CN108376686B - 阵列基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，以实现在显示装置中集成传感器。其中所述阵列基板包括：衬底基板；设置于衬底基板一侧的封装层；至少一个传感器，该传感器包括：传感用薄膜晶体管，及与传感用薄膜晶体管电连接的传感单元，传感用薄膜晶体管设置于封装层朝向衬底基板的一侧，传感单元设置于封装层背向衬底基板的一侧。上述阵列基板可用于使显示装置实现指纹识别、压力传感、光传感等功能，制作难度较小，装置较轻薄。

Description

阵列基板及其制造方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
当前，触控功能已经成为显示屏的一项基本配置，尤其在手机、电脑等消费电子领域。随着物联网和人工智能的发展，赋予显示屏更多的功能将是一种趋势。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，以实现在显示装置中集成具有特定功能的传感器，使显示装置具有特定功能。
为达到上述目的，本发明实施例采用如下技术方案：
第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，及设置于所述衬底基板一侧的封装层。所述阵列基板还包括：至少一个传感器，所述传感器包括：传感用薄膜晶体管，及与所述传感用薄膜晶体管电连接的传感单元，所述传感用薄膜晶体管设置于所述封装层朝向所述衬底基板的一侧，所述传感单元设置于所述封装层背向所述衬底基板的一侧。
基于上述阵列基板，可选的，所述阵列基板还包括：设置于所述传感用薄膜晶体管所在膜层与所述封装层之间的像素界定层；设置于所述像素界定层与所述封装层之间的第一电极层。所述像素界定层和所述第一电极层中设有与所述至少一个传感器对应的至少一个第一过孔，所述封装层中设有与所述至少一个传感器对应的至少一个第二过孔，所述至少一个第一过孔与所述至少一个第二过孔一一对应的共轴设置，且所述第一过孔的孔径大于对应的第二过孔的孔径，所述传感器的传感单元和传感用薄膜晶体管通过对应的第二过孔电连接，所述传感器的传感单元与所述第一电极层之间通过对应的第一过孔与第二过孔之间的封装层材料电绝缘。
可选的，所述阵列基板还包括：设置于所述传感用薄膜晶体管所在膜层与所述像素界定层之间的第二电极层，所述第二电极层包括：与所述至少一个传感器对应的至少一个连接电极，所述传感器的传感单元通过对应的第二过孔与对应的连接电极电连接，所述连接电极与对应的传感器的传感用薄膜晶体管电连接。
可选的，所述阵列基板还包括：设置于所述衬底基板与所述第二电极层之间的多个显示用薄膜晶体管；所述第二电极层还包括：与所述多个显示用薄膜晶体管对应的多个第二电极，所述第二电极与对应的显示用薄膜晶体管电连接。
可选的，所述多个显示用薄膜晶体管与所述传感用薄膜晶体管处于相同的膜层中。
可选的，所述像素界定层中设有与所述多个第二电极对应的多个镂空部；所述阵列基板还包括：设置于所述多个镂空部中的多个发光部。
可选的，所述传感单元包括：设置于所述封装层背向所述衬底基板一侧的第三电极，所述第三电极与对应的传感用薄膜晶体管电连接；设置于所述第三电极背向所述衬底基板一侧的活性部；设置于所述活性部背向所述衬底基板一侧的第四电极。所述第三电极、所述第四电极和所述活性部中至少一个的材料为有机材料。
可选的，所述第四电极的材料为有机导电聚合物材料。
可选的，所述第四电极的材料为由3，4-乙烯二氧噻吩的聚合物与聚苯乙烯磺酸盐构成的高分子导电聚合物材料。
可选的，所述传感器的活性部的材料为对红外光或近红外光敏感的光敏材料、压电材料、压阻材料和对可见光敏感的光敏材料中的至少一种。
可选的，所述第三电极的材料为金属氧化物半导体导电材料或金属。
可选的，所述传感单元透明，透明的所述传感单元位于所述阵列基板的像素区或非像素区；或者，所述传感单元不透明，不透明的所述传感单元位于所述阵列基板的非像素区。
在第一方面所提供的阵列基板中，通过将传感器的薄膜晶体管设置于封装层朝向衬底基板的一侧，将传感器的传感单元设置于封装层背向衬底基板的一侧，使得传感器的一部分而非全部处于封装层与衬底基板之间。一方面，相对于将传感器的全部结构设置于封装层与衬底基板之间的结构，本技术方案的结构中封装层与衬底基板之间能够用于设置部分传感器的空间比较充足，并且传感器的薄膜晶体管可同阵列基板的薄膜晶体管处于相同的膜层，这进一步增大了设置部分传感器的空间，从而降低了制作难度。另一方面，相对于将传感器的全部结构设置于封装层背向衬底基板一侧的结构，本技术方案的结构相当于传感器的一部分嵌入阵列基板内部，因此可在一定程度上减薄阵列基板的整体厚度。
第二方面，本发明实施例提供了一种阵列基板的制造方法，所述制造方法包括：提供衬底基板，在所述衬底基板的一侧制作至少一个传感用薄膜晶体管；在所述至少一个传感用薄膜晶体管背向所述衬底基板的一侧制作封装层；在所述封装层背向所述衬底基板的一侧制作至少一个传感单元，并使所述至少一个传感单元对应电连接所述至少一个传感用薄膜晶体管。
基于上阵列基板的制造方法，可选的，在制作所述传感用薄膜晶体管的步骤与制作所述封装层的步骤之间，还包括：在所述至少一个传感用薄膜晶体管所在膜层背向所述衬底基板的一侧制作像素界定层；在所述像素界定层背向所述衬底基板的一侧制作第一电极层；在所述第一电极层和所述像素界定层中制作至少一个第一过孔，所述至少一个第一过孔与所述至少一个传感用薄膜晶体管相对应；在所述封装层中制作至少一个第二过孔，所述至少一个第二过孔与所述至少一个传感用薄膜晶体管相对应，且所述至少一个第一过孔与所述至少一个第二过孔一一对应的共轴设置，所述第一过孔的孔径大于对应的第二过孔的孔径。在制作所述传感单元的步骤中，所述传感单元通过对应的第二过孔电连接对应的传感用薄膜晶体管。
可选的，在制作所述传感用薄膜晶体管的步骤与制作所述像素界定层的步骤之间，还包括：在所述至少一个传感用薄膜晶体管所在膜层背向所述衬底基板的一侧制作第二电极层，图案化所述第二电极层，形成至少一个连接电极，所述至少一个连接电极与所述至少一个传感用薄膜晶体管对应，并使所述连接电极与对应的传感用薄膜晶体管电连接。在制作所述传感单元的步骤中，所述传感单元通过对应的第二过孔电连接对应的连接电极。
可选的，在制作所述第二电极层的步骤之前，还包括：在所述衬底基板的一侧制作多个显示用薄膜晶体管。在制作所述第二电极层的步骤中，图案化所述第二电极层，形成至少一个连接电极的同时，还形成多个第二电极，并使所述多个第二电极对应电连接所述多个显示用薄膜晶体管。
可选的，所述多个显示用薄膜晶体管与所述至少一个传感用薄膜晶体管形成于相同的步骤中。
可选的，在制作所述像素界定层的步骤中，还包括：图案化所述像素界定层，在所述像素界定层中形成多个镂空部，所述多个镂空部与所述多个第二电极相对应。在制作所述像素界定层的步骤与制作所述第一电极层的步骤之间，还包括：在所述多个镂空部中形成多个发光部。
可选的，制作所述传感单元包括以下步骤：在所述封装层背向所述衬底基板的一侧制作第三电极，并使所述第三电极与对应的传感用薄膜晶体管电连接；在所述第三电极背向所述衬底基板的一侧制作活性部；在所述活性部背向所述衬底基板的一侧制作第四电极。所述第三电极、所述第四电极和所述活性部中至少一个的材料为有机材料。
可选的，采用有机材料制作相应结构时，采用印刷、打印、压印、喷涂和旋涂工艺中的任意一种或几种。
第二方面所提供的阵列基板的制造方法所能产生的有益效果与第一方面所提供的阵列基板的有益效果相同，此处不再赘述。
第三方面，本发明实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括如第一方面所述的阵列基板。
基于上述显示装置，可选的，该显示装置还包括：沿垂直于所述阵列基板且由所述阵列基板的衬底基板指向封装层的方向，依次设置的绝缘层、偏光片、光学胶层及保护膜。
第三方面所提供的显示装置所能产生的有益效果与第一方面所提供的阵列基板的有益效果相同，此处不再赘述。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明实施例所提供的阵列基板的截面结构图；
图2a为本发明实施例所提供的阵列基板中一种传感单元的立体结构图；
图2b为图2a中所示传感单元沿虚线AA'的截面结构图；
图3为本发明实施例所提供的阵列基板中另一种传感单元在衬底基板上的正投影图；
图4a～图4g为本发明实施例所提供的阵列基板的制造方法的各步骤图；
图5为本发明实施例所提供的显示装置的截面结构图。
附图标记说明：
1-衬底基板； 2-显示用薄膜晶体管；
a-有源层； b-栅极；
c-源极； d-漏极；
3-传感用薄膜晶体管； 4-第一绝缘层；
5-第二绝缘层； 6-钝化层；
7-第二电极层； 7a-第二电极；
7b-连接电极； 8-像素界定层；
9-镂空部； 10-发光部；
11-第一电极层； 12-第一过孔；
13-封装层； 14-第二过孔；
15-传感单元； 15a-第三电极；
15b-活性部； 15c-第四电极；
16-传感器； 17-第三绝缘层；
18-偏光片； 19-光学胶层；
20-保护膜。
具体实施方式
正如背景技术所述，如何在显示屏中集成具有特定功能的传感器是当前领域内的一个研究方向。相关技术中实现在显示屏中集成传感器主要为以下两种结构：
(1)将传感器的薄膜晶体管和传感单元均设置在显示屏阵列基板的封装层与衬底基板之间，即In-Cell(内嵌式)结构。但是这种结构存在传感器的设置空间较挤，造成制作难度较大。且显示屏的OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)发光器件中的发光部(Elector Luminescence，简称EL) 所能承受的温度较低，制作传感单元的工艺温度会对发光部产生影响。
(2)将传感器的薄膜晶体管和传感单元均设置在显示屏阵列基板的封装层背向衬底基板的一侧，即Out-Cell(外挂式)结构。但是这种结构会使得显示屏的整体厚度较厚。
基于上述现有技术，本发明的发明人提出：可将传感器的薄膜晶体管设置于显示屏阵列基板的封装层与衬底基板之间，将传感器的传感单元设置于封装层背向衬底基板的一侧，这样使得传感器的一部分嵌入显示屏阵列基板内部，一部分处于阵列基板外部，成为Half-In-Cell(半内嵌式)结构。这种结构一方面能够相对于上述现有结构(1)增大阵列基板中设置传感器的空间，降低制作难度，另一方面相对于现有结构(2)减薄阵列基板的整体厚度。
以上是本发明的核心思想，基于该核心思想，为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的核心思想及实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种阵列基板，如图1所示，该阵列基板包括：衬底基板1；设置于衬底基板1一侧的封装层13；及至少一个传感器16。
其中，每个传感器16包括：传感用薄膜晶体管3，及与传感用薄膜晶体管 3电连接的传感单元15。传感用薄膜晶体管3设置于封装层13朝向衬底基板1 的一侧，传感单元15设置于封装层13背向衬底基板1的一侧。
上述结构使得传感器16的一部分(即传感用薄膜晶体管3)嵌入阵列基板内部，一部分(即传感单元15)处于阵列基板外部，形成半内嵌式结构，从而相对于传感器的全部结构均设置于衬底基板与封装层之间的现有结构，增大了传感器的设置空间，降低了在阵列基板中集成传感器的制作难度；并且，相对于传感器的全部结构均设置于封装层背向衬底基板一侧的现有结构，有利于减薄集成传感器后的阵列基板的整体厚度。
请继续参见图1，在上述阵列基板中，传感器16的传感用薄膜晶体管3用于控制传感器开关和读取感应信号，传感用薄膜晶体管3可与阵列基板中显示用的显示用薄膜晶体管2设置于相同的膜层中，以进一步增加传感器的设置空间。显示用薄膜晶体管2和传感用薄膜晶体管3均包括有源层a、栅极b、源极 c和漏极d；其中，有源层a与栅极b之间被第一绝缘层4间隔，源极c与栅极 b之间、漏极d与栅极b之间被第二绝缘层5间隔。封装层13例如为薄膜封装层。
需要说明的是，图1中仅以顶栅结构的显示用薄膜晶体管2和传感用薄膜晶体管3为例进行示意，本发明所提供的技术方案也可以采用底栅或其它结构的显示用薄膜晶体管2和传感用薄膜晶体管3。
为保证显示装置的显示功能，上述阵列基板还应包括多个显示用薄膜晶体管2，所述多个显示用薄膜晶体管2设置于衬底基板1与封装层13之间。
传感用薄膜晶体管3与显示用薄膜晶体管2可以处于相同的膜层中，以简化阵列基板的膜层结构。当然，显示用薄膜晶体管2与传感用薄膜晶体管3也可处于不同的膜层中。
传感用薄膜晶体管3可以和显示用薄膜晶体管2同时制作，也可以单独制作，单独制作时可以使用任何一种薄膜晶体管工艺或多种薄膜晶体管工艺的组合，薄膜晶体管的具体结构可根据需要灵活设计。
传感用薄膜晶体管3的结构和类型可以与显示用薄膜晶体管2的结构和类型一致，这样二者可以在相同的步骤下同时制作，以简化工艺步骤。
每一个传感器16不限于仅包括一个传感用薄膜晶体管3。对于一个传感器 16包括多个传感用薄膜晶体管3的情况，所述多个传感用薄膜晶体管3可以是相同的结构和类型薄膜晶体管，这样所述多个传感用薄膜晶体管3可在相同的步骤下同时制作；也可以是不同类型或结构的薄膜晶体管，以满足对电路性能的特定需求。
本实施例中的阵列基板尤其适用于自发光类型的显示装置，如：OLED显示装置、QLED(Quantum Dot Light Emitting Diode)显示装置等，对于这种类型显示装置，其阵列基板还包括多个发光器件及一些相关膜层。
具体的，请再次参见图1，这种阵列基板还可包括：设置于所述多个显示用薄膜晶体管2所处膜层与封装层13之间的第二电极层7、像素界定层8、多个发光部10、及第一电极层11。像素界定层8设置于传感用薄膜晶体管3所在膜层与封装层13之间，第二电极层设置于传感用薄膜晶体管所在膜层与所述像素界定层之间，显示用薄膜晶体管设置于衬底基板和第二电极层之间。
其中，第二电极层7包括与所述多个显示用薄膜晶体管2对应的多个第二电极7a；像素界定层8位于第二电极层7与封装层13之间，像素界定层8中设有与所述多个第二电极7a对应的多个镂空部9；所述多个发光部10分别对应的设置于所述多个镂空部9中；第一电极层11位于像素界定层8与封装层13之间。
各发光部10的一面与对应的第二电极7a相接触，各发光部10的另一面与第一电极层11相接触，从而形成多个发光器件。发光部10的发光材料为可发出特定颜色光(如红光(R)或绿光(G)或蓝光(B))的发光材料，使得相应发光器件能够发出相应颜色的光，以对应相应颜色的子像素。
需要说明的是，以上所述的“第二电极7a”可以是发光器件的阳极，第一电极层11可以是发光器件的阴极，阳极和阴极的位置可互换。
每个第二电极7a与对应的显示用薄膜晶体管2电连接，以实现相应发光器件与对应的显示用薄膜晶体管2的电连接，使得显示用薄膜晶体管2能够控制对应的发光器件的开关。需要说明的是，第二电极7a与对应的显示用薄膜晶体管2的电连接，可通过在钝化层6的相应位置上制作过孔来实现。
请继续参见图1，基于自发光类型显示装置的阵列基板的上述结构，为了实现传感器16的传感单元15和传感用薄膜晶体管3的电连接，可在像素界定层8 和第一电极层11中设置至少一个第一过孔12，所述至少一个第一过孔12与所述至少一个传感器16相对应；在封装层13中设置至少一个第二过孔14，所述至少一个第二过孔14与所述至少一个传感器16相对应；并且，使第一过孔12 套设在对应的第二过孔14的外部，所述至少一个第一过孔与所述至少一个第二过孔一一对应的共轴设置，且所述第一过孔的孔径大于对应的第二过孔的孔径，形成套孔结构。
通过上述套孔结构，使得传感器16的传感单元15和传感用薄膜晶体管3 可通过对应的第二过孔14实现电连接；且由于第一过孔12与第二过孔14之间存在封装层13的材料，使得传感器16的传感单元15与第一电极层11之间能够保持电绝缘，防止传感器16中的信号对发光器件中的信号产生干扰。共轴设置，指对应的第一过孔和第二过孔是以同一个垂直于衬底基板所在平面方向的虚拟直线为轴的过孔，所述第一过孔的孔径大于对应的第二过孔的孔径，例如当过孔的平行于衬底基板所在平面的截面为圆形时，第一过孔的截面半径是大于第二过孔的截面半径的。
需要说明的是，以上所述的传感单元15和传感用薄膜晶体管3通过对应的第二过孔14实现电连接，可以是直接电连接，也可以是间接电连接。
对于直接电连接的方式，可以将第一过孔12和第二过孔14均延伸至钝化层6中，直至暴露出传感用薄膜晶体管3的漏极d，从而后续传感器16的传感单元15可直接通过对应的第二过孔14与对应的传感用薄膜晶体管3电连接。这种电连接方式的接触电阻小，信号损耗低。
对于间接电连接的方式，可以在第二电极层7中设置与第二电极7a同层的至少一个连接电极7b，所述至少一个连接电极7b与所述至少一个传感器16对应，每个连接电极7b与对应的传感器16的传感用薄膜晶体管3电连接，且每个连接电极7b还通过对应的第二过孔14与对应的传感器16的传感单元15电连接，从而后续传感器16的传感单元15可通过对应的第二过孔14及连接电极 7b与对应的传感用薄膜晶体管3电连接。这种电连接方式可避免过孔深度过深可能会引起的过孔处膜层质量不佳甚至断裂问题，保证了电连接处的具有良好的信号传输性能。
在本实施例所提供的阵列基板中，传感器16的传感单元15用于感应外界刺激，生成感应信号。请继续参见图1，传感单元15的结构可包括：设置于封装层13背向衬底基板1一侧的第三电极15a；设置于第三电极15a背向衬底基板1一侧的活性部15b；设置于活性部15b背向衬底基板1一侧的第四电极15c。也就是说，活性部15b夹设于第三电极15a和第四电极15c之间，且在垂直于衬底基板1的方向上，第三电极15a相对于第四电极15c更靠近衬底基板1。此外，第三电极15a与对应的传感用薄膜晶体管3电连接，以实现相应传感单元15与对应的传感用薄膜晶体管3之间的电连接。
对于上述传感单元15，其第三电极15a、活性部15b和第四电极15c中至少一个的材料可采用有机材料，有机材料能够适用于操作温度较低的制作工艺，如印刷、打印、压印、喷涂、旋涂等成膜工艺，因此在采用有机材料制作相应结构时，可采用这些操作温度较低的制作工艺，从而可避免在制作传感单元15 的过程中温度过高对封装层13下方的发光器件(特别是发光器件中耐高温性能较差发光部10)造成不良影响。并且，印刷、打印、压印、喷涂、旋涂等成膜工艺的成本相对于光刻工艺而言更低。当然，传感单元15的第三电极15a、活性部15b和第四电极15c也可采用无机材料，本实施例并不对此限定。
作为一种可能的设计，传感单元15的第四电极15c的材料可采用有机材料，比如有机导电聚合物材料，具体可为PEDOT：PSS导电聚合物材料(由3，4- 乙烯二氧噻吩的聚合物与聚苯乙烯磺酸盐构成的高分子导电聚合物材料)。若第四电极15c的材料透明，则第四电极15c可采用整面电极的结构，无需对第四电极15c所处膜层进行图案化，这样可简化阵列基板的膜层结构，减少工艺步骤，降低制作难度。若第四电极15c的材料不透明，则第四电极15c所处膜层需要图案化，且将图案化所形成的第四电极15c设置在阵列基板的非像素区，以避免对像素区造成遮挡。
传感单元15的第三电极15a的材料可为金属氧化物半导体导电材料(如：氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO))或金属，这样可减少第三电极15a与连接电极7b或传感用薄膜晶体管3的漏极d之间的接触电阻，减少信号损耗。并且，若第三电极15a所处膜层需要图案化，那么采用金属氧化物半导体导电材料或金属制作第三电极15a所处膜层更便于其图案化。需要指出的是，当阵列基板上集成多个传感器16，各传感器16之间需要互不干扰，和/或，第三电极15a 的材料不透明时，均需要对第三电极15a所处膜层进行图案化，并且将图案化所形成的第三电极15a设置在阵列基板的非像素区，以避免各传感器16之间相互干扰，并避免对像素区造成遮挡。
本实施例中的阵列基板可集成一种或多种功能的传感器，如：可包括指纹识别传感器、压力感应传感器和光传感器等中的任意一种或多种。示例性的，当集成有指纹识别传感器时，指纹识别传感器的活性部15b的材料可为对红外光或近红外光敏感的光敏材料。当集成有压力感应传感器时，压力感应传感器的活性部15b的材料可为压电材料或压阻材料，比如：聚偏氟乙烯(PVDF)、量子通道合成物(QTC)。当集成有光传感器时，光传感器的活性部15b的材料可为对可见光敏感的光敏材料，以实现对环境中可见光强度的感应。此外，若传感器16的活性部15b的材料透明，则可不限定其设置位置，设置在阵列基板的像素区或非像素区均可；若传感器16的活性部15b的材料不透明，则需要设置在阵列基板的非像素区，以避免对像素区造成遮挡。
需要说明的是，本实施例中，传感单元15的第三电极15a、活性部15b和第四电极15c可以是一层材料，也可以由多层材料组成。
请再次参见图1，本实施例中，传感器16的传感单元15可设置为三明治结构，即在垂直于衬底基板1的方向上，传感单元15的第三电极15a、活性部15b 和第四电极15c层叠，并且第三电极15a和第四电极15c在衬底基板1上的正投影相互重叠，活性部15b在衬底基板1上的正投影也可与第三电极15a和第四电极15c在衬底基板1上的正投影相互重叠。
传感单元15也可设置成其它结构。请参见图2a和图2b，第三电极15a在衬底基板1上的正投影与第四电极15c在衬底基板1上的正投影相互错开。基于这种结构，可将第三电极15a和第四电极15c的形状设置为梳状电极，并使二者在衬底基板1上的正投影呈叉指状，以增大二者与活性部15b的接触面积，如图3所示。
在本实施例中，若传感器16的传感单元15透明，则传感单元15的设置位置不受限制，可设置于阵列基板的像素区或非像素区。若传感单元15不透明，则传感单元15应设置于阵列基板的非像素区，以避免影响正常显示。
需要说明的是，本发明实施例中所述的“像素区”是指各子像素中用于正常显示区域，所述“非像素区”是指各子像素之间的间隙区域及边框区域等不能用于显示的区域。
基于以上提供的阵列基板，本实施例还提供了一种阵列基板的制造方法，如图4a～图4f所示，该制造方法包括以下步骤：
S1：如图4a所示，提供衬底基板1，在衬底基板1的一侧制作至少一个传感用薄膜晶体管3。
请继续参见图4a，在上述步骤S1中还可包括在衬底基板1的一侧制作多个显示用薄膜晶体管2。
作为一种可能的实现方式，传感用薄膜晶体管3可以与阵列基板中显示用的显示用薄膜晶体管2同时制作，比如：显示用薄膜晶体管2和传感用薄膜晶体管3同为顶栅结构的低温多晶硅薄膜晶体管，或者同为顶栅结构的氧化物薄膜晶体管，或者同为底栅结构的低温多晶硅薄膜晶体管，或者同为底栅结构的氧化物薄膜晶体管，等等，这种情况下显示用薄膜晶体管2和传感用薄膜晶体管3的结构和类型相同，二者可同时制作，以简化工艺步骤，降低膜层复杂程度。
或者，可以采用单独的步骤制作传感用薄膜晶体管3，以满足传感器对传感用薄膜晶体管3性能的特殊要求，比如：阵列基板中显示用的显示用薄膜晶体管2要求信号传输特性好，因此采用低温多晶硅薄膜晶体管，而相对于显示用薄膜晶体管2，要求传感用薄膜晶体管3的关态电流较小、信噪比较高，因此可采用氧化物薄膜晶体管，这种情况下显示用薄膜晶体管2和传感用薄膜晶体管3 的类型不同，二者可各自采用单独的步骤制作。
或者，若显示用薄膜晶体管2和传感用薄膜晶体管3在结构上有相同的部分，那么传感用薄膜晶体管3可与显示用薄膜晶体管2共用一部分膜层，所共用的膜层可采用相同步骤制作，不能共用的膜层采用单独的步骤制作，以简化工艺步骤。
作为一种可能的实现方式，在步骤S1之后，还可包括以下步骤：
S1-2-1：如图4b所示，在所述多个显示用薄膜晶体管2背向衬底基板1的一侧制作第二电极层7，图案化该第二电极层7，形成多个第二电极7a，并使所述多个第二电极7a对应电连接所述多个显示用薄膜晶体管2。
请继续参见图4b，在图案化第二电极层7，形成所述多个第二电极7a的同时，还可形成至少一个连接电极7b，并使所述至少一个连接电极7b与所述至少一个传感用薄膜晶体管3电连接。
S1-2-2：如图4c所示，在第二电极层7背向衬底基板1的一侧制作像素界定层8，图案化像素界定层8，形成与所述多个第二电极7a对应的多个镂空部9。
S1-2-3：如图4d所示，在所述多个镂空部9中制作多个发光部10。
S1-2-4：如图4e所示，在所述多个发光部10背向衬底基板1的一侧制作第一电极层11，在第一电极层11和像素界定层8中制作至少一个第一过孔12，所述至少一个第一过孔12与所述至少一个传感用薄膜晶体管3相对应。
S2：如图4f所示，在所述至少一个传感用薄膜晶体管3背向衬底基板1的一侧制作封装层13。
作为一种可能的实现方式，请继续参见图4f，在上述步骤S2中，还可包括：在封装层13中制作至少一个第二过孔14，所述至少一个第二过孔14与所述至少一个传感用薄膜晶体管3相对应，且每个第一过孔12套设在对应的第二过孔14的外部，形成套孔结构。
S3：如图4g所示，在封装层13背向衬底基板1的一侧制作至少一个传感单元15，并使所述至少一个传感单元15对应电连接所述至少一个传感用薄膜晶体管3。每个传感单元15与对应电连接的传感用薄膜晶体管3构成传感器。
在上述步骤S3中，所制作的传感单元15可通过对应的第二过孔14实现与对应的传感用薄膜晶体管3电连接，且由于相对应的第一过孔12和第二过孔14 形成套孔结构，因此所制作的传感单元15实现了与第一电极层11的电绝缘。
进一步的，在上述步骤S3中，所制作的传感单元15可通过对应的第二过孔14与对应的连接电极7b电连接，由于连接电极7b与对应的传感用薄膜晶体管3电连接，因此可以实现传感单元15与对应的传感用薄膜晶体管3的间接电连接。
作为一种可能的实现方式，请继续参见图4g，在步骤S3中，制作传感单元 15可包括以下步骤：
S31：在封装层13背向衬底基板1的一侧制作第三电极15a，并使第三电极 15a与对应的传感用薄膜晶体管3电连接。
S32：在第三电极15a背向衬底基板1的一侧制作活性部15b。
S33：在活性部15b背向衬底基板1的一侧制作第四电极15c。
其中，第三电极15a、活性部15b和第四电极15c中至少一个的材料优选为有机材料，且采用有机材料制作相应结构时，可采用工艺温度要求小于或等于发光部10的耐受温度的制作工艺，如印刷、打印、压印、喷涂和旋涂等工艺中的任意一种或几种，以避免高温对发光部10的性能造成不利影响，并且这些工艺的成本相对于光刻工艺的成本是较低的。
基于本实施例所提供的阵列基板，本实施例还提供了一种显示装置，如图5 所示，该显示装置包括如本发明实施例中所述的阵列基板，阵列基板中集成有传感器16，传感器16的传感用薄膜晶体管3设置于封装层13与衬底基板1之间，传感器16的传感单元15设置于封装层13背向衬底基板1的一侧，从而一方面能够增大显示装置中设置传感器16的空间，降低制作难度，另一方面能够减薄显示装置的整体厚度。
本实施例所提供的显示装置尤其适用于OLED显示装置或者QLED显示装置。请继续参见图5，对于这种方案，本实施例中的显示装置还可包括：沿垂直于衬底基板1且由衬底基板1指向封装层13的方向，在封装层13背向衬底基板1的一侧依次叠加设置的第三绝缘层17、偏光片18、光学胶层19及保护膜 20。在形成传感单元后，依次形成第三绝缘层17、偏光片18、光学胶层19及保护膜20。
以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种阵列基板，包括：衬底基板，及设置于所述衬底基板一侧的封装层，其特征在于，所述阵列基板还包括：
至少一个传感器，所述传感器包括：传感用薄膜晶体管，及与所述传感用薄膜晶体管电连接的传感单元，所述传感用薄膜晶体管设置于所述封装层朝向所述衬底基板的一侧，所述传感单元设置于所述封装层背向所述衬底基板的一侧；
设置于所述传感用薄膜晶体管所在膜层与所述封装层之间的像素界定层；
设置于所述像素界定层与所述封装层之间的第一电极层；所述像素界定层和所述第一电极层中设有与所述至少一个传感器对应的至少一个第一过孔，所述封装层中设有与所述至少一个传感器对应的至少一个第二过孔，所述至少一个第一过孔与所述至少一个第二过孔一一对应的共轴设置，且所述第一过孔的孔径大于对应的第二过孔的孔径，所述传感器的传感单元和传感用薄膜晶体管通过对应的第二过孔电连接，所述传感器的传感单元与所述第一电极层之间通过对应的第一过孔与第二过孔之间的封装层材料电绝缘。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：设置于所述传感用薄膜晶体管所在膜层与所述像素界定层之间的第二电极层，所述第二电极层包括：与所述至少一个传感器对应的至少一个连接电极，所述传感器的传感单元通过对应的第二过孔与对应的连接电极电连接，所述连接电极与对应的传感器的传感用薄膜晶体管电连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：设置于所述衬底基板与所述第二电极层之间的多个显示用薄膜晶体管；
所述第二电极层还包括：与所述多个显示用薄膜晶体管对应的多个第二电极，所述第二电极与对应的显示用薄膜晶体管电连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述多个显示用薄膜晶体管与所述传感用薄膜晶体管处于相同的膜层中。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述传感单元包括：
设置于所述封装层背向所述衬底基板一侧的第三电极，所述第三电极与对应的传感用薄膜晶体管电连接；
设置于所述第三电极背向所述衬底基板一侧的活性部；
设置于所述活性部背向所述衬底基板一侧的第四电极；
所述第三电极、所述第四电极和所述活性部中至少一个的材料为有机材料。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第四电极的材料为有机导电聚合物材料。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第三电极的材料为金属氧化物半导体导电材料或金属。
8.根据权利要求1～7任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述传感单元透明，透明的所述传感单元位于所述阵列基板的像素区或非像素区；或者，
所述传感单元不透明，不透明的所述传感单元位于所述阵列基板的非像素区。
9.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供衬底基板，在所述衬底基板的一侧制作至少一个传感用薄膜晶体管；
在所述至少一个传感用薄膜晶体管背向所述衬底基板的一侧制作封装层；
在所述封装层背向所述衬底基板的一侧制作至少一个传感单元，并使所述至少一个传感单元对应电连接所述至少一个传感用薄膜晶体管；
在制作所述传感用薄膜晶体管的步骤与制作所述封装层的步骤之间，还包括：
在所述至少一个传感用薄膜晶体管所在膜层背向所述衬底基板的一侧制作像素界定层；
在所述像素界定层背向所述衬底基板的一侧制作第一电极层；
在所述第一电极层和所述像素界定层中制作至少一个第一过孔，所述至少一个第一过孔与所述至少一个传感用薄膜晶体管相对应；
在所述封装层中制作至少一个第二过孔，所述至少一个第二过孔与所述至少一个传感用薄膜晶体管相对应，且所述至少一个第一过孔与所述至少一个第二过孔一一对应的共轴设置，所述第一过孔的孔径大于对应的第二过孔的孔径；
在制作所述传感单元的步骤中，所述传感单元通过对应的第二过孔电连接对应的传感用薄膜晶体管。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在制作所述传感用薄膜晶体管的步骤与制作所述像素界定层的步骤之间，还包括：
在所述至少一个传感用薄膜晶体管所在膜层背向所述衬底基板的一侧制作第二电极层，图案化所述第二电极层，形成至少一个连接电极，所述至少一个连接电极与所述至少一个传感用薄膜晶体管对应，并使所述连接电极与对应的传感用薄膜晶体管电连接；
在制作所述传感单元的步骤中，所述传感单元通过对应的第二过孔电连接对应的连接电极。
11.根据权利要求10所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在制作所述第二电极层的步骤之前，还包括：在所述衬底基板的一侧制作多个显示用薄膜晶体管；
在制作所述第二电极层的步骤中，图案化所述第二电极层，形成至少一个连接电极的同时，还形成多个第二电极，并使所述多个第二电极对应电连接所述多个显示用薄膜晶体管。
12.根据权利要求9所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，制作所述传感单元包括以下步骤：
在所述封装层背向所述衬底基板的一侧制作第三电极，并使所述第三电极与对应的传感用薄膜晶体管电连接；
在所述第三电极背向所述衬底基板的一侧制作活性部；
在所述活性部背向所述衬底基板的一侧制作第四电极；
所述第三电极、所述第四电极和所述活性部中至少一个的材料为有机材料。
13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1～8任一项所述的阵列基板。
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