CN114203787A - 一种显示面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种显示面板及其制备方法。本发明的显示面板包括存储电容。本发明的存储电容包括：第一电容电极、第一电容介质、第二电容电极、第二电容介质、层间绝缘层以及第三电容电极。由于第二电容介质的厚度较薄，且第二电容介质的介电常数较高，因此可以提升整个存储电容的电容值，进而满足显示面板的充放电及保持电荷能力的需求。同时，第二电容介质的厚度较薄，可以降低显示面板的厚度，进而满足超薄显示技术的开发需求。

Description

一种显示面板及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
OLED(英文全称：Organic Light-Emitting Diode，中文：有机发光显示装置)又称为有机电激光显示装置、有机发光半导体器件。OLED凭借电压需求低、省电效率高、重量轻、厚度薄、构造简单、成本低、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等诸多优势，已经成为当今最重要的显示技术之一。目前的OLED一般采用LTPO(英文全称：LowTemperature Polycrystalline Oxide，中文：低温多晶氧化物)基板。LTPO基板包含IGZO(英文全称：Indium Gallium Zinc Oxide，中文：铟镓锌氧化物)TFT(英文全称：Thin FilmTransistor，中文：薄膜晶体管)和LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶硅)TFT两种TFT结构。
目前，一般采用LTPSTFT的栅极作为存储电容的第一电容电极，然后在第一电容电极上设置电容介质，然后在电容介质上设置第二栅极作为存储电容的第二电容电极。目前的电容介质的厚度范围为1000埃-3000埃，电容介质的厚度较大；目前的电容介质的材质一般为SiOx或SiNx，其介电常数较小，由此形成的存储电容的电容值较小，无法满足显示面板的充放电及保持电荷能力的需求。
目前，一般在定义存储电容的第二电容电极(第二栅极)的同时，还定义出IGZOTFT的遮光单元，然后在第二电容电极上设置绝缘层，然后在绝缘层上定义出IGZO TFT。因此，目前的LTPO基板需要三张栅极掩膜板(LTPSTFT的栅极、存储电容的第二电容电极以及IGZO TFT的栅极)，制备工艺繁琐。目前第二电容电极上的绝缘层的厚度范围为2000埃-10000埃，其厚度较厚，导致LTPO基板的膜厚较厚，无法满足超薄显示技术的开发需求。
发明内容
本发明的目的是提供一种显示面板及其制备方法，其能够解决现有显示面板中存在的存储电容的电容值较小无法满足显示面板的充放电及保持电荷能力的需求、膜厚较厚无法满足超薄显示技术的开发需求等问题。
为了解决上述问题，本发明提供了一种显示面板，其包括基板及设置于所述基板上的多个像素单元；每一所述像素单元均包括：驱动区和开关区；每一所述像素单元均包括：存储电容，位于所述驱动区，其包括：第一电容电极，设置于所述驱动区的所述基板上；第一电容介质，设置于所述第一电容电极远离所述基板的一侧的表面上，且延伸覆盖于所述基板上；第二电容电极，设置于所述第一电容介质远离所述基板的一侧的表面上，且与所述第一电容电极对应设置；第二电容介质，设置于所述第二电容电极远离所述基板的一侧的表面上，且延伸覆盖于所述第一电容介质上；层间绝缘层，设置于所述第二电容介质远离所述基板的一侧的表面上；以及第三电容电极，设置于所述层间绝缘层远离所述基板的一侧的表面上，且与所述第二电容电极对应设置。
进一步的，每一所述像素单元均包括：驱动薄膜晶体管，位于所述驱动区，其包括：第一有源层，设置于所述基板与所述第一电容电极之间；第一绝缘层，设置于所述第一有源层与所述第一电容电极之间，且延伸覆盖于所述基板上；第一栅极，与所述第一电容电极为同一膜层；以及第一源漏极层，设置于所述层间绝缘层远离所述基板的一侧的表面上，且与所述第三电容电极同层设置。
进一步的，每一所述像素单元均包括：开关薄膜晶体管，位于所述开关区，其包括：第二有源层，设置于所述第一电容介质与所述层间绝缘层之间，且与所述第二电容电极同层设置；第二绝缘层，设置于所述第二有源层与所述层间绝缘层之间；第二栅极，设置于所述第二绝缘层与所述层间绝缘层之间；第二源漏极层，设置于所述层间绝缘层远离所述基板的一侧的表面上，且与所述第三电容电极同层设置。
进一步的，每一所述像素单元还包括：遮光单元，设置于所述第一绝缘层与所述第一电容介质之间，且与所述第二有源层对应设置，且与所述第一电容电极同层设置。
进一步的，所述第二电容介质部分覆盖于所述第二有源层上；所述第二绝缘层的两侧与所述第二电容介质之间均具有间隙。
进一步的，所述第二电容介质的材质为Al2O3。
进一步的，所述第二电容介质的厚度范围为50埃-100埃。
为了解决上述问题，本发明还提供了一种显示面板的制备方法，其包括以下步骤：提供一基板，在所述基板上制备多个像素单元，每一所述像素单元均包括：驱动区和开关区；每一所述像素单元的制备步骤包括：在所述驱动区制备存储电容，其包括：在所述驱动区的所述基板上制备第一电容电极；在所述第一电容电极远离所述基板的一侧的表面上制备第一电容介质，所述第一电容介质延伸覆盖于所述基板上；在所述第一电容介质远离所述基板的一侧的表面上制备第二电容电极，所述第二电容电极与所述第一电容电极对应设置；在所述第二电容电极远离所述基板的一侧的表面上制备第二电容介质，所述第二电容介质延伸覆盖于所述第一电容介质上；在所述第二电容介质远离所述基板的一侧的表面上制备层间绝缘层；以及在所述层间绝缘层远离所述基板的一侧的表面上制备第三电容电极，所述第三电容电极与所述第二电容电极对应设置。
进一步的，在在所述第一电容电极远离所述基板的一侧的表面上制备第一电容介质的步骤之前还包括以下步骤：在所述开关区的所述基板上制备遮光单元；所述遮光单元与所述第一电容电极同时制备形成。
进一步的，在在所述第二电容电极远离所述基板的一侧的表面上制备第二电容介质的步骤之前还包括以下步骤：在所述第一电容介质远离所述基板的一侧的表面上制备第二有源层；所述第二有源层与所述第二电容电极同时制备形成；在所述第二有源层远离所述基板的一侧的表面上制备第二绝缘层；以及在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧的表面上制备第二栅极。
本发明的优点是：制备驱动薄膜晶体管的第一栅极的同时形成遮光单元，在形成开关薄膜晶体管的第二有源层的同时，形成存储电容的第二电容电极，在形成驱动薄膜晶体管的第一源漏极层的同时形成存储电容的第三电容电极，由此可以节省一张栅极掩膜板，提高生产效率，节约生产成本。本发明采用第一电容电极、第一电容介质、第二电容电极、第二电容介质以及第三电容电极形成夹心电容，由于第二电容介质的厚度较薄，且第二电容介质的介电常数较高，因此可以提升整个存储电容的电容值，进而满足显示面板的充放电及保持电荷能力的需求。同时，第二电容介质的厚度较薄，可以降低显示面板的厚度，进而满足超薄显示技术的开发需求。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明的显示面板的平面示意图；
图2是本发明的显示面板的结构示意图；
图3是在基板上形成第二缓冲层、静电屏蔽层、第三缓冲层以及阻挡层的示意图；
图4是在阻挡层上形成第一有源层半成品以及Vss走线半成品的示意图；
图5是在第一绝缘层上制备第一金属薄膜的示意图；
图6是对第一金属薄膜图形化处理形成第一电容电极和遮光单元的示意图；
图7是在第一电容电极、遮光单元以及第一绝缘层上形成第一电容介质的示意图；
图8是在第一电容介质上形成第二电容电极半成品和第二有源层半成品的示意图；
图9是在第二电容电极半成品、第二有源层半成品以及第一电容介质上制备第二绝缘层半成品，在第二绝缘层半成品上制备第二金属薄膜的示意图；
图10是利用光阻图案对第二绝缘层半成品和第二金属薄膜进行刻蚀后的示意图；
图11是在图10的基础上沉积铝层的示意图；
图12是剥离去除光阻，对铝层进行退火处理后的示意图；
图13是在图12的基础上形成层间绝缘层的示意图；
图14是在图13的基础上形成搭接孔的示意图；
图15是在图14的基础上形成第一源漏极层、第二源漏极层以及第三电容电极的示意图。
附图标记说明：
100、显示面板； 101、基板；
102、像素单元；
1011、第一基底； 1012、第一缓冲层；
1013、第二基底；
1021、驱动区； 1022、开关区；
1、第二缓冲层； 2、静电屏蔽层；
3、第三缓冲层； 4、阻隔层；
5、第一有源层； 6、Vss走线；
7、第一绝缘层； 8、第一电容电极；
9、遮光单元； 10、第一电容介质；
11、第二电容电极； 12、第二有源层；
13、第二绝缘层； 14、第二栅极；
15、第二电容介质； 16、层间绝缘层；
17、第三电容电极； 18、第一源漏极层；
19、第二源漏极层； 20、钝化层；
21、光阻图案； 22、铝层；
23、第一有源层半成品； 24、Vss走线半成品；
25、第一金属薄膜； 26、第二电容电极半成品；
27、第二有源层半成品； 28、第二绝缘层半成品；
29、第二金属薄膜； 30、搭接孔；
51、第一沟道部； 52、第一连接部；
121、第二沟道部； 122、第二连接部。
具体实施方式
以下结合说明书附图详细说明本发明的优选实施例，以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，以举例证明本发明可以实施，使得本发明公开的技术内容更加清楚，使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本发明。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例，下文实施例的说明并非用来限制本发明的范围。
本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是附图中的方向，本文所使用的方向用语是用来解释和说明本发明，而不是用来限定本发明的保护范围。
在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。此外，为了便于理解和描述，附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的，本发明并没有限定每个组件的尺寸和厚度。
如图1所示，本实施例提供了一种显示面板100。显示面板100包括基板101以及设置于所述基板101上的多个像素单元102。本实施例中，所述像素单元102呈阵列式排布。
如图2所示，每一所述像素单元102均包括：驱动区1021和开关区1022。
如图2所示，基板101位于驱动区1021和开关区1022。基板101包括：第一基底1011、第一缓冲层1012以及第二基底1013。
其中，第一基底1011的材质包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯以及聚萘二甲酸乙二醇酯等。
其中，第一缓冲层1012设置于所述第一基底1011上。第一缓冲层1012的材质可以是SiOx，也可以是SiNx。第一缓冲层1012也可以是SiOx与SiNx形成的多层结构薄膜。由此提升基板101的抗冲击能力，进而有效保护显示面板100。
其中，第二基底1013设置于第一缓冲层1012远离第一基底1011的一侧的表面上。第二基底1013的材质均包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯以及聚萘二甲酸乙二醇酯等。
如图2所示，每一所述像素单元102包括：第二缓冲层1、静电屏蔽层2、第三缓冲层3、阻隔层4、第一有源层5、Vss走线6、第一绝缘层7、第一电容电极8、遮光单元9、第一电容介质10、第二电容电极11、第二有源层12、第二绝缘层13、第二栅极14、第二电容介质15、层间绝缘层16、第三电容电极17、第一源漏极层18、第二源漏极层19、钝化层20。
如图2所示，第二缓冲层1设置于第二基底1013远离所述第一基底1011的一侧的表面上，且位于驱动区1021和开关区1022。第二缓冲层1的材质可以是SiOx，也可以是SiNx。第二缓冲层1也可以是SiOx与SiNx形成的多层结构薄膜。
如图2所示，静电屏蔽层2设置于第二缓冲层1远离所述基板101的一侧的表面上，且位于驱动区1021。静电屏蔽层2的材质可以是a-Si。由此防止静电对驱动薄膜晶体管造成损伤。
如图2所示，第三缓冲层3设置于静电屏蔽层2远离所述基板101的一侧的表面上，且延伸覆盖于驱动区1021和开关区1022的第二缓冲层1上。第三缓冲层3的材质可以是SiOx，也可以是SiNx。第三缓冲层3也可以是SiOx与SiNx形成的多层结构薄膜。
如图2所示，阻隔层4设置于第三缓冲层3远离所述基板101的一侧的表面上，且位于驱动区1021和开关区1022。阻隔层4主要用于防止水汽入侵，进而避免水汽对驱动薄膜晶体管造成损伤。阻隔层4的材质可以是SiOx，也可以是SiNx。阻隔层4也可以是SiOx与SiNx形成的多层结构薄膜。
如图2所示，第一有源层5设置于阻隔层4远离所述基板101的一侧的表面上，且位于驱动区1021。所述第一有源层5包括第一沟道部51和位于第一沟道部51两端的两个第一连接部52。
其中，第一有源层5的第一沟道部51与静电屏蔽层2对应设置。
其中，Vss走线6与第一有源层5同层设置，且位于驱动区1021。本实施例中，Vss走线6的材质与第一有源层5的材质相同，由此可以与第一有源层5同时制备形成，节省生产工序，提升生产效率。Vss走线6主要用于释放开关薄膜晶体管的静电。
其中，第一绝缘层7设置于第一有源层5及Vss走线6远离基板101的一侧的表面上，且延伸覆盖于阻隔层4上。第一绝缘层7的材质可以是SiOx，也可以是SiNx。第一绝缘层7也可以是SiOx与SiNx形成的多层结构薄膜。第一绝缘层7的厚度范围为1000埃-3000埃。
其中，第一电容电极8设置于所述第一绝缘层7远离基板101的一侧的表面上，且与第一有源层5的第一沟道部51对应设置。第一电容电极8的材质可以是Mo，Al，Cu，Ti等，也可以是合金。第一电容电极8的厚度范围为2000埃-8000埃。
其中，遮光单元9与第一电容电极8同层设置，且位于开关区1022。本实施例中，遮光单元9的材质与第一电容电极8的材质相同，由此可以与第一电容电极8同时制备形成，节省生产工序，提升生产效率。
其中，第一电容介质10设置于所述第一电容电极8及遮光单元9远离所述基板101的一侧的表面上，且延伸覆盖于所述第一绝缘层7上。第一电容介质10的材质可以是SiOx，也可以是SiNx。第一电容介质10也可以是SiOx与SiNx形成的多层结构薄膜。第一电容介质10的厚度范围为1000埃-3000埃。
其中，第二电容电极11设置于第一电容介质10远离所述基板101的一侧的表面上，且与第一电容电极8对应设置。第二电容电极11为金属氧化物半导体，其材质可以是IGZO、IZTO、IGZTO等。第二电容电极11的厚度范围为100埃-1000埃。
其中，第二有源层12与第二电容电极11同层设置，且与所述遮光单元9对应设置。本实施例中，第二有源层12的材质与第二电容电极11的材质相同，由此可以与第二电容电极11同时制备形成，节省生产工序，提升生产效率。第二有源层12包括第二沟道部121和两个第二连接部122。
其中，第二绝缘层13设置于第二有源层12远离所述基板101的一侧的表面上，且与所述第二有源层12的第二沟道部121对应设置。第二绝缘层13的材质可以是SiOx，也可以是SiNx。第二绝缘层13也可以是SiOx与SiNx形成的多层结构薄膜。第二绝缘层13的厚度范围为1000埃-3000埃。
其中，第二栅极14设置于第二绝缘层13远离所述基板101的一侧的表面上，且与所述第二有源层12的第二沟道部121对应设置。第二栅极14的材质可以是Mo，Al，Cu，Ti等，也可以是合金。第二栅极14的厚度范围为2000埃-8000埃。
其中，第二电容介质15设置于所述第二电容电极11远离所述基板101的一侧的表面上，且延伸覆盖于所述第一电容介质10上。所述第二电容介质15部分覆盖于所述第二有源层12的两个第二连接部122上；所述第二绝缘层13的两侧与所述第二电容介质15之间均具有间隙。
其中，第二电容介质15的材质为Al2O3。由于Al2O3的介电常数较高，由此可以提升存储电容的电容值，进而满足显示面板100的充放电及保持电荷能力的需求。
其中，第二电容介质15的厚度范围为50埃-100埃。本实施例中，所述第二电容介质15的厚度为75埃，其他实施例中，所述第二电容介质15的厚度可以为60埃、80埃、90埃。本实施例中用Al2O3形成的第二电容介质15的厚度相较于现有技术中采用SiOx与SiNx形成的绝缘层(1000埃-3000埃)的厚度减薄了，由此可以提升存储电容的电容值进而满足显示面板100的充放电及保持电荷能力的需求。同时，降低了显示面板100的整体厚度，进而可以满足超薄显示技术的开发需求。
其中，层间绝缘层16设置于第二电容介质15远离所述基板101的一侧的表面上。层间绝缘层16的材质可以是SiOx或SiNx，还可以是有机材料。层间绝缘层16的厚度范围为2000埃-10000埃。
其中，第三电容电极17设置于层间绝缘层16远离所述基板101的一侧的表面上，且与第二电容电极11对应设置。第三电容电极17的材质可以是Mo，Al，Cu，Ti等，也可以是合金。第三电容电极17的厚度范围为2000埃-8000埃。
其中，第一源漏极层18与所述第三电容电极17同层设置，电连接于所述第一有源层5的两个第一连接部52。本实施例中，第一源漏极层18的材质与第三电容电极17的材质相同，由此可以与第三电容电极17同时制备形成，节省生产工序，提升生产效率。
其中，第二源漏极层19与所述第三电容电极17同层设置，电连接于所述第二有源层12的两个第二连接部122，且电连接至Vss走线6。本实施例中，第二源漏极层19的材质与第三电容电极17的材质相同，由此可以与第三电容电极17同时制备形成，节省生产工序，提升生产效率。
其中，钝化层20设置于第一源漏极层18、第二源漏极层19以及第三电容电极17远离所述基板101的一侧的表面上，且延伸覆盖于层间绝缘层16上。
综上，第一有源层5、第一绝缘层7、第一电容电极(第一栅极)8、第一电容介质10、第二电容介质15、层间绝缘层16、第一源漏极层18共同组成驱动薄膜晶体管。
综上，第二有源层12、第二绝缘层13、第二栅极14、层间绝缘层16、第二源漏极层19共同组成开关薄膜晶体管。
综上，第一电容电极8、第一电容介质10、第二电容电极11、第二电容介质15、层间绝缘层16、第三电容电极17共同形成三层夹心的存储电容。相较于现有技术中的两极板电容，本实施例的存储电容的电容值大。而且，本实施例中的第二电容介质的介电常数大，厚度薄，也可以增大存储电容的电容值，由此可以满足显示面板的充放电及保持电荷能力的需求，同时可以满足超薄显示技术的开发需求。
如图3-图15所示，本实施例还提供了本实施例的显示面板的制备方法，其包括：提供一基板101，在所述基板101上制备多个像素单元102，每一所述像素单元102均包括：驱动区1021和开关区1022。
如图3所示，每一所述像素单元102的制备步骤包括：S1，在所述驱动区1021和开关区1022的基板101上制备第二缓冲层1；S2，在驱动区1021的第二缓冲层1上制备静电屏蔽层2；S3，在静电屏蔽层2以及第二缓冲层1上制备第三缓冲层3；S4，在第三缓冲层3上制备阻挡层4。
如图4所示，每一所述像素单元102的制备步骤还包括：S5，在阻挡层4上制备第一有源层半成品23以及Vss走线半成品24。S5具体包括：在阻挡层4上沉积一层低温多晶硅(LTPS)，并对其进行图形化处理，形成第一有源层半成品23以及Vss走线半成品24。所述第一有源层半成品23以及Vss走线半成品24同时制备形成，由此可以节省生产工序，提升生产效率。
如图5、图6所示，每一所述像素单元102的制备步骤还包括：S6，在第一有源层半成品23、Vss走线半成品24以及阻挡层4上制备第一绝缘层7。S7，在第一绝缘层7上制备第一电容电极8以及遮光单元9。
如图5、图6所示，S7具体包括：在第一绝缘层7上整面制备第一金属薄膜25，然后对第一金属薄膜25进行图形化处理，形成第一电容电极8和遮光单元9。将与所述第一电容电极8对应的第一有源层半成品23分为第一沟道部51，将没有与所述第一电容电极8对应的第一有源层半成品23分为第一连接部半成品。对第一连接部半成品进行掺杂形成第一连接部52，对Vss走线半成品24进行掺杂形成Vss走线6。
如图7所示，每一所述像素单元102的制备步骤还包括：S8，在第一电容电极8、遮光单元9以及第一绝缘层7上制备第一电容介质10。
如图8所示，每一所述像素单元102的制备步骤还包括：S9，在第一电容介质10上形成第二电容电极半成品26和第二有源层半成品27。所述第二电容电极半成品26和第二有源层半成品27同时制备形成，由此可以节省生产工序，提升生产效率。第二电容电极半成品26和第二有源层半成品27的材质可以是IGZO、IZTO、IGZTO等。
如图9所示，每一所述像素单元102的制备步骤还包括：S10，在第二电容电极半成品26、第二有源层半成品27以及第一电容介质10上形成第二绝缘层半成品28。
如图9、图10所示，每一所述像素单元102的制备步骤还包括：S11，在第二绝缘层半成品28上制备第二栅极14。S11具体包括：在第二绝缘层半成品28上制备第二金属薄膜29，然后在第二金属薄膜29上整面涂布一层光阻，然后对整面光阻进行图案化处理，保留部分光阻形成光阻图案21，然后对未被光阻图案21覆盖的第二金属薄膜29进行刻蚀形成第二栅极14，对未被光阻图案21覆盖的第二绝缘层半成品28进行刻蚀形成第二绝缘层13。
如图11所示，每一所述像素单元102的制备步骤还包括：S12，保留光阻图案21，在第二电容电极半成品26、部分第二有源层半成品27、光阻图案21上制备铝层22。铝层22部分覆盖第二有源层半成品27，且与第二栅极绝缘层13和第二栅极14之间具有间隙。主要是为了使得光阻图案21上的铝层与第二有源层半成品27上的铝层22断开，进而保证后期剥离光阻图案21可以将光阻图案21上面的铝层去除。还可以用于防止铝层22和第二栅极14之间接触发生短路现象。
如图12所示，每一所述像素单元102的制备步骤还包括：S13，剥离去除光阻图案21，对铝层22进行退火处理，铝层22与其下覆盖的第二电容电极半成品26的材料中的O结合形成Al2O3，即第二电容介质15，同时将第二电容电极半成品导体化变成第二电容电极11；铝层22与其下覆盖的部分第二有源层半成品27的材料中的O结合形成Al2O3，即第二电容介质15，同时将铝层22覆盖的部分第二有源层半成品27导体化变成第二连接部122；其余没有被导体化的第二有源层半成品27保持半导体特性形成第二沟道部121。
如图13所示，每一所述像素单元102的制备步骤还包括：S14，在第二电容介质15、第二栅极14以及第二电容介质15与第二绝缘层13之间的间隙处制备层间绝缘层16。
如图14所示，每一所述像素单元102的制备步骤还包括：S15，对所述层间绝缘层16、第二电容介质15、第一电容介质10、以及第一绝缘层7进行刻蚀形成多个搭接孔30。
如图15所示，每一所述像素单元102的制备步骤还包括：S16，在层间绝缘层16上以及搭接孔30内制备第三电容电极17、第一源漏极层18以及第二源漏极层19。所述第一源漏极层18、第二源漏极层19以及第三电容电极17同时制备形成，由此可以节省生产工序，提升生产效率。
如图1所示，每一所述像素单元102的制备步骤还包括：S17，在第三电容电极17、第一源漏极层18、第二源漏极层19以及层间绝缘层16上制备钝化层20。
以上对本申请所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括基板及设置于所述基板上的多个像素单元；每一所述像素单元均包括：驱动区和开关区；
每一所述像素单元均包括：
存储电容，位于所述驱动区，其包括：
第一电容电极，设置于所述驱动区的所述基板上；
第一电容介质，设置于所述第一电容电极远离所述基板的一侧的表面上，且延伸覆盖于所述基板上；
第二电容电极，设置于所述第一电容介质远离所述基板的一侧的表面上，且与所述第一电容电极对应设置；
第二电容介质，设置于所述第二电容电极远离所述基板的一侧的表面上，且延伸覆盖于所述第一电容介质上；
层间绝缘层，设置于所述第二电容介质远离所述基板的一侧的表面上；以及
第三电容电极，设置于所述层间绝缘层远离所述基板的一侧的表面上，且与所述第二电容电极对应设置。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，每一所述像素单元均包括：
驱动薄膜晶体管，位于所述驱动区，其包括：
第一有源层，设置于所述基板与所述第一电容电极之间；
第一绝缘层，设置于所述第一有源层与所述第一电容电极之间，且延伸覆盖于所述基板上；
第一栅极，与所述第一电容电极为同一膜层；以及
第一源漏极层，设置于所述层间绝缘层远离所述基板的一侧的表面上，且与所述第三电容电极同层设置。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，每一所述像素单元均包括：
开关薄膜晶体管，位于所述开关区，其包括：
第二有源层，设置于所述第一电容介质与所述层间绝缘层之间，且与所述第二电容电极同层设置；
第二绝缘层，设置于所述第二有源层与所述层间绝缘层之间；
第二栅极，设置于所述第二绝缘层与所述层间绝缘层之间；
第二源漏极层，设置于所述层间绝缘层远离所述基板的一侧的表面上，且与所述第三电容电极同层设置。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，每一所述像素单元还包括：
遮光单元，设置于所述第一绝缘层与所述第一电容介质之间，且与所述第二有源层对应设置，且与所述第一电容电极同层设置。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二电容介质部分覆盖于所述第二有源层上；
所述第二绝缘层的两侧与所述第二电容介质之间均具有间隙。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二电容介质的材质为Al2O3。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二电容介质的厚度范围为50埃-100埃。
8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基板，在所述基板上制备多个像素单元，每一所述像素单元均包括：驱动区和开关区；
每一所述像素单元的制备步骤包括：
在所述驱动区制备存储电容，其包括：
在所述驱动区的所述基板上制备第一电容电极；
在所述第一电容电极远离所述基板的一侧的表面上制备第一电容介质，所述第一电容介质延伸覆盖于所述基板上；
在所述第一电容介质远离所述基板的一侧的表面上制备第二电容电极，所述第二电容电极与所述第一电容电极对应设置；
在所述第二电容电极远离所述基板的一侧的表面上制备第二电容介质，所述第二电容介质延伸覆盖于所述第一电容介质上；
在所述第二电容介质远离所述基板的一侧的表面上制备层间绝缘层；以及
在所述层间绝缘层远离所述基板的一侧的表面上制备第三电容电极，所述第三电容电极与所述第二电容电极对应设置。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在在所述第一电容电极远离所述基板的一侧的表面上制备第一电容介质的步骤之前还包括以下步骤：
在所述开关区的所述基板上制备遮光单元；
所述遮光单元与所述第一电容电极同时制备形成。
10.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在在所述第二电容电极远离所述基板的一侧的表面上制备第二电容介质的步骤之前还包括以下步骤：
在所述第一电容介质远离所述基板的一侧的表面上制备第二有源层；所述第二有源层与所述第二电容电极同时制备形成；
在所述第二有源层远离所述基板的一侧的表面上制备第二绝缘层；以及
在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧的表面上制备第二栅极。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112530978B (zh) * 2020-12-01 2024-02-13 京东方科技集团股份有限公司 开关器件结构及其制备方法、薄膜晶体管膜层、显示面板

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107680993A (zh) * 2017-10-23 2018-02-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板及其制作方法
CN108493198A (zh) * 2018-04-11 2018-09-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、有机发光二极管显示装置
CN109216374A (zh) * 2017-06-30 2019-01-15 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN110797355A (zh) * 2019-11-27 2020-02-14 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法
CN113178492A (zh) * 2021-04-02 2021-07-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113192978A (zh) * 2021-04-12 2021-07-30 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
WO2021164569A1 (zh) * 2020-02-17 2021-08-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI301915B (zh) * 2000-03-17 2008-10-11 Seiko Epson Corp
US9673267B2 (en) * 2013-03-26 2017-06-06 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device having a capacitor with stacked storage electrodes and method for manufacturing the same
KR102124025B1 (ko) * 2013-12-23 2020-06-17 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
US9929217B2 (en) * 2016-01-27 2018-03-27 Au Optronics Corporation Array substrate of display and method of manufacturing the same
CN107403804B (zh) * 2016-05-17 2020-10-30 群创光电股份有限公司 显示设备
KR102655009B1 (ko) * 2016-12-28 2024-04-04 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
KR102423799B1 (ko) * 2017-11-07 2022-07-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102652448B1 (ko) * 2018-03-13 2024-03-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN111816686B (zh) * 2020-07-24 2023-05-23 合肥京东方卓印科技有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示面板

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109216374A (zh) * 2017-06-30 2019-01-15 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN107680993A (zh) * 2017-10-23 2018-02-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板及其制作方法
CN108493198A (zh) * 2018-04-11 2018-09-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、有机发光二极管显示装置
CN110797355A (zh) * 2019-11-27 2020-02-14 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法
WO2021164569A1 (zh) * 2020-02-17 2021-08-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
CN113178492A (zh) * 2021-04-02 2021-07-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113192978A (zh) * 2021-04-12 2021-07-30 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置

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