CN107092399B - 一种oled阵列基板及其制作方法、触控显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种OLED阵列基板及其制作方法、触控显示装置。涉及显示技术领域，能够将触控结构集成于柔性AMOLED中。该OLED阵列基板包括衬底基板、设置在衬底基板上的薄膜晶体管，以及覆盖薄膜晶体管的平坦化层。OLED阵列基板还包括位于平坦化层背离薄膜晶体管一侧的触控传感器，触控传感器包括相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED阵列基板及其制作方法、触控显示装置。
背景技术
AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode Display,，有源矩阵驱动有机发光二极管显示装置)具有低制造成本、高应答速度、省电、可用于便携式设备的直流驱动、工作温度范围大等等优点而可望成为取代LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)的下一代新型平面显示器。特别是柔性AMOLED，因其具有轻薄、可弯曲或折叠、能任意改变形状等优点，正越来越受到市场重视。
对于AMOLED中通常需要设置封装盖板，以达到阻隔水氧的作用。上述封装盖板可以为玻璃盖板。在此情况下，当在AMOLED中集成有触控结构时，可以采用外嵌式(On Cell)工艺将触控结构设置于玻璃盖板的外表面。然而，柔性AMOLED通常采用薄膜封装 (ThinFilm Encapsulation，TFE)工艺，由于薄膜封装采用的封装薄膜层质地柔软，无法通过上述On Cell工艺集成触控结构，从而降低了柔性AMOLED的适用范围。
发明内容
本发明的实施例提供一种OLED阵列基板及其制作方法、触控显示装置，能够将触控结构集成于柔性AMOLED中。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例的一方面，提供一种OLED阵列基板，包括衬底基板、设置在衬底基板上的薄膜晶体管，以及覆盖所述薄膜晶体管的平坦化层；所述OLED阵列基板还包括位于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管一侧的触控传感器，所述触控传感器包括相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极。
优选的，还包括位于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管一侧的像素界定层，所述像素界定层包括像素分隔物以及由所述像素分隔物围设的开口；所述触控传感器在所述衬底基板上的正投影与所述像素分隔物在所述衬底基板上的正投影的位置重叠。
优选的，还包括位于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管一侧的阳极；所述第一触控电极与所述第二触控电极异层设置，所述第一触控电极或所述第二触控电极与所述阳极同材料。
进一步优选的，所述第一触控电极与所述第二触控电极之间设置有介电层；所述第一触控电极与所述第二触控电极均为条状，且交叉设置。
优选的，还包括位于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管一侧的阳极；所述第一触控电极与所述第二触控电极同层设置，所述第一触控电极为条状，所述第二触控电极为块状，所述第二触控电极位于所述第一触控电极的两侧；所述第一触控电极两侧，且位于同一行的多个所述第二触控电极通过搭桥引线均电连接；其中，所述第一触控电极和所述第二触控电极与所述阳极同材料；或者所述搭桥引线与所述阳极同材料。
优选的，所述OLED阵列基板包括像素界定层，所述触控传感器位于所述像素界定层与所述平坦化层之间。
本发明实施例的另一方面，提供一种触控显示装置，包括如上所述的任意一种OLED阵列基板。
本发明实施例的再一方面，提供一种OLED阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上，通过构图工艺形成薄膜晶体管；在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上，通过构图工艺形成覆盖所述薄膜晶体管平坦化层；在形成有所述平坦化层的衬底基板上，通过构图工艺形成相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极；其中，所述第一触控电极与所述第二触控电极构成触控传感器。
优选的，所述形成相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极包括：在形成有所述平坦化层的衬底基板上，沉积第一导电材料层，并通过一次构图工艺形成阳极以及条状的第一触控电极；在形成有所述第一触控电极的衬底基板上，通过构图工艺形成覆盖所述第一触控电极的介电层；在形成有所述介电层的衬底基板上，沉积第二导电材料层，并通过构图工艺形成与所述第一触控电极交叉设置且为条状的第二触控电极。
优选的，所述形成相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极包括：在形成有所述平坦化层的衬底基板上，沉积第一导电材料层，并通过构图工艺形成条状的第一触控电极；在形成有所述第一触控电极和所述第二触控电极的衬底基板上，通过构图工艺形成覆盖所述第一触控电极的介电层；在形成有所述介电层的衬底基板上，沉积第二导电材料层，并通过一次构图工艺形成阳极以及与所述第一触控电极交叉设置且为条状的第二触控电极。
优选的，所述形成相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极包括：在形成有所述平坦化层的衬底基板上，沉积第一导电材料层，并通过一次构图工艺形成条状的第一触控电极、块状的第二触控电极以及阳极；其中，所述第二触控电极位于所述第一触控电极的两侧；在形成有所述第一触控电极的衬底基板上，通过构图工艺形成覆盖所述第一触控电极和所述第二触控电极的介电层，并在所述介电层对应所述第二触控电极的位置形成过孔；在形成有所述介电层的衬底基板上，沉积第二导电材料层，并通过构图工艺形成搭桥引线，所述搭桥引线通过所述过孔将所述第一触控电极两侧，且位于同一行的多个所述第二触控电极电连接。
优选的，所述形成相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极包括：在形成有所述平坦化层的衬底基板上，沉积第一导电材料层，并通过一次构图工艺形成条状的第一触控电极以及块状的第二触控电极；其中，所述第二触控电极位于所述第一触控电极的两侧；在形成有所述第一触控电极和所述第二触控电极的衬底基板上，通过构图工艺形成覆盖所述第一触控电极和所述第二触控电极的介电层，并在所述介电层对应所述第二触控电极的位置形成过孔；在形成有所述介电层的衬底基板上，沉积第二导电材料层，并一次通过构图工艺形成搭桥引线以及阳极；其中，所述搭桥引线通过所述过孔将所述第一触控电极两侧，且位于同一行的多个所述第二触控电极电连接。
优选的，所述形成相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极之后，所述方法还包括在形成有所述触控传感器的衬底基板上，通过构图工艺形成像素界定层，所述像素界定层包括像素分隔物以及由所述像素分隔物围设的开口；所述触控传感器在所述衬底基板上的正投影与所述像素分隔物在所述衬底基板上的正投影的位置重叠。
本发明提供一种OLED阵列基板及其制作方法、触控显示装置。该OLED阵列基板包括衬底基板、设置在衬底基板上的薄膜晶体管，以及覆盖薄膜晶体管的平坦化层。OLED阵列基板还包括位于平坦化层背离薄膜晶体管一侧的触控传感器，触控传感器包括相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极。由上述可知，本发明将触控传感器制作于OLED阵列基板的平坦化层背离薄膜晶体管的一侧，即通过In-Cell 工艺将触控传感器集成于OLED阵列基板上，从而实现触控 AMOLED的制备。这样一来，即当该触控AMOLED为柔性显示装置，上述触控集成工艺也不会受到该触控AMOLED的薄膜封装工艺的影响，从而提高了柔性AMOLED的适用范围。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种OLED阵列基板的结构示意图；
图2为图1中第一触控电极与第二触控电极的一种排布方式示意图；
图3为图1中第一触控电极与第二触控电极的另一种排布方式示意图；
图4a为图3中第一触控电极侧面形状的一种示意图；
图4b为图3中第一触控电极侧面形状的另一种示意图；
图4c为图3中第一触控电极侧面形状的又一种示意图；
图5为本发明提供的设置有像素界定层的OLED阵列基板的结构示意图；
图6为本发明提供的显示装置的显示区域与非显示区域的示意图；
图7a为采用图2所示排布结构的触控传感器与像素分隔物位置相对应的一种结构示意图；
图7b为图7a中第一触控电极与第二触控电极的投影位置分别与像素隔垫物的投影位置的关系；
图8为采用图2所示排布结构的触控传感器与像素分隔物位置相对应的另一种结构示意图；
图9a为采用图3所示排布结构的触控传感器与像素分隔物位置相对应的一种结构示意图；
图9b为图9a中第一触控电极与第二触控电极的投影位置分别与像素隔垫物的投影位置的关系；
图10为采用图3所示排布结构的触控传感器与像素分隔物位置相对应的另一种结构示意图；
图11为本发明实施例提供的一种触控显示装置的结构示意图；
图12为本发明实施例提供的一种OLED阵列基板制作方法流程图。
附图标记：
01-OLED阵列基板；101-衬底基板；102-显示亚像素；103-触控亚像素；11-平坦化层；20-触控传感器；201-第一触控电极；202-第二触控电极；21-介电层；22-搭桥引线；110-阳极；120-有机材料功能层；121-阴极；122-偏光片；123-薄膜封装层；30-像素界定层；301-像素分隔物；302-开口；A-显示区域；B-非显示区域。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种OLED阵列基板01，如图1所示，包括衬底基板101、设置于衬底基板101上的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)以及覆盖该薄膜晶体管(以下简称TFT)的平坦化层11。
在此基础上，该OLED阵列基板01还包括位于平坦化层11背离TFT一侧的触控传感器20。该触控传感器20包括相互绝缘的第一触控电极201和第二触控电极202。
需要说明的是，上述相互绝缘的第一触控电极201和第二触控电极202是指，例如，如图1所示上述第一触控电极201与第二触控电极202异层设置。其中，该第一触控电极201与第二触控电极202之间设置有介电层21。该介电层21具有绝缘的作用，构成该介电层21的材料可以包括，但不限于氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化铝(AlOx)、氮氧化硅(SiOxNy)以及有机绝缘材料，或者为上述至少两种材料构成的复合层。
在此情况下，上述第一触控电极201与第二触控电极202如图2 所示均为条状，且交叉设置。其中，为了便于布线，优选的条状的第一触控电极201与第二触控电极202相互垂直。由上述可知，图2中第一触控电极201与第二触控电极202采用矩阵式进行排布。
或者又例如，如图3所示，第一触控电极201和第二触控电极 202同层设置。其中，第一触控电极201为条状，第二触控电极202 为块状，且第二触控电极202位于201第一触控电极的两侧。
此外，第一触控电极201两侧，且位于同一行的多个第二触控电极202通过搭桥引线22均电连接。其中，该搭桥引线22与上述第一触控电极201和第二触控电极202不同层。由上述可知，图3中第一触控电极201与第二触控电极202采用架桥式进行排布。
本发明对上述条状的第一触控电极201或第二触控电极202的至少一个边的形状不做限定。以图3中条状的第一触控电极201为例，该第一触控电极201的至少一个边可以如图3所示为直线；或者该至少一个边如图4a所示为向内凹陷的曲线，或者如图4b所示为向外凹陷的曲面曲线，且本发明对上述任意一个曲线的曲率不做限定，可以根据需要对曲率的大小进行调节；又或者，如图4c所示上述至少一个边为锯齿线。
在此基础上，该OLED阵列基板01具有多个呈矩阵形式排列的亚像素，每个亚像素内设置有像素电路，该像素电路由上述多个TFT 以及电容构成。通过该像素电路可以驱动与每个亚像素中的发光器件，例如OLED器件发光。
需要说明的是，上述TFT可以为非晶硅TFT、低温多晶硅TFT、氧化物TFT、有机物TFT中的任意一种。且上述所有TFT的类型可以相同，或者包括至少两种不同类型的TFT。
此外，当上述OLED阵列基板01用于制备柔性AMOLED显示器时，上述衬底基板101由柔性材料，例如柔性透明树脂材料构成。
此外，如图5所示，该OLED阵列基板01还包括位于平坦化层 11背离TFT一侧的像素界定层30，且该像素界定层30包括横纵交叉的像素分隔物301以及由像素分隔物301围设的开口302。该开口302内设置有OLED器件。基于此，上述像素电路中有一个主要起驱动OLED器件进行发光的驱动TFTd，该驱动TFTd的源极或漏极与该OLED器件的阳极110相连接。
此外，上述OLED器件还包括形成于阳极110表面的有机材料功能层120。该有机材料功能层120包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层等。其中，为了提高有机发光层发出光线的利用率，需要设置覆盖TFT的上述平坦化层11，以使得制作与该平坦化层11上的阳极110表面平坦光滑。这样一来，可以对上述有机发光层向下发出的光线进行镜面反射，以提高光线的利用率。
由上述可知，本发明如图1所示的将触控传感器20制作于OLED 阵列基板01的平坦化层11背离薄膜晶体管的一侧，即通过In-Cell 工艺将触控传感器20集成于OLED阵列基板01上，从而实现触控 AMOLED的制备。这样一来，即当该触控AMOLED为柔性显示装置，上述触控集成工艺也不会受到该触控AMOLED的薄膜封装工艺的影响，从而提高了柔性AMOLED的适用范围。
在此基础上，如图6所示，显示装置包括显示区域A以及位于该显示区域A周边的非显示区域B。本发明对上述触控传感器20的设置位置不做限定，图6是以上述触控传感器20设置于非显示区域 B为例进行的说明。
其中，该显示装置的显示区域A内设置有多个呈矩阵形式排列的显示亚像素102。该显示装置的触控部分包括多个呈矩阵形式排列的触控亚像素103，每个触控亚像素103内设置有一个上述触控传感器20。在此情况下，当将触控传感器20设置于非显示区域B时，上述显示亚像素102与触控亚像素103无交叠区域。
然而，随着触控技术的不断发展，用户在显示区域A内进行触控操作的频率越来越高，因此将触控传感器20设置于显示区域A成为今后触控显示装置的发展趋势。在此情况下，上述显示亚像素102 与触控亚像素103具有一部分交叠区域。本发明对交叠区域的大小不做限定。例如显示亚像素102与触控亚像素103可以以1:1进行交叠，即一个触控亚像素103对应一个显示亚像素102。或者，或者一个触控亚像素103对应多个显示亚像素102。本发明对此不做限定。
基于此，当上述触控传感器20设置于显示区域A时，为了避免对显示效果造成影响。当该OLED阵列基板01如图5所示还包括像素界定层30时，优选的，触控传感器20在上述衬底基板101上的正投影与像素分隔物301在衬底基板101上的正投影的位置重叠，以使得设置于显示区域A中的上述触控传感器20不会对开口302造成遮挡。
以下当触控传感器20中的第一触控电极201和第二触控电极 202采用不同的排布方式时，对上述触控传感器20的位置与像素分隔物301的位置相对应的具体设置方式进行举例说明。
例如，在第一触控电极201和第二触控电极202采用如图2所示的矩阵式进行排布，即第一触控电极201和第二触控电极202异层交叉设置，且通过位于第一触控电极201和第二触控电极202之间的介电层21进行绝缘的情况下：
如图7a所示，第一触控电极201与阳极110同材料。在此情况下，在制作阳极110的同时，即可通过一次构图工艺完成第一触控电极201的制备。第二触控电极202可以采用新增的一层导电材料层，通过构图工艺进行制备。
基于此，由于图7a中的第一触控电极201和第二触控电极202 采用图2所示的矩阵式进行排布，因此如图7b所示，条状第一触控电极201在衬底基板101上的正投影可以与纵向的像素分隔物301在衬底基板101上的正投影的位置重叠。而条状的第二触控电极202在衬底基板101上的正投影可以与横向的像素分隔物301在衬底基板 101上的正投影的位置重叠。当然第一触控电极201与第二触控电极 202的投影位置可以互换。
需要说明的是，在本发明中，构图工艺，可指包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板(MASK)、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。其中，本发明实施例中的一次构图工艺，是以通过一次掩膜曝光工艺形成不同的曝光区域，然后对不同的曝光区域进行多次刻蚀、灰化等去除工艺最终得到预期图案为例进行的说明。
或者，如图8所示，第二触控电极202与阳极110同材料。在此情况下，第一触控电极201可以采用新增的一层导电材料层，通过构图工艺进行制备。此外，在制作阳极110的同时，即可通过一次构图工艺完成第二触控电极202的制备。
需要说明的是，对于图8所示的方案而言，第一触控电极201 和第二触控电极202在衬底基板10上的投影位置与图7b所示的方案同理，此处不再赘述。
又例如，在第一触控电极201和第二触控电极202采用如图3 所示的架桥式进行排布，即第一触控电极201和第二触控电极202同层设置，位于同一行的多个第二触控电极202通过搭桥引线22均电连接的情况下：
如图9a所示，所述第一触控电极201和第二触控电极202均与阳极110同材料。在此情况下，在制作阳极110的同时，即可完成第一触控电极201和第二触控电极202的制备。此外，搭桥引线22可以采用新增的一层导电材料层，通过构图工艺进行制备。
基于此，由于图9a中的第一触控电极201和第二触控电极202 采用图3所示的架桥式进行排布，因此如图9b所示，条状的第一触控电极201在衬底基板101上的正投影可以与纵向的像素分隔物301 在衬底基板101上的正投影的位置重叠。而块状的第二触控电极202位于条状的第一触控电极201两侧。
或者，如图10所示，搭桥引线22与阳极110同材料。在此情况下，在制作阳极110的同时，即可通过一次构图工艺完成搭桥引线 22的制备。此外，第一触控电极201和第二触控电极202可以采用新增的一层导电材料层，通过一次构图工艺进行制备。
需要说明的是，对于图8所示的方案而言，第一触控电极201 和第二触控电极202在衬底基板10上的投影位置与图9b所示的方案同理，此处不再赘述。
此外，构成上述导电材料层的材料包括但不限于金属钼(Mo)、金属铝(Al)、金属铜(Cu)、金属银(Ag)、金属钛(Ti)、氧化铟锡(In-Sn-O，ITO)、氧化铟锌(In-Zn-O，IZO)、铝掺杂氧化锌(Al-Zn-O，AZO)、石墨烯、碳纳米管等，或者为上述至少两种材料构成的复合层。
由上述可知，图7a至图10所示的结构均是当触控传感器20在上述衬底基板101上的正投影与像素分隔物301在衬底基板101上的正投影的位置重叠时，优选的该触控传感器20位于像素界定层30与平坦化层11之间。在此情况下，在像素界定层30的开口302内制作如图5所示的OLED器件时，已经完成了上述触控传感器20的制备，这样一来，触控传感器20的制备过程不会对OLED器件的有机发光层的制备造成影响。
本发明实施例提供一种触控显示装置，包括如上述所述的任意一种OLED阵列基板。该触控显示装置具有与前述实施例提供的OLED 阵列基板相同的有益效果，此处不再赘述。
此外，如图11所示，上述触控显示装置还包括位于像素界定层 30的开口302内的有机材料功能层120，阴极121、偏光片122以及薄膜封装层123(或者封装盖板)。
本发明实施例提供一种OLED阵列基板的制作方法，如图12所示，包括：
S101、在如图1所示的衬底基板101上，通过构图工艺形成TFT。
S102、在形成有TFT的衬底基板101上，通过构图工艺形成覆盖TFT的平坦化层11。
需要说明的是，为了使得驱动TFTd的源极或漏极能够与OLED 器件的阳极110相连接，通过上述步骤S102形成的平坦化层11上设置有过孔，上述阳极110能够通过过孔与驱动TFTd的源极或漏极相连接。
S103、在形成有平坦化层11的衬底基板上，通过构图工艺形成相互绝缘的第一触控电极201和第二触控电极202。其中，第一触控电极201与第二触控电极202构成触控传感器20。
上述OLED阵列基板的制作方法具有与前述实施例提供的 OLED阵列基板相同的有益效果，此处不再赘述。
在此基础上，且为了避免触控传感器20的制备过程对OLED器件的有机发光层的制备造成影响，优选的，上述步骤S103之后，该 OLED阵列基板的制作方法还包括在形成有上述触控传感器20的衬底基板上，通过构图工艺形成如图5所示的像素界定层30，该像素界定层30包括像素分隔物301以及由像素分隔物301围设的开口 302。这样一来，当触控传感器20还制作完成后，再在上述开口302 内制作OLED器件的有机材料功能层120。
基于此，当上述触控传感器20设置于显示区域A时，为了避免对显示效果造成影响，优选的，如图7a至图10所示，触控传感器 20在上述衬底基板101上的正投影与像素分隔物301在衬底基板101 上的正投影的位置重叠。
以下对上述步骤S103进行详细的举例说明。
例如，在第一触控电极201和第二触控电极202采用如图2所示的矩阵式进行排布，即第一触控电极201和第二触控电极202异层交叉设置，且通过位于第一触控电极201和第二触控电极202之间的介电层21进行绝缘的情况下，上述步骤S103包括：
首先，在形成有平坦化层11的衬底基板101上，沉积第一导电材料层，并通过一次构图工艺形成如图7a所示的阳极110以及条状的第一触控电极201。
需要说明的是，构成上述导电材料层的材料同上所述，此处不再赘述。其中，当上述导电材料层主要由金属材料构成时，可以采用光黄制程(即光刻工艺)：涂覆光刻胶、曝光、显影、刻蚀得到上述阳极110以及条状的第一触控电极201的图案。或者当上述第一导电材料层主要由纳米银、石墨烯、碳纳米管构成时，可以采用纳米银浆、石墨烯溶液、碳纳米管溶液等液态导电溶液，使用喷墨打印、丝印等设备制备上述阳极110以及条状的第一触控电极201的图案，然后进行紫外线照射和/或热处理。
接下来，在形成有第一触控电极201的衬底基板101上，通过构图工艺形成覆盖第一触控电极201的介电层21。
需要说明的是，构成该介电层21的材料同上所述，此处不再赘述。具体的，当构成该介电层21的材料包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化铝(AlOx)、氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种时，可以采用上述光黄制程：涂覆光刻胶、曝光、显影、刻蚀形成覆盖第一触控电极201的介电层21的图案。或者，当构成介电层21的材料包括有机绝缘材料时，可以采用有机绝缘材料溶液，通过喷墨打印、丝印等设备制备上述介电层21的图案，然后进行紫外线照射和/ 或热处理。
接下来，在形成有上述介电层21的衬底基板101上，沉积第二导电材料层，并通过构图工艺形成与第一触控电极201交叉设置且为条状的第二触控电极202。
需要说明的是，构成上述第一导电材料层与第二导电材料层的材料可以相同，也可以不同，本申请对此不做限定。
或者上述步骤S103包括：
首先，在形成有平坦化层11的衬底基板101上，沉积第一导电材料层，并通过构图工艺形成如图8所示的条状的第一触控电极201。
接下来，在形成有第一触控电极201的衬底基板101上，通过构图工艺形成覆盖第一触控电极201的介电层21。
接下来，在形成有介电层21的衬底基板101上，沉积第二导电材料层，并通过一次构图工艺形成阳极110以及与第一触控电极201 交叉设置且为条状的第二触控电极202。
又例如，在第一触控电极201和第二触控电极202采用如图3 所示的架桥式进行排布，即第一触控电极201和第二触控电极202同层设置，位于同一行的多个第二触控电极202通过搭桥引线22均电连接的情况下，上述步骤S103包括：
首先，在形成有平坦化层11的衬底基板101上，沉积第一导电材料层，并通过一次构图工艺形成如图9a所示的条状的第一触控电极201、块状的第二触控电极202以及阳极110。其中，如图3所示第二触控电极202位于第一触控电极201的两侧。
接下来，如图9a所示，在形成有第一触控电极201和第二触控电极202的衬底基板上，通过构图工艺形成覆盖第一触控电极201和第二触控电极202的介电层21，并在介电层21对应第二触控电极202 的位置形成过孔。
接下来，在形成有介电层21的衬底基板101上，沉积第二导电材料层，并通过构图工艺形成搭桥引线22。如图3所示，该搭桥引线22通过上述过孔将第一触控电极两侧，且位于同一行的多个第二触控电极202电连接。
或者，上述步骤S103包括：
首先，在形成有平坦化层11的衬底基板上，沉积第一导电材料层，并通过一次构图工艺形成如图10所示的条状的第一触控电极202 以及块状的第二触控电极202。其中，如图3所示，所述第二触控电极201位于第一触控电极201的两侧。
接下来，如图10所示，在形成有第一触控电极201和第二触控电极202的衬底基板101上，通过构图工艺形成覆盖第一触控电极 201和第二触控电极202的介电层，并在介电层21对应第二触控电极202的位置形成过孔。
接下来，在形成有介电层21的衬底基板上，沉积第二导电材料层，并一次通过构图工艺形成搭桥引线22以及阳极110。其中，如图3所示，搭桥引线22通过上述过孔将第一触控电极201两侧，且位置对应的两个第二触控电极202电连接。
在此基础上，通过上述方案完成如图7a至图10任意一种OLED 阵列基板后，可以在制作由像素界定层30的衬底基板101上，依次制作位于部分像素分隔物301背离该衬底基板101一侧的间隙控制层 (图中未示出)、位于开口302内如图11所示的有机材料功能层120、沉积阴极121、制作偏光片122、制作薄膜封装层123，最终完成具触控显示装置的制备。
其中，上述间隙控制层起到支撑作用，用于使得上述触控显示装置的显示侧表面平齐。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种OLED阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管，以及覆盖所述薄膜晶体管的平坦化层；
所述OLED阵列基板还包括位于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管一侧的触控传感器，所述触控传感器包括相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极；
还包括位于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管一侧的像素界定层，所述像素界定层包括像素分隔物以及由所述像素分隔物围设的开口；
所述触控传感器在所述衬底基板上的正投影与所述像素分隔物在所述衬底基板上的正投影的位置重叠；
所述触控传感器位于所述像素界定层与所述平坦化层之间。
2.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，还包括位于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管一侧的阳极；
所述第一触控电极与所述第二触控电极异层设置，所述第一触控电极或所述第二触控电极与所述阳极同材料。
3.根据权利要求2所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述第一触控电极与所述第二触控电极之间设置有介电层；
所述第一触控电极与所述第二触控电极均为条状，且交叉设置。
4.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，还包括位于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管一侧的阳极；
所述第一触控电极与所述第二触控电极同层设置，所述第一触控电极为条状，所述第二触控电极为块状，所述第二触控电极位于所述第一触控电极的两侧；所述第一触控电极两侧，且位于同一行的多个所述第二触控电极通过搭桥引线均电连接；
其中，所述第一触控电极和所述第二触控电极与所述阳极同材料；或者所述搭桥引线与所述阳极同材料。
5.一种触控显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的OLED阵列基板。
6.一种OLED阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上，通过构图工艺形成薄膜晶体管；
在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上，通过构图工艺形成覆盖所述薄膜晶体管的平坦化层；
在形成有所述平坦化层的衬底基板上，通过构图工艺形成相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极；其中，所述第一触控电极与所述第二触控电极构成触控传感器；
所述形成相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极之后，所述方法还包括
在形成有所述触控传感器的衬底基板上，通过构图工艺形成像素界定层，所述像素界定层包括像素分隔物以及由所述像素分隔物围设的开口；
所述触控传感器在所述衬底基板上的正投影与所述像素分隔物在所述衬底基板上的正投影的位置重叠。
7.根据权利要求6所述的OLED阵列基板的制作方法，其特征在于，所述形成相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极包括：
在形成有所述平坦化层的衬底基板上，沉积第一导电材料层，并通过一次构图工艺形成阳极以及条状的第一触控电极；
在形成有所述第一触控电极的衬底基板上，通过构图工艺形成覆盖所述第一触控电极的介电层；
在形成有所述介电层的衬底基板上，沉积第二导电材料层，并通过构图工艺形成与所述第一触控电极交叉设置且为条状的第二触控电极。
8.根据权利要求6所述的OLED阵列基板的制作方法，其特征在于，所述形成相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极包括：
在形成有所述平坦化层的衬底基板上，沉积第一导电材料层，并通过构图工艺形成条状的第一触控电极；
在形成有所述第一触控电极和所述第二触控电极的衬底基板上，通过构图工艺形成覆盖所述第一触控电极的介电层；
在形成有所述介电层的衬底基板上，沉积第二导电材料层，并通过一次构图工艺形成阳极以及与所述第一触控电极交叉设置且为条状的第二触控电极。
9.根据权利要求6所述的OLED阵列基板的制作方法，其特征在于，所述形成相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极包括：
在形成有所述平坦化层的衬底基板上，沉积第一导电材料层，并通过一次构图工艺形成条状的第一触控电极、块状的第二触控电极以及阳极；其中，所述第二触控电极位于所述第一触控电极的两侧；
在形成有所述第一触控电极的衬底基板上，通过构图工艺形成覆盖所述第一触控电极和所述第二触控电极的介电层，并在所述介电层对应所述第二触控电极的位置形成过孔；
在形成有所述介电层的衬底基板上，沉积第二导电材料层，并通过构图工艺形成搭桥引线，所述搭桥引线通过所述过孔将所述第一触控电极两侧，且位于同一行的多个所述第二触控电极电连接。
10.根据权利要求6所述的OLED阵列基板的制作方法，其特征在于，所述形成相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极包括：
在形成有所述平坦化层的衬底基板上，沉积第一导电材料层，并通过一次构图工艺形成条状的第一触控电极以及块状的第二触控电极；其中，所述第二触控电极位于所述第一触控电极的两侧；
在形成有所述第一触控电极和所述第二触控电极的衬底基板上，通过构图工艺形成覆盖所述第一触控电极和所述第二触控电极的介电层，并在所述介电层对应所述第二触控电极的位置形成过孔；
在形成有所述介电层的衬底基板上，沉积第二导电材料层，并一次通过构图工艺形成搭桥引线以及阳极；其中，所述搭桥引线通过所述过孔将所述第一触控电极两侧，且位于同一行的多个所述第二触控电极电连接。
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