CN109037280B - 有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种有机电致发光显示面板,包括平坦化层、像素电极及辅助电极,像素电极形成于所述平坦化层上;平坦化层被构造为包覆所述辅助电极,且具有连通其上表面以使所述辅助电极与对应的所述像素电极接触的接触孔。当承受跌落撞击时或多次弯曲过程中,薄膜封装层将沿着作用力方向向下弯曲,将冲击力传递至像素电极,辅助电极与像素电极通过接触孔相互搭接形成立体三维网状结构,可对像素电极进行支撑,分散冲击应力,从而避免像素电极发生断裂或与有机发光单元分离,进而有效避免像素电极的损坏造成的显示不良或显示失效,提高了显示面板的抗弯曲强度和承受跌落撞击强度。还提供一种有机电致发光显示面板的制作方法及显示装置。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着大数据、云计算以及移动互联网等技术的发展,人类已经进入智能化时代,包括智能移动通信终端、可穿戴设备以及智能家居等智能设备,已经成为人们工作和生活中不可缺少的部分。作为智能化时代人机交互的重要窗口,显示面板也在发生着重大变革。有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板,具有厚度薄、自发光性能、功耗低、柔韧性好等优势,已经成为继薄膜晶体管液晶显示器之后,被认为是最有发展潜力的平板显示器件。
为追求更佳的视觉体验及触感体验,对OLED显示面板的有效显示面积及厚度要求越来越高,但随着有效显示面积的增大及其厚度变薄,显示面板的强度随之降低,尤其是柔性OLED显示面板在多次弯曲/卷曲过程中,以及承受跌落撞击时,应力集中无法分散而导致阳极、OLED器件及阴极等元件受损,弯曲区域及被击中区域不能全彩显示,易出现黑斑、亮斑、彩斑等显示不良。
因此,如何提高OLED显示面板的强度信赖性,是本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
基于此,有必要针对现有设计中的显示面板在弯曲和承受跌落撞击中易出现显示不良的问题,提供一种改善上述问题的有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置。
有机电致发光显示面板,包括:
平坦化层;及
像素电极,所述像素电极形成于所述平坦化层上;
所述有机电致发光显示面板还包括辅助电极,所述平坦化层被构造为包覆所述辅助电极,且所述平坦化层具有连通其上表面以使所述辅助电极与对应的所述像素电极接触的接触孔。
可选地,所述有机电致发光显示面板包括多个像素定义开口区域及各所述像素定义开口区域之间的间隔区域;
所述接触孔位于所述间隔区域。
可选地,每一所述辅助电极对应于一个所述像素电极。
可选地,每一所述辅助电极具有一镂空区域及围绕所述镂空区域的搭接区域;
所述接触孔对应于所述搭接区域。
可选地,所述有机电致发光显示面板还包括阵列基板,所述平坦化层形成于所述阵列基板上;
所述接触孔朝向所述阵列基板的正投影,落入所述辅助电极朝向所述阵列基板的正投影的范围内。
可选地,所述接触孔具有远离所述辅助电极的第一端及靠近所述辅助电极的第二端;
所述接触孔的径向尺寸自所述第一端至所述第二端逐渐减小。
可选地,所述平坦化层包括层叠设置的第一平坦化层及第二平坦化层;
所述辅助电极形成于所述第一平坦化层上,所述第二平坦化层覆盖所述辅助电极,且形成有暴露所述辅助电极的部分的所述接触孔。
可选地,所述辅助电极包括上下间隔设置于所述平坦化层中的第一辅助电极及第二辅助电极;
所述第二辅助电极通过所述接触孔与对应的所述像素电极接触;所述平坦化层还具有使所述第一辅助电极与所述第二辅助电极相互搭接的搭接孔。
显示装置,包括上述实施例中所述的有机电致发光显示面板。
有机电致发光显示面板的制作方法,包括:
形成辅助电极及所述平坦化层;所述平坦化层被构造为包覆所述辅助电极,且具有连通其上表面的接触孔;
在所述平坦化层上形成像素电极,并通过所述接触孔使所述辅助电极与对应的所述像素电极接触。
上述有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置,当承受跌落撞击时或多次弯曲过程中,薄膜封装层将沿着作用力方向向下弯曲,将冲击力传递至像素电极,辅助电极与像素电极通过接触孔相互搭接形成立体三维网状结构,可对像素电极进行支撑,分散冲击应力,从而避免像素电极发生断裂或与有机发光单元分离,进而有效避免像素电极的损坏造成的显示不良或显示失效,提高了显示面板的抗弯曲强度和承受跌落撞击强度。
附图说明
图1为本发明一实施例中的有机电致发光显示面板的像素区域的平面分布示意图;
图2为本发明一实施例中的有机电致发光显示面板的子像素区域的截面示意图;
图3为本发明另一实施例中的有机电致发光显示面板的子像素区域的截面示意图;
图4为本发明一实施例中的有机电致发光显示面板的制作方法的流程框图。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
在描述位置关系时,除非另有规定,否则当一元件例如层、膜或基板被指为在另一元件“上”时,其能直接在其他元件上或亦可存在中间元件。进一步说,当层被指为在另一层“下”时,其可直接在下方,亦可存在一或多个中间层。亦可以理解的是,当层被指为在两层“之间”时,其可为两层之间的唯一层,或亦可存在一或多个中间层。
在使用本文中描述的“包括”、“具有”、和“包含”的情况下,除非使用了明确的限定用语,例如“仅”、“由……组成”等,否则还可以添加另一部件。除非相反地提及,否则单数形式的术语可以包括复数形式,并不能理解为其数量为一个。
应当理解,尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件和另一个元件区分开。例如,在不脱离本发明的范围的情况下,第一元件可以被称为第二元件,并且类似地,第二元件可以被称为第一元件。
还应当理解的是,在解释元件时,尽管没有明确描述,但元件解释为包括误差范围。例如,显示面板多个像素定义开口区域,以及位于各像素定义开口区域之间的间隔区域,间隔区域可以以像素定义开口的侧边为边界,也可以以距离像素定义开口的侧边一定距离的位置为边界,在此不作限定。
此外,在说明书中,短语“平面分布示意图”是指当从上方观察目标部分时的附图,短语“截面示意图”是指从侧面观察通过竖直地切割目标部分截取的剖面时的附图。
此外,附图并不是1:1的比例绘制,并且各元件的相对尺寸在附图中仅以示例地绘制,而不一定按照真实比例绘制。
随着OLED显示面板技术的快速发展,其具有可弯曲、良好的柔韧性的特性而被广泛应用,相较于传统的TFT-LCD技术,OLED的一大优势在于可做成折叠/可卷曲的产品。为了实现OLED显示面板的柔性化,首先须使可挠曲的基板,其次,相较于广泛采用的玻璃盖板封装方式,对于柔性OLED显示面板而言,薄膜封装(Thin Film Encapsulation,TFE)更为合适。
通常在这种封装结构中,薄膜封装层平整地覆盖阴极层,并与显示面板的阵列层(Array)在显示区域(Active area,AA)之外的边框区域接触。但受限于结构及材料,OLED显示面板的抗弯曲和承受跌落撞击强度的信赖性不高。
以承受跌落撞击试验为例,当使用32.65g的落球(直径为20mm的钢球;跌落高度2cm-62.5cm)击中OLED显示面板时,薄膜封装层将沿着作用力方向向下弯曲,进而将应力传递至薄膜封装层内的结构。由于被落球击中瞬间的应力集中无法分散,当跌落高度超过10cm时,显示面板极易受到损伤,被击中的区域很可能无法全彩显示,出现黑斑、亮斑、彩斑等不良现象。
现有设计中为解决该问题,一种方式为在远离屏体发光侧制作缓冲层,例如,在显示面板与盖板之间填充光学透明胶,但如此导致屏体厚度在一定程度上增加,无法满足较佳的视觉体验及触感体验,且增加了工艺流程及制作难度。
因此,有必要提供一种保证厚度与显示效果,且抗弯曲强度和承受跌落撞击强度较佳的显示面板。
OLED显示面板通常包括阵列基板、设于阵列基板上的阳极(像素电极)、OLED发光器件及阴极。OLED的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光。具体为在一定的电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入迁移至OLED发光器件,并在其中复合形成激子并使发光分子激发,后者经过辐射驰豫而发出可见光。
现有设计中,每一个子像素对应一个阳极,阳极通过通孔与TFT阵列电路的漏极连接,每一个子像素是通过TFT阵列电路控制发光或不发光。研究发现,在面板受到撞击或多次弯曲过程中,薄膜封装层将沿着作用力方向向下弯曲传递至阳极,而阳极为平面金属膜层,应力释放能力较差,并与OLED材料层与之间容易发生分离,且损坏即失效造成显示不良。
本发明中通过设置辅助电极,当显示面板受到冲击或弯曲时进行补偿,可有效分散应力,避免阳极发生断裂或与OLED材料层分离,有效提高OLED显示面板的抗弯曲和承受跌落撞击强度的信赖性。
可以理解的是,本发明实施例提供的显示面板,主要是应用于全面屏或无边框的显示面板,当然也可以应用到普通有边框或者窄边框的显示面板中。
图1示出了本发明一实施例中的有机电致发光显示面板的像素区域的平面分布示意图;图2示出了本发明一实施例中的有机电致发光显示面板的子像素区域的截面示意图。为便于描述,附图仅示出了与本发明实施例相关的结构。
参阅附图,本发明一实施例中的有机电致发光显示面板包括阵列基板12、像素电极14、辅助电极16及阴极(图未示)。
显示面板包括有源区域及非有源区域,非有源区域可以设置于有源区域周围,例如,一些实施例中,有源区域呈矩形,非有源区域被配置为围绕矩形地有源区域设置。当然,在另外一些实施例中,有源区域和非有源区域的形状和布置包括但不限于上述的示例,例如,当显示面板用于佩戴在用户上的可穿戴设备时,有源区域可以具有像手表一样的圆形形状;当显示面板用于车辆上时,有源区域及非有源区域可采用例如,圆形、多边形或其他形状。
有源区域设置了像素阵列,每个像素可以包括多个子像素。阵列基板12具有对应于前述的子像素的多个子像素区域,例如,一些实施例中,阵列基板12具有发射红光的第一子像素区域、发射蓝光的第二子像素区域,以及发射绿光的第三子像素区域。一组的第一子像素区域、第二子像素区域及第三子像素区域可构成一个像素区域,像素电极14与对应的子像素区域一一对应。
可以理解,在其他一些实施例中,每个像素区域亦可包括其他子像素区域,在此不作限定,例如,还可包括发射白光的第四子像素区域。
容易理解,子像素是用于表示一种颜色的最小单元。每一子像素区域对应设置有薄膜晶体管、像素电极14及有机发光单元,薄膜晶体管用于响应于来自栅极线信号将来自数据线的数据信号提供至像素电极14,从而控制子像素发光。
具体到实施例中,阵列基板12包括衬底基板(例如,PI材料形成),以及设置于衬底基板的薄膜晶体管(图未示)。由于薄膜晶体管具有复杂的层结构,因此,其顶表面可能是不是平坦的,阵列基板12还包括平坦化层18,以形成足够平坦的顶表面。在形成平坦化层18之后,可以在平坦化层18中形成通孔,以暴露薄膜晶体管的源电极和漏电极。
当然,该阵列基板12还可以包括层间绝缘层等膜层,在此不作限定。
显示面板还包括像素定义层19,像素定义层19形成于阵列基板12上,且暴露每个像素电极14的至少一部分。例如,像素定义层19可覆盖每个像素电极14的边缘的至少一部分,从而将每个像素电极14的至少一部分暴露出来。如此,像素定义层19界定出有多个像素定义开口192及位于各像素定义开口192之间的间隔区域(图未标),像素电极14的中间部分或全部部分经由该像素定义开口192暴露。
这样,像素定义层19可增加每个像素电极14的端部,以及形成在每个像素电极14上的相反电极(阴极)之间的距离,且可防止像素电极14的端部出现的抗反射。
举例来说,像素电极14可形成在平坦化层18上,平坦化层18到像素定义层19的上表面的高度,大于平坦化层18到像素电极14的上表面的高度。像素定义层19可覆盖每个像素电极14的至少一部分的边缘,形成多个像素定义开口192,有机发光单元填充于该像素定义开口192内。
阴极可整面覆盖于像素定义层19上,可采用银、锂、镁、钙、锶、铝、铟等功率函数较低的金属,亦或为金属化合物或合金材料制成。一些实施例中,可以通过蒸镀的方法,覆盖像素定义开口192内的有机发光单元,以及各像素定义开口192之间的间隔区域。
本发明的实施例中,平坦化层18被构造为包覆辅助电极16,且该平坦化层18具有连通其上表面以使辅助电极16与对应的像素电极14接触的接触孔181。平坦化层18具有连通其上表面的接触孔181,接触孔181可暴露位于像素电极14下方的辅助电极16,在后续形成像素电极14时,可实现像素电极14与辅助电极16的搭接。
可以理解,接触孔181可采用构图工艺对平坦化层18进行图案化得到,例如,一些实施例中,可通过掩膜曝光然后显影平坦化层18,从而形成前述的接触孔181,在另一些实施例中,亦可采用刻蚀工艺形成所述接触孔181。可以理解,构图工艺还可为其他形式,包括但不限于上述举例的两种形式。
需要说明的是,平坦化层18被构造为包覆辅助电极16,是指辅助电极16设置于平坦化层18中,也就是说,辅助电极16的所有表面均被平坦化层18裹覆。例如,一些实施例中,平坦化层18包括层叠设置的第一平坦化层182及第二平坦化层184;辅助电极16形成于第一平坦化层182上,第二平坦化层184覆盖辅助电极16,且形成有暴露辅助电极16的部分的接触孔181。
容易理解,由于薄膜晶体管具有复杂的层结构,因此,其顶表面可能是不是平坦的,现有设计中的显示面板中,薄膜晶体管顶部表面还设有层间绝缘层(绝缘、钝化作用),层间绝缘层通常由氮化硅和氧化硅层叠形成,因此,层间绝缘层难以形成平坦的表面。而像素电极14形成的表面的平坦性直接影响像素的出光效率,故较佳地,辅助电极16应当设置于平坦化层18中。
当显示面板承受跌落撞击时或多次弯曲过程中,薄膜封装层将沿着作用力方向向下弯曲,将冲击力传递至像素电极14,辅助电极16与像素电极14通过接触孔181相互搭接形成立体三维网状结构,可对像素电极14进行支撑,分散冲击应力,从而避免像素电极14发生断裂或与有机发光单元分离,进而有效避免像素电极14的损坏造成的显示不良或显示失效。
这样,提高了显示面板的抗弯曲强度和承受跌落撞击强度。
可以理解,接触孔181的数量可根据具体情况而定,在此不作限定,例如,对于显示面板容易承受冲击失效的中间区域,接触孔181的密度可适当增加,而对于靠近边框区域的区域,则接触孔181的密度可适当减小。
可以理解,接触孔181的截面形状可为圆形、正方形、长方形或其他形状,在此不作限定,能实现后续蒸镀像素电极14时可与辅助电极16搭接的目的即可。
可以理解,辅助电极16可以与像素电极14的材料相同,亦可不同。一些实施例中,像素电极14可为透明电极、半透明电极或反射电极。例如,当像素电极14为透明电极,辅助电极16可与像素电极14的材料相同,包含例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物、氧化锌、三氧化二铟、铟钾氧化物或铝锌氧化物等。当像素电极14为反射电极时,包含银、镁、铝、铂、金、镍等材料。
应当理解的是,受限于制作工艺,由于在平坦化层18中间设置辅助电极16,可能会影响到平坦化层18远离阵列基板12一侧的表面的平整度。一方面,像素电极14形成于平坦化层18上,像素电极14和阴极之间可形成微腔,有机发光单元发射的光在像素电极14和阴极之间的重复发射和再反射导致的光的放大和相长干涉可提高发光效率,因此,平坦化层18的平整度直接会影响OLED发光效率。另一方面,现有技术中的OLED材料的形成工艺中,为了将发射不同颜色的OLED材料沉积在各个子像素区域(像素定义开口区域),一般使用具有小贯穿孔的掩膜。然而,随着有机电致发光显示面板的分辨率增大,掩膜中的贯穿孔变得小且排列更密集,平坦化层18背离阵列基板12一侧的平整度可能会影响后续OLED材料的形成。
一些实施例中,接触孔181位于各像素定义开口区域之间的间隔区域。这样,使像素电极14与辅助电极16的搭接处位于像素定义开口区域外,从而降低平坦化层18背离阵列基板12一侧的平整度对像素定义开口区域的像素电极14及OLED材料的影响,进而提高显示面板的可靠性。当然,在另一些实施例中,辅助电极16亦可位于间隔区域与像素定义开口区域,在此不作限定。
作为一种较佳的实施方式,接触孔181至少围绕像素定义开口区域设置。这样,使像素电极14形成类似于柱状的三维立体支撑结构,尤其对像素定义开口区域的像素电极14起到较佳的支撑,从而可进一步保证避免像素电极14发生断裂或与有机发光单元分离。一些实施例中,每一辅助电极16对应于一个像素电极14。这样,可使每一像素电极14得到良好的支撑,进一步地避免像素电极14发生断裂或与有机发光单元分离。
本申请的发明人研究发现,辅助电极16整面的位于像素电极14下方时,会形成光罩,影响出光效率,而在辅助电极16上形成多个镂空图案,影响其对像素电极14的支撑强度,难以对像素电极14进行良好的支撑及分散应力。一些实施例中,每一辅助电极16具有一镂空区域(图未示)及围绕镂空区域的搭接区域(图未示);搭接区域形成一封闭地环状结构,接触孔181对应于搭接区域。发明人继续研究发现,如此可减小对出光率的影响,且使像素电极14具有较佳的支撑,在受到冲击时,更佳地分散冲击应力,从而进一步避免像素电极14发生断裂或与有机发光单元分离。
可以理解的是,像素电极14通过通孔与薄膜晶体管的源极连接,因此,辅助电极16应当避免与该通孔产生干涉,以保证显示面板的良率。
容易理解的是,为使显示面板具有较佳的显示效果,现有设计中的发射不同颜色光线的子像素的形状、面积均不同,对应的像素电极14的形状、面积也不尽相同。则对应于不同像素电极14的辅助电极16的形状、大小也应当于对应的像素电极14的形状、大小相匹配。例如,具体到一些实施例中,对应于发射红光的子像素的像素电极14呈矩形,则对应的辅助电极16呈矩形,该辅助电极16的镂空区域对应于发射红光的子像素的像素定义开口区域,接触孔181对应于该辅助电极16的搭接区域,且围绕像素定义开口区域设置。
应当理解的是,在像素电极14与辅助电极16的搭接过程中,受限于制作工艺,应当留有余量,使两者可稳定搭接。本发明的一些实施例中,接触孔181朝向阵列基板12的正投影,落入辅助电极16朝向阵列基板12的正投影的范围内。具体到一些实施例中,接触孔181朝向衬底基板的正投影,落入辅助电极16的搭接区域朝向衬底基板的正投影的范围内。
这样,可保证像素电极14与辅助电极16通过接触孔181稳定地搭接。
本发明的一些实施例中,接触孔181具有远离辅助电极16的第一端及靠近辅助电极16的第二端;接触孔181的径向尺寸自第一端至第二端逐渐减小。如此,在后续通过蒸镀或喷墨打印的方式沉积像素电极14的过程中,使像素电极14更好的覆盖于接触孔181内,以保证像素电极14与辅助电极16的良好接触。
需要指出的是,接触孔181的径向尺寸自第一端至第二端逐渐减小,并不可理解为接触孔181的孔径一定是线性变化,例如,在一些实施例中,接触孔181的径向尺寸亦可呈阶梯式变化,在此不作限定。
图3示出了本发明另一实施例中的有机电致发光显示面板的子像素区域的截面示意图。
参阅图3,本发明的另一些实施例中,辅助电极16包括上下间隔设置于平坦化层18中的第一辅助电极162及第二辅助电极164;第二辅助电极164通过接触孔181与对应的像素电极14接触;平坦化层18还具有使第一辅助电极162与第二辅助电极164相互搭接的搭接孔。
具体到实施例中,平坦化层18包括层叠设置的第一平坦化层182、第二平坦化层184及第三平坦化层186;第一平坦化层182形成于层间绝缘层上,第一辅助电极162形成于第一平坦化层182上,第二平坦化层184覆盖该第一辅助电极162,且形成暴露第一辅助电极162的部分的搭接孔。第二辅助电极164形成于第二平坦化层184上,并通过该搭接孔与第一辅助电极162搭接。第三平坦化层186覆盖第二辅助电极164,并形成暴露第二辅助电极164的部分的接触孔181,像素电极14形成于第三平坦化层186上,且通过接触孔181与第二辅助电极164相互搭接。
这样,可构建出辅助电极16与辅助电极16之间,辅助电极16与像素电极14之间相互搭接形成的立体三维网状结构,进一步地对像素电极14进行支撑,分散冲击应力,从而避免像素电极14发生断裂或与有机发光单元分离,进而有效避免像素电极14的损坏造成的显示不良或显示失效。
一些实施例中,接触孔181与搭接孔在平行于阵列基板12的方向错开设置。进一步地,搭接孔朝向阵列基板12的正投影,落入接触孔181朝向阵列基板12的正投影围设形成的区域内。如此,可进一步地保证像素电极14具有较佳的支撑,使冲击应力得到分散,有效避免像素电极14的损坏造成的显示不良或显示失效。
为便于进一步理解本发明的技术方案,本发明的实施例还提供一种有机电致发光显示面板的制作方法。
图4示出了本发明一实施例中的有机电致发光显示面板的制作方法的流程框图;
步骤S120:形成辅助电极16及平坦化层18;平坦化层18被构造为包覆辅助电极16,且具有连通其上表面的接触孔181;
一些实施例中,在层间绝缘层上形成第一平坦化层182,然后可以通过蒸镀或打印等工艺在第一平坦化层182上形成该辅助电极16。辅助电极16位于像素定义开口区域之间的间隔区域。接着在第一平坦化层182上形成第二平坦化层184,并包覆辅助电极16。
接触孔181可采用构图工艺对第二平坦化层184进行图案化得到,例如,一些实施例中,可通过掩膜曝光然后显影第二平坦化层184,从而形成接触孔181,在另一些实施例中,可采用刻蚀工艺形成该接触孔181。可以理解,构图工艺还可为其他形式,包括但不限于上述举例的两种形式。
可以理解,接触孔181可以为仅布置在一个平面上围绕每个像素定义开口区域设置,亦可同时沿着像素电极14的延伸方向布设,以使像素电极14得到较佳的支撑。
步骤S130:在平坦化层18上形成像素电极14,并通过接触孔181使辅助电极16与对应的像素电极14接触。
像素电极14,即阳极,一些实施例中,像素电极14形成于第二平坦化层184上,阵列基板12具有多个子像素区域及位于各子像素区域之间的间隔区域。一个子像素对应于一个子像素区域,例如,用于发射红光的像素电极、用于发射绿光的像素电极,以及用于发射蓝光的像素电极分别位于于一个子像素区域。
像素电极14可在接触孔181内也形成有像素电极14材料,从而使像素电极14与辅助电极16相接触。一些实施例中,当像素电极14为透明电极,辅助电极16可与像素电极14的材料相同,包含例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物、氧化锌、三氧化二铟、铟钾氧化物或铝锌氧化物等。当像素电极14为反射电极时,包含银、镁、铝、铂、金、镍等材料。
在形成像素电极14后,像素定义层19形成于第二平坦化层184上,且覆盖每个像素电极14的边缘的至少一部分,从而将每个像素电极14的至少一部分暴露出来。如此,像素定义层19界定出有多个像素定义开口192及位于各像素定义开口192之间的间隔区域,像素电极14的中间部分或全部部分经由该像素定义开口192暴露。
在一些实施例中,该方法还包括:
步骤S110:提供一阵列基板12;
阵列基板12包括衬底基板及薄膜晶体管。
以柔性显示面板为例,衬底基板形成于承载基板上。衬底基板为可弯曲基板,可选地为有机聚合物、氮化硅及氧化硅形成,例如,有机聚合物可以为聚酰亚胺基板、聚酰胺基板、聚碳酸酯基板、聚苯醚砜基板等中的一种。在一些实施例中,衬底基板可通过在承载基板上涂覆聚酰亚胺胶液,之后对聚酰亚胺进行固化得到。
薄膜晶体管形成于衬底基板上,一些实施例中,可以在形成薄膜晶体管之前,在衬底基板上形成诸如缓冲层的另外的层。缓冲层可以形成在衬底基板整个表面上,也可以通过图案化来形成。
缓冲层可以具有包括PET、PEN聚丙烯酸酯和/或聚酰亚胺等材料中合适的材料,以单层或多层堆叠的形式形成层状结构。缓冲层还可以由氧化硅或氮化硅形成,或者可以包括有机材料层和/或无机材料的复合层。
薄膜晶体管可以控制每个子像素的发射,或者可以控制每个子像素发射时发射的量。薄膜晶体管可以包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极。半导体层可以由非晶硅层、金属氧化物或多晶硅层形成,或者可以由有机半导体材料形成。一些实施例中,半导体层包括沟道区和掺杂有掺杂剂的源区和漏区。
可以利用栅极绝缘层覆盖半导体层,栅电极可以设置栅极绝缘层上。大体上,栅极绝缘层可以覆盖衬底基板的整个表面。一些实施例中,可以通过图案化形成栅极绝缘层。考虑到与相邻层的粘合、堆叠目标层的可成形性和表面平整性,栅极绝缘层可以由氧化硅、氮化硅或其他绝缘有机或无机材料形成。栅电极可以被由氧化硅、氮化硅和/或其他合适的绝缘有机或无机材料形成的层间绝缘层覆盖。可以去除栅极绝缘层和层间绝缘层的一部分,在去除之后形成接触孔181以暴露半导体层的预定区域。源电极和漏电极可以经由接触孔181接触半导体层。
阵列基板12还包括将薄膜晶体管的源极和漏极与栅电极绝缘的层间绝缘层,以及可覆盖薄膜晶体管且可具有近似平坦的顶部表面的平坦化层18。
基于上述的有机电致发光显示面板,本发明的实施例还提供一种显示装置,一些实施例中,该显示装置可为显示终端,例如平板电脑,在另一些实施例中,该显示装置亦可为移动通信终端,例如手机终端。
一些实施例中,该显示装置包括显示面板及控制单元,该控制单元用于向显示面板传输显示信号。
上述有机电致发光显示面板,当显示面板承受跌落撞击时或多次弯曲过程中,薄膜封装层将沿着作用力方向向下弯曲,将冲击力传递至像素电极14,辅助电极16与像素电极14通过接触孔181相互搭接形成立体三维网状结构,可对像素电极14进行支撑,分散冲击应力,从而避免像素电极14发生断裂或与有机发光单元分离,进而有效避免像素电极14的损坏造成的显示不良或显示失效,提高了显示面板的抗弯曲强度和承受跌落撞击强度。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种有机电致发光显示面板,包括阵列基板和像素电极,所述阵列基板包括:
衬底基板;
薄膜晶体管,设置于所述衬底基板上;及
平坦化层,设置于所述薄膜晶体管上;
所述像素电极形成于所述平坦化层上,且通过通孔与薄膜晶体管的源极连接;
其特征在于,所述有机电致发光显示面板还包括辅助电极,所述平坦化层被构造为包覆所述辅助电极,且所述平坦化层具有连通其上表面以使所述辅助电极与对应的所述像素电极接触的多个接触孔;
所述接触孔朝向所述衬底基板的正投影,落入所述辅助电极朝向所述衬底基板的正投影的范围内,且所述辅助电极与所述通孔相互不干涉;
所述辅助电极与所述像素电极相互搭接形成立体三维网状结构。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述有机电致发光显示面板包括多个像素定义开口区域及各所述像素定义开口区域之间的间隔区域;
所述接触孔位于所述间隔区域。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,每一所述辅助电极对应于一个所述像素电极。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,每一所述辅助电极具有一镂空区域及围绕所述镂空区域的搭接区域;
所述接触孔朝向所述衬底基板的正投影,落入所述辅助电极的所述搭接区域朝向所述衬底基板的正投影。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述有机电致发光显示面板还包括阵列基板,所述平坦化层形成于所述阵列基板上;
所述接触孔朝向所述阵列基板的正投影,落入所述辅助电极朝向所述阵列基板的正投影的范围内。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述接触孔具有远离所述辅助电极的第一端及靠近所述辅助电极的第二端;
所述接触孔的径向尺寸自所述第一端至所述第二端逐渐减小。
7.根据权利要求1~6任一项所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述平坦化层包括层叠设置的第一平坦化层及第二平坦化层;
所述辅助电极形成于所述第一平坦化层上,所述第二平坦化层覆盖所述辅助电极,且形成有暴露所述辅助电极的部分的所述接触孔。
8.根据权利要求1~6任一项所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述辅助电极包括上下间隔设置于所述平坦化层中的第一辅助电极及第二辅助电极;
所述第二辅助电极通过所述接触孔与对应的所述像素电极接触;所述平坦化层还具有使所述第一辅助电极与所述第二辅助电极相互搭接的搭接孔。
9.显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~8任一项所述的有机电致发光显示面板。
10.一种有机电致发光显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一阵列基板;所述阵列基板包括衬底基板及形成于衬底基板上的薄膜晶体管;
形成辅助电极及平坦化层;所述平坦化层形成于所述薄膜晶体管上,且被构造为包覆所述辅助电极,且具有连通其上表面的多个接触孔;
在所述平坦化层上形成像素电极,并通过多个所述接触孔使所述辅助电极与对应的所述像素电极接触,且所述辅助电极和所述像素电极相互搭接形成立体三维网状结构;所述像素电极通过通孔与所述薄膜晶体管的源极连接;
其中,所述接触孔朝向所述衬底基板的正投影,落入所述辅助电极朝向所述衬底基板的正投影的范围内,且所述辅助电极与所述通孔相互不干涉。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102097448A (zh) * | 2009-12-14 | 2011-06-15 | 乐金显示有限公司 | 有机电致发光显示设备及其制造方法 |
US9018621B2 (en) * | 2013-04-23 | 2015-04-28 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same |
US20160172634A1 (en) * | 2014-12-15 | 2016-06-16 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display panel |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102017118B1 (ko) * | 2013-01-03 | 2019-09-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102472642B1 (ko) * | 2015-06-16 | 2022-11-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN204885169U (zh) * | 2015-09-16 | 2015-12-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管显示基板及显示装置 |
US10181504B2 (en) * | 2015-10-14 | 2019-01-15 | Apple Inc. | Flexible display panel with redundant bent signal lines |
CN206480628U (zh) | 2017-02-28 | 2017-09-08 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板 |
CN107425034B (zh) * | 2017-04-28 | 2019-08-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板和柔性显示装置 |
CN107394060B (zh) | 2017-09-07 | 2024-01-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及制备显示面板的方法 |
US10756292B2 (en) * | 2017-10-13 | 2020-08-25 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Method of manufacturing an OLED panel and an OLED panel |
CN107833906A (zh) * | 2017-11-08 | 2018-03-23 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种柔性显示装置及其制造方法 |
CN109037280B (zh) * | 2018-07-24 | 2021-05-18 | 云谷(固安)科技有限公司 | 有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置 |
-
2018
- 2018-07-24 CN CN201810816716.7A patent/CN109037280B/zh active Active
-
2019
- 2019-04-08 WO PCT/CN2019/081793 patent/WO2020019755A1/zh active Application Filing
-
2020
- 2020-01-13 US US16/740,492 patent/US11081663B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102097448A (zh) * | 2009-12-14 | 2011-06-15 | 乐金显示有限公司 | 有机电致发光显示设备及其制造方法 |
US9018621B2 (en) * | 2013-04-23 | 2015-04-28 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same |
US20160172634A1 (en) * | 2014-12-15 | 2016-06-16 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display panel |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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