CN102881839A - 有机发光二极管、触摸显示装置及其制造方法 - Google Patents
有机发光二极管、触摸显示装置及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102881839A CN102881839A CN2012103722829A CN201210372282A CN102881839A CN 102881839 A CN102881839 A CN 102881839A CN 2012103722829 A CN2012103722829 A CN 2012103722829A CN 201210372282 A CN201210372282 A CN 201210372282A CN 102881839 A CN102881839 A CN 102881839A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- induction
- line
- layer
- signal electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 73
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 125
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 47
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 16
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 16
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 13
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910000809 Alumel Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YKZHNHRLNBPFBZ-UHFFFAOYSA-N n-[4-(4-aminophenyl)phenyl]benzo[a]anthracen-1-amine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1NC1=CC=CC2=CC=C(C=C3C(C=CC=C3)=C3)C3=C12 YKZHNHRLNBPFBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- -1 silicon dioxide Chemical compound 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
- H03K17/96—Touch switches
- H03K17/962—Capacitive touch switches
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
- H03K2217/94—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00 characterised by the way in which the control signal is generated
- H03K2217/96—Touch switches
- H03K2217/9607—Capacitive touch switches
- H03K2217/960785—Capacitive touch switches with illumination
- H03K2217/960795—Capacitive touch switches with illumination using organic light emitting devices, e.g. light emitting polymer [OEP] or OLED
Abstract
本发明的实施例提供一种有机发光二极管和触摸显示装置及其制造方法,涉及显示技术领域,能够提高产品触摸灵敏性、降低生产成本。该有机发光二极管包括:基板;所述基板上作为第一导电电极的像素电极;与所述像素电极同层设置的第一信号电极以及第二信号电极,其中所述第一信号电极用于连接第一感应线,所述第二信号电极用于连接第二感应线,所述第一感应线和所述第二感应线纵横交叉但不电连接;覆盖所述第一信号电极及所述第二信号电极的绝缘层;与所述绝缘层同层且覆盖所述像素电极的电致发光层;至少覆盖所述电致发光层的第二导电电极;至少覆盖所述第二导电电极的封装层。本发明的实施例应用于显示器制造。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机发光二极管、触摸显示装置及其制造方法。
背景技术
平板显示装置因其体积小、便于携带等优点而得到广泛的应用。有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)显示技术作为未来平板显示的主流技术,与液晶显示技术相比,有机发光二极管显示器采用各像素自主发光模式取代统一背光模式,因此有机发光二极管显示器的可视角明显增加,且功耗减小,对比度提高,厚度降低。
作为现代输入方式的触摸屏功能已经成为输入方式的主要形式应用于各种便携式电子产品中,并且已经逐步代替传统的机械按键输入方式,最终此类电子产品将会实现全触摸、无按键的输入模式。触摸屏技术发展也经历发展的各个阶段,主要有电阻式、电容式、光感应式、电磁感应式等。目前电阻式是现在主流,但电容式正呈现出快步赶超之势。电容式主要有自电容式、表面自电容式、投射互感电容式等。
而现有技术中采用有机发光二极管制作的触摸屏主要为外挂式电容屏,此类触摸屏主要存在生产成本高,触摸灵敏性高可靠度低的问题。
发明内容
本发明的实施例提供一种有机发光二极管、触摸显示装置及其制造方法,能够提高产品触摸灵敏性、降低生产成本。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供一种有机发光二极管,包括:
基板;
所述基板上作为第一导电电极的像素电极;
与所述像素电极同层设置的第一信号电极以及第二信号电极,其中所述第一信号电极用于第一感应线,所述第二信号电极用于连接第二感应线,所述第一感应线和所述第二感应线纵横交叉但不电连接;
覆盖所述第一信号电极及所述第二信号电极的绝缘层;
覆盖所述像素电极的电致发光层,所述电致发光层和所述像素电极的叠层与所述绝缘层处于相同层;
至少覆盖所述电致发光层的第二导电电极;
至少覆盖所述第二导电电极的封装层。
所述第一导电电极为阳极,所述第二导电电极为阴极。
还包括位于阳极与电致发光层之间的空穴传输层。
还包括位于阴极与电致发光层之间的电子传输层。
所述绝缘层为有机绝缘层。
所述第二导电电极在对应于所述第一信号电极及第二信号电极上方的位置处的部分被去除。
一方面,提供一种有机发光二极管的制作方法,
在基板上形成第一导电薄膜;
通过一次构图工艺形成作为第一导电电极的像素电极和第一信号电极及第二信号电极;
制作覆盖所述像素电极和所述第一信号电极及所述第二信号电极的绝缘层;
在所述像素电极上方的所述绝缘层上形成过孔;
在所述过孔中形成电致发光层;
制作覆盖所述电致发光层和所述绝缘层的第二导电薄膜作为第二导电电极;
制作至少覆盖所述第二导电电极的封装层。
所述方法还包括:对第二导电电极进行构图工艺以去除所述第二导电电极的位于所述第一信号电极与第二信号电极上方的部分。
所述方法还包括在所述第一导电电极与所述电致发光层之间形成空穴传输层;
在所述第二导电电极与所述电致发光层之间形成电子传输层。
一方面,提供一种触摸显示装置,包括:按阵列结构排列的显示单元,其中每个所述显示单元包括分别由栅线和数据线围成的像素单元,其中至少一部分所述显示单元中的像素单元包括如上述任一有机发光二极管,所述触摸显示装置还包括纵横交叉但不电连接的多条平行排列的第一感应线和多条平行排列的第二感应线,所述有机发光二级管的第一信号电极与所述第一感应线电连接,所述有机发光二极管的第二信号线与所述第二感应线电连接。
所述第一感应线与所述数据线同层,所述第二感应线与所述栅线同层。
所述第一感应线与所述栅线同层,所述第二感应线与所述数据线同层。
一方面,提供一种触摸显示装置的制作方法,包括:
在基板上制作金属导电薄膜,通过构图工艺形成栅极、栅线及纵向的感应线;
形成覆盖所述基板的栅绝缘层;
在所述栅绝缘层上形成有源层;
在所述基板上形成金属导电薄膜,通过构图工艺形成源极、漏极、数据线和横向的感应线;
形成覆盖所述基板的钝化层;
在所述漏极、所述感应线上方各层形成过孔;
在所述基板上形成第一导电薄膜,通过一次构图工艺形成作为第一导电电极的像素电极和第一信号电极及第二信号电极,其中所述像素电极通过所述漏极上方的过孔与所述漏极电连接,所述第一信号电极通过所述感应线上方的过孔与第一感应线电连接,所述第二信号电极通过所述感应线上方的过孔与第二感应线电连接,所述第一感应线为横向的感应线第二感应线为纵向的感应线,或者,所述第二感应线为横向的感应线第一感应线为纵向的感应线;
制作覆盖所述像素电极和所述第一信号电极及所述第二信号电极的绝缘层;
在所述像素电极上方的所述绝缘层上形成过孔;
在所述过孔中形成电致发光层;
制作覆盖所述电致发光层和所述绝缘层的第二导电薄膜作为第二导电电极;
制作至少覆盖所述第二导电电极的封装层。
所述方法还包括,对第二导电电极进行构图工艺以去除所述第二导电电极的位于所述第一信号电极与第二信号电极上方的部分。
还包括:
在所述第一导电电极与所述电致发光层之间形成空穴传输层;
在所述第二导电电极与所述电致发光层之间形成电子传输层。
本发明的实施例提供的有机发光二极管和触摸显示装置及其制造方法,能够在有机发光二极管的制作过程中同步形成触摸用的投射电容,对于每个像素单元在横向和纵向两个方向上形成了独立的信号感应单元,能够提高产品触摸灵敏性,此外由于作为投射电容的信号电极与发光二级管的像素电极同层形成也降低生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的实施例提供的一种有机发光二极管的俯视结构示意图;
图2为本发明的实施例提供的有机发光二极管在图1所示的AA’截面的结构示意图;
图3为本发明的实施例提供的有机发光二极管在图1所示的BB’截面的结构示意图;
图4为本发明的实施例提供的有机发光二极管的投射电容的等效电路图;
图5为本发明的实施例提供的有机发光二极管在触摸时的投射电容的等效电路图;
图6为本发明的另一实施例提供的有机发光二极管在触摸时的投射电容的等效电路图;
图7为本发明的实施例提供的一种有机发光二极管的制造方法流程示意图;
图8为本发明的实施例提供的一种触摸显示装置的俯视结构示意图;
图9为本发明的实施例提供的触摸显示装置在图7所示的CC’截面的结构示意图;
图10为本发明的实施例提供的一种触摸显示装置的制造方法流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1、2、3所示(图2为图1所示有机发光二极管在AA’截面的结构示意图,图3为图1所示的有机发光二极管在BB’截面的结构示意图),为本发明的实施例提供的一种有机发光二极管,包括:
基板1;基板1上作为第一导电电极的像素电极2,与像素电极2同层设置的第一信号电极3以及第二信号电极4,其中第一信号电极3用于连接纵向的第一感应线,第二信号电极4用于连接横向的第二感应线,第一感应线和第二感应线纵横交叉但不电连接(图中感应线未示出);覆盖第一信号电极3及第二信号电极4的绝缘层5,覆盖像素电极2的电致发光层6,电致发光层6和像素电极2的叠层与绝缘层5处于相同层(即电致发光层6的上表面与绝缘层5的上表面等高);至少覆盖电致发光层6的第二导电电极7;至少覆盖第二导电电极7的封装层8。
本领域的技术人员应当明白,附图仅为示例性的,此外这里的横向和纵向只是第一感应线和第二感应线的相对位置关系,因此可以理解为,若第一感应线为纵向的感应线则第二感应线为横向的感应线,相反,若第一感应线为横向的感应线则第二感应线为纵向的感应线,关于在图1所示的平面示意图中的位置,第一信号电极可以设于第二信号电极的上方,也可以设在其下方。
可选的,第一导电电极即像素电极2为阳极,第二导电电极7为阴极;该有机发光二极管还包括位于阳极与电致发光层之间的空穴传输层及位于阴极与电致发光层之间的电子传输层。
绝缘层5可以为有机绝缘层。
具体的,这里第二导电电极7与第一信号电极3和第二信号电极4构成投射电容,其等效电路图如图4所示,其中C_X为第二导电电极7与第一信号电极3之间的电容,C_Y为第二导电电极7与第二信号电极4之间的电容,C_XY为第一信号电极3与第二信号电极4之间的电容,在对第二导电电极7上方的封装层8进行触摸时手指与第二导电电极7形成电容,其等效电路图如图5所示,这时增加了第二导电电极7与手指间的电容C_F,这样由于作为发光二级管阴极为一直流电压信号,因此阴极的电压维持不变,当整体电容值发生变化时,即等效电路由图4变为图5时,导致电容器的另一极的电压信号发生变化,利用该原理可以判定该有机发光二极管处是否发生触摸。
进一步的,第二导电电极7在对应于第一信号电极3及第二信号电极4上方的位置处的部分被去除(该结构图中未示出);此时第二导电电极7与第一信号电极3和第二信号电极4不形成电容,当发生触摸时,由于触摸物的面积一般会大于当个像素单元的面积,相当于触摸物分别与第一信号电极3及第二信号电极4形成电容,其中等效电路图如图6所示(图中触摸物以手指为例),C_M为触摸物与第一信号电极3之间的电容,C_N为手指与第二信号电极4之间的电容,C_MN为第一信号电极3与第二信号电极4之间的电容,触摸导致作为电容器的一极的第一信号电极3和第二信号电极4的信号电流发生变化,利用该原理可以判定该有机发光二极管处是否发生触摸。
本发明的实施例提供的有机发光二极管,在有机发光二极管的制作过程中同步形成触摸用的投射电容,对于每个像素单元在横向和纵向两个方向上形成了独立的信号感应单元,能够提高产品触摸灵敏性,此外由于作为投射电容的信号电极与发光二级管的像素电极同层形成也降低生产成本。
如图7所示,本发明的实施例提供一种有机发光二极管的制作方法,总体来说,所述制作方法包括形成第一、第二电极层以及夹在第一、第二电极层之间的电致发光层的步骤,还包括形成第一、第二信号电极及绝缘层的步骤。具体地,包括以下流程:
S101、在基板上形成一层第一导电薄膜;
S102、通过一次构图工艺形成作为第一导电电极的像素电极和第一信号电极及第二信号电极;
示例性的,可以在整个下基板上沉积一层第一导电薄膜,该第一导电薄膜为阳极导电材料,厚度在至之间。然后,在第一导电薄膜上涂覆一层光刻胶,使用掩模版,进行曝光、显影,刻蚀、剥离等构图工艺处理,形成像素电极、第一信号电极和第二信号电极。
S103、制作覆盖像素电极和第一信号电极及第二信号电极的绝缘层;
S104、在像素电极上方的绝缘层上形成过孔;
S105、在过孔中形成电致发光层;
可选的,在该步骤S105之前还包括:在所述第一导电电极与所述电致发光层之间形成空穴传输层;其中空穴传输层,常用的材料是芳香双胺,如四苯基联苯二胺类化合物(N,N,N’,N’-TETRAPHENYL-1,1’-BIPHENYL-4,4’DIAMINE,简称TPD)、TAD(分子式为C73H52N4)等;
在该步骤之后S105之后还包括在第二导电电极与所述电致发光层之间形成电子传输层;电子传输层,常用的材料是8-羟基喹啉铝(Alq3)、8-羟基喹啉锌(Znq2)等。
S106、制作覆盖电致发光层和绝缘层的第二导电薄膜作为第二导电电极。
如步骤S105所述当在第二导电电极与所述电致发光层之间形成有电子传输层时,步骤S106中制作的第二导电电极为覆盖电子传输层。
可选的,步骤S106还包括:对第二导电电极进行构图工艺以去除第二导电电极的位于第一信号电极与第二信号电极上方的部分。经过该可选的工艺形成的有机发光二极管的等效电路图为如图所示。当然可选工艺可以与制作第二导电电极的同一次构图工艺形成,不会增加额外的曝光工艺步骤。
S107、制作覆盖第二导电电极的上基板。
本发明的实施例提供的有机发光二极管的制造方法,在有机发光二极管的制作过程中同步形成触摸用的投射电容,对于每个像素单元在横向和纵向两个方向上形成了独立的信号感应单元,能够提高产品触摸灵敏性,此外由于作为投射电容的信号电极与发光二级管的像素电极同层形成也降低生产成本。
本发明的实施例提供一种触摸显示装置,参照图8、9所示(图9为图8所示的触摸显示装置在CC’截面的结构示意图),包括:按阵列结构排列的显示单元,其中每个显示单元包括分别由栅线和数据线围成的像素单元,其中至少一部分显示单元中的像素单元包括一个上述实施例提供的有机发光二极管,触摸显示装置还包括多条平行排列的第一感应线14和多条平行排列的第二感应线15,所述第一感应线14和第二感应线15纵横交叉但不电连接。有机发光二极管的第一信号电极16与第一感应线14电连接,有机发光二极管的第二信号电极17与第二感应线15电连接。优选地,第一信号电极16通过过孔与第一感应线14电连接,第二信号电极17通过过孔与第二感应线15电连接。
当然,每个像素单元还包括位于下基板11上的薄膜晶体管,覆盖薄膜晶体管的钝化层13;通过钝化层13上的过孔与薄膜晶体管的漏极电连接的有机发光二极管,其中有机发光二极管作为第一导电电极的像素电极连接漏极。
可选的,第一感应线14与数据线同层,第二感应线15与栅线同层;即第一感应线位于钝化层13与覆盖薄膜晶体管栅极的栅绝缘层12之间,第二感应线位于基板11与栅绝缘层12之间;
或者,
第一感应线与栅线同层,第二感应线与数据线同层;即第二感应线位于钝化层与覆盖薄膜晶体管栅极的栅绝缘层之间,第一感应线位于基板与栅绝缘层之间(图中未示出)。
根据本发明的实施例提供的有机发光二极管关于投射电容的原理可知,由于第一感应线和第二感应线为纵横交叉设置但不电连接,则可以配合第一信号电极和第二信号电极在阴极上方发生触摸时,在互相垂直的X方向和Y方向产生电压变化信号以便定位触摸处。
本发明的实施例提供的触摸显示装置,在有机发光二极管的制作过程中同步形成触摸用的投射电容,对于每个像素单元在横向和纵向两个方向上形成了独立的信号感应单元,能够提高产品触摸灵敏性,此外由于作为投射电容的信号电极与发光二级管的像素电极同层形成也降低生产成本。
此外,参照现有技术每个显示单元可以包括红绿蓝三个像素单元,当然也可包括多个像素单元,这里以包括以红绿蓝三原色的像素单元为例进行说明。优选地,可以在显示单元包括的红绿蓝三个像素单元选择性的设置本发明实施例提供的有机发光二极管,因为在现有技术条件下红绿蓝三个像素单元发光面积等面积时,亮度是不同的,为了保证发光亮度的一致性,红绿蓝三个像素单元的发光面积一般是按比例设置的;在现有技术条件下同等发光面积的像素单元绿色放光材料的亮度较大,因此在制作过程中一般是采取减小绿光像素单元的电致发光层的面积,因此可以选择在绿光像素单元采用本发明实施例提供的有机发光二极管,这样投射电容的电极在有机发光二极管的像素电极层占用一定的发光面积,从而避免了对显示装置发光亮度的影响。当然在黄光或绿光的像素单元上采用本发明实施例提供的有机发光二极管亦是可行的。更优选地,即使对于绿色像素,也可以根据实际情况,如分辨率、感应面积、电容灵敏度等要求,而排列具有触摸电容的像素和不具有触摸电容的像素、其比例及位置关系等。
本发明的实施例提供一种触摸显示装置的制作方法,总体来说,所述制作方法包括形成第一、第二电极层以及夹在第一、第二电极层之间的电致发光层的步骤、以及形成数据线、栅线的步骤,还包括形成第一、第二信号电极及绝缘层的步骤。具体地,如图10所示,包括:
S201、在基板上制作一层金属导电薄膜,通过构图工艺形成栅极、栅线及纵向的感应线;
可以使用磁控溅射方法,在下基板上制备一层厚度在至的金属导电薄膜。制作金属导电薄膜的金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等,也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构。然后,用掩模版通过曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺处理,在基板的一定区域上形成栅极、栅线及纵向的感应线;其中,金属导电薄膜的成膜方法具体可以为等离子增强化学气相沉积(PECVD)、磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法。
S202、形成覆盖基板的栅绝缘层;
然后可以利用化学汽相沉积法在下基板上连续沉积厚度为至的栅绝缘层薄膜;栅绝缘层的材料通常是氮化硅,也可以使用氧化硅和氮氧化硅等,栅绝缘层的成膜方法可以采用沉积方式、旋涂方式或滚涂方式。
S203、在栅绝缘层上形成有源层;
可以在栅绝缘层上利用化学汽相沉积法沉积厚度为至的非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜,也可以是在栅绝缘层薄膜之上沉积金属氧化物半导体薄膜;用有源层的掩模版对非晶硅薄膜进行曝光,之后对该非晶硅薄膜进行干法刻蚀,在栅极的上方形成有源层。此外,如果是在栅绝缘层薄膜之上沉积金属氧化物半导体薄膜作为有源层,则对金属氧化物薄膜进行一次构图工艺即可形成有源层,即在光刻胶涂覆后,用普通的掩模版对基板进行曝光、显影、刻蚀形成有源层即可。
S204、在基板上形成一层金属导电薄膜,通过构图工艺形成源极、漏极、数据线和横向的感应线;
可以使用和制作栅极相同的方法,在下基板上制备一层厚度在至的金属导电薄膜。制作金属导电薄膜的金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等,也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构。然后,用掩模版通过曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺处理,形成源极、漏极、数据线和横向的感应线,成膜方法具体可以为等离子增强化学气相沉积(PECVD)、磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法。
S205、形成覆盖下基板的钝化层;
S206、在漏极、感应线上方各层形成过孔;
S207、在下基板上形成一层第一导电薄膜,通过一次构图工艺形成作为第一导电电极的像素电极和第一信号电极及第二信号电极;
其中所述像素电极通过所述漏极上方的过孔与所述漏极电连接,所述第一信号电极通过所述感应线上方的过孔与第一感应线电连接,所述第二信号电极通过所述感应线上方的过孔与第二感应线电连接,所述第一感应线为横向的感应线且第二感应线为纵向的感应线,或者,所述第二感应线为横向的感应线且第一感应线为纵向的感应线。以上可以理解的是横向和纵向是相对而言的,因此这里的横向和纵向只是第一感应线和第二感应线的相对位置关系,因此可以理解为第一感应线为纵向的感应线则第二感应线为横向的感应线,相反第一感应线为横向的感应线则第二感应线为纵向的感应线。
具体的S207之后的各步骤的具体过程参照S101~S107这里不再赘述。
S208、制作覆盖像素电极和第一信号电极及第二信号电极的绝缘层;
S209、在像素电极上方的绝缘层上形成过孔;
S210、在过孔中形成电致发光层;
可选的,在该步骤S210之前还包括:在所述第一导电电极与所述电致发光层之间形成空穴传输层;其中空穴传输层,常用的材料是芳香双胺,如四苯基联苯二胺类化合物(N,N,N’,N’-TETRAPHENYL-1,1’-BIPHENYL-4,4’DIAMINE,简称TPD)、TAD(分子式为C73H52N4)等;
在该步骤之后S210之后还包括在第二导电电极与所述电致发光层之间形成电子传输层;电子传输层,常用的材料是8-羟基喹啉铝(Alq3)、8-羟基喹啉锌(Znq2)等。
S211、制作覆盖电致发光层和绝缘层的第二导电薄膜作为第二导电电极;
如步骤S210所述当在第二导电电极与所述电致发光层之间形成有电子传输层时,步骤S211中制作的第二导电电极为覆盖电子传输层。
可选的,步骤S211还包括:对第二导电电极进行构图工艺以去除第二导电电极的位于第一信号电极与第二信号电极上方的部分。经过该可选的工艺形成的有机发光二极管的等效电路图为如图6所示。当然可选工艺可以与制作第二导电电极的同一次构图工艺形成,不会增加额外的曝光工艺步骤。
S212、制作至少覆盖第二导电电极的封装层。
本发明的实施例提供的触摸显示装置的制造方法,在有机发光二极管的制作过程中同步形成触摸用的投射电容,对于每个像素单元在横向和纵向两个方向上形成了独立的信号感应单元,能够提高产品触摸灵敏性,此外由于作为投射电容的信号电极与发光二级管的像素电极同层形成也降低生产成本。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (15)
1.一种有机发光二极管,其特征在于,包括:
基板;
所述基板上作为第一导电电极的像素电极;
与所述像素电极同层设置的第一信号电极以及第二信号电极,其中所述第一信号电极用于连接第一感应线,所述第二信号电极用于连接第二感应线,所述第一感应线和所述第二感应线纵横交叉但不电连接;
覆盖所述第一信号电极及所述第二信号电极的绝缘层;
覆盖所述像素电极的电致发光层,所述电致发光层和所述像素电极的叠层与所述绝缘层处于相同层;
至少覆盖所述电致发光层的第二导电电极;
至少覆盖所述第二导电电极的封装层。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其特征在于,所述第一导电电极为阳极,所述第二导电电极为阴极。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管,其特征在于,还包括位于阳极与电致发光层之间的空穴传输层。
4.根据权利要求2所述的有机发光二极管,其特征在于,还包括位于阴极与电致发光层之间的电子传输层。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其特征在于,所述绝缘层为有机绝缘层。
6.根据权利要求1~5任一项所述的有机发光二极管,其特征在于,所述第二导电电极在对应于所述第一信号电极及第二信号电极上方的位置处的部分被去除。
7.一种有机发光二极管的制作方法,其特征在于,
在基板上形成第一导电薄膜;
通过一次构图工艺形成作为第一导电电极的像素电极和第一信号电极及第二信号电极;
制作覆盖所述像素电极和所述第一信号电极及所述第二信号电极的绝缘层;
在所述像素电极上方的所述绝缘层上形成过孔;
在所述过孔中形成电致发光层;
制作覆盖所述电致发光层和所述绝缘层的第二导电薄膜作为第二导电电极;
制作至少覆盖所述第二导电电极的封装层。
8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:对第二导电电极进行构图工艺以去除所述第二导电电极的位于所述第一信号电极与第二信号电极上方的部分。
9.根据权利要求7或8所述的制作方法,其特征在于,所述方法还包括在所述第一导电电极与所述电致发光层之间形成空穴传输层;
在所述第二导电电极与所述电致发光层之间形成电子传输层。
10.一种触摸显示装置,其特征在于,包括:按阵列结构排列的显示单元,其中每个所述显示单元包括分别由栅线和数据线围成的像素单元,其中至少一部分所述显示单元中的像素单元包括如权利要求1~6之任一项所述的有机发光二极管,所述触摸显示装置还包括多条平行排列的第一感应线和多条平行排列的第二感应线,所述第一感应线和所述第二感应线纵横交叉但不电连接,所述有机发光二级管的第一信号电极与所述第一感应线电连接,所述有机发光二极管的第二信号线与所述第二感应线电连接。
11.根据权利要求10所述的触摸显示装置,其特征在于,所述第一感应线与所述数据线同层,所述第二感应线与所述栅线同层。
12.根据权利要求10所述的触摸显示装置,其特征在于,所述第一感应线与所述栅线同层,所述第二感应线与所述数据线同层。
13.一种触摸显示装置的制作方法,其特征在于,包括:
在基板上制作金属导电薄膜,通过构图工艺形成栅极、栅线及纵向的感应线;
形成覆盖所述基板的栅绝缘层;
在所述栅绝缘层上形成有源层;
在所述基板上形成金属导电薄膜,通过构图工艺形成源极、漏极、数据线和横向的感应线;
形成覆盖所述基板的钝化层;
在所述漏极、所述感应线上方各层形成过孔;
在所述基板上形成第一导电薄膜,通过一次构图工艺形成作为第一导电电极的像素电极和第一信号电极及第二信号电极,其中所述像素电极通过所述漏极上方的过孔与所述漏极电连接,所述第一信号电极通过所述感应线上方的过孔与第一感应线电连接,所述第二信号电极通过所述感应线上方的过孔与第二感应线电连接,所述第一感应线为横向的感应线且所述第二感应线为纵向的感应线,或者,所述第二感应线为横向的感应线且所述第一感应线为纵向的感应线;
制作覆盖所述像素电极和所述第一信号电极及所述第二信号电极的绝缘层;
在所述像素电极上方的所述绝缘层上形成过孔;
在所述过孔中形成电致发光层;
制作覆盖所述电致发光层和所述绝缘层的第二导电薄膜作为第二导电电极;
制作至少覆盖所述第二导电电极的封装层。
14.根据权利要求12所述的制作方法,其特征在于,所述方法还包括,对第二导电电极进行构图工艺以去除所述第二导电电极的位于所述第一信号电极与第二信号电极上方的部分。
15.根据权利要求13或14所述的制作方法,其特征在于,还包括:
在所述第一导电电极与所述电致发光层之间形成空穴传输层;
在所述第二导电电极与所述电致发光层之间形成电子传输层。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210372282.9A CN102881839B (zh) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | 有机发光二极管、触摸显示装置及其制造方法 |
EP13181566.4A EP2713400B1 (en) | 2012-09-28 | 2013-08-23 | Organic light emitting diode display, touch display device and method for fabricating the same |
US14/010,916 US9117679B2 (en) | 2012-09-28 | 2013-08-27 | Organic light emitting diode, touch display device and method for fabricating the same |
JP2013182870A JP6257964B2 (ja) | 2012-09-28 | 2013-09-04 | 有機発光ダイオード、タッチディスプレイ及びその製造方法 |
KR1020130114146A KR101574390B1 (ko) | 2012-09-28 | 2013-09-25 | 유기 발광 다이오드, 터치 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210372282.9A CN102881839B (zh) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | 有机发光二极管、触摸显示装置及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102881839A true CN102881839A (zh) | 2013-01-16 |
CN102881839B CN102881839B (zh) | 2014-05-07 |
Family
ID=47483091
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210372282.9A Active CN102881839B (zh) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | 有机发光二极管、触摸显示装置及其制造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9117679B2 (zh) |
EP (1) | EP2713400B1 (zh) |
JP (1) | JP6257964B2 (zh) |
KR (1) | KR101574390B1 (zh) |
CN (1) | CN102881839B (zh) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103455201A (zh) * | 2013-08-27 | 2013-12-18 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种触控显示装置及其驱动方法 |
CN104035646A (zh) * | 2014-05-09 | 2014-09-10 | 友达光电股份有限公司 | 触控显示面板及其操作方法 |
CN104900658A (zh) * | 2015-06-15 | 2015-09-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控面板及其制备方法、触控显示装置 |
CN105446554A (zh) * | 2014-05-27 | 2016-03-30 | 上海和辉光电有限公司 | 有机电激发光装置 |
CN105609009A (zh) * | 2014-11-19 | 2016-05-25 | 上海聚然智能科技有限公司 | 三维度立体显示器及其组件 |
EP3060968A4 (en) * | 2013-12-13 | 2017-11-08 | Apple Inc. | Integrated touch and display architectures for self-capacitive touch sensors |
US10007388B2 (en) | 2009-08-07 | 2018-06-26 | Quickstep Technologies Llc | Device and method for control interface sensitive to a movement of a body or of an object and viewing screen integrating this device |
US10019103B2 (en) | 2013-02-13 | 2018-07-10 | Apple Inc. | In-cell touch for LED |
US10133382B2 (en) | 2014-05-16 | 2018-11-20 | Apple Inc. | Structure for integrated touch screen |
US10175832B2 (en) | 2011-12-22 | 2019-01-08 | Quickstep Technologies Llc | Switched-electrode capacitive-measurement device for touch-sensitive and contactless interfaces |
US10503328B2 (en) | 2011-06-16 | 2019-12-10 | Quickstep Technologies Llc | Device and method for generating an electrical power supply in an electronic system with a variable reference potential |
CN111475064A (zh) * | 2020-04-17 | 2020-07-31 | 深圳市鸿合创新信息技术有限责任公司 | 透明线圈板及其制作方法、透明电磁感应板及显示设备 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI526893B (zh) * | 2013-11-05 | 2016-03-21 | 群創光電股份有限公司 | 觸控顯示裝置 |
KR20180036431A (ko) * | 2016-09-30 | 2018-04-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20180039222A (ko) | 2016-10-07 | 2018-04-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 지문 인식 센서를 포함하는 표시 장치 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007147814A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Seiko Epson Corp | 発光装置およびその製造方法並びに電子機器 |
US20100001639A1 (en) * | 2008-07-06 | 2010-01-07 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
CN101887904A (zh) * | 2009-05-15 | 2010-11-17 | 上海天马微电子有限公司 | 集成触摸屏的有机发光二极管显示器 |
CN101958340A (zh) * | 2009-07-20 | 2011-01-26 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光二极管显示器 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001148291A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Sony Corp | 表示装置及びその製造方法 |
TWI221268B (en) * | 2001-09-07 | 2004-09-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of driving the same |
US7361860B2 (en) * | 2001-11-20 | 2008-04-22 | Touchsensor Technologies, Llc | Integrated touch sensor and light apparatus |
CN100504966C (zh) * | 2002-12-27 | 2009-06-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
KR100957585B1 (ko) * | 2003-10-15 | 2010-05-13 | 삼성전자주식회사 | 광 감지부를 갖는 전자 디스플레이 장치 |
KR100659532B1 (ko) * | 2003-11-28 | 2006-12-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
KR101373435B1 (ko) * | 2007-03-22 | 2014-03-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시기판, 이를 구비한 유기발광다이오드 표시장치 및이들의 제조 방법 |
KR100870229B1 (ko) | 2008-04-01 | 2008-11-24 | 아이비컴(주) | 베이스필름에 터치패널과 el램프패널이 일체화되어결합되어 있는 발광터치 스위치 모듈 및 그 제조방법 |
US9030427B2 (en) * | 2009-11-20 | 2015-05-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Flexible display panel with touch sensor function |
JP2011237489A (ja) * | 2010-05-06 | 2011-11-24 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 有機el表示装置 |
-
2012
- 2012-09-28 CN CN201210372282.9A patent/CN102881839B/zh active Active
-
2013
- 2013-08-23 EP EP13181566.4A patent/EP2713400B1/en active Active
- 2013-08-27 US US14/010,916 patent/US9117679B2/en active Active
- 2013-09-04 JP JP2013182870A patent/JP6257964B2/ja active Active
- 2013-09-25 KR KR1020130114146A patent/KR101574390B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007147814A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Seiko Epson Corp | 発光装置およびその製造方法並びに電子機器 |
US20100001639A1 (en) * | 2008-07-06 | 2010-01-07 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
CN101887904A (zh) * | 2009-05-15 | 2010-11-17 | 上海天马微电子有限公司 | 集成触摸屏的有机发光二极管显示器 |
CN101958340A (zh) * | 2009-07-20 | 2011-01-26 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光二极管显示器 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10007388B2 (en) | 2009-08-07 | 2018-06-26 | Quickstep Technologies Llc | Device and method for control interface sensitive to a movement of a body or of an object and viewing screen integrating this device |
US10503328B2 (en) | 2011-06-16 | 2019-12-10 | Quickstep Technologies Llc | Device and method for generating an electrical power supply in an electronic system with a variable reference potential |
US10175832B2 (en) | 2011-12-22 | 2019-01-08 | Quickstep Technologies Llc | Switched-electrode capacitive-measurement device for touch-sensitive and contactless interfaces |
US10019103B2 (en) | 2013-02-13 | 2018-07-10 | Apple Inc. | In-cell touch for LED |
US10809847B2 (en) | 2013-02-13 | 2020-10-20 | Apple Inc. | In-cell touch for LED |
US9898124B2 (en) | 2013-08-27 | 2018-02-20 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Touch display device, its driving method and non-transient storage medium |
WO2015027640A1 (zh) * | 2013-08-27 | 2015-03-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触控显示装置及其驱动方法 |
CN103455201A (zh) * | 2013-08-27 | 2013-12-18 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种触控显示装置及其驱动方法 |
CN103455201B (zh) * | 2013-08-27 | 2017-03-29 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种触控显示装置及其驱动方法 |
EP3060968A4 (en) * | 2013-12-13 | 2017-11-08 | Apple Inc. | Integrated touch and display architectures for self-capacitive touch sensors |
US10209813B2 (en) | 2013-12-13 | 2019-02-19 | Apple Inc. | Integrated touch and display architectures for self-capacitive touch sensors |
US11086444B2 (en) | 2013-12-13 | 2021-08-10 | Apple Inc. | Integrated touch and display architectures for self-capacitive touch sensors |
CN104035646B (zh) * | 2014-05-09 | 2017-07-04 | 友达光电股份有限公司 | 触控显示面板及其操作方法 |
CN104035646A (zh) * | 2014-05-09 | 2014-09-10 | 友达光电股份有限公司 | 触控显示面板及其操作方法 |
US10133382B2 (en) | 2014-05-16 | 2018-11-20 | Apple Inc. | Structure for integrated touch screen |
CN105446554A (zh) * | 2014-05-27 | 2016-03-30 | 上海和辉光电有限公司 | 有机电激发光装置 |
CN105609009A (zh) * | 2014-11-19 | 2016-05-25 | 上海聚然智能科技有限公司 | 三维度立体显示器及其组件 |
US10216307B2 (en) | 2015-06-15 | 2019-02-26 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Touch panel, manufacturing method thereof and touch display device |
CN104900658B (zh) * | 2015-06-15 | 2018-07-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控面板及其制备方法、触控显示装置 |
US9939941B2 (en) | 2015-06-15 | 2018-04-10 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Touch panel, manufacturing method thereof and touch display device |
CN104900658A (zh) * | 2015-06-15 | 2015-09-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控面板及其制备方法、触控显示装置 |
CN111475064A (zh) * | 2020-04-17 | 2020-07-31 | 深圳市鸿合创新信息技术有限责任公司 | 透明线圈板及其制作方法、透明电磁感应板及显示设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20140042698A (ko) | 2014-04-07 |
US20140091286A1 (en) | 2014-04-03 |
US9117679B2 (en) | 2015-08-25 |
EP2713400B1 (en) | 2019-04-17 |
JP2014072189A (ja) | 2014-04-21 |
CN102881839B (zh) | 2014-05-07 |
KR101574390B1 (ko) | 2015-12-03 |
EP2713400A2 (en) | 2014-04-02 |
EP2713400A3 (en) | 2017-12-20 |
JP6257964B2 (ja) | 2018-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102881839B (zh) | 有机发光二极管、触摸显示装置及其制造方法 | |
CN104750284B (zh) | 一种触控显示装置及其制备方法 | |
CN107092399B (zh) | 一种oled阵列基板及其制作方法、触控显示装置 | |
CN206250196U (zh) | Oled触控显示面板及触控显示装置 | |
CN103389822B (zh) | 柔性显示装置和利用此的感测弯曲的方法 | |
CN104576705B (zh) | 一种阵列基板及制作方法、显示装置 | |
CN104681629B (zh) | 薄膜晶体管、阵列基板及其各自的制备方法、显示装置 | |
CN107168578B (zh) | 内嵌式触控显示面板及其制作方法、显示装置 | |
CN107068725B (zh) | 有源矩阵有机发光二极管背板及其制造方法 | |
US9640593B2 (en) | Touch organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof | |
CN107808895A (zh) | 透明oled显示器及其制作方法 | |
CN105094491A (zh) | 触控显示面板及其制作方法、驱动方法和触控显示装置 | |
CN107611280A (zh) | 有机发光二极管基板及其制造方法 | |
CN107452808A (zh) | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置 | |
CN104022156B (zh) | 薄膜晶体管、阵列基板及相应的制作方法、显示装置 | |
CN103715267A (zh) | 薄膜晶体管、tft阵列基板及其制造方法和显示装置 | |
CN105117088B (zh) | 一种触控显示面板及其制备方法、驱动方法 | |
CN104465703B (zh) | 一种显示面板及其制造方法和显示装置 | |
CN102751240A (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置 | |
CN103887245B (zh) | 一种阵列基板的制造方法 | |
CN109378326A (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
CN104241296B (zh) | 一种阵列基板及其制作方法和显示装置 | |
CN109004015A (zh) | 一种盖板及其制作方法、显示面板及显示装置 | |
CN103094205A (zh) | 一种薄膜晶体管、薄膜晶体管驱动背板的制备方法及薄膜晶体管驱动背板 | |
CN106328715A (zh) | 薄膜晶体管及其制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |