CN107565049A - Amoled显示面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种AMOLED显示面板，包括基板；在所述基板上同一层设置有：遮挡金属部分和阳极；在具有所述遮挡金属部分和阳极的基板上设置有TFT结构，所述TFT结构包括有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极；所述漏极与所述阳极电连接；在具有TFT结构的基板上设置有有机发光层和阴极，所述有机发光层位于所述阳极和所述阴极之间且与所述阳极和所述阴极相连。本发明还提供一种AMOLED显示面板的制备方法。不仅节省工艺时间、降低成本以及提高良品率；而且还可以降低显示面板的高度，从而有利于显示基板的减薄化。

Description

AMOLED显示面板及其制备方法
技术领域
本发明属于显示器件加工技术领域，具体涉及一种AMOLED显示面板及其制备方法。
背景技术
由于顶栅结构的氧化物TFT具有较低的寄生电容以及较优良的电学特性，因此，被视为是大尺寸高分辨率的AMOLED显示面板的首选背板技术方案；并且，AMOLED显示面板的顶发光方案被视为未来大尺寸高分辨率等高显示要求的必然发展方向，因此，将顶栅结构的氧化物TFT与顶发光方案相结合，可以制作出更优良的大尺寸AMOLED显示面板，大尺寸AMOLED显示面板不但向着高可靠性、高分辨率、高色域等诸多优点于一身的方向发展。
顶栅自对准技术制作出来的TFT常属于共面结构，也就是说氧化物有源层在所有金属(栅极、源漏极)下方，与透明玻璃接近，很容易受到外界光源或者环境光的照射，而氧化物有源层的光照稳定性较差，因此氧化物的顶栅结构又常常需要在下方制作一层金属用来遮光。另外，根据工艺顺序及电学特性的综合考量，广泛采用遮光金属与源漏极金属相连接的方案。
目前，较为常规的顶栅结构的氧化物TFT结合顶发光方案的AMOLED显示面板的制备方法如下：S1，在玻璃基板0上制备遮光金属层1、绝缘层2、有源层3、栅绝缘层4、栅极5、源极S和漏极D，漏极D与遮光金属层2相连接，这可以让有源层上下都成为沟道，从而提高氧化物TFT结构的电学稳定性，如图1a所示；S2，在图1a所示结构上形成钝化层6，如图1b所示；S3，在图1b的结构上制备有机膜7，用来实现整个屏幕的平坦化，并且在后续即将开过孔的位置处进行图形化，如图1c所示；S4,进行图形化工艺，将露出的钝化层6上刻蚀出过孔，如图1d所示；S5，在图1d结构上沉积反射阳极层8并图形化，最终如图1e所示；S6，在图1e所示的结构上制作像素界定层9，在预设位置暴露出反射阳极，用于发光的子像素区域，再制备OLED器件(包括阴极10和有机发光层11)，最终如图1f所示。
采用上述显示基板的制备方法在实际应用中发现：工艺步骤较多，因此工艺时间、成本较高以及良品率低。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种AMOLED显示面板及其制备方法，不仅节省工艺时间、降低成本以及提高良品率；而且还可以降低显示面板的高度，从而有利于显示基板的减薄化。
为解决上述问题之一，本发明提供了一种AMOLED显示面板，包括基板；
在所述基板上同一层设置有：遮挡金属部分和阳极；
在具有所述遮挡金属部分和阳极的基板上设置有TFT结构，所述TFT结构包括有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极；
所述漏极与所述阳极电连接；
在具有TFT结构的基板上设置有有机发光层和阴极，所述有机发光层位于所述阳极和所述阴极之间且与所述阳极和所述阴极相连。
优选地，在所述基板上与遮挡金属部分和阳极同一层还设置有：辅助走线；所述阴极与所述辅助走线相连。
优选地，与源极和漏极同层设置有连接部；所述连接部用于连接所述辅助走线和所述阴极。
优选地，所述漏极与所述遮挡金属部分相连。
优选地，在具有所述遮挡金属部分的基板上设置有一层具有过孔第一绝缘层；在所述第一绝缘层上且与所述遮挡金属部分对应位置处由下至上依次层叠设置有所述有源层、所述栅绝缘层和所述栅极；在具有所述栅极的基板上设置一层具有过孔的第二绝缘层；在具有所述第二绝缘层的基板上同层设置所述源极和所述漏极；在具有源极和漏极的基板上设置一层具有过孔的第三绝缘层；在具有所述第三绝缘层的基板上设置所述有机发光层和所述阴极；所述过孔作为连接通道。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种AMOLED显示面板的制备方法，包括以下步骤：
提供一基板；
在所述基板上且同一层制备遮挡金属部分和阳极；
在具有所述遮挡金属部分和阳极的基板上制备TFT结构，所述TFT结构包括有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极，所述漏极与所述阳极电连接；
在具有TFT结构的基板上制备有机发光层和阴极，所述有机发光层位于所述阳极和所述阴极之间且与所述阳极和所述阴极相连。
优选地，所述在所述基板上且同一层制备遮挡金属部分和阳极的步骤，还包括：制备辅助走线；
所述在具有源极和漏极的结构上形成有机发光层和阴极的步骤中，还包括：所述阴极与所述辅助走线相连。
优选地，所述在具有所述遮挡金属部分和阳极的基板上制备TFT结构的步骤，包括：与所述源极、所述漏极同层制备连接部，所述连接部与所述辅助走线相连；
所述在具有源极和漏极的结构上形成有机发光层和阴极的步骤中，还包括：所述阴极与所述连接部相连。
优选地，所述在具有所述遮挡金属部分和阳极的基板上制备TFT结构的步骤，还包括：所述漏极与所述遮挡金属部分相连。
优选地，所述在具有所述遮挡金属部分和阳极的基板上制备TFT结构的步骤，包括：
在具有所述遮挡金属部分的基板上制备一层第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上制备由上至下依次层叠的所述有源层、所述栅绝缘层和所述栅极；
在具有所述栅极的基板上制备一层第二绝缘层；
采用一次构图工艺使所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上形成用于作为连接通道的过孔；
在具有所述第二绝缘层的基板上同层制备所述源极和所述漏极；
所述在具有TFT结构的基板上制备有机发光层和阴极的步骤，包括：
在具有源极和漏极的基板上设置一层第三绝缘层；
采用一次构图工艺使所述第三绝缘层上形成用于作为连接通道的过孔；
在具有所述第三绝缘层的基板上制备所述有机发光层和所述阴极。
本发明具有以下有益效果：
本发明中，由于在基板上且同一层制备遮挡金属部分和阳极，因此，可以采用一次构图工艺形成遮挡金属部分和阳极，这与现有技术中先采用一次构图工艺形成遮挡金属部分再采用一次构图工艺形成阳极且二者层叠设置相比，不仅可以简化工艺步骤，从而节省工艺时间、降低成本以及提高良品率；而且还可以降低显示面板的高度，从而有利于显示基板的减薄化。
附图说明
图1a～图1f为现有技术中制备AMOLED显示面板的多个步骤完成后的状态图；
图2a～图2h为本发明实施例提供的AMOLED显示面板的制备方法的多个步骤完成后的状态图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的AMOLED显示面板及其制备方法进行详细描述。
实施例1
本发明实施例提供一种AMOLED显示面板的制备方法，包括以下步骤：
S1，提供一基板。其中，该基板优选地但不限于透明基板。
S2，在基板上且同一层制备遮挡金属部分和阳极。其中，该遮挡金属部分用于作为遮挡外界的光信号透过基板照射有源层；阳极作为OLED发光器件的一个电极。
S3，在具有遮挡金属部分和阳极的基板上制备TFT结构，TFT结构包括有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极，漏极与阳极电连接。在本实施例中，TFT结构为顶栅结构，当然，本发明中TFT结构还可以底栅结构；栅绝缘层位于栅极和有源层之间；源极和漏极分别与有源层相连；有源层可以为但不限于诸如IGZO等的金属氧化物。
S4，在具有TFT结构的基板上制备有机发光层和阴极，有机发光层位于阳极和阴极之间且与阳极和阴极相连。其中，阳极、阴极以及二者之间的有机发光层组成为OLED发光器件。
本发明实施例提供的OLED显示面板的制备方法，由于在基板上且同一层制备遮挡金属部分和阳极，因此，可以采用一次构图工艺形成遮挡金属部分和阳极，这与现有技术中先采用一次构图工艺形成遮挡金属部分再采用一次构图工艺形成阳极且二者层叠设置相比，不仅可以简化工艺步骤，从而节省工艺时间、降低成本以及提高良品率；而且还可以降低显示面板的高度，从而有利于显示基板的减薄化。
需要在此说明的是，在步骤S2中采用一次构图工艺时沉积的金属层优选地选择反射率高且导电性较强的导电材料，例如，AlNd；Ag；Al；依次形成的层叠设置的ITO膜层、Ag膜层和ITO膜层；依次形成的层叠设置的Mo膜层、Al膜层和ITO膜层；依次形成的层叠设置的Mo膜层、AlNd膜层和ITO膜层。
优选地，步骤S2中的在基板上且同一层制备遮挡金属部分和阳极的步骤，还包括：制备辅助走线；在这种情况下，步骤S4中的在具有源极和漏极的结构上形成有机发光层和阴极的步骤中，还包括：阴极与辅助走线相连。通过制作辅助走线作为辅助阴极来降低OLED器件的阴极电阻，从而可以解决OLED器件的透明阴极的电阻很难满足大尺寸的显示面板的要求，提高阴极的导电性，避免IR drop现象的发生。
进一步优选地，为了便于辅助走线和阴极相连，在本实施例中，步骤S3中的在具有所述遮挡金属部分和阳极的基板上制备TFT结构的步骤，包括：与源极、漏极同层制备连接部，连接部与辅助走线相连；在这种情况下，步骤S4中的在具有源极和漏极的结构上形成有机发光层和阴极的步骤中，还包括：阴极与连接部相连。
另外，优选地，步骤S3中的在具有所述遮挡金属部分和阳极的基板上制备TFT结构的步骤，还包括：漏极与遮挡金属部分相连，这可以让有源层上下都成为沟道，从而提高TFT结构的电学稳定性。
下面结合图2a～图2h详细地描述本发明实施例提供的制备方法的一个具体实施例。具体地：
步骤S2，如图2a所示，在基板20上且同一层制备遮挡金属部分21、阳极22和辅助走线23。具体地，在基板20上先形成一层金属层，然后再采用一次构图工艺形成具有遮挡金属部分21、阳极22和辅助走线23的图形，最终如图2a所示。
步骤S3中的在具有遮挡金属部分和阳极的基板上制备TFT结构的步骤，包括：
S31，如图2b所示，在具有遮挡金属部分21的基板20上制备一层第一绝缘层30。
S32，如图2c所示，在第一绝缘层30上且与遮挡金属部分21对应位置处制备有源层40。
S33，如图2d所示，在所述有源层40上制备栅绝缘层50和栅极60。具体地，二者可以采用一道MASK进行先湿刻再干刻的方式形成图形，称之为自对准工艺。
S34，如图2e所示，在具有栅极60的基板20上制备一层第二绝缘层70。
S35，如图2f所示，采用一次构图工艺使第一绝缘层30和第二绝缘层70上形成用于作为连接通道的过孔。具体地，包括贯穿第二绝缘层的用于作为源极S和漏极D各自与有源层40连接的连接通道的第一过孔701和第二过孔702；包括贯穿第一绝缘层30和第二绝缘层70的用于作为漏极D和遮挡金属部分21连接的连接通道的第三过孔703；包括贯穿第一绝缘层30和第二绝缘层70的用于作为漏极D和阳极22连接的连接通道的第四过孔704；包括贯穿第一绝缘层30和第二绝缘层70的用于作为有机发光层和阳极22连接的连接通道的第五过孔705；包括贯穿第一绝缘层30和第二绝缘层70的用于作为连接部和辅助走线相连的连接通道的第六过孔706。
S36，如图2g所示，在具有第二绝缘层70的基板上同层制备源极S、漏极D和连接部80；具体地，先沉积一层金属层，再采用一次构图工艺形成源极S、漏极D和连接部80。需要注意的是，此处，构图工艺中需要的刻蚀液需要与阳极22的材料有高的选择比，以避免在源漏极金属材料刻蚀掉的同时，将阳极22也被刻蚀掉。
步骤S4中的在具有TFT结构的基板上制备有机发光层和阴极的步骤，包括：请参阅图2h，
S41，在具有源极S和漏极D和连接部80的基板20上设置一层第三绝缘层90.
S42，采用一次构图工艺使第三绝缘层90上形成用于作为连接通道的过孔；具体地，过孔包括贯穿第三绝缘层90的用于作为有机发光层100和阳极22连接的连接通道的第七过孔901；包括第三绝缘层90的用于作为阴极110和连接部80连接的连接通道的第八过孔902。
S43,在具有第三绝缘层90的基板20上制备有机发光层100和阴极110。
需要说明的是，上述具体实施例中，是以同时在具有辅助走线、漏极D与遮挡金属部分21相连的情况下一种具体的实施例；当然，在实际应用中，还可以不存在该两种情况，或者不存在两种情况中的任意一种，在不存在某种情况下，相关的结构(过孔等)则可以省去，在此不再详述。
还需要说明的是，在上述具体实施例中，第三绝缘层90可以为钝化层，在这种情况下，实际应用中，在步骤S35中还可以不形成第五过孔705，而在步骤S42中采用一次构图工艺刻蚀钝化层、第一绝缘层30和第二绝缘层70，形成贯穿三者的用于连接有机发光层和阳极22的过孔，此时，在步骤S36中的构图工艺不需要的刻蚀液需要与阳极22的材料有高的选择比。
另外，在实际应用中，第三绝缘层90还可以为像素界定层，由于像素界定层的材料通常为有机胶，这样，在步骤S42中则可以通过曝光显影就可以图形化形成第七过孔901和第八过孔902。
实施例2
请参阅图2h，本发明实施例还提供一种AMOLED显示面板，包括基板20；在基板20上同一层设置有：遮挡金属部分21和阳极22；在具有遮挡金属部分21和阳极22的基板20上设置有TFT结构，TFT结构包括有源层40、栅绝缘层50、栅极60、源极S和漏极D；漏极D与阳极22电连接；在具有TFT结构的基板20上设置有有机发光层100和阴极110，有机发光层100位于阳极22和阴极110之间且与阳极22和阴极110相连。
本发明实施例提供的AMOLED显示面板，由于在基板上且同一层设置有遮挡金属部分21和阳极22，因此，可以采用一次构图工艺形成遮挡金属部分21和阳极22，这与现有技术中先采用一次构图工艺形成遮挡金属部分21再采用一次构图工艺形成阳极22且二者层叠设置相比，不仅可以简化工艺步骤，从而节省工艺时间、降低成本以及提高良品率；而且还可以降低显示面板的高度，从而有利于显示基板的减薄化。
优选地，在基板20上与遮挡金属部分和阳极同一层还设置有：辅助走线23；阴极110与辅助走线23相连。
进一步优选地，与源极S和漏极D同层设置有连接部80；连接部80用于连接辅助走线23和阴极110。
另外优选地，漏极D与遮挡金属部分21相连。
图2h为本发明优选地一种具体实施例，请参阅图2h，在具有遮挡金属部分21的基板20上设置有一层具有过孔第一绝缘层30，过孔用于作为连接通道，该过孔对应上述实施例中的第三过孔703、第四过孔704、第五过孔705、第六过孔706。
在第一绝缘层30上依次层叠设置有有源层40、栅绝缘层50和栅极60；在具有栅极60的基板20上设置一层具有过孔的第二绝缘层70，孔用于作为连接通道；该过孔对应上述实施例中的第一过孔701、第二过孔702、第三过孔703、第四过孔704、第五过孔705、第六过孔706。
在具有第二绝缘层70的基板20上设置源极S、漏极D和连接部80；在具有源极S和漏极D和连接部80的基板20上设置一层具有过孔的第三绝缘层90，过孔作为连接通道，该过孔对应上述实施例中的第七过孔901和第八过孔902。
在具有第三绝缘层90的基板20上设置有机发光层100和阴极110。
需要说明的是，上述具体实施例中，是以同时在具有辅助走线、漏极D与遮挡金属部分21相连的情况下一种具体的实施例；当然，在实际应用中，还可以不存在该两种情况，或者不存在两种情况中的任意一种，在不存在某种情况下，相关的结构(过孔等)则可以省去，在此不再详述。
还需要说明的是，本实施例提供的AMOLED显示面板优选但不限于采用上述实施例1提供的AMOLED显示面板的制备方法获得。
实施例3
本发明实施例还提供一种AMOLED显示装置，包括上述实施例提供的AMOLED显示面板。
需要说明的是，该显示装置还可以包括其他诸如支撑等的辅助结构。
本发明实施例提供的AMOLED显示装置，由于采用上述实施例2提供的AMOLED显示面板，因此，不仅节省工艺时间、降低成本以及提高良品率；而且还可以降低显示面板的高度，从而有利于显示基板的减薄化。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种AMOLED显示面板，其特征在于，包括基板；
在所述基板上同一层设置有：遮挡金属部分和阳极；
在具有所述遮挡金属部分和阳极的基板上设置有TFT结构，所述TFT结构包括有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极；
所述漏极与所述阳极电连接；
在具有TFT结构的基板上设置有有机发光层和阴极，所述有机发光层位于所述阳极和所述阴极之间且与所述阳极和所述阴极相连。
2.根据权利要求1所述的AMOLED显示面板，其特征在于，在所述基板上与遮挡金属部分和阳极同一层还设置有：辅助走线；
所述阴极与所述辅助走线相连。
3.根据权利要求2所述的AMOLED显示面板，其特征在于，
与源极和漏极同层设置有连接部；
所述连接部用于连接所述辅助走线和所述阴极。
4.根据权利要求1所述的AMOLED显示面板，其特征在于，
所述漏极与所述遮挡金属部分相连。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的AMOLED显示面板，其特征在于，
在具有所述遮挡金属部分的基板上设置有一层具有过孔第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上且与所述遮挡金属部分对应位置处由下至上依次层叠设置有所述有源层、所述栅绝缘层和所述栅极；
在具有所述栅极的基板上设置一层具有过孔的第二绝缘层；
在具有所述第二绝缘层的基板上同层设置所述源极和所述漏极；
在具有源极和漏极的基板上设置一层具有过孔的第三绝缘层；
在具有所述第三绝缘层的基板上设置所述有机发光层和所述阴极；
所述过孔作为连接通道。
6.一种AMOLED显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基板；
在所述基板上且同一层制备遮挡金属部分和阳极；
在具有所述遮挡金属部分和阳极的基板上制备TFT结构，所述TFT结构包括有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极，所述漏极与所述阳极电连接；
在具有TFT结构的基板上制备有机发光层和阴极，所述有机发光层位于所述阳极和所述阴极之间且与所述阳极和所述阴极相连。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上且同一层制备遮挡金属部分和阳极的步骤，还包括：制备辅助走线；
所述在具有源极和漏极的结构上形成有机发光层和阴极的步骤中，还包括：所述阴极与所述辅助走线相连。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在具有所述遮挡金属部分和阳极的基板上制备TFT结构的步骤，包括：与所述源极、所述漏极同层制备连接部，所述连接部与所述辅助走线相连；
所述在具有源极和漏极的结构上形成有机发光层和阴极的步骤中，还包括：所述阴极与所述连接部相连。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在具有所述遮挡金属部分和阳极的基板上制备TFT结构的步骤，还包括：所述漏极与所述遮挡金属部分相连。
10.根据权利要求6-9任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述在具有所述遮挡金属部分和阳极的基板上制备TFT结构的步骤，包括：
在具有所述遮挡金属部分的基板上制备一层第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上制备由上至下依次层叠的所述有源层、所述栅绝缘层和所述栅极；
在具有所述栅极的基板上制备一层第二绝缘层；
采用一次构图工艺使所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上形成用于作为连接通道的过孔；
在具有所述第二绝缘层的基板上同层制备所述源极和所述漏极；
所述在具有TFT结构的基板上制备有机发光层和阴极的步骤，包括：
在具有源极和漏极的基板上设置一层第三绝缘层；
采用一次构图工艺使所述第三绝缘层上形成用于作为连接通道的过孔；
在具有所述第三绝缘层的基板上制备所述有机发光层和所述阴极。
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