CN107068725A - 有源矩阵有机发光二极管背板及其制造方法 - Google Patents

有源矩阵有机发光二极管背板及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种有源矩阵有机发光二极管背板及其制造方法。制造方法包括：在形成有遮光层图案和缓冲层的基底上，通过构图工艺形成源漏电极和第一过孔图案；依次沉积有源层薄膜和栅绝缘层薄膜，通过构图工艺形成氧化物有源层、栅绝缘层和第二过孔图案，氧化物有源层通过第一过孔与遮光层连接；依次形成栅电极和透明阳极图案，栅电极被透明导电薄膜覆盖，透明阳极通过第二过孔与源漏电极连接。与现有制备工艺相比，本发明通过至多八次构图工艺即可制备完成，不仅减少了构图工艺，而且有效避免了制备过程中Cu金属的氧化。

Description

有源矩阵有机发光二极管背板及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种有源矩阵有机发光二极管背板及其制造方法。
背景技术
在显示技术领域，液晶(Liquid Crystal Display，LCD)显示装置和有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示装置已经逐步取代CRT显示器。由于OLED显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽等优点，且可实现大面积全色显示，有望成为继LCD显示技术之后的下一代平板显示技术，是平板显示技术中倍受关注的技术之一。有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)显示装置是OLED显示装置的一种，主要由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)和OLED构成。
目前，大尺寸AMOLED显示装置虽然具有高可靠性、高分辨率、高色域等优点，但其大规模量产仍然存在良率不佳、成本高等问题。例如，顶栅氧化物型AMOLED背板的制备过程十分复杂，需要9次构图工艺，而且制备过程中还存在严重氧化的问题。不仅复杂的工艺流程导致成本居高不下，而且氧化问题在很大程度上降低了产品的良率。
因此，如何减少工艺步骤、降低生产成本、实现经济性大规模量产，是本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种有源矩阵有机发光二极管背板及其制造方法，以克服现有制备方法复杂且制备中存在严重氧化的缺陷。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种有源矩阵有机发光二极管背板的制造方法包括：
在形成有遮光层图案和缓冲层的基底上，通过构图工艺形成源漏电极和第一过孔图案；
依次沉积有源层薄膜和栅绝缘层薄膜，通过构图工艺形成氧化物有源层、栅绝缘层和第二过孔图案，氧化物有源层通过第一过孔与遮光层连接；
依次形成栅电极和透明阳极图案，栅电极被透明导电薄膜覆盖，透明阳极通过第二过孔与源漏电极连接。
可选地，在形成有遮光层图案和缓冲层的基底上，通过构图工艺形成源漏电极和第一过孔图案，包括：
在基底上形成遮光层图案；
在形成有遮光层的基底上，依次沉积缓冲层和源漏金属薄膜；
通过半色调掩膜或灰色调掩膜的构图工艺形成位于缓冲层上的源漏电极和第一过孔图案。
可选地，通过半色调掩膜或灰色调掩膜的构图工艺形成位于缓冲层上的源漏电极和第一过孔图案，包括：
在源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶；
采用半色调掩膜版或灰色调掩膜版对光刻胶进行阶梯曝光并显影，在第一过孔位置形成完全曝光区域，在源漏电极位置形成未曝光区域，在其余位置形成部分曝光区域；
依次刻蚀掉完全曝光区域的源漏金属薄膜和缓冲层，形成第一过孔图案；
灰化工艺后，刻蚀掉部分曝光区域的源漏金属薄膜，剥离光刻胶，形成源漏电极图案。
可选地，依次沉积有源层薄膜和栅绝缘层薄膜之后，通过构图工艺形成氧化物有源层、栅绝缘层和第二过孔图案之前，还包括在栅绝缘层薄膜上依次形成彩色光阻层和平坦层图案，包括：
在栅绝缘层薄膜上形成彩色光阻层图案；
在彩色光阻层图案上形成平坦层图案。
可选地，通过构图工艺形成氧化物有源层、栅绝缘层和第二过孔图案，氧化物有源层通过第一过孔与遮光层连接，包括：
涂覆一层光刻胶，采用半色调掩膜版或灰色调掩膜版对光刻胶进行阶梯曝光并显影，在栅绝缘层和平坦层位置形成未曝光区域，在有源层位置形成部分曝光区域，在第二过孔位置和其余位置形成完全曝光区域；
依次刻蚀掉完全曝光区域的栅绝缘层薄膜和有源层薄膜，形成有源层和第二过孔图案；
灰化工艺后，刻蚀掉部分曝光区域的栅绝缘层薄膜；对有源层进行导体化工艺，形成氧化物有源层；剥离光刻胶，形成氧化物有源层、栅绝缘层和第二过孔图案，氧化物有源层通过第一过孔与遮光层连接。
可选地，依次形成栅电极和透明阳极图案，栅电极被透明导电薄膜覆盖，透明阳极通过第二过孔与源漏电极连接，包括：
在栅绝缘层上形成栅电极图案；
沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成透明阳极图案和覆盖栅电极的透明导电薄膜图案，透明阳极通过第二过孔与源漏电极连接。
可选地，还包括：形成像素界定层图案，像素定义层露出发光区域。
可选地，所述氧化物有源层的材料为铟镓锌氧化物或铟锡锌氧化物，所述源漏电极包括依次叠加的三层材料，第一、第三层包括钼铌合金，第二层包括铜。
为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种有源矩阵有机发光二极管背板，包括：
基底；
设置在基底上的遮光层；
覆盖遮光层的缓冲层；
设置在缓冲层上的源漏电极；
覆盖源漏电极的氧化物有源层，氧化物有源层通过第一过孔与遮光层连接；
设置在氧化物有源层上的栅绝缘层、栅电极；
设置在发光区域的透明阳极，透明阳极通过第二过孔与源漏电极连接，且栅电极被透明导电薄膜包裹；
设置在栅电极和透明阳极上的像素定义层，像素定义层露出发光区域。
可选地，所述源漏电极和第一过孔通过一次半色调掩膜或灰色调掩膜构图工艺形成，所述氧化物有源层、栅绝缘层和第二过孔通过一次半色调掩膜或灰色调掩膜构图工艺形成。
可选地，所述氧化物有源层的材料为铟镓锌氧化物或铟锡锌氧化物，所述源漏电极包括依次叠加的三层材料，第一、第三层包括钼铌合金，第二层包括铜。
可选地，所述有源矩阵有机发光二极管背板还包括设置在栅绝缘层上的彩色光阻层和平坦层。
本发明实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括前述的有源矩阵有机发光二极管背板。
本发明实施例还提供了一种显示装置，显示装置包括前述的显示面板。
本发明实施例提供了一种有源矩阵有机发光二极管背板及其制造方法，通过八次构图工艺即可制备完成，与现有制备工艺相比，不仅减少了一次构图工艺，简化了工艺步骤，降低了生产成本，而且有效避免了制备过程中Cu金属的氧化，提高了制备AMOLED背板的良品率。
当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
图1为现有顶栅氧化物型AMOLED背板的结构示意图；
图2为本发明实施例AMOLED背板的制备方法的流程图；
图3为本发明第一实施例形成遮光层图案后的示意图；
图4a～图4f为本发明第一实施例形成源漏电极和第一过孔图案的示意图；
图5为本发明第一实施例形成彩色光阻层图案后的示意图；
图6为本发明第一实施例形成平坦层图案后的示意图；
图7a～图7d为本发明第一实施例形成氧化物有源层、栅绝缘层和第二过孔图案的示意图；
图8为本发明第一实施例形成栅电极图案后的示意图；
图9为本发明第一实施例形成透明阳极图案后的示意图；
图10为本发明第一实施例形成像素界定层图案后的示意图。
附图标记说明:
10—基底； 11—遮光层； 12—缓冲层；
13—氧化物有源层； 14—栅绝缘层； 15—栅电极；
16—层间介质层； 17—源漏电极； 18—第一钝化层；
19—彩色光阻层； 20—平坦化层； 21—透明阳极；
22—像素界定层； 40—源漏金属薄膜； 50—有源层薄膜。
60—栅绝缘层薄膜； 100—光刻胶。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
近年来，随着显示技术的快速发展，薄膜晶体管技术由原来的非晶硅(a-Si)薄膜晶体管发展到低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管和氧化物(Oxide)薄膜晶体管等。氧化物，如铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)或铟锡锌氧化物(Indium Tin ZincOxide，ITZO)，作为有源层，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，具有迁移率大、开态电流高、开关特性更优、均匀性更好的特点，可以大大提高薄膜晶体管对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，可以适用于需要快速响应和较大电流的应用，如高频、高分辨率、大尺寸的显示器以及有机发光显示器等。同时，随着显示装置尺寸的不断增大，如果信号传输线和电极的电阻较大，就会因为电阻压降而导致显示不均匀，因此大尺寸显示装置通常采用电阻率较低的铜(Cu)来制作信号传输线和电极。但由于铜原子容易发生扩散，铜原子可能会进入到绝缘层或氧化物中，因此需要设置金属阻挡层来防止铜原子的扩散。现有技术一般采用钛Ti、钼Mo、钽Ta或钼铌合金MoNb来制作金属阻挡层。例如，采用铜制备栅电极和源漏电极时，栅电极和源漏电极是依次叠加的三层结构，第一层为作为金属阻挡层的MoNb，第二层为Cu，第三层为作为金属阻挡层的MoNb，即栅电极和源漏电极是MoNb/Cu/MoNb三层结构。
图1为现有顶栅氧化物型AMOLED背板的结构示意图，是基于源漏电极与遮光层相连接、彩膜位于阵列(Color Filter on Array，COA)的低反射彩色化显示方案。如图1所示，顶栅氧化物型AMOLED背板包括：基底10，形成在基底10上的遮光(Sheilding Metal)层11，覆盖遮光层11的缓冲(Buffer)层12，形成在缓冲层12上的氧化物有源层13，形成在氧化物有源层13上的栅绝缘层14和栅电极15，覆盖栅绝缘层14和栅电极15的层间介质(InterLevel Dielectric，ILD)层16，形成在层间介质层16上的源漏电极17，源漏电极17通过层间介质层16上开设的过孔与氧化物有源层13和遮光层11连接，覆盖源漏电极17的第一钝化层18，形成在第一钝化层18上的彩色光阻层19，覆盖彩色光阻层19的平坦化层20，形成在平坦化层20上的透明阳极21，透明阳极21通过平坦化层20上开设的过孔与源漏电极17连接，覆盖透明阳极21的像素界定层22，像素界定层22用于将发光区域的透明阳极21露出来，以与OLED材料相连接实现可发光功能。
如图1所示顶栅氧化物型AMOLED背板的制备方法包括：通过第一次构图工艺在基底上形成遮光层图案；通过第二次构图工艺形成缓冲层和氧化物有源层图案；通过第三次构图工艺形成栅绝缘层和栅电极图案；通过第四次构图工艺形成层间介质层及其上的过孔；通过第五次构图工艺形成源漏电极图案，源漏电极通过层间介质层上开设的过孔与氧化物有源层和遮光层连接；通过第六次构图工艺形成彩色光阻层图案；通过第七次构图工艺形成平坦化层及其上的过孔；通过第八次构图工艺形成透明阳极，透明极层通过平坦化层上开设的过孔与源漏电极连接；通过第九次构图工艺形成像素界定层，共需要9次构图工艺。
经本申请发明人研究发现，现有顶栅氧化物型AMOLED背板的制备过程，不仅工艺流程复杂，共需要9次构图工艺，而且制备过程中还存在较严重的铜氧化问题。具体地说，由于栅电极之上覆盖层间介质层，源漏电极之上覆盖钝化层，而层间介质层和钝化层通常是利用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺进行沉积，高温下沉积层间介质层和钝化层时很容易将Cu金属氧化，虽然栅电极和源漏电极可以采用MoNb/Cu/MoNb三层结构，但栅电极和源漏电极图案化后的边缘，Cu金属还是会暴露出来，仍然有较严重的氧化。研究表明，这样严重的氧化会使上方的金属跨线造成不良，降低了制备AMOLED背板的良品率。
为了克服现有顶栅氧化物型AMOLED背板制备过程复杂、制备中存在严重氧化的缺陷，本申请实施例提供了一种AMOLED背板的制造方法。图2为本发明实施例AMOLED背板的制备方法的流程图。如图2所示，AMOLED背板的制备方法包括：
S1、在形成有遮光层图案和缓冲层的基底上，通过构图工艺形成源漏电极和第一过孔图案；
S2、依次沉积有源层薄膜和栅绝缘层薄膜，通过构图工艺形成氧化物有源层、栅绝缘层和第二过孔图案，氧化物有源层通过第一过孔与遮光层连接；
S3、依次形成栅电极和透明阳极图案，栅电极被透明导电薄膜覆盖，透明阳极通过第二过孔与源漏电极连接。
本发明实施例所提供的AMOLED背板的制备方法，通过至多八次构图工艺即可制备完成顶栅氧化物型AMOLED背板，与现有制备工艺相比，不仅减少了构图工艺，简化了工艺步骤，降低了生产成本，而且有效避免了制备过程中Cu金属的氧化，提高了制备AMOLED背板的良品率。
其中，步骤S1包括：
S11、在基底上形成遮光层图案；
S12、在形成有遮光层的基底上，依次沉积缓冲层和源漏金属薄膜；
S13、通过半色调掩膜或灰色调掩膜的构图工艺形成位于缓冲层上的源漏电极和第一过孔图案。
其中，步骤S13包括：
步骤S131、在源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶；
步骤S132、采用半色调掩膜版或灰色调掩膜版对光刻胶进行阶梯曝光并显影，在第一过孔位置形成完全曝光区域，在源漏电极位置形成未曝光区域，在其余位置形成部分曝光区域；
步骤S133、依次刻蚀掉完全曝光区域的源漏金属薄膜和缓冲层，形成第一过孔图案；
步骤S134、灰化工艺后，刻蚀掉部分曝光区域的源漏金属薄膜，剥离光刻胶，形成源漏电极图案。
其中，依次沉积有源层薄膜和栅绝缘层薄膜后，通过构图工艺形成氧化物有源层、栅绝缘层和第二过孔图案之前，还包括在栅绝缘层薄膜上依次形成彩色光阻层和平坦层图案的步骤，包括：
在栅绝缘层薄膜上形成彩色光阻层图案；
在彩色光阻层图案上形成平坦层图案。
其中，步骤S2中通过构图工艺形成氧化物有源层、栅绝缘层和第二过孔图案包括：
步骤S21、涂覆一层光刻胶，采用半色调掩膜版或灰色调掩膜版对光刻胶进行阶梯曝光并显影，在栅绝缘层和平坦层位置形成未曝光区域，在有源层位置形成部分曝光区域，在第二过孔位置和其余位置形成完全曝光区域；
步骤S22、依次刻蚀掉完全曝光区域的栅绝缘层薄膜和有源层薄膜，形成有源层和第二过孔图案；
步骤S23、灰化工艺后，刻蚀掉部分曝光区域的栅绝缘层薄膜；对有源层进行导体化工艺，形成氧化物有源层；剥离光刻胶，形成氧化物有源层、栅绝缘层和第二过孔图案，氧化物有源层通过第一过孔与遮光层连接。
其中，步骤S3包括：
步骤S31、在栅绝缘层上形成栅电极图案；
步骤S32、沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成透明阳极图案和覆盖栅电极的透明导电薄膜图案，透明阳极通过第二过孔与源漏电极连接。
其中，前述步骤中还包括：在形成前述图案的基底上通过构图工艺形成像素界定层图案的步骤，像素定义层露出发光区域。
下面通过AMOLED背板的制备过程进一步说明本发明实施例的技术方案。
第一实施例
图3～10为本发明第一实施例制备AMOLED背板的示意图。本实施例AMOLED背板是基于COA低反射彩色化显示方案。下面将结合图3～10对本实施例实施例AMOLED背板的制备方法进行详细说明，本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是现有成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。
第一次构图工艺中，在基底上通过单色调掩膜的构图工艺形成遮光层图案。形成遮光层图案包括：在基底10上沉积一层金属薄膜，在金属薄膜上涂覆一层光刻胶，采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光显影，对金属薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成遮光层11图案，如图3所示。
第二次构图工艺中，在形成有遮光层图案的基底上，通过半色调掩膜或灰色调掩膜的构图工艺形成源漏电极和第一过孔图案。形成源漏电极和第一过孔图案包括：
依次沉积缓冲层12和源漏金属薄膜40，如图4a所示。其中，缓冲层12可以采用氮化硅SiNx、氧化硅SiOx或SiNx/SiOx的复合膜层，源漏金属薄膜40可以采用MoNb/Cu/MoNb三层结构。
在源漏金属薄膜40上涂覆一层光刻胶100，采用半色调掩膜版或灰色调掩膜版对光刻胶进行阶梯曝光并显影，在遮光层上的第一过孔位置形成完全曝光区域A，无光刻胶，在源漏电极的位置形成未曝光区域B，具有第一厚度的光刻胶，在其余位置形成部分曝光区域C，具有第二厚度的光刻胶，第一厚度大于第二厚度，如图4b所示。
通过第一次刻蚀，刻蚀掉完全曝光区域A的源漏金属薄膜和缓冲层，形成第一过孔图案，如图4c所示。其中，第一次刻蚀可以采用湿刻方式。
通过光刻胶灰化工艺，使光刻胶在整体上去除第二厚度，即去除部分曝光区域C的光刻胶，暴露出部分曝光区域C的源漏金属薄膜，如图4d所示。
通过第二次刻蚀，刻蚀掉部分曝光区域C的源漏金属薄膜40，形成源漏电极图案，如图4e所示。其中，第二次刻蚀可以采用湿刻方式。
剥离未曝光区域的光刻胶，形成源漏电极17和第一过孔图案，如图4f所示。
第三次构图工艺中，在形成有源漏电极和第一过孔图案的基底上，通过单色调掩膜的构图工艺形成彩色光阻层图案。形成彩色光阻层图案包括：先依次沉积有源层薄膜50和栅绝缘层薄膜60，然后在栅绝缘层薄膜60上涂覆彩色光阻薄膜，采用单色调掩膜版对彩色光阻薄膜进行曝光显影，形成彩色光阻层19图案，如图5所示。其中，有源层薄膜50可以采用铟镓锌氧化物IGZO、铟锡锌氧化物ITZO或其它具有半导体性质的金属氧化物，栅绝缘层薄膜60可以采用氮化硅SiNx、氧化硅SiOx或SiNx/SiOx的复合膜层。通过本次COA工艺，实现了将彩色光阻层图案形成在相应的子像素发光区域的位置。
考虑到第二次构图工艺中形成的源漏电极图案，电极边缘会暴露出Cu金属，为了不使其在后续工艺中受到氧化，本实施例通过有源层薄膜将源漏电极覆盖，实现了在整个基底的源漏电极和电极引线都被包裹起来，使得在后续沉积栅绝缘层薄膜时，不会出现Cu金属氧化的情况。现有制备方法通常是沉积有源层薄膜后直接进行导体化工艺和构图工艺，形成氧化物有源层图案，而本实施例在沉积有源层薄膜后先不进行导体化工艺和构图工艺，在有源层薄膜上继续沉积栅绝缘层薄膜，由于源漏电极被有源层薄膜完全覆盖，高温下沉积栅绝缘层薄膜时不会接触到源漏电极，因而避免了源漏电极边缘暴露出来的Cu金属被氧化。
第四次构图工艺中，在形成前述图案的基底上，通过单色调掩膜的构图工艺形成平坦层(Planarization，PLN)图案。形成平坦层图案包括：涂覆树脂薄膜，采用单色调掩膜版对树脂薄膜进行曝光显影，形成平坦层20图案，平坦层20图案覆盖彩色光阻层19图案，如图6所示。
本实施例第三、第四次构图工艺形成彩色光阻层和平坦层图案的处理是可选工艺，仅针对基于WOLED+COA彩色化显示方案，或类似采用COA实现彩色显示的OLED方案。在实际实施时，对于其它无需彩膜即可实现彩色显示的显示方案，如RGB OLED，彩色光阻层图案不需要设置在AMOLED背板上，因而不需要形成彩色光阻层和平坦层图案的第三、第四次构图工艺，仅依次沉积有源层薄膜和栅绝缘层薄膜即可。
第五次构图工艺中，在形成前述图案的基底上，通过半色调掩膜或灰色调掩膜的构图工艺形成氧化物有源层、栅绝缘层和第二过孔图案。形成氧化物有源层、栅绝缘层和第二过孔图案包括：
在形成前述图案的基底上涂覆一层光刻胶100，采用半色调掩膜版或灰色调掩膜版对光刻胶进行阶梯曝光并显影，在栅绝缘层图案和平坦层图案位置形成未曝光区域B，具有第一厚度的光刻胶，在有源层图案位置形成部分曝光区域C，具有第二厚度的光刻胶，在源漏电极上的第二过孔位置和其余位置形成完全曝光区域A，无光刻胶，第一厚度大于第二厚度，如图7a所示。
通过第一次刻蚀，依次刻蚀掉完全曝光区域A的栅绝缘层薄膜60和有源层薄膜50，形成有源层和第二过孔图案，第二过孔位置暴露出源漏电极17，如图7b所示。其中，第一次刻蚀可以采用先干刻再湿刻的方式。
通过光刻胶灰化工艺，使光刻胶在整体上去除第二厚度，即去除部分曝光区域C的光刻胶，暴露出栅绝缘层薄膜60，如图7c所示。
通过第二次刻蚀，刻蚀掉部分曝光区域C的栅绝缘层薄膜60，暴露出有源层。随后，对有源层进行导体化工艺，形成氧化物有源层13。剥离未曝光区域的光刻胶，形成氧化物有源层13、栅绝缘层14和第二过孔图案，氧化物有源层13通过第一过孔与遮光层11连接，如图7d所示。其中，第二次刻蚀可以干刻方式。在导体化工艺中，由于未曝光区域B上覆盖有光刻胶，因此导体化工艺是对有源层沟道区域之外的区域进行处理，导体化工艺可以采用现有成熟工艺。
第六次构图工艺中，在形成前述图案的基底上，通过单色调掩膜的构图工艺形成栅电极图案。形成栅电极图案包括：在形成前述图案的基底上，沉积一层栅金属薄膜，在栅金属薄膜上涂覆一层光刻胶，采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光显影，对栅金属薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成栅电极15图案，栅电极15位于栅绝缘层14之上，如图8所示。其中，栅金属薄膜可以采用MoNb/Cu/MoNb三层结构。
第七次构图工艺中，在形成前述图案的基底上，通过单色调掩膜的构图工艺形成透明阳极图案。形成透明极层图案包括：在形成前述图案的基底上，沉积一层透明导电薄膜，在透明导电薄膜上涂覆一层光刻胶，采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光显影，在透明阳极和栅电极的位置形成未曝光区域，具有光刻胶，在其余位置形成完全曝光区域，无光刻胶，对完全曝光区域的透明导电薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成透明导电薄膜包裹栅电极和透明阳极21图案，透明阳极21形成在发光区域，透明阳极21通过第二过孔与源漏电极17连接，如图9所示。
考虑到第六次构图工艺中形成的栅电极图案，电极边缘会暴露出Cu金属，为了不使其在后续工艺中受到氧化，本实施例通过透明导电薄膜将栅电极和电极引线包裹起来，避免后续工艺中造成Cu金属氧化。本实施例第六次构图工艺形成栅电极图案时，所形成的栅电极图案的尺寸稍小于第五次构图工艺所形成的栅绝缘层图案，以使得透明导电薄膜可以完全包裹栅电极。其中，透明导电薄膜可以采用氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO。
第八次构图工艺中，在形成前述图案的基底上，通过单色调掩膜的构图工艺形成像素界定层(Pixel Definition Layer，PDL)图案。形成像素界定层图案包括：在形成前述图案的基底上，沉积一层像素界定薄膜，采用单色调掩膜版对像素界定薄膜进行曝光显影，形成像素界定层22图案，像素定义层22用于界定多个像素区域，露出发光区域，如图10所示。其中，像素界定薄膜可以采用聚酰亚胺或亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯。
本实施例顶栅氧化物型AMOLED背板的制备方法，采用了两次半色调掩膜或灰色调掩膜构图工艺，首先利用第一次半色调掩膜或灰色调掩膜构图工艺形成源漏电极图案和遮光层上方的第一过孔图案。随后沉积有源层薄膜后暂不进行图形化处理，连续沉积栅绝缘层薄膜后直接进行COA工艺及平坦化工艺，利用有源层薄膜将源漏电极暴露的Cu金属进行包裹遮挡，防止后续工艺造成氧化。之后利用第二次半色调掩膜或灰色调掩膜构图工艺形成栅绝缘层图案和源漏电极上方的第二过孔图案，最后在形成栅电极和透明阳极图案过程中，利用透明导电薄膜将栅电极暴露的Cu金属进行包裹遮挡，避免后续工艺对其造成氧化。
通过上述工艺流程可以看出，从形成遮光层图案到最后形成像素界定层图案，本实施例共采用了八次构图工艺。与现有制备工艺相比，不仅减少了一次构图工艺，简化了工艺步骤，降低了生产成本，而且有效避免了制备过程中Cu金属的氧化，提高了制备AMOLED背板的良品率。
第二实施例
基于第一实施例的发明构思，本实施例提供了一种AMOLED背板，为非共面结构的顶栅类型的氧化物薄膜晶体管，非共面结构是指栅极与源漏电极分别在有源层的上下两侧。如图10所示，本实施例顶栅氧化物型AMOLED背板包括：
基底10；
设置在基底10上的遮光层11；
覆盖遮光层11的缓冲层12；
设置在缓冲层12上的源漏电极17；
覆盖源漏电极17的氧化物有源层13，有源层13通过第一过孔与遮光层11连接；
设置在氧化物有源层13上的栅绝缘层14、栅电极15、彩色光阻层19和平坦层20；栅绝缘层14和栅电极15位于薄膜晶体管区域，彩色光阻层19和平坦层20位于子像素发光区域；
设置在发光区域的透明阳极21，透明阳极21通过第二过孔与源漏电极17连接，且栅电极15被透明导电薄膜包裹；
设置在栅电极15和透明阳极21上的像素定义层22，像素定义层22露出发光区域。
其中，源漏电极和第一过孔通过一次半色调掩膜或灰色调掩膜构图工艺形成，氧化物有源层、栅绝缘层和第二过孔通过一次半色调掩膜或灰色调掩膜构图工艺形成。
本实施例的彩色光阻层和平坦层图案，仅针对基于COA彩色化显示方案。在实际实施时，对于其它显示方案，如RGB OLED，AMOLED背板可以不设置彩色光阻层和平坦层图案。
本实施例AMOLED背板，利用有源层将源漏电极暴露的Cu金属进行包裹遮挡，利用透明导电薄膜将栅电极暴露的Cu金属进行包裹遮挡，有效避免了制备过程中Cu金属的氧化，提高了制备AMOLED背板的良品率。进一步地，本实施例AMOLED背板由八次构图工艺制备完整，与现有制备工艺相比，不仅减少了一次构图工艺，简化了工艺步骤，降低了生产成本。
第三实施例
本发明实施例还提供了一种显示面板，包括前述实施例的AMOLED背板。显示面板可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
进一步地，本发明实施例还提供了一种显示装置，显示装置包括前述的显示面板。
在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (14)

1.一种有源矩阵有机发光二极管背板的制造方法，其特征在于，包括：
在形成有遮光层图案和缓冲层的基底上，通过构图工艺形成源漏电极和第一过孔图案；
依次沉积有源层薄膜和栅绝缘层薄膜，通过构图工艺形成氧化物有源层、栅绝缘层和第二过孔图案，氧化物有源层通过第一过孔与遮光层连接；
依次形成栅电极和透明阳极图案，栅电极被透明导电薄膜覆盖，透明阳极通过第二过孔与源漏电极连接。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成有遮光层图案和缓冲层的基底上，通过构图工艺形成源漏电极和第一过孔图案，包括：
在基底上形成遮光层图案；
在形成有遮光层的基底上，依次沉积缓冲层和源漏金属薄膜；
通过半色调掩膜或灰色调掩膜的构图工艺形成位于缓冲层上的源漏电极和第一过孔图案。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，通过半色调掩膜或灰色调掩膜的构图工艺形成位于缓冲层上的源漏电极和第一过孔图案，包括：
在源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶；
采用半色调掩膜版或灰色调掩膜版对光刻胶进行阶梯曝光并显影，在第一过孔位置形成完全曝光区域，在源漏电极位置形成未曝光区域，在其余位置形成部分曝光区域；
依次刻蚀掉完全曝光区域的源漏金属薄膜和缓冲层，形成第一过孔图案；
灰化工艺后，刻蚀掉部分曝光区域的源漏金属薄膜，剥离光刻胶，形成源漏电极图案。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，依次沉积有源层薄膜和栅绝缘层薄膜之后，通过构图工艺形成氧化物有源层、栅绝缘层和第二过孔图案之前，还包括在栅绝缘层薄膜上依次形成彩色光阻层和平坦层图案的步骤，包括：
在栅绝缘层薄膜上形成彩色光阻层图案；
在彩色光阻层图案上形成平坦层图案。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过构图工艺形成氧化物有源层、栅绝缘层和第二过孔图案，氧化物有源层通过第一过孔与遮光层连接，包括：
涂覆一层光刻胶，采用半色调掩膜版或灰色调掩膜版对光刻胶进行阶梯曝光并显影，在栅绝缘层和平坦层位置形成未曝光区域，在有源层位置形成部分曝光区域，在第二过孔位置和其余位置形成完全曝光区域；
依次刻蚀掉完全曝光区域的栅绝缘层薄膜和有源层薄膜，形成有源层和第二过孔图案；
灰化工艺后，刻蚀掉部分曝光区域的栅绝缘层薄膜；对有源层进行导体化工艺，形成氧化物有源层；剥离光刻胶，形成氧化物有源层、栅绝缘层和第二过孔图案，氧化物有源层通过第一过孔与遮光层连接。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，依次形成栅电极和透明阳极图案，栅电极被透明导电薄膜覆盖，透明阳极通过第二过孔与源漏电极连接，包括：
在栅绝缘层上形成栅电极图案；
沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成透明阳极图案和覆盖栅电极的透明导电薄膜图案，透明阳极通过第二过孔与源漏电极连接。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：形成像素界定层图案，像素定义层露出发光区域。
8.根据权利要求1～7任一所述的制备方法，其特征在于，所述氧化物有源层的材料为铟镓锌氧化物或铟锡锌氧化物，所述源漏电极包括依次叠加的三层材料，第一、第三层包括钼铌合金，第二层包括铜。
9.一种有源矩阵有机发光二极管背板，其特征在于，包括：
基底；
设置在基底上的遮光层；
覆盖遮光层的缓冲层；
设置在缓冲层上的源漏电极；
覆盖源漏电极的氧化物有源层，氧化物有源层通过第一过孔与遮光层连接；
设置在氧化物有源层上的栅绝缘层、栅电极；
设置在发光区域的透明阳极，透明阳极通过第二过孔与源漏电极连接，且栅电极被透明导电薄膜包裹；
设置在栅电极和透明阳极上的像素定义层，像素定义层露出发光区域。
10.根据权利要求9所述的背板，其特征在于，所述源漏电极和第一过孔通过一次半色调掩膜或灰色调掩膜构图工艺形成，所述氧化物有源层、栅绝缘层和第二过孔通过一次半色调掩膜或灰色调掩膜构图工艺形成。
11.根据权利要求9或10所述的背板，其特征在于，所述氧化物有源层的材料为铟镓锌氧化物或铟锡锌氧化物，所述源漏电极包括依次叠加的三层材料，第一、第三层包括钼铌合金，第二层包括铜。
12.根据权利要求9或10所述的背板，其特征在于，所述有源矩阵有机发光二极管背板还包括设置在栅绝缘层上的彩色光阻层和平坦层。
13.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求9～12任一所述的有源矩阵有机发光二极管背板。
14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求13所述的显示面板。
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