CN112310328B - 一种发光面板及发光装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种发光面板及发光装置，涉及照明和显示技术领域，用于解决发光面板中环境光对光敏传感器的检测过程产生干扰的问题。该发光面板包括发光图案所在的发光层，设置在发光层远离发光面板的出光面的一侧、包括至少一个感光图案的感光层；发光层与感光半导体层之间设有第一遮光层，第一遮光层上具有多个与发光图案在发光层上正投影有重叠区域的透光口；第一遮光层与感光半导体层之间设有第二遮光层，第二遮光层包括多个第一遮光图案和围绕各第一遮光图案的透光区域，每个第一遮光图案在第一遮光层的正投影与一个透光口具有重叠区域。

Description

一种发光面板及发光装置

技术领域

本公开涉及照明和显示技术领域，尤其涉及一种发光面板及发光装置。

背景技术

发光面板，例如OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有机电致发光二极管)显示屏包括多个发光器件，通过对多个发光器件的发光亮度进行控制，从而能够显示画面。

在OLED显示屏的显示画面的过程中，可能会出现残像(Mura)、色偏等显示效果不佳的问题。为提升显示效果，可以利用光学补偿技术对画质进行校正；例如，可以在OLED显示屏中增设光敏传感器，通过光敏传感器对发光器件的实际亮度进行检测，再根据检测到的实际亮度和理论亮度的差异，通过电路和算法等对发光器件的发光亮度进行调整。

然而，环境光会进入OLED显示屏，照射到光敏传感器的表面上，从而对光敏传感器的检测过程造成干扰，导致检测结果不准确。

发明内容

本公开的实施例提供一种发光面板及发光装置，用于解决发光面板中环境光对光敏传感器的检测过程产生干扰的问题。

为达到上述目的，本公开的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供了一种发光面板，包括：第一衬底；设置于所述第一衬底上的发光层，所述发光层包括多个发光图案；感光半导体层，所述感光半导体层位于所述发光层远离所述发光面板的出光面的一侧，所述感光半导体层包括至少一个感光图案；设置于所述发光层与所述感光半导体层之间的第一遮光层，所述第一遮光层具有多个透光口，每个透光口在所述发光层上的正投影与一个所述发光图案具有重叠区域；设置于所述第一遮光层与所述感光半导体层之间的第二遮光层，所述第二遮光层包括多个第一遮光图案，且所述第二遮光层具有围绕各第一遮光图案的透光区域，每个所述第一遮光图案在所述第一遮光层的正投影与一个透光口具有重叠区域；其中，至少一个所述发光图案发出的光线穿过相应的所述透光口和所述透光区域，照射到一个感光图案上。

在一些实施例中，每个所述第一遮光图案在所述第一遮光层的正投影覆盖一个所述透光口。

在一些实施例中，所述第一遮光图案具有第一几何中心，所述第一遮光图案在所述第一遮光层的正投影所覆盖的所述透光口具有第二几何中心；过所述第二几何中心的所述第一衬底的垂面为参考平面；所述参考平面与所述第一遮光图案的边沿具有第一交点，与所述透光口的边沿具有第二交点，所述第一交点与所述第二交点位于过所述第二几何中心的所述第一衬底的垂线同一侧；在所述参考平面中，所述第一交点与所述第二交点的连线与所述第一衬底的垂线之间的夹角为α，θ₁≤α＜θ₂，θ₁为外界光线进入所述第一衬底的最大折射角，θ₂为所述发光图案的发光角度。

在一些实施例中，所述第一几何中心在所述第一衬底上的正投影与所述第二几何中心在所述第一衬底上的正投影重合。

在一些实施例中，所述第二遮光层还包括：第二遮光图案，所述第二遮光图案与每个第一遮光图案之间形成一个环状的透光子区域，各所述透光子区域构成所述透光区域。

在一些实施例中，所述透光子区域具有第三几何中心，所述参考平面与所述透光子区域的外环边沿具有第三交点，所述第三交点与所述第二交点位于过所述第二几何中心的所述第一衬底的垂线的同一侧；在所述参考平面中，所述第三交点与所述第二交点的连线与所述第一衬底的垂线之间的夹角为γ，γ<θ₂。

在一些实施例中，所述第一几何中心在所述第一衬底上的正投影与所述第三几何中心在所述第一衬底上的正投影重合。

在一些实施例中，所述第一遮光层复用作所述发光层远离所述发光面板出光面一侧的第一电极层。

在一些实施例中，还包括设置于所述第一电极层和所述发光层之间的第二电极层，所述第二电极层为透光电极层，所述第二电极层与所述第一电极层接触。

在一些实施例中，所述第二遮光层复用作所述感光半导体层靠近所述发光层一侧的第三电极层。

在一些实施例中，所述第一遮光层设置于所述第一衬底上；所述感光半导体层和所述第二遮光层设置于所述第一衬底上；或者，所述发光面板还包括：第二衬底，所述感光半导体层和所述第二遮光层设置于所述第二衬底上。

第二方面，提供一种发光装置，包括第一方面任一项所述的发光面板。

本发明实施例提供的一种发光面板和发光装置，由于外界照射进发光面板的环境光中的一部分在穿过透光口后会被第一遮光图案遮挡，使照射到感光图案上的环境光减少，因此包含该感光图案的感光单元能够检测的发光亮度更接近包含发光图案的发光单元的实际发光亮度，检测结果更加准确。进一步的，还可以根据检测到的发光单元的实际发光亮度，对发光单元的驱动信号(例如驱动电压或驱动电流)进行调整，以完成光学补偿；因检测的数据更准确，使得光学补偿的效果更好。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中进行发光亮度检测的结构图；

图2为本公开至少一个实施例提供的一种发光面板的结构图；

图3为本公开至少一个实施例提供的一种发光面板的第一遮光图案与透光口的俯视图；

图4为图3沿A-A’方向的截面图；

图5为本公开至少一个实施例提供的另一种发光面板的第一遮光图案与透光口的示意图；

图6本公开至少一个实施例提供的另一种发光面板的第一遮光图案与透光口的俯视图；

图7为图6沿B-B’方向的截面图；

图8为本公开至少一个实施例提供的另一种发光面板的结构图；

图9为本公开至少一个实施例提供的又一种发光面板的结构图；

图10为本公开至少一个实施例提供的又一种发光面板的结构图；

图11为本公开至少一个实施例提供的又一种发光面板的结构图；

图12为本公开至少一个实施例提供的又一种发光面板的结构图；

图13为本公开至少一个实施例提供的控制电路图；

图14A为本公开至少一个实施例提供的偏置电位线层复用做第二遮光层时扫描线、读取线和第五电极的结构图；

图14B为本公开至少一个实施例提供的偏置电位线层复用做第二遮光层时第三电极的结构图；

图14C为本公开至少一个实施例提供的偏置电位线层的结构图；

图14D为本公开至少一个实施例提供的偏置电位线层复用做第二遮光层的结构图。

具体实施方式

下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

在本公开的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“垂直”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。

除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。

以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

“多个”是指至少两个。

本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。

另外，“基于”的使用意味着开放和包容性，因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。

如本文所使用的那样，“约”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。

本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。

本公开的一些实施例提供了一种发光装置，该发光装置包括发光面板，当然还可以包括其他部件，例如可以包括用于向发光基板提供电信号，以驱动该发光基板发光的电路，该电路可以称为控制电路，可以包括与发光基板电连接的电路板和/或IC(IntegrateCircuit，集成电路)。

在一些实施例中，该发光装置可以为照明装置，此时，发光装置用作光源，实现照明功能。例如，发光装置可以是液晶显示装置中的背光模组，用于内部或外部照明的灯，或各种信号灯等。

在另一些实施例中，该发光装置可以为显示装置，此时，该发光面板为显示面板，用于实现显示图像(即画面)功能。发光装置可以为显示器或包含显示器的产品。其中，显示器可以是平板显示器(Flat Panel Display，FPD)，微型显示器等。若按照用户能否看到显示器背面的场景划分，显示器可以是透明显示器或不透明显示器。若按照显示器能否弯折或卷曲，显示器可以是柔性显示器或普通显示器(可以称为刚性显示器)。示例的，包含显示器的产品可以包括：计算机显示器，电视，广告牌，具有显示功能的激光打印机，电话，手机，个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)，膝上型计算机，数码相机，便携式摄录机，取景器，车辆，大面积墙壁，剧院的屏幕或体育场标牌等。

本公开的一些实施例提供了一种发光面板，例如，该发光面板可以是OLED显示面板、QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光二极管)显示面板等自发光的显示面板。

参考图2，该发光面板可以包括：第一衬底201，设置在第一衬底上的发光层(发光图案211属于的图案层)，位于发光层远离发光面板的出光面一侧的感光半导体层(感光图案227属于的图案层)，设置于发光层与感光半导体层之间的第一遮光层217以及设置于第一遮光层217与感光半导体层之间的第二遮光层(第一遮光图案221属于的图案层)。

例如，上述的发光面板可以是图2示出的底发射型发光面板，即发光层发出的光LL穿透第一衬底而射出，此时，第一衬底201的下表面可以作为发光面板的出光面。当然，该发光面板还可以是顶发射型发光面板。

下面，详细描述发光面板的各部分。

上述第一衬底201可以包括衬底基板，该衬底基板采用硬性基板，例如玻璃基板，也可采用柔性衬底，如PI基板。第一衬底201还可以包括设置在衬底基板上的至少一个膜层，例如，至少一个膜层可以包括缓冲层等。

发光层(EL)包括多个发光图案211，每个发光图案211为一个发光单元L中的一层。发光面板中，设置在第一衬底201上的能够发光的最小的发光单位即为一个发光单元L(或称为发光器件)。示例的，发光面板可以包括第一颜色发光单元、第二颜色发光单元和第三颜色发光单元，此时，第一颜色发光单元中的发光图案被配置发出第一颜色的光，第二颜色发光单元中的发光图案被配置发出第二颜色的光，第三颜色发光单元中的发光图案被配置发出第三颜色的光。例如，第一颜色为红色、第二颜色为绿色，第三颜色为蓝色。

可以理解的是，发光单元L除了包含发光图案211外，还包括位于发光图案211两侧的电极，其中一者为阳极，另一者为阴极。此外，发光单元还可以包括：位于阳极和阴极之间的空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)、电子传输层(Electronic Transport Layer，ETL)、空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)和电子注入层(Electronic InjectionLayer，EIL)中的至少一个。

感光半导体层包括至少一个感光图案227(例如可以包括多个感光图案227)，每个感光图案227为一个感光单元S中的一层。发光面板中，能够感光的最小的感光单位即为一个感光单元S(或称为光敏传感器)。例如，感光图案包括依次层叠设置的P型半导体层、I型半导体层和N型半导体层，构成PIN结构。可以理解的是，感光单元S除了感光图案之外，还包括位于感光图案两侧的电极，其中一者为阳极，另一者为阴极。将感光单元S设置在发光单元L远离发光面板的出光面的一侧，可以避免对发光单元L发出光线LL进行遮挡，而导致出光效率低的问题发生。

第一遮光层217的材料可以是遮光的绝缘材料，例如黑色树脂等，还可以是金属、金属合金，例如，铝、银、镁、镁银合金等。由于金属材料对光具有反射功能，这样可以增强发光单元L的出光效率。第一遮光层217具有多个透光口217a，每个透光口217a在发光层上的正投影与一个发光图案211具有重叠区域，即每个透光口217a与一个发光图案211位置对应，使得发光图案211发出的光线能够从透光口217a射出。例如，一个发光图案211可以与至少一个(即一个或多个)透光口217a位置对应，与该发光图案211对应的各透光口217a(例如每个透光口)在发光层上的正投影可以完全在该发光图案211的边沿以内。此外，本实施例对透光口217a的形状不做限定，可以为圆形、椭圆形、正方形、三角形或任意形状。透光口217a的大小可由透光量需求以及工艺制作能力决定，透光口217a的面积可以小于一个发光图案211的面积，例如，透光口217a的面积小于发光图案的面积的1/N，N≥4，例如可以是4、5、10等。在采用金属材料制作第一遮光层217的情况下，透光口217a的面积越小，对发光单元L的出光效率的提升越有利。

第二遮光层的材料可以是遮光的绝缘材料，例如黑色树脂等，还可以是金属、金属合金，例如，铝、银、镁、镁银合金等。第二遮光层包括多个第一遮光图案221和围绕各第一遮光图案的透光区域Z，每个第一遮光图案221在第一遮光层的正投影与一个透光口217a具有重叠区域。本实施例对第一遮光图案221的形状不做限定，可以为长方形、正方形、圆形、椭圆形或任意形状。例如，第一遮光图案221的形状可以与相应的透光口217a的形状相同，也可以不相同。在发光面板工作的情况下，至少一个发光图案211发出的光线穿过相应的透光口217a和透光区域Z，照射到一个感光图案227上。更为详细地，发光图案211发出的光线先穿过与该发光图案在发光层上的正投影有重叠区域的透光口217a，再穿过围绕与该透光口在第一遮光层的正投影有重叠区域的第一遮光图案的透光区域，最终照射到相应的感光图案227上。

由于外界照射进发光面板的环境光NL中的一部分在穿过透光口后会被第一遮光图案遮挡，使照射到感光图案上的环境光NL减少，因此包含该感光图案的感光单元能够检测的发光亮度更接近包含发光图案的发光单元的实际发光亮度，检测结果更加准确。进一步的，还可以根据检测到的发光单元的实际发光亮度，对发光单元的驱动信号(例如驱动电压或驱动电流)进行调整，以完成光学补偿；因检测的数据更准确，使得光学补偿的效果更好。

在一些实施例中，如图2所示，第一遮光图案221在第一遮光层上的正投影覆盖一个透光口217a。可知，第一遮光图案221在透光口217a的正上方，且第一遮光图案221的面积不小于透光口217a的面积。例如，第一遮光图案221在第一遮光层217上的正投影与一个透光口217a完全重合。又如，第一遮光图案221在第一遮光层217上的正投影与一个透光口217a之间具有一环形区域，该环形区域的宽度可以处处相等。217a这样一来，第一遮光图案221能够更好的遮挡环境光NL，减少照射到感光图案上的环境光NL对于亮度检测的干扰。

在一些实施例中，如图3和图4所示，以第一遮光图案221和透光口217a的形状均为圆形为例，第一遮光图案221具有第一几何中心C1，第一遮光图案221在第一遮光层上的正投影所覆盖的透光口217a具有第二几何中心C2。第一几何中心C1与第二几何中心C2在第一衬底201上的正投影可以重合，也可以不重合。第一衬底201过第二几何中心C2的垂面为参考平面，例如图3中AA’向的截面是过第一几何中心C1和第二几何中心C2的连线的第一衬底201的垂面，其可以作为参考平面。当然，该参考平面可以转向其他角度，例如不过第二几何中心C2一个垂面。参见图4，将过第二几何中心C2的第一衬底的垂线用LI表示，参考平面与第一遮光图案221的边沿具有第一交点J1，与透光口217a的边沿具有第二交点J2，第一交点J1与第二交点J2位于第一衬底的垂线LI的同一侧；在参考平面中，第一交点J1与第二交点J2的连线与第一衬底的垂线LI之间的夹角为α，只有当从透光口217a出射的光线与第一衬底的垂线LI的夹角不小于α时，从透光口217a出射的光线才能最终照射到感光图案227上实现亮度检测。

环境光NL从空气入射至发光面板中时会发生折射，入射角越大，相应的折射角也就越大，发光面板内部各膜层的折射率基本相同，因而发光面板内部光线的折射可以忽略，在发光面板内部入射的环境光NL的传播方向为直线传播，入射至发光面板内的环境光NL折射角为最大折射角θ₁，从透光口出射的环境光NL与第一衬底201垂线LI的最大夹角仍为θ₁，可以理解的是，为了避免环境光NL对亮度检测造成影响，应使环境光NL无法照射到感光图案上，即需保证θ₁≤α。示例的，以第一衬底201的材料为玻璃为例，玻璃的折射率为1.5，空气的折射率为1，入射角为90°时，折射角最大，最大折射角θ₁＝arcsin(sin90°/1.5)≈42°。

在通过第一遮光图案221对环境光NL进行遮挡的同时，要实现感光图案227检测到的发光亮度为发光图案211的实际发光亮度，则还需要保证发光图案211发出的光线能够照射到感光图案227上。从透光口出射的发光图案发出的光线中，能被感光图案227(或者说感光单元S)检测到的光线与第一衬底垂线LI的最大夹角为发光图案的有效发光角度θ₂，可以理解的是，α＜θ₂即可使发光图案211发出的光线能够照射到感光图案227上并被感光图案227检测到。示例的，发光图案211发出光线的有效发光角度θ₂可以为70°，那么当42°≤α＜70°时，可以实现感光图案227检测到的发光亮度为发光图案211的实际发光亮度。

当参考平面绕第二几何中心C2旋转时，就出现了很多个α，这些α至少一部分在θ₁到θ₂角度范围内，例如这些α均在θ₁到θ₂角度范围内。且这些α可以全部相等，也可以部分相等，还可以全部不等。例如，在第一几何中心C1和第二几何中心C2在第一衬底201上的正投影不重合时，这些α中的至少部分不相等。在第一几何中心C1和第二几何中心C2在第一衬底201上的正投影重合时，这些α可以均相等。

在一些实施例中，如图5、图6和图7所示，第二遮光层220除第一遮光图案221外，还包括第二遮光图案232，第二遮光图案232与每个第一遮光图案221之间形成一个环状的透光子区域233，各透光子区域233构成透光区域Z。透光子区域233的形状可以为圆环、圆角矩形环等规则形状，也可以为其他不规则环形。发光图案211发出的光线穿过透光子区域231照射到感光图案227上实现亮度检测，照射进发光面板的环境光NL则会被第一遮光图案217遮挡从而避免对亮度检测造成影响。

在一些实施例中，如图5、图6和图7所示，透光子区域为规则环状几何图案，具有第三几何中心C3，参考平面(例如图6中BB’向的截面，是过第三几何中心C3和第二几何中心C2的连线的第一衬底201的垂面，其可以作为参考平面)与透光子区域233的外环边沿(也可以说是外边沿)具有第三交点J3，第三交点J3与第二交点J2位于第一衬底的垂线LI的同一侧；在参考平面中，第三交点J3与第二交点J2的连线与第一衬底201的垂线LI之间的夹角为γ，可以理解的是，只要γ<θ₂就可以使发光图案发出的光线照射到感光图案上。

当参考平面绕第二几何中心C2旋转时，就出现了很多个γ，这些γ至少一部分小于θ₂，例如这些γ均小于θ₂。且这些γ可以全部相等，也可以部分相等，还可以全部不等。例如，在第一几何中心C1和第二几何中心C2在第一衬底201上的正投影不重合时，这些γ中的至少部分不相等。在第一几何中心C1和第二几何中心C2在第一衬底201上的正投影重合时，这些γ可以均相等。

下面，对设置在发光图案两侧的电极，以及对设置在感光图案两侧的电极做详细介绍。

在一些实施例中，参考图2，发光面板还可以包括：位于发光层远离发光面板的出光面一侧的第一电极层，以及位于发光层靠近发光面板的出光面一侧的第四电极层。其中，第一电极层包括多个第一电极216，一个第一电极216与一个发光图案位置对应，其中多个第一电极216可以耦接在一起形成一完整的面状电极。第四电极层包括间隔设置的多个第四电极214。发光图案211位于一组对应的第四电极214与第一电极216之间，其中，第四电极214与第一电极216中的一者作为阳极，另一者作为阴极，在第四电极214与第一电极216的电场作用下发光，从而形成了一发光单元。

其中，第一电极层设置在第一遮光层217和发光图案211之间，其材料可以是透明导电材料，例如ITO(氧化铟锡)等。此外，发光面板还可以包括：与每个发光单元耦接的像素电路。该像素电路可以与一个发光单元中的第四电极214耦接。该像素电路可以包括多个薄膜晶体管和至少一个电容器，例如可以是2T1C(包括2个薄膜晶体管和1个电容器)、7T1C等结构，在此不作限定。图2中仅示出了像素电路中与发光单元的第四电极214耦接的一个薄膜晶体管202。该薄膜晶体管202包括栅极203，设置在栅极上的栅绝缘层204、有源层205以及源极206和漏极207，漏极207与发光单元的第四电极214耦接。

继续参考图2，发光面板还可以包括：位于感光半导体层靠近发光面板的出光面的第三电极层，以及位于感光半导体层远离发光面板的出光面的第五电极层。其中，第三电极层可以包括多个第三电极224，一个第三电极224与一个感光图案227位置对应。第五电极层可以包括多个第五电极226，一个第五电极226与一个感光图案227位置对应。一组位置对应的第三电极224和第五电极226，和二者之间的感光图案227构成一个感光单元S。

其中，第二遮光层220可以位于第三电极层靠近发光层的一侧。第三电极层和第五电极层的材料可以是透明导电材料，例如ITO(氧化铟锡)等。

可以理解的是，如图13所示，发光面板还可以包括与感光单元耦接的控制电路，以控制感光单元工作，并输出感光单元感测的结果。其中，控制电路包括多条扫描线270和多条读取线280，其中，多条扫描线270与扫描电路耦接，扫描电路被配置为向多条扫描线270输入扫描信号；多条读取线280与读取电路耦接，读取电路被配置为通过多条读取线280读取各个感光单元S感测到的检测结果。扫描电路可以设置在发光面板中。

参考图2，发光面板还可以包括：像素定义层210。像素定义层210设置有多个像素开口，每个像素开口内设置有一个发光图案211，多个发光图案211构成发光层。

除此之外，发光面板中相邻导电层之间一般需要进行绝缘，例如：发光面板还可以包括：第一绝缘层208，第二绝缘层209，第三绝缘层219等，这些绝缘层可以采用透明绝缘材料制成。

在另一些实施例中，如图8所示，第一遮光层217复用作发光层远离发光面板出光面一侧的第一电极层，透光口217a设置在第一电极216上，第一电极层的材料可以为金属导电材料，如Mg、Ag、Al等。这样一来，只需要变更制作第一电极层时所采用的MASK(掩膜版)即可，不需要增加新的MASK及工艺，在避免环境光NL干扰的同时，可以简化制作工艺。

在又一些实施例中，如图9所示，在图8示出的发光面板的基础上，发光面板还可以包括：设置于第一电极层和发光层之间的第二电极层，第二电极层为透光电极层，与第一电极层接触。第二电极层的材料为导电材料，如ITO。第二电极层可以包括多个第二电极237，每个第二电极237与一个发光图案位置对应，多个电极237可以相互耦接在一起。在本实施例中，第二电极237与第一电极216互相接触，相当于将两电极并联，共同作为发光单元的阴极或阳极，能够降低电极电阻，实现更好的发光效果。

在又一些实施例中，如图10所示，第二遮光层复用作感光半导体层靠近发光层一侧的第三电极层，第一遮光图案221设置在第三电极224上，第三电极层的材料为导电材料。可以理解的是，这样只需要变更制作第三电极层时所采用的MASK即可，不需要增加新的MASK及工艺，在避免环境光NL干扰的同时，可以简化制作工艺。

在一些实施例中，如图11所示的一种底发射型发光面板，包括第一衬底201和第二衬底238，第一遮光层和发光层设置于第一衬底201上；感光半导体层和第二遮光层设置于第二衬底238上。也就是说，发光单元L和感光单元S分别设置在不同的衬底上，此时，与发光单元L耦接的像素电路设置在第一衬底201上，与感光单元S耦接的控制电路设置在第二衬底238上。

例如，发光面板还可以包括：设置于第一衬底201上的第三遮光层，第三遮光层包括多个第三遮光图案241，每个第三遮光图案241位于一个薄膜晶体管202的正下方，以防止环境光NL照到薄膜晶体管202的有源层上，该有源层的材料可以是金属氧化物，例如IGZO等。

例如，第一遮光层复用作第一电极层，透光口217a设置在第一电极216上。

例如，像素定义层210设置于第一衬底上。

例如，发光面板还包括:设置在第三遮光层与像素电路之间的缓冲层240，位于像素电路和第一电极层之间的平坦层242。其中，平坦层242的材料可以为合成树脂。

在另一些实施例中，如图12所示的一种底发射型发光面板，第一电极层和发光层之间设置有第二电极层，第二电极层为透光电极层，与第一电极层接触。第二电极层的材料为导电材料，如ITO。第二电极层包括多个第二电极237，第二电极237与第一电极216互相接触，相当于将两电极并联，能够降低电极电阻，实现更好的发光效果。

例如，如图11和图12所示的发光面板，感光单元S的第五电极(即上电极)226可以包括：层叠的两个子电极。其中一个子电极与薄膜晶体管的源极和漏极同层设置。

例如，第三电极层为透光电极层，材料为导电材料。

例如，如图11、图12所示，第二遮光层复用作偏置电位(Bias line)层253，偏置电位层的材料可以为钼。为了清楚的说明第二遮光层复用作偏置电位层253的结构，参考图14A、图14B、图14C和图14D，具体的，第二遮光层中第二遮光图案232可以与电压端连接，该电压端用于向第二遮光层提供偏压，偏压的电压值在-2～-6V之间。这样的话，只需要变更制作偏置电位层时所采用的MASK即可，不需要增加新的MASK及工艺，在避免环境光NL干扰的同时，可以简化制作工艺。

例如，发光面板还可以包括：设置在第二衬底238上的第一钝化层246，第二钝化层249，第二平坦层250和无机绝缘层251。其中，无机绝缘层251与第二平坦层250的表面接触，其材料为氮化硅或氧化硅等，用于提高膜层间的粘附性，有利于良率提高。

例如，发光面板还可以包括：缓冲层254，可以作为偏置电位线层的保护层，缓冲层254的材料可以选用氮化硅、氧化硅或合成树脂类材料，还可以是由多层不同材料膜层形成的复合膜层。

例如，发光面板还可以包括：屏蔽层255，用于降低发光单元L的驱动电场对感光单元S的电场影响。

例如，发光面板还可以包括：粘合层256，已将设置有发光单元L的第一衬底201与设置有感光单元S的第二衬底238通过进行粘合。

本公开最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本公开的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本公开进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本公开各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (11)

1.一种发光面板，其特征在于，包括：

第一衬底；

设置于所述第一衬底上的发光层，所述发光层包括多个发光图案；

感光半导体层，所述感光半导体层位于所述发光层远离所述发光面板的出光面的一侧，所述感光半导体层包括至少一个感光图案；

设置于所述发光层与所述感光半导体层之间的第一遮光层，所述第一遮光层具有多个透光口，每个透光口在所述发光层上的正投影与一个所述发光图案具有重叠区域；

设置于所述第一遮光层与所述感光半导体层之间的第二遮光层，所述第二遮光层包括多个第一遮光图案，且所述第二遮光层具有围绕各第一遮光图案的透光区域，每个所述第一遮光图案在所述第一遮光层的正投影与一个透光口具有重叠区域；

其中，至少一个所述发光图案发出的光线穿过相应的所述透光口和所述透光区域，照射到一个感光图案上；

所述第一遮光图案具有第一几何中心，所述第一遮光图案在所述第一遮光层的正投影所覆盖的所述透光口具有第二几何中心；

过所述第二几何中心的所述第一衬底的垂面为参考平面；

所述参考平面与所述第一遮光图案的边沿具有第一交点，与所述透光口的边沿具有第二交点，所述第一交点与所述第二交点位于过所述第二几何中心的所述第一衬底的垂线同一侧；

在所述参考平面中，所述第一交点与所述第二交点的连线与所述第一衬底的垂线之间的夹角为α，θ₁≤α＜θ₂，θ₁为外界光线进入所述第一衬底的最大折射角，θ₂为所述发光图案的有效发光角度。

2.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，每个所述第一遮光图案在所述第一遮光层的正投影覆盖一个所述透光口。

3.根据权利要求2所述的发光面板，其特征在于，所述第一几何中心在所述第一衬底上的正投影与所述第二几何中心在所述第一衬底上的正投影重合。

4.根据权利要求2～3任一项所述的发光面板，其特征在于，所述第二遮光层还包括：第二遮光图案，所述第二遮光图案与每个第一遮光图案之间形成一个环状的透光子区域，各所述透光子区域构成所述透光区域。

5.根据权利要求4所述的发光面板，其特征在于，

所述透光子区域具有第三几何中心，所述参考平面与所述透光子区域的外环边沿具有第三交点，所述第三交点与所述第二交点位于过所述第二几何中心的所述第一衬底的垂线的同一侧；

在所述参考平面中，所述第三交点与所述第二交点的连线与所述第一衬底的垂线之间的夹角为γ，γ<θ₂。

6.根据权利要求5所述的发光面板，其特征在于，所述第一几何中心在所述第一衬底上的正投影与所述第三几何中心在所述第一衬底上的正投影重合。

7.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，所述第一遮光层复用作所述发光层远离所述发光面板的出光面一侧的第一电极层。

8.根据权利要求7所述的发光面板，其特征在于，还包括：

设置于所述第一电极层和所述发光层之间的第二电极层，所述第二电极层为透光电极层，所述第二电极层与所述第一电极层接触。

9.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，所述第二遮光层复用作所述感光半导体层靠近所述发光层一侧的第三电极层。

10.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，

所述第一遮光层设置于所述第一衬底上；

所述发光层和所述第二遮光层设置于所述第一衬底上；或者，所述发光面板还包括：第二衬底，所述感光半导体层和所述第二遮光层设置于所述第二衬底上。

11.一种发光装置，其特征在于，包括权利要求1～10任一项所述的发光面板。

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