CN111129028A - 一种阵列基板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及面板技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法，通过在第一缓冲层上设置两个以上的过孔，在所述过孔中填充第一栅极金属层，在第一栅极金属层远离第一基板的一侧面上依次层叠设有第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层，由于过孔的作用使得第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层组合形成立体栅状结构的电容，相比现有平板式电容可以有效降低电容区域结构占用面积，在保持相同的电容容量情况下，能够进一步缩小电容尺寸，进而能够进一步缩小显示面板边框尺寸以及画素大小。
Description
技术领域
本发明涉及面板技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法。
背景技术
随着有源矩阵有机发光二极管显示器(Active-matrix organic light emittingdiode，简称为AMOLED)和高性能有源矩阵液晶显示器(Active Matrix Liquid CrystalDisplay，简称为AMLCD)中的发展，为了得到高分辨率和高帧速的显示器，因此如何设计和制备高性能且小尺寸的阵列基板结构成为越来越需要被攻克的研究课题。
GOA技术(GOA：Gate Driver IC on Array)是近年面板发展的一种新类型，其把驱动信号的IC直接刻蚀在面板上，省去了Gate Driver IC的成本和把IC绑定在面板上的工序，更重要的是由于Gate Driver IC与显示面板为一个整体，使得产品更薄、分辨率更高、稳定性和抗振性更好。目前，GOA技术已经成为移动终端业的主流，智能手机几乎都使用这种液晶面板。
GOA技术可以使产品更薄、分辨率更高、稳定性和抗振性更好，但是在阵列基板中为了使驱动电路具有更好的稳压效果，通常需要设置较大容量的电容，这会造成驱动电路的占用面积较大，就无法进一步缩小显示面板边框尺寸以及画素大小。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种能够降低电容区域结构占用面积的阵列基板及其制作方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用的第一种技术方案为：
一种阵列基板，包括电容区域结构，所述电容区域结构包括第一基板和第一缓冲层；
所述第一缓冲层上设有两个以上的过孔，两个以上的所述过孔中均填充有第一栅极金属层，在所述第一栅极金属层远离所述第一基板的一侧面上依次层叠设有第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层。
本发明采用的第二种技术方案为：
一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：
S1、提供一电容区域结构的第一基板，且在所述第一基板的表面覆盖有第一缓冲层；
S2、在所述第一缓冲层中形成两个以上的过孔；
S3、分别在两个以上的过孔中形成第一栅极金属层，所述第一栅极金属层分别与所述第一基板和第一缓冲层接触；
S4、形成第一栅极绝缘层，且覆盖于所述第一栅极金属层表面；
S5、形成第一源极金属层，且覆盖于所述第一绝缘层表面；
S6、形成第一钝化层，且覆盖于所述第一源极金属层表面。
本发明的有益效果在于：
通过在第一缓冲层上设置两个以上的过孔，在所述过孔中填充第一栅极金属层，在第一栅极金属层远离第一基板的一侧面上依次层叠设有第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层，由于过孔的作用使得第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层组合形成立体栅状结构的电容，相比现有平板式电容可以有效降低电容区域结构占用面积，在保持相同的电容容量情况下，能够进一步缩小电容尺寸，进而能够进一步缩小显示面板边框尺寸以及画素大小。
附图说明
图1为根据本发明的一种阵列基板的结构示意图；
图2为根据本发明的一种阵列基板的实施例二的结构示意图；
图3为根据本发明的一种阵列基板的实施例三的结构示意图；
图4为根据本发明的一种阵列基板的实施例四的结构示意图；
图5为根据本发明的一种阵列基板的制作方法的步骤流程图；
图6为根据本发明的一种阵列基板的电容区域结构面积的尺寸图；
标号说明：
1、电容区域结构；101、第一基板；102、第一缓冲层；103、第一栅极金属层；104、第一栅极绝缘层；105、第一源极金属层；106、第一钝化层；107、第一蚀刻阻挡层；
2、TFT区域结构；201、第二基板；202、第二缓冲层；203、第二栅极金属层；204、第二栅极绝缘层；205、第二源极金属层；206、第二钝化层；207、有源层；208、第二蚀刻阻挡层。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
本发明最关键的构思在于：通过在第一缓冲层上设置两个以上的过孔，由于过孔的作用使得第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层组合形成立体栅状结构的电容。
请参照图1，本发明提供的一种技术方案：
一种阵列基板，包括电容区域结构，所述电容区域结构包括第一基板和第一缓冲层；
所述第一缓冲层上设有两个以上的过孔，两个以上的所述过孔中均填充有第一栅极金属层，在所述第一栅极金属层远离所述第一基板的一侧面上依次层叠设有第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
通过在第一缓冲层上设置两个以上的过孔，在所述过孔中填充第一栅极金属层，在第一栅极金属层远离第一基板的一侧面上依次层叠设有第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层，由于过孔的作用使得第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层组合形成立体栅状结构的电容，相比现有平板式电容可以有效降低电容区域结构占用面积，在保持相同的电容容量情况下，能够进一步缩小电容尺寸，进而能够进一步缩小显示面板边框尺寸以及画素大小。
进一步的，还包括TFT区域结构，所述TFT区域结构包括第二基板，在所述第二基板的表面上依次层叠设有第二缓冲层、第二栅极金属层、第二栅极绝缘层、有源层、第二源极金属层和第二钝化层，所述第二栅极绝缘层分别与所述第二缓冲层远离第二基板的一侧面和第二栅极金属层接触，所述第二钝化层分别与所述第二源极金属层、有源层远离第二基板的一侧面和第二栅极绝缘层远离第二基板的一侧面接触。
进一步的，所述TFT区域结构还包括第二蚀刻阻挡层，所述第二蚀刻阻挡层设置在所述第二源极金属层和有源层之间，所述第二蚀刻阻挡层分别与所述第二源极金属层、有源层和第二钝化层接触。
由上述描述可知，在第二源极金属层和有源层之间设置第二蚀刻阻挡层，能够保证第二源极金属层在蚀刻制程中不会由于发生过蚀刻的作用影响到阵列基板的导电性能。
进一步的，所述电容区域结构还包括第一蚀刻阻挡层，所述第一蚀刻阻挡层设置在所述第一栅极绝缘层和第一源极金属层之间且分别与所述第一栅极绝缘层和第一源极金属层接触。
由上述描述可知，通过设置第一蚀刻阻挡层，能够有效保护有源层沟道，若通过蚀刻方式去除有源层上方第一蚀刻阻挡层之外区域的蚀刻阻挡层可能出现由于大面积蚀刻而造成的蚀刻不均的问题，以及由于第一蚀刻阻挡层的蚀刻过程而造成膜质组成成分与其相似的栅极绝缘层的破坏。
进一步的，两个以上的所述过孔的竖直截面形状均为梯形。
由上述描述可知，两个以上的所述过孔的竖直截面形状均为梯形，使用梯形结构由于增加了侧壁的面积可以在电容占用面积相同的情况下提高电容容量，或是保持相同容量的情况下缩减电容占用面积。
请参照图5，本发明提供的另一种技术方案：
一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：
S1、提供一电容区域结构的第一基板，且在所述第一基板的表面覆盖有第一缓冲层；
S2、在所述第一缓冲层中形成两个以上的过孔；
S3、分别在两个以上的过孔中形成第一栅极金属层，所述第一栅极金属层分别与所述第一基板和第一缓冲层接触；
S4、形成第一栅极绝缘层，且覆盖于所述第一栅极金属层表面；
S5、形成第一源极金属层，且覆盖于所述第一绝缘层表面；
S6、形成第一钝化层，且覆盖于所述第一源极金属层表面。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
通过在第一缓冲层上设置两个以上的过孔，在所述过孔中填充第一栅极金属层，在第一栅极金属层远离第一基板的一侧面上依次层叠设有第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层，由于过孔的作用使得第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层组合形成立体栅状结构的电容，相比现有平板式电容可以有效降低电容区域结构占用面积，在保持相同的电容容量情况下，能够进一步缩小电容尺寸，进而能够进一步缩小显示面板边框尺寸以及画素大小。
进一步的，步骤S4和步骤S5之间还包括以下步骤：
形成第一蚀刻阻挡层，覆盖于所述第一栅极绝缘层表面，且分别与所述第一栅极绝缘层和第一源极金属层接触。
进一步的，两个以上的所述过孔的竖直截面形状均为梯形。
从上述描述可知，两个以上的所述过孔的竖直截面形状均为梯形，在保持相同的电容容量情况下，能够进一步缩小电容尺寸。
请参照图1，本发明的实施例一为：
一种阵列基板，包括电容区域结构1，所述电容区域结构1包括第一基板101和第一缓冲层102；
所述第一缓冲层102上设有两个的过孔，两个所述过孔中均填充有第一栅极金属层103，在所述第一栅极金属层103远离所述第一基板101的一侧面上依次层叠设有第一栅极绝缘层104、第一源极金属层105和第一钝化层106。
还包括TFT区域结构2，所述TFT区域结构2包括第二基板201，在所述第二基板201的表面上依次层叠设有第二缓冲层202、第二栅极金属层203、第二栅极绝缘层204、有源层207、第二源极金属层205和第二钝化层206，所述第二栅极绝缘层204分别与所述第二缓冲层202远离第二基板201的一侧面和第二栅极金属层203接触，所述第二钝化层206分别与所述第二源极金属层205、有源层207远离第二基板201的一侧面和第二栅极绝缘层204远离第二基板201的一侧面接触。
两个所述过孔的竖直截面形状均为梯形。
本发明的立体电容其结构排列可以是栅状排列：例如长方形和长曲线形等；
可以是分布式排列：任意多边形(三角形、矩形、五边形和六边形等)、曲线形(圆形和椭圆等)。
上述立体电容的结构排列的形状指的是阵列基板俯视方向上的。
请参照图2，本发明的实施例二为：
实施例二与实施例一的区别在于：所述TFT区域结构2还包括第二蚀刻阻挡层208，所述第二蚀刻阻挡层208设置在所述第二源极金属层205和有源层207之间，所述第二蚀刻阻挡层208分别与所述第二源极金属层205、有源层207和第二钝化层206接触。
请参照图3，本发明的实施例三为：
实施例三与实施例一区别在于：所述电容区域结构1还包括第一蚀刻阻挡层107，所述第一蚀刻阻挡层107设置在所述第一栅极绝缘层104和第一源极金属层105之间且分别与所述第一栅极绝缘层104和第一源极金属层105接触。
请参照图4，本发明的实施例四为：
实施例四与实施例一的区别在于：所述TFT区域结构2还包括第二蚀刻阻挡层208，所述第二蚀刻阻挡层208设置在所述第二源极金属层205和有源层207之间，所述第二蚀刻阻挡层208分别与所述第二源极金属层205、有源层207和第二钝化层206接触。
所述电容区域结构1还包括第一蚀刻阻挡层107，所述第一蚀刻阻挡层107设置在所述第一栅极绝缘层104和第一源极金属层105之间且分别与所述第一栅极绝缘层104和第一源极金属层105接触。
上述提及的所有结构层，在实际工艺施作过程中，所述第一基板101和第二基板201为分布在不同区域的同一层基板，在进行蒸镀制程是同时制作形成的；
所述第一缓冲层102和第二缓冲层202为分布在不同区域的同一层缓冲层，在进行蒸镀制程是同时制作形成的，可采用有机光敏材料，例如PI、SiOx、SiNx和氧化钛等；
所述第一栅极金属层103和第二栅极金属层203为分布在不同区域的同一层金属层，在进行蒸镀制程是同时制作形成的，可采用金属材料，例如铝、钼、钛、镍、铜、银和铬等；
所述第一栅极绝缘层104和第二栅极绝缘层204为分布在不同区域的同一层栅极绝缘层，在进行蒸镀制程是同时制作形成的，可采用SiOx、SiNx、氧化钛和氧化铝等；
所述第一源极金属层105和第二源极金属层205为分布在不同区域的同一层源极金属层，在进行蒸镀制程是同时制作形成的，选用的材料和第一栅极金属层103一样；
所述第一钝化层106和第二钝化层206为分布在不同区域的同一层钝化层，在进行蒸镀制程是同时制作形成的选用的材料和第一栅极绝缘层104一样；
所述第一蚀刻阻挡层107和第二蚀刻阻挡层208为分布在不同区域的同一层蚀刻阻挡层，在进行蒸镀制程是同时制作形成的，选用的材料和第一栅极绝缘层104一样；
所述有源层207可采用IGZO、IZO和IGZTO等金属氧化物。
请参照图6，假设所述过孔的竖直截面形状为等腰梯形，用S表示电容结构的面积，则S＝(S1+S2+S3+S4)*n；
用S'表示电容结构的实际占用面积，则S'＝(S1'+S2+S3+S4')*n；
根据三角函数，S1'＝Sinα*S1，若令S1'＝S2＝S3，则α＝60°，S4'＝S1'＝S2＝S3，则S4＝S1＝2*S1'＝2*S2；
由上述可得S'＝(S1'+S2+S3+S4')*n＝(S2+S2+S2+S2)*n＝4*S2*n；
S＝(S1+S2+S3+S4)*n＝(2*S2+S2+S2+2*S2)*n＝6*S2*n；
S-S'＝2*S2*n；
因此，电容结构的实际占用面积能够比改进前的平板式电容面积缩减：(2*S2*n)/(6*S2*n)＝33.3％。
请参照图5，本发明的实施例五为：
一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：
S1、提供一电容区域结构1的第一基板101，且在所述第一基板101的表面覆盖有第一缓冲层102；
S2、在所述第一缓冲层102中形成两个以上的过孔；
S3、分别在两个以上的过孔中形成第一栅极金属层103，所述第一栅极金属层103分别与所述第一基板101和第一缓冲层102接触；
S4、形成第一栅极绝缘层104，且覆盖于所述第一栅极金属层103表面；
S5、形成第一源极金属层105，且覆盖于所述第一绝缘层表面；
S6、形成第一钝化层106，且覆盖于所述第一源极金属层105表面。
步骤S4和步骤S5之间还包括以下步骤：
形成第一蚀刻阻挡层107，覆盖于所述第一栅极绝缘层104表面，且分别与所述第一栅极绝缘层104和第一源极金属层105接触。
综上所述，本发明提供的一种阵列基板及其制作方法，通过在第一缓冲层上设置两个以上的过孔，在所述过孔中填充第一栅极金属层，在第一栅极金属层远离第一基板的一侧面上依次层叠设有第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层，由于过孔的作用使得第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层组合形成立体栅状结构的电容，相比现有平板式电容可以有效降低电容区域结构占用面积，在保持相同的电容容量情况下，能够进一步缩小电容尺寸，进而能够进一步缩小显示面板边框尺寸以及画素大小。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括电容区域结构，所述电容区域结构包括第一基板和第一缓冲层；
所述第一缓冲层上设有两个以上的过孔，两个以上的所述过孔中均填充有第一栅极金属层，在所述第一栅极金属层远离所述第一基板的一侧面上依次层叠设有第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括TFT区域结构，所述TFT区域结构包括第二基板，在所述第二基板的表面上依次层叠设有第二缓冲层、第二栅极金属层、第二栅极绝缘层、有源层、第二源极金属层和第二钝化层，所述第二栅极绝缘层分别与所述第二缓冲层远离第二基板的一侧面和第二栅极金属层接触，所述第二钝化层分别与所述第二源极金属层、有源层远离第二基板的一侧面和第二栅极绝缘层远离第二基板的一侧面接触。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述TFT区域结构还包括第二蚀刻阻挡层，所述第二蚀刻阻挡层设置在所述第二源极金属层和有源层之间，所述第二蚀刻阻挡层分别与所述第二源极金属层、有源层和第二钝化层接触。
4.根据权利要求1或3中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述电容区域结构还包括第一蚀刻阻挡层，所述第一蚀刻阻挡层设置在所述第一栅极绝缘层和第一源极金属层之间且分别与所述第一栅极绝缘层和第一源极金属层接触。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，两个以上的所述过孔的竖直截面形状均为梯形。
6.一种权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、提供一电容区域结构的第一基板，且在所述第一基板的表面覆盖有第一缓冲层；
S2、在所述第一缓冲层中形成两个以上的过孔；
S3、分别在两个以上的过孔中形成第一栅极金属层，所述第一栅极金属层分别与所述第一基板和第一缓冲层接触；
S4、形成第一栅极绝缘层，且覆盖于所述第一栅极金属层表面；
S5、形成第一源极金属层，且覆盖于所述第一绝缘层表面；
S6、形成第一钝化层，且覆盖于所述第一源极金属层表面。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，步骤S4和步骤S5之间还包括以下步骤：
形成第一蚀刻阻挡层，覆盖于所述第一栅极绝缘层表面，且分别与所述第一栅极绝缘层和第一源极金属层接触。
8.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，两个以上的所述过孔的竖直截面形状均为梯形。
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| CN112466910A (zh) * | 2020-11-04 | 2021-03-09 | 福建华佳彩有限公司 | 一种面板结构及其电容区域结构的制备方法 |
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