CN111668238B - Oled显示面板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种OLED显示面板及其制作方法，所述OLED显示面板包括第一晶体管以及第二晶体管，其中所述第一晶体管的第一栅极与所述第二晶体管的第二栅极均位于第一金属层，所述第一晶体管的第一源极、第一漏极与位于所述第二晶体管上方的第一遮光层均位于第二金属层，且所述第二晶体管的第二有源层位于所述第二栅极与所述第一遮光层之间；相比于现有技术，本申请有效地防止了OLED显示面板内发出的光和热对第二有源层的稳定性造成影响，提高了第二有源层的稳定性，提高了第二晶体管的稳定性，进而提高了OLED显示面板的显示效果，且不需要增加额外的工艺工序，节省了工艺时间和工艺成本。

Description

OLED显示面板及其制作方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板及其制作方法。
背景技术
目前显示装置也已发展为在便携性和可穿戴性方面优越的产品。而由于OLED显示面板具有柔性的特点，所以作为柔性显示的首要选择越来越受到追捧。然而受限于电池技术瓶颈，降低功耗是主要的方向。
由于OLED显示电路比较复杂，通常都是7T1C的像素电路，所以电路的功耗也比较高。每个像素包括由阳极与阴极之间的有机发光层构成的有机发光二极管、以及独立驱动有机发光二极管的像素电路。像素电路主要由传输数据信号的开关晶体管、根据数据信号驱动有机发光二极管的驱动晶体管、以及保持数据电压的一个电容器构成，开关晶体管响应于扫描脉冲将数据电压充电到电容器中，驱动晶体管通过根据充电在电容器中的数据电压控制提供至有机发光二极管的电流量来调整有机发光二极管的发光量。
但是，开关晶体管采用氧化物半导体制作有源层，易受OLED显示面板内发出的光和热的影响，进而影响开关晶体管的稳定性，影响显示效果。
发明内容
本申请实施例提供一种OLED显示面板及其制作方法，能够解决现有技术中的OLED显示面板，由于有源层采用氧化物半导体材料制成，易受OLED显示面板内发出的光和热的影响，从而影响晶体管器件的稳定性，进而影响显示效果的技术问题。
为解决上述技术问题，本申请实施例提供一种OLED显示面板，所述OLED显示面板包括多个像素区，且所述多个像素区中的每一者皆包括第一晶体管以及第二晶体管；
所述OLED显示面板还包括：
衬底层；
第一金属层，设置于所述衬底层上，所述第一金属层包括所述第一晶体管的第一栅极、以及所述第二晶体管的第二栅极；
第二金属层，设置于所述第一金属层上方，所述第二金属层包括所述第一晶体管的第一源极和第一漏极、以及位于所述第二晶体管上方的第一遮光层；
其中，所述第二晶体管的第二有源层位于所述第二栅极与所述第一遮光层之间。
在本申请的一种实施例中，所述第二栅极在所述衬底层上的投影面积大于或等于所述第二有源层在所述衬底层上的投影面积。
在本申请的一种实施例中，所述第一遮光层在所述衬底层上的投影面积大于或等于所述第二有源层在所述衬底层上的投影面积。
在本申请的一种实施例中，所述OLED显示面板还包括依次设置于所述第二金属层上的层间绝缘层以及第三金属层，所述层间绝缘层覆盖所述第二金属层，所述第三金属层包括通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述第一漏极电性连接的导通件、以及对应所述第一遮光层并位于所述第一遮光层上方的第二遮光层。
在本申请的一种实施例中，所述OLED显示面板还包括依次设置于所述第三金属层上的平坦层以及像素定义层，所述平坦层覆盖所述第三金属层，所述像素定义层包括与所述多个像素区一一对应的多个像素开口，所述多个像素开口中的每一者内依次设置有阳极以及有机发光层，且所述阳极通过贯穿所述平坦层的过孔与所述导通件电性连接。
在本申请的一种实施例中，所述第一晶体管还包括设置于所述衬底层和所述第一栅极之间的第一有源层，且所述第一有源层的材料包括低温多晶硅，所述第二有源层的材料包括氧化物半导体。
根据本申请的上述目的，提供一种OLED显示面板的制作方法，所述OLED显示面板包括多个像素区，且所述多个像素区中的每一者皆包括第一晶体管以及第二晶体管；
所述方法包括：
S10、制备第一金属层于衬底层上，所述第一金属层包括所述第一晶体管的第一栅极、以及所述第二晶体管的第二栅极；
S20、依次制备第一绝缘层、第二有源层于所述第一金属层上，且所述第二有源层位于所述第二栅极上方；以及
S30、依次制备第二绝缘层、第二金属层于所述第一绝缘层和所述第二有源层上，且所述第二金属层包括所述第一晶体管的第一源极和第一漏极、以及位于所述第二有源层上方的第一遮光层。
在本申请的一种实施例中，所述步骤S20中，所述第二栅极在所述衬底层上的投影面积大于或等于所述第二有源层在所述衬底层上的投影面积。
在本申请的一种实施例中，所述步骤S30中，所述第一遮光层在所述衬底层上的投影面积大于或等于所述第二有源层在所述衬底层上的投影面积。
在本申请的一种实施例中，所述步骤S30还包括：制备层间绝缘层覆盖所述第二金属层，并于所述层间绝缘层上制备第三金属层，所述第三金属层包括通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述第一漏极电性连接的导通件、以及对应所述第一遮光层并位于所述第一遮光层上方的第二遮光层。
本申请的有益效果：本申请通过在制备第一晶体管的第一栅极和第一源极、第一漏极的同时，分别对应制备第二晶体管的第二栅极和位于第二晶体管上方的第一遮光层，且第二晶体管的第二有源层设置于第二栅极和第一遮光层之间，从而同时对第二有源层的上下两面均起到了保护作用，有效地阻隔了OLED显示面板内发出的光和热，防止了光和热对第二有源层的稳定性造成影响，提高了第二有源层的稳定性，提高了第二晶体管的稳定性，进而提高了OLED显示面板的显示效果，且不需要增加额外的工艺工序，节省了工艺时间和工艺成本。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的OLED显示面板的结构示意图。
图2为本申请实施例提供的OLED显示面板的制作方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本申请实施例针对现有的OLED显示面板及其制作方法，由于有源层采用氧化物半导体材料制成，易受OLED显示面板内发出的光和热的影响，从而影响晶体管器件的稳定性，进而影响显示效果的技术问题。
为解决上述技术问题，本申请实施例提供一种OLED显示面板，请参照图1所示，所述OLED显示面板包括多个像素区，且所述多个像素区中的每一者皆包括第一晶体管101以及第二晶体管102；且所述OLED显示面板还包括：衬底层109；第一金属层103，设置于所述衬底层109上，所述第一金属层103包括所述第一晶体管101的第一栅极1031、以及所述第二晶体管102的第二栅极1032；第二金属层104，设置于所述第一金属层103上方，所述第二金属层104包括所述第一晶体管101的第一源极1041和第一漏极1042、以及位于所述第二晶体管102上方的第一遮光层1043；其中，所述第二晶体管102的第二有源层105位于所述第二栅极1032与所述第一遮光层1043之间。
在实施应用过程中，现有的OLED显示面板为节省功耗而采用LTPO技术，其中，通过设置第一晶体管以及第二晶体管，且第二晶体管响应于扫描脉冲将数据电压充电到电容器中，第一晶体管通过根据充电在电容器中的数据电压控制提供至有机发光二极管的电流量来调整有机发光二极管的发光量，但是，现有的第二晶体管中采用氧化物半导体材料作为有源层，使得第二晶体管的有源层极易被OLED显示面板内发出的光和热影响，使得第二晶体管不稳定，进而影响OLED显示面板的显示效果，而本申请实施例中，通过在制备第一晶体管的第一栅极和第一源极、第一漏极的同时，分别对应制备第二晶体管的第二栅极和第一遮光层，且第二晶体管的第二有源层设置于第二栅极和第一遮光层之间，从而同时对第二有源层的上下两面均起到了保护作用，有效地阻隔了OLED显示面板内发出的光和热，防止了光和热对第二有源层的稳定性造成影响，提高了第二有源层的稳定性，提高了第二晶体管的稳定性，进而提高了OLED显示面板的显示效果。
具体地，请参照图1所示，所述OLED显示面板包括衬底层109、以及设置于所述衬底层109上的第一晶体管101和第二晶体管102。
更进一步地，所述衬底层109包括基板1091以及缓冲层1092，所述基板1091不限于玻璃基板或柔性基板，且柔性基板的材料可以包括聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯，所述缓冲层1092可以为氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)的一层或多层所组成的结构层。
在本申请实施例中，所述OLED显示面板还包括依次设置于所述衬底层109上的钝化层111、第一绝缘层112、第二绝缘层113、层间绝缘层114、平坦层115以及像素定义层116，所述钝化层111、所述第一绝缘层112、所述第二绝缘层113以及所述层间绝缘层114均可以为氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)的一层或多层结构，所述平坦层115不限于有机材料层或无机材料层，所述像素定义层116可为有机材料层，可包括聚酰亚胺。
所述第一晶体管101包括设置于所述衬底层109上并被所述钝化层111覆盖的第一有源层110，设置于所述钝化层111上并被所述第一绝缘层112覆盖的第一栅极1031，设置于所述第一绝缘层112上并被所述第二绝缘层113覆盖的第三栅极107，设置于所述第二绝缘层113上并被所述层间绝缘层114覆盖的第一源极1041和第一漏极1042，其中，所述第一有源层110位于所述衬底层109和所述第一栅极1031之间，所述第一栅极1031位于所述第一金属层103，所述第三栅极107位于所述第一栅极1031上方，以呈电容结构，提高所述第一晶体管101的工作效率，所述第一源极1041和所述第一漏极1042位于所述第二金属层104，且所述第一源极1041和所述第二源极1042通过贯穿所述第二绝缘层113、所述第一绝缘层112以及部分所述钝化层111的过孔分别与所述第一有源层110的两侧搭接。
所述第二晶体管101包括设置于所述钝化层111上并被所述第一绝缘层112覆盖的第二栅极1032，设置于所述第一绝缘层112上并被所述第二绝缘层113覆盖的第二有源层105，分别设置于所述第二有源层105两侧并与所述第二有源层105两侧搭接的第二源极1081和第二漏极1082，需要说明的是，所述第二金属层104还包括设置于所述第二绝缘层113上并被所述层间绝缘层114覆盖的第一遮光层1043，其中，所述第二栅极1032位于所述第一金属层103，所述第二有源层105位于所述第二栅极1032和所述第一遮光层1043之间，并与所述第三栅极107位于同一结构层。
所述OLED显示面板还包括设置于所述层间绝缘层114上并被所述平坦层覆盖的第三金属层106，且所述第三金属层106包括对应所述第一晶体管101的导通件1061以及对应所述第二晶体管102的第二遮光层1062，且所述导通件1061通过贯穿所述层间绝缘层114的过孔与所述第一漏极1042电性连接，所述第二遮光层1062位于所述第一遮光层1043的上方。
在本申请实施例中，所述第一有源层110的材料包括低温多晶硅，所述第二有源层105的材料包括氧化物半导体，即所述第一晶体管101可为所述OLED显示面板的驱动晶体管，所述第二晶体管102可为所述OLED显示面板的开关晶体管，且本申请实施例中通过在所述第二有源层105的上下两面设置第二栅极1032和第一遮光层1043，以阻隔所述OLED显示面板内的光和热对所述第二有源层105的影响，提高了所述第二有源层105的稳定性，进而提高了所述第二晶体管102的稳定性，提高了所述OLED显示面板的显示效果，同时，所述第二栅极1032与所述第一遮光层1043分别与所述第一栅极1031以及所述第一源极1041、第一漏极1042同制程设置，不需要额外增加工艺制程，节省了工艺时间和工艺成本，提高了产品良率，更进一步地，本申请还设置有第三金属层106，即在设置所述导通件1061的同时，于所述第一遮光层1043上方制备所述第二遮光层1062，以进一步地增强对所述第二有源层105的保护作用，且所述第三金属层106可以采用金属Mo等反光性更好的材料制成，以提高所述第二遮光层1062对光和热的阻隔作用。
需要说明的是，所述第二栅极1032在所述衬底层109上的投影面积大于或等于所述第二有源层105在所述衬底层109上的投影面积，所述第一遮光层1043在所述衬底层109上的投影面积大于或等于所述第二有源层105在所述衬底层109上的投影面积，另外，在实施应用过程中，所述第一遮光层1043与所述第二源极1081、所述第二漏极1082应尽量错开设置，避免有重叠区域以产生寄生电容。
所述像素定义层116包括与所述多个像素区一一对应的多个像素开口119，且所述多个像素开口119中的每一者内依次设置有阳极117以及有机发光层118，且所述阳极117通过贯穿所述平坦层115的过孔与所述导通件1061电性连接，再通过所述导通件1061与所述第一漏极1042电性连接，以实现信号的输入。
另外，本申请实施例还提供一种上述实施例所述的OLED显示面板的制作方法，具体地，请参照图1以及图2所示，所述OLED显示面板包括多个像素区，且所述多个像素区中的每一者皆包括第一晶体管101以及第二晶体管102，且所述方法包括：
S10、制备第一金属层103于衬底层109上，所述第一金属层103包括所述第一晶体管101的第一栅极1031、以及所述第二晶体管102的第二栅极1032。
具体地，提供基板1091，并制备缓冲层1092于所述基板1091上，制备所述第一晶体管101的第一有源层110于所述缓冲层1092上，制备钝化层111于所述缓冲层1092上并覆盖所述第一有源层110，制备第一金属层103于所述钝化层111上，所述第一金属层103包括所述第一晶体管101的第一栅极1031以及所述第二晶体管102的第二栅极1032，且所述第一栅极1031位于所述第一有源层110的上方。
所述基板不限于玻璃基板或柔性基板，且柔性基板的材料包括聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯，所述缓冲层1092与所述钝化层111均可为氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)的一层或多层结构，所述第一有源层110的材料包括低温多晶硅。
S20、依次制备第一绝缘层112、第二有源层105于所述第一金属层103上，且所述第二有源层105位于所述第二栅极1032上方。
具体地，制备第一绝缘层112覆盖所述第一金属层103，制备所述第一晶体管101的第三栅极107、以及所述第二晶体管102的第二有源层105于所述第一绝缘层112上，并制备所述第二晶体管102的第二源极1081和第二漏极1082于所述第二有源层105的两侧，分别与所述第二有源层105的两侧搭接。
需要说明的是，所述第二栅极1032在所述衬底层109上的投影面积大于或等于所述第二有源层105在所述衬底层109上的投影面积。
所述第三栅极107位于所述第一栅极1031上方，并与所述第一栅极1031形成电容结构，以提高所述第一晶体管101的效率，所述第二有源层105位于所述第二栅极1032上方，使得所述第二栅极1032可以阻隔所述第二有源层105下方传导过来的光和热。
S30、依次制备第二绝缘层113、第二金属层104于所述第一绝缘层112和所述第二有源层105上，且所述第二金属层104包括所述第一晶体管101的第一源极1041和第一漏极1042、以及位于所述第二有源层105上方的第一遮光层1043。
具体地，制备所述第二绝缘层113于所述第一绝缘层112上并覆盖所述第二有源层105、所述第三栅极107、所述第二源极1081以及所述第二漏极1082，制备所述第二金属层104于所述第二绝缘层113上，且所述第二金属层104包括所述第一晶体管101的第一源极1041和第一漏极1042、所述第二晶体管101的第一遮光层1043，且所述第一源极1041与所述第一漏极1042通过贯穿所述第二绝缘层113、所述第一绝缘层112以及部分所述钝化层111的过孔分别与所述第一有源层110的两侧搭接，所述第一遮光层1043位于所述第二有源层105上方，使得所述第一遮光层1043可以阻隔所述第二有源层105上方传导过来的光和热。
需要说明的是，所述第一遮光层1043在所述衬底层109上的投影面积大于或等于所述第二有源层105在所述衬底层109上的投影面积，另外，在实施应用过程中，所述第一遮光层1043与所述第二源极1081、所述第二漏极1082应尽量错开设置，避免有重叠区域以产生寄生电容。
更进一步地，所述步骤S30还包括：制备层间绝缘层114覆盖所述第二金属层104，并于所述层间绝缘层114上制备第三金属层106，所述第三金属层106包括通过贯穿所述层间绝缘层114的过孔与所述第一漏极1042电性连接的导通件1061、以及位于所述第一遮光层1043上方的第二遮光层1062，且所述第二金属层106可以采用金属Mo等反光性更好的材料制成，以提高所述第二遮光层1062对光和热的阻隔作用。
另外，制备平坦层115于所述层间绝缘层114上并覆盖所述第三金属层106，制备阳极117于所述平坦层115上，且所述阳极117通过贯穿所述平坦层115的过孔与所述导通件1062电性连接，制备像素定义层116于所述平坦层115上，且于所述像素定义层116中形成与所述多个像素区一一对应的多个像素开口119，且每个像素开口119对应暴露一个所述阳极117的上表面，并于所述阳极117上制备有机发光层118，且所述阳极117通过贯穿所述平坦层115的过孔与所述导通件1061电性连接，再通过所述导通件1061与所述第一漏极1042电性连接，以实现信号的输入。
需要说明是，后续制程还包括封装等工艺，可参照现有工艺进行制备，在此不再赘述。
综上所述，本申请实施例通过在制备第一晶体管的第一栅极和第一源极、第一漏极的同时，分别对应制备第二晶体管的第二栅极和位于第二晶体管上方的第一遮光层，且第二晶体管的第二有源层设置于第二栅极和第一遮光层之间，从而同时对第二有源层的上下两面均起到了保护作用，有效地阻隔了OLED显示面板内发出的光和热，防止了光和热对第二有源层的稳定性造成影响，提高了第二有源层的稳定性，提高了第二晶体管的稳定性，进而提高了OLED显示面板的显示效果，且不需要增加额外的工艺工序，节省了工艺时间和工艺成本。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种OLED显示面板及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板包括多个像素区，且所述多个像素区中的每一者皆包括第一晶体管以及第二晶体管；
所述OLED显示面板还包括：
衬底层；
第一金属层，设置于所述衬底层上，所述第一金属层包括所述第一晶体管的第一栅极、以及所述第二晶体管的第二栅极；
第二金属层，设置于所述第一金属层上方，所述第二金属层包括所述第一晶体管的第一源极和第一漏极、以及位于所述第二晶体管上方的第一遮光层；
第三金属层，设置于所述第二金属层上方，所述第三金属层包括对应所述第一遮光层的第二遮光层；
其中，所述第二晶体管的第二有源层位于所述第二栅极与所述第一遮光层之间，所述第二遮光层位于所述第一遮光层上方。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第二栅极在所述衬底层上的投影面积大于或等于所述第二有源层在所述衬底层上的投影面积。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一遮光层在所述衬底层上的投影面积大于或等于所述第二有源层在所述衬底层上的投影面积。
4.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板还包括依次设置于所述第二金属层与所述第三金属层之间的层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述第二金属层，所述第三金属层还包括通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述第一漏极电性连接的导通件。
5.根据权利要求4所述的OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板还包括依次设置于所述第三金属层上的平坦层以及像素定义层，所述平坦层覆盖所述第三金属层，所述像素定义层包括与所述多个像素区一一对应的多个像素开口，所述多个像素开口中的每一者内依次设置有阳极以及有机发光层，且所述阳极通过贯穿所述平坦层的过孔与所述导通件电性连接。
6.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一晶体管还包括设置于所述衬底层和所述第一栅极之间的第一有源层，且所述第一有源层的材料包括低温多晶硅，所述第二有源层的材料包括氧化物半导体。
7.一种OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述OLED显示面板包括多个像素区，且所述多个像素区中的每一者皆包括第一晶体管以及第二晶体管；
所述方法包括：
S10、制备第一金属层于衬底层上，所述第一金属层包括所述第一晶体管的第一栅极、以及所述第二晶体管的第二栅极；
S20、依次制备第一绝缘层、第二有源层于所述第一金属层上，且所述第二有源层位于所述第二栅极上方；以及
S30、依次制备第二绝缘层、第二金属层、第三金属层于所述第一绝缘层和所述第二有源层上，且所述第二金属层包括所述第一晶体管的第一源极和第一漏极、以及位于所述第二有源层上方的第一遮光层，所述第三金属层包括对应第一遮光层的第二遮光层，所述第二遮光层位于所述第一遮光层的上方。
8.根据权利要求7所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S20中，所述第二栅极在所述衬底层上的投影面积大于或等于所述第二有源层在所述衬底层上的投影面积。
9.根据权利要求7所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S30中，所述第一遮光层在所述衬底层上的投影面积大于或等于所述第二有源层在所述衬底层上的投影面积。
10.根据权利要求7所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S30还包括：制备层间绝缘层于所述第二金属层和所述第三金属层之间，且覆盖所述第二金属层，并于所述层间绝缘层上制备第三金属层，所述第三金属层包括通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述第一漏极电性连接的导通件。
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