜１４０を挟んでゲート電極１４０ａと重畳されるチャンネル領域１３０ｃとを備える。
ゲート絶縁膜１４０とゲート電極１４０ａは、酸化物半導体層１３０の両側縁部に位置するソース領域１３０ａ及びドレイン領域１３０ｂを露出させるように酸化物半導体層１３０上に順次積層される。特に、露出した酸化物半導体層１３０の両側縁部は、プラズマ処理されて導体化される。したがって、後述するソース、ドレイン電極と酸化物半導体層１３０の縁部が接続されるとき、酸化物半導体層１３０の抵抗が減少し、接触特性が向上する。
ゲート電極１４０ａ上には、第１の電極１８０の一部領域を露出させる層間絶縁膜１５０が形成される。そして、層間絶縁膜１５０は、プラズマ処理された酸化物半導体層１３０の両側縁部を露出させ、露出した酸化物半導体層１３０の両側縁部は、それぞれソース、ドレイン電極１６０ａ、１６０ｂと接続される。特に、ドレイン電極１６０ｂは、露出した第１の電極１８０上にも延長形成され、ドレイン電極１６０ｂと第１の電極１８０が直接接続される。
前記のように、酸化物半導体層１３０、ゲート絶縁膜１４０、ゲート電極１４０ａ、ソース、ドレイン電極１６０ａ、１６０ｂを含む酸化物薄膜トランジスタ（Ｏｘｉｄｅ ＴＦＴ）は、シリコン薄膜トランジスタ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ＴＦＴ）より高い移動度及び低い漏れ電流特性の長所を有する。さらに、シリコン薄膜トランジスタなどのように結晶化工程を有する薄膜トランジスタは、大面積化に伴って結晶化工程時の均一度が低下し、大面積化に不利であるが、酸化物薄膜トランジスタは大面積化に有利である。
そして、ソース、ドレイン電極１６０ａ、１６０ｂを覆うように保護膜１７０が形成される。このとき、保護膜１７０は、サブピクセルの発光領域と非発光領域を定義するために第１の電極１８０の一部領域を露出させるように形成される。したがって、保護膜１７０がバンク絶縁膜として機能するので、本発明の有機発光表示装置は、バンク絶縁膜を形成する工程を除去することができる。そして、露出した第１の電極１８０の熱処理（Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）を通して仕事関数が調節される。
一般的な有機発光表示装置は、第１の電極から有機発光層に正孔が注入されるとき、第１の電極の仕事関数と有機発光層のＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）レベルとの差が大きいので、正孔が円滑に有機発光層に注入されない。したがって、一般的な有機発光表示装置は、第１の電極と有機発光層との間に正孔注入層、正孔輸送層などの機能層をさらに形成するので、製造費用が増加し、工程が複雑になる。
しかし、本発明の有機発光表示装置は、第１の電極１８０を熱処理する。熱処理を通して、第１の電極１８０の仕事関数が酸化物半導体層１３０の仕事関数より大きくなる。すなわち、熱処理を通して第１の電極１８０の仕事関数が大きくなり、第１の電極１８０の仕事関数と有機発光層のＨＯＭＯレベルとの差を減少させ、正孔注入層と正孔輸送層を除去する場合にも有機発光層に正孔を円滑に注入することができる。
そして、図示していないが、露出した第１の電極１８０上に有機発光層が形成され、有機発光層を覆うようにＡｌ、Ａｇなどの物質で第２の電極が形成される。特に、本発明の有機発光表示装置が下部発光方式である場合、第２の電極の厚さを調節することによって、有機発光層で発生した光は、第２の電極から反射されて第１の電極１８０の方向に進行する。
一方、本発明の有機発光表示装置が上部発光方式である場合、図３に示したように、第１の電極１８０と重畳されるように基板１００とバッファー層１２０との間に反射層１１０ａがさらに形成される。反射層１１０ａは、アルミニウム―ネオジム（ＡｌＮｄ）などの物質で形成され、有機発光層（図示せず）で発生して第１の電極１８０の方向に進行する光は、反射層１１０ａから反射されて第２の電極（図示せず）の方向に進行する。特に、上部発光方式の場合は、第２の電極を通して光が外部に放出されるように、第２の電極の厚さが下部発光方式の第２の電極の厚さより薄いことが望ましい。
一方、図面では、薄膜トランジスタと重畳される遮光膜１１０上に反射層１１０ａが形成された場合を示したが、反射層１１０ａは、第１の電極１８０のみと重畳されるように形成することもでき、遮光膜なしに、第１の電極１８０及び薄膜トランジスタの酸化物半導体層１３０と重畳することもできる。
以下、添付の図面を参照して、本発明の有機発光表示装置の製造方法を具体的に説明する。
図４は、本発明の有機発光表示装置の工程段階を示したフローチャートで、図５Ａ〜図５Ｆは、本発明の有機発光表示装置の工程断面図である。
図４及び図５Ａに示したように、第１のマスクを用いて基板１００上に遮光膜１１０を形成（Ｓ５）する。遮光膜１１０は、酸化物半導体層に外部光が入射されることを防止するためのものである。そして、遮光膜１１０を覆うように基板１００の全面にバッファー層１２０を形成する。
特に、図３に示したように、本発明の有機発光表示装置が上部発光方式である場合、基板１００上に遮光物質と反射物質を順次積層した後、第１のマスクを用いて遮光物質と反射物質を同時にエッチングする。したがって、薄膜トランジスタ及び第１の電極に重畳される領域に遮光膜１１０と反射層１１０ａが順次積層され、有機発光層から放出される光のうち第１の電極の方向に進行する光は、反射層１１０ａから反射されて上部に進行するようになる。
また、第１のマスクとしてハーフトーンマスクを用いて薄膜トランジスタに重畳される領域に遮光膜１１０のみを形成し、第１の電極に重畳される領域に順次積層された構造の遮光膜１１０と反射層１１０ａを形成してもよい。そして、薄膜トランジスタと重畳される基板１００上には遮光膜１１０のみを形成し、第１の電極１８０と重畳される基板１００上には反射層１１０ａのみを形成してもよいが、この場合、遮光膜１１０と反射層１１０ａを互いに異なるマスク工程で形成しなければならないので、マスク工程が追加される。
続いて、図５Ｂに示したように、第２のマスクを用いてバッファー層１２０上に酸化物半導体層１３０と第１の電極１８０を形成（Ｓ１０）する。すなわち、酸化物半導体層１３０と第１の電極１８０を同時に形成することによって、第１の電極１８０を形成する工程を除去することができる。このとき、酸化物半導体層１３０と第１の電極１８０はＩＧＺＯ、ＩＴＺＯ、ＩＡＺＯなどの物質で形成される。
そして、図５Ｃに示したように、第３のマスクを用いて酸化物半導体層１３０上にゲート絶縁膜１４０とゲート電極１４０ａを順次形成（Ｓ１５）する。
具体的に、酸化物半導体層１３０を含むバッファー層１２０の全面にゲート絶縁物質とゲート電極物質を順次蒸着する。そして、ゲート絶縁物質とゲート電極物質をパターニングし、酸化物半導体層１３０の両側縁部を露出させるゲート絶縁膜１４０とゲート電極１４０ａを形成する。
このとき、Ｈｅ、Ｈ２、Ｎ２などのプラズマは、露出した酸化物半導体層１３０の両側縁部を導体化させてソース及びドレイン領域１３０ａ、１３０ｂを 形成して、ソース、ドレイン電極のそれぞれと酸化物半導体層１３０のソース及びドレイン領域１３０ａ、１３０ｂが接続されるとき、酸化物半導体層１３０の抵抗を低下させ、接触特性を向上させる。特に、ゲート絶縁膜１４０とゲート電極１４０ａをパターニングする第３のマスク工程とプラズマ処理工程については、後で図６及び図７を参考にして説明する。
続いて、図５Ｄに示したように、第４のマスクを用いてゲート電極１４０ａ上に第１の電極１８０の一部領域を露出させる層間絶縁膜１５０を形成（Ｓ２０）する。このとき、層間絶縁膜１５０は、プラズマ処理された酸化物半導体層１３０の両側縁部を露出させるように形成される。
図５Ｅに示したように、第５のマスクを用いて露出した酸化物半導体層１３０の一側縁部と接続されるソース電極１６０ａと、他側縁部と接続されるドレイン電極１６０ｂを形成（Ｓ２５）する。このとき、ドレイン電極１６０ｂは、露出した第１の電極１８０まで延長形成され、ドレイン電極１６０ｂと第１の電極１８０が直接接続される。
続いて、図５Ｆに示したように、第６のマスクを用いてソース、ドレイン電極１６０ａ、１６０ｂを覆うように保護膜１７０を形成（Ｓ３０）する。このとき、保護膜１７０は、発光領域と非発光領域を定義するために第１の電極１８０の一部領域を露出させるように形成され、バンク絶縁膜として機能する。したがって、バンク絶縁膜を形成する工程を除去することができる。
そして、露出した第１の電極１８０を熱処理し、第１の電極１８０の仕事関数が酸化物半導体層１３０の仕事関数より大きくなり、第１の電極１８０の仕事関数と有機発光層のＨＯＭＯレベルとの差を減少させることができる。このとき、熱処理は、２００℃〜３００℃の温度で３０分〜２時間実施されることが望ましい。
一方、熱処理工程時、酸化物半導体層１３０上に形成されたゲート絶縁膜１４０、層間絶縁膜１５０及び保護膜１７０によって酸化物半導体層１３０に熱が伝達されることを防止することができ、酸化物半導体層１３０の仕事関数及び面抵抗の変化を防止することができる。
一般的な有機発光表示装置は、陽極である第１の電極から正孔が円滑に注入されるように第１の電極と有機発光層との間に正孔注入層、正孔輸送層などの各機能層をさらに形成する。しかし、本発明の有機発光表示装置は、熱処理を通して第１の電極１８０の仕事関数を増加させ、第１の電極１８０と有機発光層との間の各機能層を除去することができる。したがって、第１の電極１８０上に直ちに有機発光層を形成し、正孔が円滑に有機発光層に注入されることによって発光効率が増加するだけでなく、上述した各機能層を除去することによって製造工程を単純化し、製造費用を節減することができる。
図６Ａ〜図６Ｅは、図５Ｃに示した第３のマスク工程及びプラズマ処理工程の第１の実施例を具体的に説明するための断面図である。
図６Ａに示したように、酸化物半導体層１３０が形成された基板１００の全面にゲート絶縁物質２２０ａとゲート電極物質２２０ｂが順次蒸着される。その次に、ゲート電極物質２２０ｂ上にハーフトーンマスク及びスリットマスクのうちいずれか一つのフォトマスク（図示せず）を用いたフォトリソグラフィ工程を通してフォトレジストパターン２３０が形成される。第１の高さのフォトレジストパターン２３０はフォトマスクの半透過領域Ｐ３に形成され、第１の高さより高い第２の高さのフォトレジストパターン２３０は、フォトマスクの遮断領域Ｐ１に形成され、フォトマスクの透過領域Ｐ２は、ゲート電極物質２２０ｂを露出させるように形成される。
このようなフォトレジストパターン２３０をマスクとして用いたエッチング工程を通して、図６Ｂに示したように、ゲート電極物質２２０ｂ及びゲート絶縁物質２２０ａがエッチングされることによって、同一パターンのゲート絶縁膜１４０及びゲート電極１４０ａが形成される。このとき、酸化物半導体層１３０上のゲート絶縁膜１４０及びゲート電極１４０ａは、酸化物半導体層の両側縁部を露出させるように形成され、第１の電極１８０上のゲート絶縁膜１４０及びゲート電極１４０ａは、第１の電極１８０と同一パターン又は第１の電極１８０より広い線幅で第１の電極１８０を覆うように形成され、第１の電極１８０を保護する。
続いて、フォトレジストパターン２３０をマスクとして、図６Ｃに示すように、露出した酸化物半導体層１３０の両側縁部をＨｅ、Ｈ２、Ｎ２などのプラズマによって処理する。これによって、酸化物半導体層１３０の両側縁部のみが選択的に導体化されることによって酸化物半導体層１３０のソース及びドレイン領域１３０ａ、１３０ｂが形成され、ソース及びドレイン領域１３０ａ、１３０ｂ間には、半導体状態を維持するチャンネル領域１３０ｃが形成される。
続いて、図６Ｄに示したように、酸素（Ｏ２）プラズマを用いたアッシング工程で第２の高さのフォトレジストパターン２３０の厚さは薄くなり、第１の高さのフォトレジストパターン２３０は除去され、第１の電極１８０上のゲート絶縁膜１４０及びゲート電極１４０ａが露出される。第１の電極１８０上の露出したゲート絶縁膜１４０及びゲート電極１４０ａは、アッシングされたフォトレジストパターン２３０をマスクとして用いたエッチング工程を通して除去される。
続いて、図６Ｅに示したように、酸化物半導体層のチャンネル領域１３０ｃの上部に残存するフォトレジストパターン２３０は、ストリップ工程を通して除去される。
図７Ａ〜図７Ｄは、図５Ｃに示した第３のマスク工程及びプラズマ処理工程の第２の実施例を具体的に説明するための断面図である。
図７Ａに示したように、酸化物半導体層１３０が形成された基板１００の全面にゲート絶縁物質２２０ａとゲート電極物質２２０ｂが順次蒸着される。その次に、ゲート電極物質２２０ｂ上にフォトマスク（図示せず）を用いたフォトリソグラフィ工程を通してフォトレジストパターン２３０が形成される。フォトレジストパターン２３０はフォトマスクの遮断領域Ｐ１に形成され、フォトマスクの透過領域Ｐ２は、ゲート電極物質２２０ｂを露出させるように形成される。
このようなフォトレジストパターン２３０をマスクとして用いたエッチング工程を通して、図７Ｂに示したように、ゲート電極物質２２０ｂ及びゲート絶縁物質２２０ａがエッチングされる。これによって、酸化物半導体層１３０上に同一パターンのゲート絶縁膜１４０及びゲート電極１４０ａが形成され、第１の電極１８０上のゲート電極物質２２０ｂ及びゲート絶縁物質２２０ａが除去されることによって第１の電極１８０が露出される。このとき、酸化物半導体層１３０上のゲート絶縁膜１４０及びゲート電極１４０ａは、酸化物半導体層の両側縁部を露出させるように形成される。
続いて、フォトレジストパターン２３０をマスクとして、図７Ｃに示すように、露出した酸化物半導体層１３０の両側縁部をＨｅ、Ｈ２及びＮ２のうち少なくとも何れか一つでプラズマ処理する。これによって、酸化物半導体層１３０の両側縁部が導体化されることによって酸化物半導体層１３０のソース及びドレイン領域１３０ａ、１３０ｂが形成され、ソース及びドレイン領域１３０ａ、１３０ｂ間には、半導体状態を維持するチャンネル領域１３０ｃが形成される。一方、酸化物半導体層１３０の両側縁部のプラズマ処理時に露出した第１の電極１８０もプラズマ処理される。この場合、プラズマ処理された第１の電極１８０は、図５Ｆに示したように、熱処理工程を通して所望の面抵抗と仕事関数を有するようになる。
続いて、図７Ｄに示したように、酸化物半導体層のチャンネル領域１３０ｃの上部に残存するフォトレジストパターン２３０は、ストリップ工程を通して除去される。
一方、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィ工程を通して形成されたフォトレジストパターンをマスクとしてプラズマ処理し、酸化物半導体層のソース及びドレイン領域１３０ａ、１３０ｂを形成することを例に挙げて説明したが、これ以外にも、フォトマスクなしに、ゲート電極１４０ａをマスクとして酸化物半導体層のみにＵＶを照射し、ソース及びドレイン領域１３０ａ、１３０ｂを形成することもできる。
また、ゲート電極１４０ａ及びゲート絶縁膜１４０がプラズマを用いた乾式エッチング方法でパターニングされる場合、乾式エッチング時に用いられるプラズマによって酸化物半導体層１３０の両側縁部が導体化され、ソース及びドレイン領域１３０ａ、１３０ｂが形成されることもある。
図８は、ＩＴＺＯの表面処理方式による仕事関数の変化を示した表である。そして、図９Ａは、熱処理前の有機発光表示装置のエネルギー準位を示した断面図で、第１の電極、機能層及び有機発光層のみを示した。また、図９Ｂは、熱処理後の有機発光表示装置のエネルギー準位を示した断面図で、第１の電極と有機発光層のみを示した。
図８に示したように、Ｈ２プラズマ処理又は熱処理を行うことによって、ＩＴＺＯの仕事関数を調節することができる。まず、ＩＴＺＯに何ら処理もしない場合、ＩＴＺＯの仕事関数は５.０５ｅＶである。ところが、この場合、図９Ａに示したように、ＨＯＭＯレベルが約５.９ｅＶ〜６.０ｅＶである有機発光層２９０に正孔が円滑に注入されにくい。したがって、第１の電極２８０と有機発光層２９０との間に正孔注入層２１０ａ、正孔輸送層２１０ｂなどの各機能層２１０を形成する。すなわち、第１の電極２８０の仕事関数と有機発光層２９０のＨＯＭＯレベルとの差が大きくなり、正孔が各機能層２１０を通して第１の電極２８０から段階的に有機発光層２９０に注入される。
そして、ＩＴＺＯを２３０℃の温度で１時間熱処理した場合、ＩＴＺＯの仕事関数が５.６３ｅＶと大きくなる。すなわち、図９Ｂに示したように、第１の電極３８０と有機発光層３９０との間に正孔注入層、正孔輸送層などの各機能層を形成しない場合にも、正孔が第１の電極３８０から円滑に有機発光層３９０に注入される。
また、Ｈ２を１００ｓｃｃｍ注入し、１００ｍＴｏｒｒの圧力と５００Ｗの電力で６０秒間ＩＴＺＯをＨ２プラズマ処理した場合、熱処理した場合とは反対にＩＴＺＯの仕事関数が４.７１ｅＶと小さくなり、ＩＴＺＯが導体化される。
すなわち、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などのＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）を含む酸化物は、Ｈ２プラズマ処理又は熱処理を通して仕事関数の調節が可能である。したがって、酸化物薄膜トランジスタを有する本発明の有機発光表示装置は、酸化物半導体層１３０と同一の物質で形成された第１の電極１８０を熱処理することによって、第１の電極１８０の仕事関数を増加させることができる。その結果、第１の電極１８０と有機発光層との間の各機能層を除去することによって工程を単純化し、製造費用を節減することができる。
したがって、前記のような本発明の有機発光表示装置及びその製造方法は、酸化物半導体層と第１の電極を同時に形成することによって、第１の電極を形成するためのマスクの数を１個だけ節減することができる。また、ソース、ドレイン電極上に形成される保護膜１７０が発光領域と非発光領域を定義するバンク絶縁膜としての機能を行うので、バンク絶縁膜を形成するためのマスクの数を１個だけ節減することができる。これによって、本発明に係る有機発光表示装置は、従来に比べて合計２個のマスク数を節減できるので、製造工程を単純化することができ、費用を節減することができる。
一方、以上説明した本発明は、上述した実施例及び添付の図面に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で多様な置換、変形及び変更が可能であることが本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者にとって明らかであろう。
１００ 基板
１１０ 遮光膜
１１０ａ 反射層
１２０ バッファー層
１３０ 酸化物半導体層
１４０ ゲート絶縁膜
１４０ａ ゲート電極
１５０ 層間絶縁膜
１６０ａ ソース電極
１６０ｂ ドレイン電極
１７０ 保護膜
１８０、２８０、３８０ 第１の電極
２００ 第２の電極
２１０ 機能層
２１０ａ 正孔注入層
２１０ｂ 正孔輸送層
２９０、３９０ 有機発光層
１１０ 遮光膜
１１０ａ 反射層
１２０ バッファー層
１３０ 酸化物半導体層
１４０ ゲート絶縁膜
１４０ａ ゲート電極
１５０ 層間絶縁膜
１６０ａ ソース電極
１６０ｂ ドレイン電極
１７０ 保護膜
１８０、２８０、３８０ 第１の電極
２００ 第２の電極
２１０ 機能層
２１０ａ 正孔注入層
２１０ｂ 正孔輸送層
２９０、３９０ 有機発光層
Claims (10)
- 基板と、
前記基板上に形成された遮光膜と、
前記遮光膜を覆うように前記基板の全面に形成されたバッファー層と、
前記バッファー層上に形成され、ソース領域、ドレイン領域および前記ソース領域と前記ドレイン領域の間にあるチャンネル領域を有する酸化物半導体層と、
前記バッファー層上に形成された第１の電極と、
前記酸化物半導体層の前記チャンネル領域上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート絶縁層と前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、
前記酸化物半導体層の前記ソース領域と接続されたソース電極と、
前記酸化物半導体層の前記ドレイン領域と接続され、前記第１の電極と接続されたドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うように形成され、前記第１の電極の一部領域を露出させるように形成された保護膜と、を含むことを特徴とする有機発光表示装置。 - 前記酸化物半導体層は前記遮光膜と重畳され、前記遮光膜の幅が前記酸化物半導体層の幅より大きいことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
- 前記保護膜を通して露出した前記第１の電極の仕事関数は前記酸化物半導体層の仕事関数より大きいことを特徴とする、請求項１または２に記載の有機発光表示装置。
- 前記第１の電極と重畳されるように前記基板と前記バッファー層との間に形成された反射層をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
- 基板を準備するステップと、
前記基板上に遮光膜を形成するステップと、
前記遮光膜を覆うように前記基板の全面にバッファー層を形成するステップと、
ソース領域、ドレイン領域および前記ソース領域と前記ドレイン領域の間にあるチャンネル領域を有するように酸化物半導体層を前記バッファー層上に形成するステップと、
前記バッファー層上に第１の電極を形成するステップと、
前記酸化物半導体層の前記チャンネル領域上にゲート絶縁層を、前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成するステップと、
前記ゲート絶縁層と前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜を形成するステップと、
前記酸化物半導体層の前記ソース領域と接続されたソース電極を形成するステップと、
前記酸化物半導体層の前記ドレイン領域と接続され、前記第１の電極と接続されたドレイン電極を形成するステップと、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆い、かつ、前記第１の電極の一部領域を露出させるように保護膜を形成するステップと、を含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。 - 前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極を形成するステップは、
前記基板の前記全面にゲート絶縁物質とゲート電極物質を順次形成するステップと、
前記チャンネル領域上に第１のフォトレジストパターンを形成し、前記第１の電極上に第２のフォトレジストパターンを形成し、前記第１のフォトレジストパターンを前記第２のフォトレジストパターンより高くするステップと、
前記第１および第２のフォトレジストパターンをマスクとして用いたエッチング工程で前記ゲート電極物質および前記ゲート絶縁物質をパターニングし、前記チャンネル領域および前記第１の電極上にゲート絶縁膜およびゲート電極を形成し、かつ、前記ソース領域および前記ドレイン領域を露出するステップと、
前記ソース領域および前記ドレイン領域をヘリウム（Ｈｅ）プラズマ、水素（Ｈ２）プラズマ及び窒素（Ｎ２）プラズマのうち少なくともいずれか１つでプラズマ処理するステップと、
前記第１のフォトレジストパターンを低くし、前記第２のフォトレジストパターンを除去するように、前記第１および第２のフォトレジストパターンをアッシングするステップと、
前記第１の電極上のゲート電極及びゲート絶縁膜を除去し、前記第１の電極を露出させるステップと、
前記チャンネル領域上の前記第１のフォトレジストパターンを除去するステップと、を含むことを特徴とする、請求項５に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極を形成するステップは、
前記基板の前記全面にゲート絶縁物質とゲート電極物質を順次形成するステップと、
前記チャンネル領域上にフォトレジストパターンを形成するステップと、
前記フォトレジストパターンをマスクとして用いたエッチング工程で前記ゲート電極物質およびゲート絶縁物質をパターニングし、前記チャンネル領域上にゲート絶縁膜およびゲート電極を形成し、かつ、前記ソース領域、前記ドレイン領域および前記第１の電極を露出するステップと、
前記ソース領域、前記ドレイン領域および前記第１の電極をヘリウム（Ｈｅ）プラズマ、水素（Ｈ２）プラズマ及び窒素（Ｎ２）プラズマのうち少なくともいずれか１つでプラズマ処理するステップと、
前記チャンネル領域上の前記フォトレジストパターンを除去するステップと、を含むことを特徴とする、請求項５に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記保護膜を形成した後に、前記第１の電極を２００℃〜３００℃の温度で３０分〜２時間熱処理し、前記第１の電極の仕事関数を前記酸化物半導体層の仕事関数より大きくするステップをさらに含むことを特徴とする、請求項５ないし７のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記酸化物半導体層は前記バッファー層を挟んで前記遮光膜と重畳され、前記遮光膜の幅が前記酸化物半導体層の幅より大きいことを特徴とする、請求項５ないし８のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第１の電極と重畳されるように前記基板とバッファー層との間に反射層を形成することをさらに含むことを特徴とする、請求項５ないし９のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20120013173 | 2012-02-09 | ||
| KR10-2012-0013173 | 2012-02-09 | ||
| KR1020120119615A KR101970560B1 (ko) | 2012-02-09 | 2012-10-26 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR10-2012-0119615 | 2012-10-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013164581A JP2013164581A (ja) | 2013-08-22 |
| JP5465311B2 true JP5465311B2 (ja) | 2014-04-09 |
Family
ID=48927039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012272419A Active JP5465311B2 (ja) | 2012-02-09 | 2012-12-13 | 有機発光表示装置及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9059432B2 (ja) |
| JP (1) | JP5465311B2 (ja) |
| CN (1) | CN103247659B (ja) |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10861978B2 (en) | 2012-04-02 | 2020-12-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| KR102002858B1 (ko) | 2012-08-10 | 2019-10-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR20140061808A (ko) * | 2012-11-14 | 2014-05-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기물 증착 장치 |
| KR102072800B1 (ko) * | 2012-11-29 | 2020-02-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터의 제조 방법, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 통해 제조된 박막 트랜지스터 |
| KR20140081413A (ko) * | 2012-12-21 | 2014-07-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| CN103295962A (zh) * | 2013-05-29 | 2013-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法，显示装置 |
| CN103531640A (zh) * | 2013-11-01 | 2014-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置 |
| CN103762244A (zh) | 2013-11-29 | 2014-04-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管及其制造方法、薄膜晶体管阵列基板及液晶面板 |
| CN103715147B (zh) * | 2013-12-27 | 2016-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 互补型薄膜晶体管驱动背板及其制作方法、显示面板 |
| US9929279B2 (en) | 2014-02-05 | 2018-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2015206819A (ja) * | 2014-04-17 | 2015-11-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR102340936B1 (ko) * | 2014-04-29 | 2021-12-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 산화물 트랜지스터를 이용한 쉬프트 레지스터 및 그를 이용한 표시 장치 |
| KR102156588B1 (ko) * | 2014-06-10 | 2020-09-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR102357389B1 (ko) * | 2014-09-15 | 2022-02-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 표시 장치 |
| KR102267299B1 (ko) * | 2014-11-10 | 2021-06-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 그리고 이를 적용한 유기전계발광소자 |
| CN104851891B (zh) * | 2015-04-24 | 2017-12-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| EP3089144B1 (en) | 2015-04-29 | 2018-04-11 | LG Display Co., Ltd. | Shift register using oxide transistor and display device using the same |
| CN104915054B (zh) * | 2015-05-14 | 2019-10-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法和显示装置 |
| CN104966698B (zh) * | 2015-07-16 | 2018-07-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板、阵列基板的制造方法及显示装置 |
| US10153302B2 (en) * | 2015-08-18 | 2018-12-11 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Pixel structure |
| CN108027531A (zh) * | 2015-10-06 | 2018-05-11 | 株式会社Lg化学 | 显示装置 |
| KR102444782B1 (ko) * | 2015-10-08 | 2022-09-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법 |
| CN108321207B (zh) | 2017-01-18 | 2021-03-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法、显示面板和显示装置 |
| CN106887438B (zh) * | 2017-02-24 | 2020-04-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、其制作方法及显示装置 |
| CN107170762B (zh) * | 2017-06-16 | 2019-04-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
| CN107293554A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-10-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 顶发射型oled面板的制作方法及其结构 |
| CN107293555A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-10-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 底发射型白光oled面板的制作方法及其结构 |
| CN107623042A (zh) * | 2017-09-21 | 2018-01-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管结构及其制作方法 |
| CN107768412B (zh) * | 2017-10-26 | 2023-10-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法和显示面板 |
| CN107885004B (zh) | 2017-12-06 | 2020-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板、显示装置及其制作工艺 |
| KR20200073544A (ko) * | 2018-12-14 | 2020-06-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN109860307A (zh) * | 2019-02-26 | 2019-06-07 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种晶体管及其制备方法、显示基板和显示装置 |
| CN111722446B (zh) * | 2019-03-22 | 2023-01-31 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板的制造方法 |
| CN110148631B (zh) * | 2019-05-09 | 2022-03-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法以及显示装置 |
| US11081396B2 (en) * | 2019-09-12 | 2021-08-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device and method |
| CN110993645A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-04-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN111584578A (zh) * | 2020-05-14 | 2020-08-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种双面显示面板及其制备方法 |
| CN111613654B (zh) * | 2020-05-27 | 2023-11-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板制作方法 |
| CN112467060B (zh) * | 2020-11-20 | 2022-11-01 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 一种硅基OLED的开pad区的方法、硅基OLED及其制造方法 |
| CN112366223A (zh) * | 2020-11-23 | 2021-02-12 | Tcl华星光电技术有限公司 | Oled面板的制作方法、oled面板 |
| CN114864636A (zh) * | 2022-03-24 | 2022-08-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100446267C (zh) * | 2004-02-03 | 2008-12-24 | 友达光电股份有限公司 | 有机电激发光显示装置的制造方法 |
| KR20070002933A (ko) | 2005-06-30 | 2007-01-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 폴리 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101177720B1 (ko) | 2005-09-20 | 2012-08-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치와 그 제조방법 |
| KR101242030B1 (ko) | 2006-06-22 | 2013-03-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 소자 |
| JP5480554B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2014-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR101799601B1 (ko) * | 2008-10-16 | 2017-11-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 표시 장치 |
| JP2010147351A (ja) * | 2008-12-20 | 2010-07-01 | Videocon Global Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| KR100993416B1 (ko) * | 2009-01-20 | 2010-11-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치 |
| JP2010182844A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法、半導体装置、および電気光学装置 |
| KR20120024241A (ko) * | 2010-09-06 | 2012-03-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
| DE102011053665B4 (de) * | 2010-09-20 | 2016-06-30 | Lg Display Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung mit organischen lichtemittierenden Dioden und Herstellungsverfahren für dieselbe |
-
2012
- 2012-12-13 JP JP2012272419A patent/JP5465311B2/ja active Active
- 2012-12-21 US US13/725,537 patent/US9059432B2/en active Active
- 2012-12-21 CN CN201210560786.3A patent/CN103247659B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103247659A (zh) | 2013-08-14 |
| US20130207087A1 (en) | 2013-08-15 |
| JP2013164581A (ja) | 2013-08-22 |
| US9059432B2 (en) | 2015-06-16 |
| CN103247659B (zh) | 2015-12-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5465311B2 (ja) | 有機発光表示装置及びその製造方法 | |
| KR101970560B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR102467353B1 (ko) | 표시 기판, 표시 기판의 제조 방법 및 표시 기판을 포함하는 표시 장치 | |
| US8852978B2 (en) | Method of fabricating a thin film transistor and method of fabricating an organic light-emitting display device | |
| US7692197B2 (en) | Active matrix organic light emitting display (OLED) and method of fabrication | |
| JP2007141838A (ja) | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 | |
| JP2012089814A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| TW201622158A (zh) | 薄膜電晶體以及其製作方法 | |
| KR20150009319A (ko) | 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 기판 및 이의 제조 방법 | |
| US11882716B2 (en) | Display panel, method for manufacturing same, and display apparatus | |
| US20150162364A1 (en) | Method of forming semiconductor device | |
| JP2011029373A (ja) | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 | |
| US20160351601A1 (en) | Manufacturing method and manufacturing equipment of thin film transistor substrate | |
| KR102224457B1 (ko) | 표시장치와 그 제조 방법 | |
| US9461066B2 (en) | Thin film transistor and method of manufacturing the same, array substrate and display device | |
| KR101308466B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| WO2016078248A1 (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| TWI573226B (zh) | 薄膜電晶體基板及其製作方法 | |
| KR20120043404A (ko) | 표시장치 및 이의 제조방법 | |
| KR20120032273A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| CN109216373B (zh) | 阵列基板及其制备方法 | |
| KR101756662B1 (ko) | 배면 발광형 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR102223900B1 (ko) | 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR101686095B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR101419239B1 (ko) | 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 표시장치의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131220 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140107 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140121 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5465311 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |