CN113178492A - 显示面板及显示装置 - Google Patents
显示面板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113178492A CN113178492A CN202110361440.XA CN202110361440A CN113178492A CN 113178492 A CN113178492 A CN 113178492A CN 202110361440 A CN202110361440 A CN 202110361440A CN 113178492 A CN113178492 A CN 113178492A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- active layer
- oxide active
- display panel
- switching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 45
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 19
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 13
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种显示面板及显示装置，其包括电性连接的开关晶体管以及驱动晶体管；所述显示面板还包括：第一金属层，包括位于所述开关晶体管的氧化物有源层下的隔离层，以及所述驱动晶体管的第一驱动栅极；相较于现有技术，本发明提高了氧化物有源层的稳定性，提高了开关晶体管的稳定性，进而提高了显示面板的显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及具有该显示面板的显示装置。
背景技术
近年来，随着显示技术的发展，OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)由于其高对比度、高亮度以及色彩鲜艳等特点被越来越多厂商青睐，同时也促进OLED技术在显示领域得到了大幅的发展。
但是随着移动设备和可穿戴显示方案的发展及目前电池高能量密度方案暂无关键性突破。使得人们对显示设备功耗要求越来越高。目前OLED小尺寸主要的两大背板技术是LTPS(Low Temperature Poly Si，低温多晶硅)和IGZO(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)，但是由于IGZO正面均一性较难控制，而LTPS载流子迁移率较大，存在漏电流较高的问题，因此LTPO(Low Temperature Polycrystalline-Si Oxide)低温多晶氧化物技术应运而生。它结合了LTPS和IGZO两者的优点，形成了一种响应速度快，功耗更低的LTPO解决方案。
但是，由于IGZO器件中的有源层为氧化物，较为敏感，容易受到邻近膜层离子渗透以及外部光照的影响，使得器件电性发生漂移，进而影响显示效果。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及显示装置，能够解决现有技术中，由于IGZO器件中的氧化物有源层容易受到邻近膜层离子渗透以及外部光照的影响，使得器件电性发生漂移，进而影响显示效果的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种显示面板，其包括电性连接的开关晶体管以及驱动晶体管；
所述显示面板还包括：
第一金属层，包括位于所述开关晶体管的氧化物有源层下的隔离层，以及所述驱动晶体管的第一驱动栅极，其中，所述隔离层与所述氧化物有源层具有重叠部分。
在本发明的一种实施例中，所述氧化物有源层在所述第一金属层上的正投影位于所述隔离层的覆盖范围之内。
在本发明的一种实施例中，所述显示面板还包括设置于所述第一金属层上的第二金属层，且所述第二金属层包括所述开关晶体管的第一开关栅极以及所述驱动晶体管的第二驱动栅极，其中，所述第一开关栅极位于所述氧化物有源层和所述隔离层之间。
在本发明的一种实施例中，所述第一开关栅极与所述隔离层通过过孔电性连接。
在本发明的一种实施例中，所述显示面板还包括设置于所述第一金属层下的第二金属层，且所述第二金属层包括所述驱动晶体管的第二驱动栅极，且所述第一驱动栅极与所述第二驱动栅极皆位于所述驱动晶体管的多晶硅有源层上。
在本发明的一种实施例中，所述隔离层为所述开关晶体管的第一开关栅极。
在本发明的一种实施例中，所述显示面板还包括设置于所述第一金属层上的第三金属层，且所述第三金属层包括所述开关晶体管的开关源极与开关漏极，所述开关源极与所述开关漏极设置于所述氧化物有源层上，并与所述氧化物有源层两侧搭接。
在本发明的一种实施例中，所述显示面板还包括设置于所述第一金属层与所述第三金属层之间的第四金属层，且所述第四金属层包括所述开关晶体管的第二开关栅极，且所述第二开关栅极位于所述氧化物有源层上。
在本发明的一种实施例中，所述开关源极在所述氧化物有源层上的正投影、所述开关漏极在所述氧化物有源层上的正投影以及所述第二开关栅极在所述氧化物有源层上的正投影相连接并覆盖所述氧化物有源层。
根据本发明的上述目的，提供一种显示装置，所述显示装置包括所述显示面板。
本发明的有益效果：本发明通过在开关晶体管的氧化物有源层下方设置隔离层，以隔离来自氧化物有源层下方的离子渗透以及光照影响，进而可以提高氧化物有源层的稳定性，提高显示面板的显示效果，且该隔离层与驱动晶体管的第一驱动栅极同层制备，进而可以节省工艺工序，节省成本。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本发明实施例针对现有的显示面板及显示装置，在LTPO技术中，由于IGZO器件中的氧化物有源层容易受到邻近膜层离子渗透以及外部光照的影响，使得器件电性发生漂移，进而影响显示效果的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种显示面板，请参照图1，所述显示面板包括电性连接的开关晶体管T1以及驱动晶体管T2；所述显示面板还包括：第一金属层10，包括位于所述开关晶体管T1的氧化物有源层31下的隔离层11，以及所述驱动晶体管T2的第一驱动栅极12，其中，所述隔离层11与所述氧化物有源层31具有重叠部分。
在实施应用过程中，现有的LTPO型显示面板，由于开关晶体管一般采用IGZO(铟镓锌氧化物)作为有源层，而IGZO较为敏感，容易受到邻近膜层中离子渗透以及外部光照的影响，使得IGZO器件的电性发生漂移，进而影响到开关晶体管的稳定性，影响显示效果，而本发明实施例提供的显示面板中，请继续参照图1，通过在制备所述第一驱动栅极12的同时，采用同层金属制备隔离层11于所述氧化物有源层31下，进而可以有效隔离所述氧化物有源层31受到下方邻近膜层中离子渗透的影响，且阻隔了外部光照照射到所述氧化物有源层31上，防止了所述氧化物有源层31的电性发生漂移，提高了所述开关晶体管T1的稳定性，提高了所述显示面板的显示效果。
具体地，请继续参照图1，在本发明的一种实施例中，所述显示面板包括基底60、设置于所述基底60上的开关晶体管T1以及驱动晶体管T2，更进一步地，所述显示面板还包括依次设置于所述基底60上的复合层71、钝化层72、第一绝缘层73、第二绝缘层74、第三绝缘层75、第四绝缘层76、平坦层77以及像素定义层78，其中，所述基底60包括层叠设置的第一PI层61、第一缓冲层62、第二PI层63以及第二缓冲层64，所述第一缓冲层62与所述第二缓冲层64的材料包括氧化硅层，所述复合层71包括依次设置于所述基底60上且层叠的氮化硅层、氧化硅层以及a-Si层，且所述基底60不限于上述所述PI层以及所述缓冲层的层叠数量，可根据实际需求进行调整。
另外，所述显示面板还包括设置于所述钝化层72上并被所述第一绝缘层73覆盖的第一金属层10、设置于所述第一绝缘层73上并被所述第二绝缘层74覆盖的第二金属层20、设置于所述第四绝缘层76上并被所述平坦层77覆盖的第三金属层40以及设置于所述第三绝缘层75上并被所述第四绝缘层76所覆盖的第四金属层50。
进一步地，所述开关晶体管T1包括设置于所述第二绝缘层74上并被所述第三绝缘层75覆盖的氧化物有源层31、位于所述第二金属层20且位于所述氧化物有源层31下的第一开关栅极21、位于所述第三金属层40且位于所述氧化物有源层31上并与所述氧化物有源层31两侧搭接的开关源极41与开关漏极42，以及位于所述第四金属层50并位于所述氧化物有源层31上的第二开关栅极51，其中，所述开关源极41与所述开关漏极42分别通过贯穿所述第四绝缘层76以及部分所述第三绝缘层75的过孔与所述氧化物有源层31两侧搭接，所述氧化物有源层31的材料包括铟镓锌氧化物。
所述驱动晶体管T2包括设置于所述钝化层71上并被所述第一绝缘层72覆盖的多晶硅有源层32、位于所述第二金属层20并位于所述多晶硅有源层32上的第二驱动栅极22、位于所述第三金属层40且位于所述多晶硅有源层32上并与所述多晶硅有源层32两侧搭接的驱动源极43与驱动漏极44，其中，所述驱动源极43与所述驱动漏极44分别通过贯穿所述第四绝缘层76、所述第三绝缘层75、所述第二绝缘层74、所述第一绝缘层73以及部分所述钝化层72的过孔与所述多晶硅有源层32两侧搭接，所述多晶硅有源层32的材料包括低温多晶硅材料。
在本实施例中，所述开关晶体管T1还包括位于所述第一金属层10并位于所述第一开关栅极21下的隔离层11，所述驱动晶体管T2还包括位于所述第一金属层10并位于所述第二驱动栅极22与所述多晶硅有源层32之间的第一驱动栅极12，即本实施例通过在制备所述第一驱动栅极12的同时，制备所述隔离层11于所述氧化物有源层31下，且所述隔离层11与所述氧化物有源层31具有重叠部分，由于所述氧化物有源层31易受其下方的复合层71以及第二绝缘层74中氢原子或其他离子扩散和渗透的影响，以及受到外部光照的影响，使得所述氧化物有源层31电性不稳定，进而使得所述开关晶体管T1也不稳定，影响所述显示面板的显示效果，而本实施例中通过在制备所述第一驱动栅极12的同时，在所述氧化物有源层31下设置所述隔离层11，以阻隔邻近膜层的离子渗透以及外部光照的影响，提高了所述氧化物有源层31的稳定性，提高了所述开关晶体管T1的稳定性，提高了所述显示面板的显示效果，同时，本实施例将所述隔离层11与所述第一驱动栅极12同层制备，进而可以节省工艺工序。
此外，所述氧化物有源层31在所述第一金属层10上的正投影在所述隔离层11的覆盖范围之内，以使得所述隔离层11对所述氧化物有源层31的下表面进行更大面积的保护，以提高隔离效果。
在本实施例中，所述第三金属层40还包括第一导通层45，且所述第一导通层45通过贯穿所述第四绝缘层76、所述第三绝缘层75、所述第二绝缘层74以及部分所述第一绝缘层73的过孔将所述第一开关栅极21与所述隔离层11相连接，由于第一开关栅极21与所述隔离层11相近且相对，容易产生寄生电容，因此，本实施例通过将所述第一开关栅极21与所述隔离层11相连接，进而可以减少寄生电容的产生，提高所述开关晶体管T1的电性，提高所述显示面板的显示效果，同时，在制程上，所述第一导通层45与所述开关源极41、所述开关漏极42、所述驱动源极43以及所述驱动漏极44同层制备，进而可以节省工艺工序。
需要说明的是，所述像素定义层78限定出多个像素区83，且每个所述像素区83对应设置有阳极81以及位于所述阳极81上的OLED发光层82，更进一步地，每个所述像素区83对应设置所述开关晶体管T1以及所述驱动晶体管T2，其中，所述开关晶体管T1通过第二导通层46与所述驱动晶体管T2电性连接，所述阳极81与所述驱动漏极44电性连接，以实现信号传输，进而使得所述OLED发光层82发光，实现所述显示面板的显示。
综上所述，本实施例通过在所述开关晶体管T1的所述氧化物有源层31下方设置所述隔离层11，以隔离来自所述氧化物有源层31下方的离子渗透以及光照影响，进而可以提高所述氧化物有源层31的稳定性，提高显示面板的显示效果，且所述隔离层11与所述第一驱动栅极12同层制备，进而节省了工艺工序，节省了成本。
在本发明的另一种实施例中，请参照图2，其与上一个实施例的区别之处在于：所述第一金属层10设置于所述第一绝缘层73上并被所述第二绝缘层74覆盖，所述第一金属层10包括所述驱动晶体管T2的第一驱动栅极12，以及位于所述氧化物有源层31下的隔离层11，且在本实施例中，所述隔离层11还复用为所述开关晶体管T1的第一开关栅极，进而无需额外设置隔离层或第一开关栅极，在起到保护氧化物有源层31作用的同时，还节省了工艺工序，节省了成本。
此外，所述第二金属层20设置于所述第一金属层10下，即所述第二金属层20设置于所述钝化层72上并被所述第一绝缘层73所覆盖，且所述第二金属层20包括所述驱动晶体管T2的第二驱动栅极，且所述第一驱动栅极12与所述第二驱动栅极皆位于所述多晶硅有源层32上，所述第一驱动栅极12与所述第二驱动栅极相对设置。
在本实施例中，所述氧化物有源层31在所述第一金属层10上的正投影在所述隔离层11的覆盖范围之内，即在所述第一开关栅极的覆盖范围之内。
综上所述，本实施例通过在所述开关晶体管T1的所述氧化物有源层31下方设置所述隔离层11，以隔离来自所述氧化物有源层31下方的离子渗透以及光照影响，进而可以提高所述氧化物有源层31的稳定性，提高显示面板的显示效果，且所述隔离层11与所述第一驱动栅极12同层制备，并复用为所述第一开关栅极，进而可以节省工艺工序，节省了成本，且在本实施例中，所述隔离层11距离所述氧化物有源层31更近，其隔离的膜层更多，保护效果更好。
在本发明的另一种实施例中，请参照图3，本实施例对第一个实施例的结构进行进一步限定，将所述第二开关栅极51的面积进行扩大，使得所述开关源极41在所述氧化物有源层31上的正投影、所述开关漏极42在所述氧化物有源层31上的正投影以及所述第二开关栅极51在所述氧化物有源层31上的正投影相连接，并覆盖所述氧化物有源层31，进而可以隔离所述氧化物有源层31的上方，以防止所述氧化物有源层31受到其上方膜层的离子渗透以及外部光照的影响，进而可以提高所述氧化物有源层31的稳定性，提高所述开关晶体管T1的稳定性，提高了所述显示面板的显示效果。
需要说明的是，所述开关源极41在所述氧化物有源层31上的正投影、所述开关漏极42在所述氧化物有源层31上的正投影以及所述第二开关栅极51在所述氧化物有源层31上的正投影无重叠部分，即所述开关源极41、所述开关漏极42以及所述第二开关栅极51在所述显示面板的厚度方向上无重叠部分，以避免寄生电容的产生，进一步地提高了所述开关晶体管T1的稳定性。
综上所述，本实施例通过在所述开关晶体管T1的所述氧化物有源层31下方设置所述隔离层11，以隔离来自所述氧化物有源层31下方的离子渗透以及光照影响，并扩大所述第二开关栅极51的面积，配合所述开关源极41以及所述开关漏极42隔离来自所述氧化物有源层31的上方的离子渗透以及光照影响，即本实施例中同时对所述氧化物有源层31的上下进行隔离，进而可以提高所述氧化物有源层31的稳定性，提高显示面板的显示效果，且所述隔离层11与所述第一驱动栅极12同层制备，进而节省了工艺工序，节省了成本。
在本发明的另一种实施例中，请参照图4，本实施例对第一个实施例的结构进行进一步地限定，将所述开关源极41以及所述开关漏极42的面积进行扩大，皆向中间进行延伸，使得所述开关源极41在所述氧化物有源层31上的正投影、所述开关漏极42在所述氧化物有源层31上的正投影以及所述第二开关栅极51在所述氧化物有源层31上的正投影相连接，并覆盖所述氧化物有源层31，进而可以隔离所述氧化物有源层31的上方，以防止所述氧化物有源层31受到其上方膜层的离子渗透以及外部光照的影响，进而可以提高所述氧化物有源层31的稳定性，提高所述开关晶体管T1的稳定性，提高了所述显示面板的显示效果。
需要说明的是，所述开关源极41在所述氧化物有源层31上的正投影、所述开关漏极42在所述氧化物有源层31上的正投影以及所述第二开关栅极51在所述氧化物有源层31上的正投影无重叠部分，即所述开关源极41、所述开关漏极42以及所述第二开关栅极51在所述显示面板的厚度方向上无重叠部分，以避免寄生电容的产生，进一步地提高了所述开关晶体管T1的稳定性。
综上所述，本实施例通过在所述开关晶体管T1的所述氧化物有源层31下方设置所述隔离层11，以隔离来自所述氧化物有源层31下方的离子渗透以及光照影响，并扩大所述开关源极41以及所述开关漏极42的面积，配合所述第二开关栅极51隔离来自所述氧化物有源层31的上方的离子渗透以及光照影响，即本实施例中同时对所述氧化物有源层31的上下进行隔离，进而可以提高所述氧化物有源层31的稳定性，提高显示面板的显示效果，且所述隔离层11与所述第一驱动栅极12同层制备，进而节省了工艺工序，节省了成本。
在本发明的另一种实施例中，请参照图5，本实施例与第一个实施例的区别之处在于，所述开关晶体管T1不设置所述第二开关栅极，仅于所述氧化物有源层31下设置所述第一开关栅极21，同时将所述开关源极41以及所述开关漏极42的面积进行扩大，即两者向中间延伸，以遮挡所述氧化物有源层31的上方，另外，所述开关源极41以及所述开关漏极42不连接，且两者之间的间距可根据实际需求进行调整，在此不做限定。
需要说明的是，所述开关源极41以及所述开关漏极42向中间延伸的距离可相同，或一者延伸距离长而另一者延伸距离短，或一者保持不变，而另一者进行延伸，在此不做限定。
综上所述，本实施例通过在所述开关晶体管T1的所述氧化物有源层31下方设置所述隔离层11，以隔离来自所述氧化物有源层31下方的离子渗透以及光照影响，并扩大所述开关源极41以及所述开关漏极42的面积以隔离来自所述氧化物有源层31的上方的离子渗透以及光照影响，即本实施例中同时对所述氧化物有源层31的上下进行隔离，进而可以提高所述氧化物有源层31的稳定性，提高显示面板的显示效果，且所述隔离层11与所述第一驱动栅极12同层制备，进而节省了工艺工序，节省了成本。
另外，本发明实施例还提供一种显示装置，且所述显示装置包括上述任一实施例中所述的显示面板。
所述显示装置包括智能手环、智能手表、VR(Virtual Reality，即虚拟现实)等可穿戴设备；以及移动电话机、电子书和电子报纸、电视机、个人便携电脑、可折叠以及可卷曲OLED等柔性OLED显示及照明设备。
承上，本发明实施例提供的显示面板及具有该显示面板的显示装置，通过至少在所述开关晶体管T1的所述氧化物有源层31下方设置所述隔离层11，以隔离来自所述氧化物有源层31下方的离子渗透以及光照影响，进而可以提高所述氧化物有源层31的稳定性，提高显示面板的显示效果，且所述隔离层11与所述驱动晶体管T2的所述第一驱动栅极12同层制备，进而可以节省工艺工序，节省成本。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括电性连接的开关晶体管以及驱动晶体管；
所述显示面板还包括：
第一金属层，包括位于所述开关晶体管的氧化物有源层下的隔离层，以及所述驱动晶体管的第一驱动栅极，其中，所述隔离层与所述氧化物有源层具有重叠部分。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述氧化物有源层在所述第一金属层上的正投影位于所述隔离层的覆盖范围之内。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述第一金属层上的第二金属层，且所述第二金属层包括所述开关晶体管的第一开关栅极以及所述驱动晶体管的第二驱动栅极，其中，所述第一开关栅极位于所述氧化物有源层和所述隔离层之间。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一开关栅极与所述隔离层通过过孔电性连接。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述第一金属层下的第二金属层，且所述第二金属层包括所述驱动晶体管的第二驱动栅极，且所述第一驱动栅极与所述第二驱动栅极皆位于所述驱动晶体管的多晶硅有源层上。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述隔离层为所述开关晶体管的第一开关栅极。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述第一金属层上的第三金属层，且所述第三金属层包括所述开关晶体管的开关源极与开关漏极，所述开关源极与所述开关漏极设置于所述氧化物有源层上，并与所述氧化物有源层两侧搭接。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述第一金属层与所述第三金属层之间的第四金属层，且所述第四金属层包括所述开关晶体管的第二开关栅极，且所述第二开关栅极位于所述氧化物有源层上。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述开关源极在所述氧化物有源层上的正投影、所述开关漏极在所述氧化物有源层上的正投影以及所述第二开关栅极在所述氧化物有源层上的正投影相连接并覆盖所述氧化物有源层。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至9任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110361440.XA CN113178492A (zh) | 2021-04-02 | 2021-04-02 | 显示面板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110361440.XA CN113178492A (zh) | 2021-04-02 | 2021-04-02 | 显示面板及显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113178492A true CN113178492A (zh) | 2021-07-27 |
Family
ID=76923053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110361440.XA Pending CN113178492A (zh) | 2021-04-02 | 2021-04-02 | 显示面板及显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113178492A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114203787A (zh) * | 2021-12-10 | 2022-03-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
| WO2023065455A1 (zh) * | 2021-10-18 | 2023-04-27 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 阵列基板及其制作方法和显示装置 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103579532A (zh) * | 2012-08-10 | 2014-02-12 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
| CN106920804A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-07-04 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、其驱动方法、显示面板及显示装置 |
| CN208848909U (zh) * | 2018-10-17 | 2019-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及包括该阵列基板的显示装置 |
| CN110649044A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-01-03 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
| CN110649043A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-01-03 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法 |
| CN111415948A (zh) * | 2020-03-30 | 2020-07-14 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法 |
| CN111668238A (zh) * | 2020-06-19 | 2020-09-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
| CN111863837A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-10-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板和显示面板 |
| CN112259610A (zh) * | 2020-10-09 | 2021-01-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
| CN112331681A (zh) * | 2020-11-25 | 2021-02-05 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| US20210043661A1 (en) * | 2019-08-06 | 2021-02-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Polishing slurry, method for manufacturing a display device using the same and display device |
-
2021
- 2021-04-02 CN CN202110361440.XA patent/CN113178492A/zh active Pending
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103579532A (zh) * | 2012-08-10 | 2014-02-12 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
| CN106920804A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-07-04 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、其驱动方法、显示面板及显示装置 |
| CN208848909U (zh) * | 2018-10-17 | 2019-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及包括该阵列基板的显示装置 |
| US20210043661A1 (en) * | 2019-08-06 | 2021-02-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Polishing slurry, method for manufacturing a display device using the same and display device |
| CN110649044A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-01-03 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
| CN110649043A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-01-03 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法 |
| CN111415948A (zh) * | 2020-03-30 | 2020-07-14 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法 |
| CN111668238A (zh) * | 2020-06-19 | 2020-09-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
| CN111863837A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-10-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板和显示面板 |
| CN112259610A (zh) * | 2020-10-09 | 2021-01-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
| CN112331681A (zh) * | 2020-11-25 | 2021-02-05 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023065455A1 (zh) * | 2021-10-18 | 2023-04-27 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 阵列基板及其制作方法和显示装置 |
| CN114203787A (zh) * | 2021-12-10 | 2022-03-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11152443B2 (en) | Display panel having a storage capacitor and method of fabricating same | |
| US20210257581A1 (en) | Array substrate and method for manufacturing the same, display panel and display device | |
| US11335709B2 (en) | Array substrate, display panel, display device and method for forming array substrate | |
| WO2020198975A1 (zh) | 显示基板及其制备方法、显示面板 | |
| CN106992185B (zh) | 薄膜晶体管基板、包括其的显示器及其制造方法 | |
| CN112259610B (zh) | 阵列基板及显示面板 | |
| CN104854706A (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置 | |
| CN107579003B (zh) | 薄膜晶体管及制作方法、显示基板及制作方法、显示装置 | |
| CN110391283B (zh) | 有机发光显示面板和有机发光显示装置 | |
| US20220149137A1 (en) | Display substrate, method for manufacturing same, and display apparatus | |
| CN113178492A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN111415995B (zh) | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 | |
| CN102237372B (zh) | 阵列基底和制造该阵列基底的方法 | |
| US20230035664A1 (en) | Display and electronic device | |
| CN102664187A (zh) | 有机发光二极管显示器及其制造方法 | |
| CN112736092B (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示面板 | |
| CN113327935B (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
| CN113066818B (zh) | 一种显示屏和电子设备 | |
| CN112397527B (zh) | 阵列基板及其制作方法 | |
| CN103928455A (zh) | 一种tft阵列基板及其制造方法 | |
| KR102212457B1 (ko) | 유기발광표시장치 및 그의 제조방법 | |
| CN114792694A (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示面板 | |
| CN112289841B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN215008230U (zh) | 一种阵列基板、显示面板以及显示装置 | |
| CN114203732B (zh) | Ltpo基板及其制作方法、显示面板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210727 |