CN110289366B - 盖板结构及其制作方法、显示面板、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种盖板结构、盖板结构的制作方法、显示面板及显示装置。该一种盖板结构可包括彩膜单元及辅助电极单元，所述彩膜单元包括封装盖板、形成在所述封装盖板上的黑矩阵和彩膜层、以及覆盖所述黑矩阵和所述彩膜层的平坦层；所述辅助电极单元包括形成在所述平坦层的与所述黑矩阵对应的位置上的第一间隔柱、覆盖所述第一间隔柱的第一辅助电极、形成在所述第一辅助电极上并与所述第一间隔柱对应的第二间隔柱、以及覆盖所述第二间隔柱的第二辅助电极，所述第二辅助电极用于与阵列基板上的顶电极接触。此方案能够提高显示面板的使用寿命。

Description

盖板结构及其制作方法、显示面板、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种盖板结构、盖板结构的制作方法、显示面板及显示装置。

背景技术

目前，为了增加OLED(Organic Light-Emitting Diode；有机发光二极管)显示面板中的电极导电性，常采用在封装盖板上制作辅助电极的方式来实现；例如，在设置有彩膜层的封装盖板上设置间隔柱(PS)，然后将辅助电极制作在间隔柱上，这样在后续封装OLED显示面板的过程中，通过间隔柱挤压封装胶材，可使形成在间隔柱上的辅助电极能够穿过封装胶材与阵列基板中的顶电极接触，从而达到降低顶电极电阻的作用。但是，由于设置在封装盖板上的彩膜层多使用有机物材料，因此，导致彩膜层在诸道工艺中容易积攒水汽，这样在封装后，水汽容易沿着PS传导至顶电极，从而对顶电极和位于顶电极下方的有机发光功能层造成侵蚀，形成黑点，影响OLED显示面板的使用寿命。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本申请的目的在于提供一种盖板结构、盖板结构的制作方法、显示面板及显示装置，能够提高显示面板的使用寿命。

本申请第一方面提供了一种盖板结构，其包括：

彩膜单元，所述彩膜单元包括封装盖板、形成在所述封装盖板上的黑矩阵和彩膜层、以及覆盖所述黑矩阵和所述彩膜层的平坦层；

辅助电极单元，所述辅助电极单元包括形成在所述平坦层的与所述黑矩阵对应的位置上的第一间隔柱、覆盖所述第一间隔柱的第一辅助电极、形成在所述第一辅助电极上并与所述第一间隔柱对应的第二间隔柱、以及覆盖所述第二间隔柱的第二辅助电极，所述第二辅助电极用于与阵列基板上的顶电极接触。

在本申请的一种示例性实施例中，

所述第一间隔柱上背离所述彩膜单元的表面形成有凹槽，所述凹槽的槽壁上覆盖有所述第一辅助电极；

所述第二间隔柱设于所述凹槽，且所述第二间隔柱的高度大于所述凹槽的槽深。

在本申请的一种示例性实施例中，

所述第二间隔柱与所述凹槽的槽壁上覆盖的所述第一辅助电极无缝贴合。

在本申请的一种示例性实施例中，

所述第一间隔柱的高度为5μm至10μm，所述凹槽的槽深为4μm至8μm，所述第二间隔柱的高度为5μm至10μm。

在本申请的一种示例性实施例中，

所述第一间隔柱和所述第二间隔柱采用光阻树脂材料制成。

在本申请的一种示例性实施例中，

所述第一辅助电极和所述第二辅助电极采用金属导电材料、铟锌氧化物或铟锡氧化物制成。

在本申请的一种示例性实施例中，

所述第一辅助电极与所述第二辅助电极的厚度之和为10nm至100nm。

在本申请的一种示例性实施例中，

所述第一间隔柱在所述封装盖板上的正投影位于所述黑矩阵的正投影内。

在本申请的一种示例性实施例中，

所述辅助电极单元设置有多个，

各所述辅助电极单元的第一辅助电极相连接，以形成整层电极结构；和/或

各所述辅助电极单元的第二辅助电极相连接，以形成整层电极结构。

本申请第二方面提供了一种盖板结构的制作方法，其包括：

形成彩膜单元，所述彩膜单元包括封装盖板、形成在所述封装盖板上的黑矩阵和彩膜层、以及覆盖所述黑矩阵和所述彩膜层的平坦层；

在所述平坦层的与所述黑矩阵对应的位置上形成第一间隔柱；

形成覆盖所述第一间隔柱的第一辅助电极；

在所述第一辅助电极上形成与所述第一间隔柱对应的第二间隔柱；

形成覆盖所述第二间隔柱的第二辅助电极，所述第二辅助电极用于与阵列基板上的顶电极接触。

在本申请的一种示例性实施例中，

在所述平坦层的与所述黑矩阵对应的位置上形成第一间隔柱之后，且在形成覆盖所述第一间隔柱的第一辅助电极之前，还包括：

在所述第一间隔柱背离所述彩膜单元的表面形成凹槽；其中，所述凹槽用于容纳所述第二间隔柱，且所述第二间隔柱的高度大于所述凹槽的槽深。

本申请第三方面提供了一种显示面板，其包括：

阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、形成在所述衬底基板上的像素界定层、形成在所述像素界定层上的有机发光功能层、以及形成在所述有机发光功能层上的顶电极；

上述任一项所述的盖板结构，所述辅助电极单元与所述像素界定层所在的位置相对，且所述第二辅助电极与所述顶电极接触。

本申请第四方面提供了一种显示装置，其包括上述所述的显示面板。

本申请提供的技术方案可以达到以下有益效果：

本申请所提供的盖板结构、盖板结构的制作方法、显示面板及显示装置，由于第二间隔柱与彩膜单元之间设置有第一间隔柱与第一辅助电极，也就是说，第一间隔柱与第一辅助电极隔断了第二间隔柱与彩膜单元之间路径，因此，在将盖板结构与阵列基板封装后，该第一间隔柱可先对彩膜单元中积攒的水汽进行一定吸收，然后通过第一辅助电极可对水汽进行一定阻挡，这样可缓解水汽漫延至第二间隔柱及第二辅助电极的与顶电极接触的部分上的情况，从而可缓解水汽传导至顶电极和有机发光功能层的情况，避免了水汽对顶电极和有机发光功能层造成侵蚀因而形成黑点的情况，提高了显示器件的使用寿命。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了相关技术中显示面板的结构示意图；

图2示出了本申请实施例所述的盖板结构的结构示意图；

图3示出了本申请实施例所述的盖板结构的制作方法的流程图；

图4示出了完成步骤S300的示意图；

图5示出了完成步骤S302的示意图；

图6示出了完成步骤S304的示意图；

图7示出了完成步骤S306的示意图；

图8示出了本申请实施例所述的显示面板的结构示意图。

附图标记：

图1中：10、封装盖板；11、彩膜层；12、间隔柱；13、辅助电极；14、辅助电极柱；15、顶电极；16、有机发光功能层。

图2、图4至图8中：20、封装盖板；21、黑矩阵；22、彩膜层；23、平坦层；24、第一间隔柱；240、凹槽；25、第一辅助电极；26、第二间隔柱；27、第二辅助电极；40、衬底基板；41、像素界定层；42、有机发光功能层；43、顶电极。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本申请将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

用语“一个”、“一”、“该”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

近年来，OLED在显示照明技术领域已经逐渐发展起来，尤其在显示行业，由于其具有高响应、高对比度、可柔性化等优点，因此被视为拥有广泛的应用前景。对于顶发射OLED显示器件，由于具有更高的开口率以及和利用微腔效应实现优化的光提取等优点，所以其备受关注。对于顶发射结构，作为出光面OLED的顶电极必须具有良好的光透过率。

目前，顶发射透明电极通常使用薄金属、ITO、IZO等材料，其中金属由于透过率较差，在经过薄化后作为大面积电极使用容易造成电阻增大，因而不利于大尺寸器件的开发。ITO、IZO等透明度高的材料，在低温制程下，其本身的导电性能弱于金属，因此在现有技术中，通常将金属作为辅助电极，并采用光刻办法在背板的非发光区域进行制作，由此提高顶电极的整体导电性，达到降低电阻的作用。但是这种光刻技术需要复杂的工艺，涉及多道掩膜板和曝光工序，而且由于其需要高温、光刻胶冲刷等工艺特点，会对OLED器件的发光层造成损害，因此，不适合进行量产。

为避免上述制作工艺中存在的问题，在相关技术中，为了增加OLED显示面板中的电极导电性，常采用在封装盖板10上制作辅助电极13的方式来实现；如图1所示，可在设置有彩膜层11的封装盖板10上设置间隔柱(PS)，然后将辅助电极13制作在间隔柱12上，这样在后续封装OLED显示面板的过程中，通过间隔柱12挤压封装胶材，可使形成在间隔柱12上的辅助电极13能够穿过封装胶材与阵列基板中的顶电极15接触，从而达到降低顶电极电阻的作用。其中，为了保证辅助电极13的功能，间隔柱12上朝向封装盖板10的一侧可制作有辅助电极柱14，该辅助电极柱14与辅助电极13连通，从而可加强导电能力。

但是，由于设置在封装盖板10上的彩膜层11多使用有机物材料，因此，导致彩膜层11在诸道工艺中容易积攒水汽，这样在封装后，水汽容易沿着间隔柱12传导至顶电极15，从而对顶电极15和位于顶电极下方的有机发光功能层16造成侵蚀，形成黑点，影响OLED显示面板的使用寿命。

为了解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种盖板结构，可用于OLED显示面板中。如图2、图4至图8中，此盖板结构包括彩膜单元和辅助电极单元，具体地：

该彩膜单元可包括封装盖板20、形成在封装盖板20上的黑矩阵21和彩膜层22、以及覆盖黑矩阵21和彩膜层22的平坦层23。应当理解的是，彩膜层22可设置有多个，多个彩膜层22中可至少包括供红色光透过的红色彩膜层、供绿色光透过的绿色彩膜层及供蓝色光透过蓝色彩膜层；其中，多个彩膜层22可间隔设置在封装盖板20上且呈阵列排布，此外，相邻彩膜层22分别覆盖黑矩阵21的边缘区域，从而暴露黑矩阵21的中间区域。而平坦层23覆盖黑矩阵21的中间区域(即：黑矩阵21上未被彩膜层22覆盖的部分)和各彩膜层22；其中，该平坦层23可以由具有弹性的树脂材料形成，例如，苯酚基树脂、聚丙烯基树脂、聚酰亚胺基树脂、丙烯基树脂等具有弹性的树脂材料；此外，该平坦层23的厚度大约为1μm至2μm，但不限于此。

辅助电极单元可包括形成在平坦层23的与黑矩阵21对应的位置上的第一间隔柱24、覆盖第一间隔柱24的第一辅助电极25、形成在第一辅助电极25上并与第一间隔柱24对应的第二间隔柱26、以及覆盖第二间隔柱26的第二辅助电极27，第二辅助电极27用于与阵列基板上的顶电极43接触；需要说明的是，第一间隔柱24在封装盖板20上的正投影应当位于黑矩阵21在封装盖板20的正投影内，这样使得该黑矩阵21可完全遮挡住第一间隔柱24，以避免用户透过彩膜单元观看到第一间隔柱24的情况。此外，该第二间隔柱26在平坦层23上的正投影位于第一间隔柱24在平坦层23上的正投影内。

举例而言，第一间隔柱24和第二间隔柱26可采用光阻树脂材料制成，这样在制作第一间隔柱24和第二间隔柱26时，可省略涂覆光刻胶的步骤，直接对光阻树脂材料进行曝光、显影、剥离、烘焙等工艺即可形成第一间隔柱24和第二间隔柱26，降低了第一间隔柱24和第二间隔柱26加工成本。而第一辅助电极25和第二辅助电极27可采用金属导电材料、铟锌氧化物(IZO)或铟锡氧化物(ITO)制成，示例地，该金属导电材料可为金属镁(Mg)、金属银(Ag)、金属钼(Mo)、金属钕(Nd)、金属铝(Al)等，但不限于此。此外，第一辅助电极25与第二辅助电极27的厚度之后为10nm至100nm，但不限于此。

应当理解的是，盖板结构可包括多个辅助电极单元，如图2所示，各辅助电极单元的第一间隔柱24可阵列排布在平坦层23上，且相邻第一间隔柱24可以间隔一个或几个亚像素进行排布；其中，各辅助电极单元的第一辅助电极25相连接以形成整层电极结构，举例而言，在加工各辅助电极单元的第一辅助电极25时，可采用整层蒸镀的方式将第一辅助电极材料蒸镀在各辅助电极单元的第一间隔柱24上，以形成覆盖各第一间隔柱24的整层电极结构，需要说明的是，在此整层电极结构覆盖各第一间隔柱24的同时，还可覆盖平坦层23，这样可提高第一辅助电极25的覆盖稳定性，避免第一辅助电极25从第一间隔柱24上脱落的情况。

而各辅助电极单元的第二间隔柱26分别形成在各辅助电极单元的第一间隔柱24上，该第二间隔柱26和第一间隔柱24通过第一辅助电极25隔离开来；其中，各辅助电极单元的第二辅助电极27相连接以形成整层电极结构，举例而言，在加工各辅助电极单元的第二辅助电极27时，可采用整层蒸镀的方式将第二辅助电极材料蒸镀在各辅助电极单元的第二间隔柱26上，以形成覆盖各第二间隔柱24的整层电极结构，需要说明的是，在此整层电极结构覆盖第二间隔柱26的同时，还覆盖第一辅助电极25，这样不仅能够提高第二辅助电极27的覆盖稳定性，从而可避免第二辅助电极27从第二间隔柱26上脱落的情况，而且由于第二辅助电极27覆盖第一辅助电极25，也就是说，第一辅助电极25与第二辅助电极27可电导通，因此，可增加第二辅助电极27的导电能力，从而可进一步达到降低顶电极43电阻的作用。

基于上述内容，由于本实施例中第二间隔柱26与彩膜单元之间设置有第一间隔柱24与第一辅助电极25，也就是说，第一间隔柱24与第一辅助电极25隔断了第二间隔柱26与彩膜单元之间路径，因此，在将盖板结构与阵列基板封装后，该第一间隔柱24可先对彩膜单元中积攒的水汽进行一定吸收，然后通过第一辅助电极25可对水汽进行一定阻挡，这样可缓解水汽漫延至第二间隔柱26及第二辅助电极27的与顶电极43接触的部分上的情况，从而可缓解水汽传导至顶电极43和有机发光功能层42的情况，避免了由于水汽对顶电极43和有机发光功能层42造成侵蚀因而形成黑点的情况，提高了显示面板的使用寿命。

在一实施例中，如图5所示，第一间隔柱24上背离彩膜单元的表面形成有凹槽240，而第二间隔柱26设于此凹槽240，需要说明的是，前述提到第一辅助电极25覆盖第一间隔柱24，由于凹槽240属于第一间隔柱24的一部分，因此可知，凹槽240的槽壁(该槽壁包括槽侧壁及槽底壁)面上也覆盖有第一辅助电极25，如图6所示，也就是说，第二间隔柱26与凹槽240的槽壁之间通过第一辅助电极25隔离开来。

本实施例中，通过将第二间隔柱26设于凹槽240，这样可避免第二间隔柱26与第一辅助电极25粘接较差而产生横向(此横向为与第二间隔柱26的高度方向垂直的方向)偏移的情况，从而可提高辅助电极单元整体的结构稳定性，并可保证第二间隔柱26上第二辅助电极27与顶电极43的接触稳定性。

可选地，第二间隔柱26与覆盖在凹槽240的槽壁上的第一辅助电极25无缝贴合，这样可进一步避免第二间隔柱26与第一辅助电极25粘接较差而产生横向偏移的情况，从而可保证第二间隔柱26上第二辅助电极27与顶电极43的接触稳定性。

此外，如图2所示，第二间隔柱26的高度大于凹槽240的槽深，换言之，第二间隔柱26上背离彩膜单元的表面凸出凹槽240的边沿(此边沿为第一间隔柱24上背离彩膜单元的表面上未形成凹槽240的部分)，以在保证第二间隔柱26上覆盖的第二辅助电极27能够与顶电极43接触的同时，还可避免第一辅助电极25与顶电极43接触的情况，从而可避免彩膜单元中的水汽漫延至顶电极43的情况，提高了显示面板的使用寿命。

示例地，第一间隔柱24的高度可为5μm至10μm；凹槽240的槽深可为4μm至8μm，第二间隔柱26的高度可为5μm至10μm，需要说明的是，此处提到的高度、槽深均指的是盖板结构的厚度方向(如图2中Y方向)上的尺寸。此外，第一间隔柱24与第二间隔柱26均为柱状结构，该第一间隔柱24的截面宽度为20μm至50μm，凹槽240的截面宽度为10μm至30μm；而第二间隔柱26的截面宽度与凹槽240的截面宽度相适配，只要能够保证第二间隔柱26与凹槽240的槽壁上的第一辅助电极25无缝贴合即可，需要说明的是，此处提到的截面宽度为图2中X方向上的尺寸。

本申请实施例还提供了一种盖板结构的制作方法，该盖板结构可为上述任一实施例所描述的盖板结构，其中，如图3所示，该盖板结构的制作方法可包括：

步骤S300、形成彩膜单元，彩膜单元包括封装盖板、形成在封装盖板上的黑矩阵和彩膜层、以及覆盖黑矩阵和彩膜层的平坦层；

步骤S302、在平坦层的与黑矩阵对应的位置上形成第一间隔柱；

步骤S304、形成覆盖第一间隔柱的第一辅助电极；

步骤S306、在第一辅助电极上形成与第一间隔柱对应的第二间隔柱；

步骤S308、形成覆盖第二间隔柱的第二辅助电极，第二辅助电极用于与阵列基板上的顶电极接触。

通过上述制作方法制作出的盖板结构，其第二间隔柱与彩膜单元之间设置有第一间隔柱与第一辅助电极，也就是说，第一间隔柱与第一辅助电极隔断了第二间隔柱与彩膜单元之间路径，因此，在将盖板结构与阵列基板封装后，该第一间隔柱可先对彩膜单元中积攒的水汽进行一定吸收，然后通过第一辅助电极可对水汽进行一定阻挡，这样可缓解水汽漫延至第二间隔柱及第二辅助电极的与顶电极接触的部分上的情况，从而可缓解水汽传导至顶电极和有机发光功能层的情况，避免了由于水汽对顶电极和有机发光功能层造成侵蚀因而形成黑点的情况，提高了显示面板的使用寿命。

下面结合附图对本申请的盖板结构的制作方法进行详细说明。

在步骤S300中，形成彩膜单元，如图4所示，彩膜单元包括封装盖板20、形成在封装盖板20上的黑矩阵21和彩膜层22、以及覆盖黑矩阵21和彩膜层22的平坦层23。示例的，可通过曝光、显影等方式在封装盖板20上依次地形成黑矩阵21及彩膜层22，然后可通过旋涂的方式在封装盖板20上形成覆盖黑矩阵21和彩膜层22的平坦层23。此平坦层23可采用苯酚基树脂、聚丙烯基树脂、聚酰亚胺基树脂、丙烯基树脂等具有弹性的树脂材料制成。当然，本实施例中的彩膜单元还可以根据实际情况设置除黑矩阵21、彩膜层22以及平坦层23之外的其他层结构。

在步骤S302中，在平坦层23的与黑矩阵21对应的位置上形成第一间隔柱24，如图5所示。具体地，该步骤S302可包括：首先，在平坦层23上形成第一光阻树脂材料层，示例地，可采用旋涂等方式将第一光阻树脂材料涂覆在平坦层23上，然后固化，以在平坦层23上形成第一光阻树脂材料层；其次，对第一光阻树脂材料层进行曝光、显影，以在平坦层23的与黑矩阵21对应的位置上形成第一间隔柱24。

在步骤S304中，形成覆盖第一间隔柱24的第一辅助电极25，如图6所示。示例地，可采用PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)的方式将第一辅助电极25材料沉积在封装盖板20上，以形成覆盖第一间隔柱24的第一辅助电极25，需要说明的是，该第一辅助电极25在覆盖第一间隔柱24的同时，还覆盖平坦层23。该第一辅助电极25可采用金属镁(Mg)、金属银(Ag)、金属钼(Mo)、金属钕(Nd)、金属铝(Al)、铟锌氧化物(IZO)或铟锡氧化物(ITO)等材料制成，但不限于此。

在步骤S306中，在第一辅助电极25上形成第二间隔柱26，该第二间隔柱26在平坦层23上的正投影可位于第一间隔柱24在平坦层23上的正投影内，如图7所示。具体地，该步骤S306可包括：首先，在第一辅助电极25上形成第二光阻树脂材料层，示例地，可采用旋涂等方式将第二光阻树脂材料涂覆在第一辅助电极25上，然后固化，以在第一辅助电极25上形成第二光阻树脂材料层；其次，对第二光阻树脂材料层进行曝光、显影，以在第一辅助电极25上形成与第一间隔柱24对应的第二间隔柱26。需要说明的是，该第二间隔柱26在平坦层23上的正投影位于第一间隔柱24在平坦层23上的正投影内。

在步骤S308中，形成覆盖第二间隔柱26的第二辅助电极27，如图2所示，该第二辅助电极27用于与阵列基板上的顶电极43接触。示例地，可采用PVD(Physical VaporDeposition，物理气相沉积)的方式将第二辅助电极27材料沉积在封装盖板20上，以形成覆盖第二间隔柱26的第二辅助电极27，需要说明的是，该第二辅助电极27在覆盖第二间隔柱26的同时，还覆盖第一辅助电极25。该第二辅助电极27可采用金属镁(Mg)、金属银(Ag)、金属钼(Mo)、金属钕(Nd)、金属铝(Al)、铟锌氧化物(IZO)或铟锡氧化物(ITO)等材料制成，但不限于此。

在一实施例中，在步骤S302之后，且在步骤S304之前，盖板结构的制作方法还可包括：

步骤S303，在第一间隔柱24背离彩膜单元的表面形成凹槽240，如图5所示；示例地，可采用曝光、显影等方式对第一间隔柱24上背离彩膜单元的表面进行处理以形成凹槽240。该凹槽240用于容纳第二间隔柱26，也就是说，后续可在此凹槽240所在的位置形成第二间隔柱26。其中，在步骤S304之后，此凹槽240的槽壁上覆盖有第一辅助电极25，也就是说，后续形成的第二间隔柱26通过第一辅助电极25与凹槽240的槽壁隔离。进一步地，后续形成的第二间隔柱26与覆盖在凹槽240的槽壁上的第一辅助电极25可无缝贴合。

本实施例中，通过在第一间隔柱24上开设凹槽240，并在此凹槽240处形成第二间隔柱26，这样可避免第二间隔柱26与第一辅助电极25粘接较差而产生横向偏移的情况，从而可保证第二间隔柱26上的第二辅助电极27与顶电极43的接触稳定性。

需要说明的是，后续形成的第二间隔柱26的高度需大于凹槽240的槽深，以在保证第二间隔柱26上覆盖的第二辅助电极27能够与顶电极43接触的同时，还可避免第一辅助电极25与顶电极43接触的情况，从而可避免彩膜单元中的水汽漫延至顶电极43的情况，提高了显示面板的使用寿命。

在一具体实施例中，在封装盖板20上可通过曝光、显影等方式依次形成黑矩阵21(BM)、彩膜层22(CF)、平坦层23；其次在平坦层23上与阵列基板的像素界定层(PDL)对应位置可形成高度约为5μm、截面宽度约为50μm的第一间隔柱24；然后在第一间隔柱24上可开设有截面宽度约为30μm，槽深约为4μm的凹槽240；并在封装盖板20上形成覆盖第一间隔柱24和平坦层23的、且厚度约为50nm的第一ITO辅助电极(即：第一辅助电极25)；最后在第一间隔柱24上凹槽240内通过曝光、刻蚀形成高度约为9μm的第二间隔柱26；并在封装盖板20上形成覆盖第二间隔柱26及第一ITO辅助电极的、且厚度约为50nm的第二ITO辅助电极(即：第二辅助电极27)，即：完成盖板结构的制作。需要说明的是，本实施例中，由第一间隔柱24、第二间隔柱26、第一辅助电极25及第二辅助电极27形成的结构可称为辅助电极单元。

本申请实施例还提供了一种显示面板，该显示面板可为OLED显示面板。如图8所示，该显示面板可包括阵列基板及前述任一实施例所描述的盖板结构。其中：

阵列基板可包括衬底基板40、形成在衬底基板40上的像素界定层41、形成在像素界定层41上的有机发光功能层42、以及形成在有机发光功能层42上的顶电极43，示例地，此顶电极43可为阴极。应当理解的是，为了简洁起见，图中未示出包括在阵列基板中的底电极(即：该底电极可为阳极)和TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)等。

而盖板结构的辅助电极单元可与像素界定层41所在的位置相对，具体指的是，辅助电极单元中第一间隔柱24和第二间隔柱26可与像素界定层41所在的位置相对。其中，在将盖板结构压合在阵列基板上时，该盖板结构中的第二辅助电极27可与阵列基板的顶电极43接触，以达到降低顶电极43电阻的作用。

本申请实施例还提供了一种显示装置，可包括前述实施例所描述的显示面板。该显示装置可为电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (11)

1.一种盖板结构，其特征在于，包括：

彩膜单元，所述彩膜单元包括封装盖板、形成在所述封装盖板上的黑矩阵和彩膜层、以及覆盖所述黑矩阵和所述彩膜层的平坦层；

辅助电极单元，所述辅助电极单元包括形成在所述平坦层的与所述黑矩阵对应的位置上的第一间隔柱、覆盖所述第一间隔柱的第一辅助电极、形成在所述第一辅助电极上并与所述第一间隔柱对应的第二间隔柱、以及覆盖所述第二间隔柱的第二辅助电极，所述第二辅助电极用于与阵列基板上的顶电极接触；

其中，所述第一间隔柱上背离所述彩膜单元的表面形成有凹槽，所述凹槽的槽壁上覆盖有所述第一辅助电极；

所述第二间隔柱设于所述凹槽，且所述第二间隔柱的高度大于所述凹槽的槽深。

2.根据权利要求1所述的盖板结构，其特征在于，所述第二间隔柱与所述凹槽的槽壁上覆盖的所述第一辅助电极无缝贴合。

3.根据权利要求2所述的盖板结构，其特征在于，

所述第一间隔柱的高度为5μm至10μm，所述凹槽的槽深为4μm至8μm，所述第二间隔柱的高度为5μm至10μm。

4.根据权利要求1所述的盖板结构，其特征在于，

所述第一间隔柱和所述第二间隔柱采用光阻树脂材料制成。

5.根据权利要求1所述的盖板结构，其特征在于，

所述第一辅助电极和所述第二辅助电极采用金属导电材料、铟锌氧化物或铟锡氧化物制成。

6.根据权利要求1所述的盖板结构，其特征在于，

所述第一辅助电极与所述第二辅助电极的厚度之和为10nm至100nm。

7.根据权利要求1所述的盖板结构，其特征在于，

所述第一间隔柱在所述封装盖板上的正投影位于所述黑矩阵的正投影内。

8.根据权利要求1所述的盖板结构，其特征在于，

所述辅助电极单元设置有多个，

各所述辅助电极单元的第一辅助电极相连接以形成整层电极结构；和/或

各所述辅助电极单元的第二辅助电极相连接以形成整层电极结构。

9.一种盖板结构的制作方法，其特征在于，包括：

形成彩膜单元，所述彩膜单元包括封装盖板、形成在所述封装盖板上的黑矩阵和彩膜层、以及覆盖所述黑矩阵和所述彩膜层的平坦层；

在所述平坦层的与所述黑矩阵对应的位置上形成第一间隔柱；

形成覆盖所述第一间隔柱的第一辅助电极；

在所述第一辅助电极上形成与所述第一间隔柱对应的第二间隔柱；

形成覆盖所述第二间隔柱的第二辅助电极，所述第二辅助电极用于与阵列基板上的顶电极接触；其中，在所述平坦层的与所述黑矩阵对应的位置上形成第一间隔柱之后，且在形成覆盖所述第一间隔柱的第一辅助电极之前，还包括：

在所述第一间隔柱背离所述彩膜单元的表面形成凹槽；

其中，所述凹槽用于容纳所述第二间隔柱，且所述第二间隔柱的高度大于所述凹槽的槽深。

10.一种显示面板，其特征在于，包括：

阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、形成在所述衬底基板上的像素界定层、形成在所述像素界定层上的有机发光功能层、以及形成在所述有机发光功能层上的顶电极；

权利要求1至8中任一项所述的盖板结构，所述辅助电极单元与所述像素界定层所在的位置相对，且所述第二辅助电极与所述顶电极接触。

11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求10所述的显示面板。

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