CN112366223A - Oled面板的制作方法、oled面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种OLED面板的制作方法、OLED面板。该制作方法包括：在基板上形成遮光层和阳极，阳极与遮光层间隔设置。在基板、遮光层和阳极上形成有源层、栅绝缘层和栅极，有缘层位于遮光层的上方。在缓冲层、有源层、栅绝缘层和栅极上沉积第二绝缘层，并对第二绝缘层和缓冲层进行图案化，形成第一过孔、第二过孔、第三过孔和第四过孔。第一过孔和第二过孔贯穿第二绝缘层，第三过孔和第四过孔贯穿第二绝缘层和缓冲层；在第二绝缘层上形成源极和漏极。本发明实施例在基板上直接设置阳极，源极通过设置在层间绝缘层上的开孔与阳极连接，使得发光区域有效避开绝缘层，同时不使用平坦层，显著提高了光线的穿透率和发光效率。

Description

OLED面板的制作方法、OLED面板

技术领域

本发明涉及显示领域，具体涉及一种OLED面板的制作方法、OLED面板。

背景技术

有机发光器件OLED(Organic Light Emitting Diode)相对于液晶显示器(LCD)，具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点，被认为是下一代显示技术。其中，对于底发射型显示面板而言，发光效率是衡量其优劣的重要参数之一。

图1为一种现有的常规底发射器件面板的膜层叠构图。如图1所示，该面板包括基板101、遮光层102、阳极103、缓冲层104、有源层105、栅极绝缘层106、栅极层107、层间绝缘层108、源极109、漏极110、保护层111、像素定义层112、平坦层113。现有技术中显示区域下方通常有多层绝缘层堆叠，特别是作为平坦层的有机层，厚度通常达2-4um，极大影响了发光区域穿透率，进而影响到发光效率。

因此，如何提高OLED面板的透光率及发光效率问题成为了本领域技术人员亟待解决的技术问题和始终研究的重点。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种OLED面板的制作方法、OLED面板，以解决现有的OLED面板透光率差、发光效率低的问题。

为此，本发明实施例提供了如下技术方案：

本发明第一方面提供了一种OLED面板的制作方法，包括如下步骤：

在基板上形成遮光层；

在所述基板和所述遮光层上涂布阳极层，并对所述阳极层进行图案化，形成阳极，所述阳极与所述遮光层间隔设置；

在所述基板、所述遮光层和所述阳极上沉积缓冲层、半导体层、第一绝缘层和第一金属层，并对所述半导体层、所述第一绝缘层和所述第一金属层进行图案化，形成有源层、栅绝缘层和栅极，所述有缘层位于所述遮光层的上方；

在所述缓冲层、有源层、栅绝缘层和栅极上沉积第二绝缘层，并对所述第二绝缘层和所述缓冲层进行图案化，形成第一过孔、第二过孔、第三过孔和第四过孔；所述第一过孔和第二过孔贯穿所述第二绝缘层，所述第三过孔和第四过孔贯穿所述第二绝缘层和缓冲层；

在所述第二绝缘层上形成第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化，形成源极和漏极，所述源极通过第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过第二过孔与所述有源层连接、通过所述第三过孔与所述遮光层连接、通过所述第四过孔与所述阳极连接；

在所述第二绝缘层、源极和漏极上沉积第三绝缘层，并对所述第三绝缘层、所述第二绝缘层、所述缓冲层进行图案化暴露出位于发光区域的所述阳极；

形成覆盖所述第三绝缘层、所述第二绝缘层、所述缓冲层和所述阳极的像素定义层。

进一步地，所述阳极的厚度小于所述遮光层的厚度。

进一步地，在所述基板和所述遮光层上涂布阳极层采用物理沉积镀膜的方式；

所述阳极包括如下一种或几种材料：ITO、IZO、IGZO。

进一步地，在基板上形成遮光层包括如下步骤：

用物理沉积镀膜的方式在所述基板上沉积一层金属并图案化，得到所述遮光层；

所述遮光层包括以下一种或几种材料：Cu、Mo、Ti、Al。

进一步地，在所述基板、所述遮光层和所述阳极上沉积缓冲层、半导体层、第一绝缘层和第一金属层包括如下步骤：

在所述基板、所述遮光层和所述阳极上采用化学沉积镀膜的方式沉积缓冲层；

用物理沉积镀膜的方式在所述缓冲层上沉积半导体层；

用化学沉积镀膜方式在所述半导体层上沉积第一绝缘层；

用物理沉积镀膜的方式在所述第一绝缘层上沉积第一金属层；

所述缓冲层包括以下一种或几种材料：SiN、SiO；

所述半导体层包括以下一种或几种材料：IGZO，IZTO，IGZTO中的一种；

所述第一绝缘层包括以下一种或几种材料：SiN、SiO；

所述第一金属层包括以下一种或几种材料：Cu、Mo、Ti、Al。

进一步地，在所述缓冲层、有源层、栅绝缘层和栅极上沉积第二绝缘层采用化学沉积镀膜的方式；

所述第二绝缘层包括以下一种或几种材料：SiN、SiO。。

本发明第二方面提供了一种OLED面板，包括

基板；

遮光层，制备于所述基板表面；

阳极，制备于所述基板表面；所述阳极与所述遮光层间隔设置；

缓冲层，覆盖所述遮光层、所述阳极和所述基板；

有源层，制备于所述缓冲层表面；

栅极绝缘层，制备于所述有源层表面；

栅极，制备于所述栅极绝缘层表面；

第二绝缘层，覆盖所述缓冲层、有源层、栅极绝缘层和栅极；

源极，制备于所述第二绝缘层表面，通过贯穿所述第二绝缘层的第一过孔与所述有源层连接；

漏极，制备于所述第二绝缘层表面，通过贯穿所述第二绝缘层的第二过孔与所述有源层连接，通过贯穿所述第二绝缘层和所述缓冲层的第三过孔与所述遮光层连接，通过贯穿所述第二绝缘层和所述缓冲层的第四过孔与所述阳极连接；

第三绝缘层，覆盖所述第二绝缘层、源极和漏极；

像素定义层，覆盖所述第三绝缘层、第二绝缘层和缓冲层。

进一步地，所述阳极的厚度小于所述遮光层的厚度。

进一步地，所述有源层的宽度小于所述遮光层的宽度；

所述栅极绝缘层的宽度小于所述有源层的宽度；

所述栅极的宽度小于所述栅极绝缘层的宽度。

进一步地，所述阳极的厚度为500-2000A。

本发明实施例技术方案，具有如下优点：

本发明实施例提供了一种OLED面板的制作方法。现有的OLED面板显示区域下方有多层绝缘层堆叠，特别是作为平坦层的有机层，通常厚度达2-4um，极大影响了发光区域的光线穿透率，进而影响到发光效率。本发明实施例在基板上直接设置阳极，源极通过设置在层间绝缘层上的开孔与阳极连接，使得发光区域有效避开绝缘层，同时不使用平坦层，显著提高了光线的穿透率和发光效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一种现有的常规底发射器件面板的膜层叠构图。

图2为本发明实施例的OLED面板的制作方法流程图。

图3为本发明实施例第一图形层结构图。

图4为本发明实施例第二图形层结构图。

图5为本发明实施例第三图形层结构图。

图6为本发明实施例第四图形层结构图。

图7为本发明实施例的OLED面板的膜层叠构图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所述的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

图2为本发明实施例的OLED面板的制作方法流程图。如图2所示，本发明提供了一种OLED面板的制作方法，包括如下步骤：

S201：在基板上形成遮光层。本实施例中，遮光层宽度优选大于阳极宽度。

S202：在基板和遮光层上涂布阳极层，并对阳极层进行图案化，形成阳极，阳极与遮光层间隔设置。本实施例中，如图3所示，遮光层302和阳极303在基板301表面间隔设置得到第一图形层。

S203：在基板、遮光层和阳极上沉积缓冲层、半导体层、第一绝缘层和第一金属层，并对半导体层、第一绝缘层和第一金属层进行图案化，形成有源层、栅绝缘层和栅极，有缘层位于遮光层的上方。

本实施例中，如图4所示，缓冲层304覆盖第一图形层。有源层305设置在缓冲层304上，位于遮光层302的上方。栅极绝缘层306设置在有源层305顶面中心位置。栅极307设置在栅极绝缘层306顶面中心位置得到第二图形层。其中，有源层305的顶面面积>栅极绝缘层306的顶面面积>栅极307的顶面面积。

S204：在缓冲层、有源层、栅绝缘层和栅极上沉积第二绝缘层，并对第二绝缘层和缓冲层进行图案化，形成第一过孔、第二过孔、第三过孔和第四过孔；第一过孔和第二过孔贯穿第二绝缘层，第三过孔和第四过孔贯穿第二绝缘层和缓冲层。

本实施例中，如图5所示，第二绝缘层308覆盖第二图形层得到第三图形层。第一过孔3081设置在有源层305上方远离303的一侧。第一过孔3081暴露出有源层305的位置与栅极绝缘层306与有源层305的连接位置间隔设置。第二过孔3082设置在有源层305上方靠近阳极303的一侧。第二过孔3082暴露出有源层305的位置与栅极绝缘层306与有源层305的连接位置间隔设置。第三过孔3083设置在遮光层302上方靠近阳极303的一侧。第三过孔3083穿过第二绝缘层308和缓冲层304暴露出遮光层302。第四过孔3084设置在阳极303上方靠近遮光层302的一侧。第四过孔3084穿过第二绝缘层308和缓冲层304暴露出阳极303。第一过孔3081、第二过孔3082、第三过孔3083和第四过孔3084在第二绝缘层308表面间隔设置。图6为本发明实施例第四图形层结构图。

S205：在第二绝缘层上形成第二金属层，并对第二金属层进行图案化，形成源极和漏极，源极通过第一过孔与有源层连接，漏极通过第二过孔与有源层连接、通过第三过孔与遮光层连接、通过第四过孔与阳极连接。

S206：在第二绝缘层、源极和漏极上沉积第三绝缘层，并对第三绝缘层、第二绝缘层、缓冲层进行图案化暴露出位于发光区域的阳极。本实施例中，如图6所示，在第一过孔3081上方设置源极309，并在第二过孔3082、第三过孔3083和第四过孔3084上方设置310得到第四图形层。源极309通过第一过孔3081与有源层305接触。漏极310通过第二过孔3082与有源层305接触，通过第三过孔3083与遮光层302接触，通过第四过孔3084与阳极303接触。第三绝缘层覆盖第四图形层，暴露出位于发光区域的阳极。

S207：形成覆盖第三绝缘层、第二绝缘层、缓冲层和阳极的像素定义层。

与现有技术相比，本发明实施例在基板上直接设置阳极，漏极通过设置在层间绝缘层上的开孔与阳极连接，使得发光区域有效避开绝缘层，同时不使用平坦层，显著提高了光线的穿透率和发光效率。

在一个具体的实施方式中，阳极的厚度小于遮光层的厚度。阳极包括如下一种或几种材料：ITO、IZO、IGZO。在基板上形成遮光层包括，用物理沉积镀膜的方式在基板上沉积一层金属并图案化，得到遮光层。遮光层包括以下一种或几种材料：Cu、Mo、Ti、Al。

本实施例中，用常见的透明导电材料如ITO、IZO、IGZO、等单层或多层组合或合金材料，用物理沉积镀膜的方式沉积一层透明导电膜，作为阳极，再分别进行光阻涂布、曝光、显影、刻蚀、剥膜，做出第一图形层，需要特别指出的是阳极的厚度优选500-2000A，一方面膜层太厚会影响穿透率，另一方面如果太薄则不利于后续搭接。

在一个具体的实施方式中，在基板、遮光层和阳极上沉积缓冲层、半导体层、第一绝缘层和第一金属层包括：在基板、遮光层和阳极上采用化学沉积镀膜的方式沉积缓冲层。用物理沉积镀膜的方式在缓冲层上沉积半导体层。用化学沉积镀膜方式在半导体层上沉积第一绝缘层。用物理沉积镀膜的方式在第一绝缘层上沉积第一金属层。缓冲层包括以下一种或几种材料：SiN、SiO。半导体层包括以下一种或几种材料：IGZO，IZTO，IGZTO中的一种。第一绝缘层包括以下一种或几种材料：SiN、SiO。第一金属层包括以下一种或几种材料：Cu、Mo、Ti、Al。

本实施例中，金属层优选为一层。图案化包括光阻涂布、曝光、显影、刻蚀、剥膜。金属材料可选为Cu、Mo、Ti、Al等单层或多层组合或合金材料。缓冲层的材料可选为SiN或者SiO或者两者的膜层组合。有源层的材料可选为IGZO、IGTO等等单层或多层组合或合金组成的半导体材料。栅极绝缘层的材料可选为SiN或者SiO或者两者的膜层组合。栅极的材料可选为Cu、Mo、Ti、Al等单层或多层组合或合金材料。刻蚀步骤是先用湿刻工艺刻蚀出栅极层的图形层，再用干刻工艺刻蚀出栅极绝缘层，并用He气进行诱导导体化。

在一个具体的实施方式中，在缓冲层、有源层、栅绝缘层和栅极上沉积第二绝缘层采用化学沉积镀膜的方式。第二绝缘层包括以下一种或几种材料：SiN、SiO。

本实施例中，第二绝缘层的材料可选为SiN或者SiO或者两者的膜层组合。图案化包括光阻涂布、曝光、显影、刻蚀、剥膜。

图7为本发明实施例的OLED面板的膜层叠构图。如图7所示，本发明提供了一种OLED面板，包括基板301。遮光层302，制备于基板301表面。阳极303，制备于基板301表面。缓冲层304，覆盖遮光层302、阳极303和基板301。有源层305，制备于缓冲层304表面。栅极307绝缘层306，制备于有源层305表面。栅极307，制备于栅极307绝缘层306表面。第二绝缘层308，覆盖缓冲层304、有源层305、栅极307绝缘层306和栅极307。源极309，制备于第二绝缘层308表面，通过贯穿第二绝缘层308的第一过孔3081与有源层305连接。漏极310，制备于第二绝缘层308表面，通过贯穿第二绝缘层308的第二过孔3082与有源层305连接，通过贯穿第二绝缘层308和缓冲层304的第三过孔3083与遮光层302连接，通过贯穿第二绝缘层308和缓冲层304的第四过孔3084与阳极303连接。第三绝缘层311，覆盖第二绝缘层308、源极309和漏极310。像素定义层312，覆盖第三绝缘层311、第二绝缘层308和缓冲层304。

本实施例中，遮光层302与阳极303层间隔设置。阳极303层的厚度小于遮光层302的厚度。有源层305的宽度小于遮光层302的宽度。栅极307绝缘层306的宽度小于有源层305的宽度。栅极307的宽度小于栅极307绝缘层306的宽度。阳极303层的厚度为500-2000A。

与现有技术相比，本发明实施例在基板301上直接设置阳极303，漏极310通过设置在层间绝缘层上的开孔与阳极303连接，使得发光区域有效避开绝缘层，同时不使用平坦层，显著提高了光线的穿透率和发光效率。

虽然结合附图描述了本发明的实施例，但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下作出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。

Claims (10)

1.一种OLED面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基板上形成遮光层；

在所述基板和所述遮光层上涂布阳极层，并对所述阳极层进行图案化，形成阳极，所述阳极与所述遮光层间隔设置；

在所述基板、所述遮光层和所述阳极上沉积缓冲层、半导体层、第一绝缘层和第一金属层，并对所述半导体层、所述第一绝缘层和所述第一金属层进行图案化，形成有源层、栅绝缘层和栅极，所述有缘层位于所述遮光层的上方；

在所述缓冲层、有源层、栅绝缘层和栅极上沉积第二绝缘层，并对所述第二绝缘层和所述缓冲层进行图案化，形成第一过孔、第二过孔、第三过孔和第四过孔；所述第一过孔和第二过孔贯穿所述第二绝缘层，所述第三过孔和第四过孔贯穿所述第二绝缘层和缓冲层；

在所述第二绝缘层上形成第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化，形成源极和漏极，所述源极通过第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过第二过孔与所述有源层连接、通过所述第三过孔与所述遮光层连接、通过所述第四过孔与所述阳极连接；

在所述第二绝缘层、源极和漏极上沉积第三绝缘层，并对所述第三绝缘层、所述第二绝缘层、所述缓冲层进行图案化暴露出位于发光区域的所述阳极；

形成覆盖所述第三绝缘层、所述第二绝缘层、所述缓冲层和所述阳极的像素定义层。

2.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述阳极的厚度小于所述遮光层的厚度。

3.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于在所述基板和所述遮光层上涂布阳极层采用物理沉积镀膜的方式；

所述阳极包括如下一种或几种材料：ITO、IZO、IGZO。

4.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，在基板上形成遮光层包括如下步骤：

用物理沉积镀膜的方式在所述基板上沉积一层金属并图案化，得到所述遮光层；

所述遮光层包括以下一种或几种材料：Cu、Mo、Ti、Al。

5.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，在所述基板、所述遮光层和所述阳极上沉积缓冲层、半导体层、第一绝缘层和第一金属层包括如下步骤：

在所述基板、所述遮光层和所述阳极上采用化学沉积镀膜的方式沉积缓冲层；

用物理沉积镀膜的方式在所述缓冲层上沉积半导体层；

用化学沉积镀膜方式在所述半导体层上沉积第一绝缘层；

用物理沉积镀膜的方式在所述第一绝缘层上沉积第一金属层；

所述缓冲层包括以下一种或几种材料：SiN、SiO；

所述半导体层包括以下一种或几种材料：IGZO，IZTO，IGZTO中的一种；

所述第一绝缘层包括以下一种或几种材料：SiN、SiO；

所述第一金属层包括以下一种或几种材料：Cu、Mo、Ti、Al。

6.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，在所述缓冲层、有源层、栅绝缘层和栅极上沉积第二绝缘层采用化学沉积镀膜的方式；

所述第二绝缘层包括以下一种或几种材料：SiN、SiO。

7.一种OLED面板，其特征在于，包括：

基板；

遮光层，制备于所述基板表面；

阳极，制备于所述基板表面；所述阳极与所述遮光层间隔设置；

缓冲层，覆盖所述遮光层、所述阳极和所述基板；

有源层，制备于所述缓冲层表面；

栅极绝缘层，制备于所述有源层表面；

栅极，制备于所述栅极绝缘层表面；

第二绝缘层，覆盖所述缓冲层、有源层、栅极绝缘层和栅极；

源极，制备于所述第二绝缘层表面，通过贯穿所述第二绝缘层的第一过孔与所述有源层连接；

漏极，制备于所述第二绝缘层表面，通过贯穿所述第二绝缘层的第二过孔与所述有源层连接，通过贯穿所述第二绝缘层和所述缓冲层的第三过孔与所述遮光层连接，通过贯穿所述第二绝缘层和所述缓冲层的第四过孔与所述阳极连接；

第三绝缘层，覆盖所述第二绝缘层、源极和漏极；

像素定义层，覆盖所述第三绝缘层、第二绝缘层和缓冲层。

8.根据权利要求7所述的OLED面板，其特征在于，所述阳极的厚度小于所述遮光层的厚度。

9.根据权利要求7所述的OLED面板，其特征在于，所述有源层的宽度小于所述遮光层的宽度；

所述栅极绝缘层的宽度小于所述有源层的宽度；

所述栅极的宽度小于所述栅极绝缘层的宽度。

10.根据权利要求7所述的OLED面板，其特征在于，所述阳极的厚度为500-2000A。

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