KR20210147123A - 표시패널 및 표시패널의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 표시패널은 제1 화소영역, 제2 화소영역 및 제3 화소영역과 제1 내지 제3 화소영역에 인접한 차광영역을 포함하는 상부 표시기판, 및 발광소자를 포함하는 하부 표시기판을 포함한다. 상부 표시기판은 베이스 기판, 각각이 차광영역에 중첩하고 베이스 기판 상에 인접하게 배치된 제1 뱅크, 제2 뱅크, 제1 뱅크와 제2 뱅크 사이에 배치되는 브릿지 뱅크, 및 적어도 일부는 브릿지 뱅크 상에 배치되는 유기물 패턴을 포함하여 신뢰성이 향상될 수 있다.
Description
본 발명은 표시패널 및 표시패널의 제조방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 뱅크를 포함하는 표시패널에 관한 것이다.
표시장치는 사용자에게 이미지를 제공할 수 있다. 표시장치의 이미지는 표시패널에서 생성된 소스광에 의해 제공될 수 있다. 표시패널은 소스광을 생성하는 제1 표시기판 및 생성된 소스광의 색을 제어하는 제2 표시기판을 포함할 수 있다.
표시장치는 제1 표시기판 및 제2 표시기판 사이의 간격을 유지하기 위해 컬럼 스페이서를 포함할 수 있다.
본 발명은 신뢰성이 향상된 표시패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 신뢰성이 향상된 표시패널을 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널은 제1 화소영역, 제2 화소영역 및 제3 화소영역과 상기 제1 내지 제3 화소영역에 인접한 차광영역을 포함하는 상부 표시기판; 및 발광소자를 포함하는 하부 표시기판; 을 포함하고, 상기 상부 표시기판은, 베이스 기판; 각각이 상기 차광영역에 중첩하고, 상기 베이스 기판 상에 인접하게 배치된 제1 뱅크, 제2 뱅크, 및 상기 제1 뱅크와 상기 제2 뱅크 사이에 배치되는 브릿지 뱅크; 및 적어도 일부는 상기 브릿지 뱅크 상에 배치되는 유기물 패턴; 을 포함한다.
일 실시예에서, 상기 유기물 패턴은 상기 제1 뱅크 및 상기 제2 뱅크 사이에 배치되고, 상기 브릿지 뱅크를 커버할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 내지 제3 화소는 제1 방향으로 나열되고, 상기 유기물 패턴 중 적어도 일부는 상기 제1 방향과 교차하는 방향 상에서 상기 브릿지 뱅크와 중첩할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 화소 영역과 중첩하고, 평면 상에서 상기 제1 뱅크에 인접하게 배치된 광제어부를 더 포함하고, 상기 광제어부는 산란입자 및 양자점 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 유기물 패턴은 상기 제1 뱅크, 상기 브릿지 뱅크, 및 상기 제2 뱅크에 중첩하고, 상기 광제어부에 비중첩할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 광제어부는 상기 발광소자에서 발광된 소스광을 투과시키거나, 상기 소스광의 파장을 변환시킬 수 있다.
일 실시예에서, 상기 유기물 패턴 중 상기 브릿지 뱅크와 중첩하는 부분은 브릿지 패턴으로 정의되고, 상기 상부 표시기판 중 하부 표시기판과 가장 인접한 부분은 상기 브릿지 패턴일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 브릿지 뱅크 및 상기 유기물 패턴 사이에 배치되는 캡핑층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 유기물 패턴은 광차단 물질 및 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 상부 표시기판은, 상기 베이스 기판 및 상기 제1 뱅크 사이에 배치되는 컬러필터층을 더 포함하고, 상기 컬러필터층은 상기 제1 화소영역에 중첩하는 제1 컬러필터, 상기 제2 화소영역에 중첩하며 상기 제1 컬러필터와 다른 파장의 광을 투과시키는 제2 컬러필터, 상기 제3 화소영역에 중첩하며 상기 제1 컬러필터 및 제2 컬러필터와 다른 파장의 광을 투과시키는 제3 컬러필터를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 베이스층 상에 배치된 제3 뱅크, 제4 뱅크 및 상기 제3 뱅크와 상기 제4 뱅크 사이에 배치된 비브릿지 뱅크를 더 포함하고, 상기 비브릿지 뱅크는 상기 유기물 패턴과 비중첩할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 베이스 기판 상에 배치된 제3 뱅크 및 제4 뱅크를 더 포함하고, 상기 제3 뱅크 및 상기 제4 뱅크 사이에 상기 유기물 패턴이 배치되고, 상기 유기물 패턴의 높이는 상기 제3 뱅크 및 상기 제4 뱅크의 높이보다 낮을 수 있다.
일 실시예에서, 상기 상부 표시기판은 제1 내지 제3 화소영역 및 비발광영역에 중첩하는 표시영역; 및 상기 표시영역에 인접한 비표시영역을 포함하고, 상기 유기물 패턴은 상기 표시영역에 중첩할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 발광소자는 블루광을 발광할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 화소 영역 내지 제3 화소 영역은 각각 레드광, 그린광, 및 블루광을 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 제조방법은 베이스 기판을 준비하는 단계; 상기 베이스 기판 상에 컬러필터층을 형성하는 단계; 상기 컬러필터층 상에 복수의 뱅크들을 형성하는 단계; 상기 복수의 뱅크들 중 일부의 뱅크들 사이에 광제어부를 형성하는 단계; 및 상기 복수의 뱅크들 중 일부의 뱅크들 사이에 유기 조성물을 제공 및 경화하여 유기물 패턴을 형성하는 단계; 를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 광제어부를 형성하는 단계 이후에, 상기 광제어부 및 상기 복수의 뱅크들 상에 캡핑층을 형성하는 단계; 를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 유기 조성물은 광차단 물질 및 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 유기물 패턴을 형성하는 단계 이후에, 하부 표시기판을 합착하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 하부 표시기판은 발광소자를 포함하고, 상기 발광소자는 블루광을 발광할 수 있다.
본 발명은 잉크 조성물의 오탄착 불량을 방지하고, 상부기판 및 하부기판 사이의 갭을 유지하는 표시패널을 제공할 수 있다.
본 발명은 신뢰성이 향상된 표시패널을 제공하는 표시패널의 제조방법을 제공할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 사시도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 표시영역의 평면도이다.
도 3b는 도 3a의 I-I'에 따른 일 실시예의 단면도이다.
도 3c는 도 3a의 Ⅱ-Ⅱ'에 따른 일 실시예의 단면도이다.
도 3d는 도 3a의 Ⅲ-Ⅲ'에 따른 일 실시예의 단면도이다.
도 3e는 도 3a의 Ⅳ-Ⅳ'에 따른 일 실시예의 단면도이다.
도 4는 도 3a의 Ⅲ-Ⅲ'에 따른 다른 실시예의 단면도이다.
도 5a는 도 3a의 Ⅱ-Ⅱ'에 따른 다른 실시예의 단면도이다.
도 5b는 도 3a의 Ⅲ-Ⅲ'에 따른 다른 실시예의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 제조방법의 순서도이다.
도 8a 내지 8h는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 제조방법의 각 단계들을 도시한 것이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 표시영역의 평면도이다.
도 3b는 도 3a의 I-I'에 따른 일 실시예의 단면도이다.
도 3c는 도 3a의 Ⅱ-Ⅱ'에 따른 일 실시예의 단면도이다.
도 3d는 도 3a의 Ⅲ-Ⅲ'에 따른 일 실시예의 단면도이다.
도 3e는 도 3a의 Ⅳ-Ⅳ'에 따른 일 실시예의 단면도이다.
도 4는 도 3a의 Ⅲ-Ⅲ'에 따른 다른 실시예의 단면도이다.
도 5a는 도 3a의 Ⅱ-Ⅱ'에 따른 다른 실시예의 단면도이다.
도 5b는 도 3a의 Ⅲ-Ⅲ'에 따른 다른 실시예의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 제조방법의 순서도이다.
도 8a 내지 8h는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 제조방법의 각 단계들을 도시한 것이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대 또는 축소하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들 의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 사시도이다. 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 단면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 평면도이다.
도 1a 내지 도 2를 참조하면, 표시패널(DP)은 액정 표시 패널(liqid crystal display panel), 전기영동 표시 패널(electrophoretic display panel), MEMS 표시 패널(microelectromechanical system display panel) 및 일렉트로웨팅 표시 패널(electrowetting display panel), 및 유기발광표시패널(organic light emitting display panel) 중 어느 하나 일 수 있고, 특별히 제한되지 않는다.
별도로 도시하지 않았으나, 표시패널(DP)은 샤시부재 또는 몰딩부재를 더 포함할 수 있고, 표시패널(DP)의 종류에 따라 백라이트 유닛을 더 포함할 수 있다.
표시패널(DP)은 하부 표시기판(100) 및 하부 표시기판(100) 마주하며 이격된 상부 표시기판(200)을 포함할 수 있다.
도 1a에 도시된 것과 같이, 표시패널(DP)은 표시면(DP-IS)을 통해 이미지를 표시할 수 있다. 도 1b에 도시된 상부 표시기판(200)의 외면(200-OS)이 표시면(DP-IS)으로 정의될 수 있다.
표시면(DP-IS)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)이 정의하는 면과 평행한다. 표시면(DP-IS)은 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시영역(DA)에는 화소(PX)가 배치되고, 비표시영역(NDA)에는 화소(PX)가 미배치된다. 비표시영역(NDA)은 표시면(DP-IS)의 테두리를 따라 정의된다. 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)을 에워쌀 수 있다.
표시면(DP-IS)의 법선 방향, 즉 표시패널(DP)의 두께 방향은 제3 방향(DR3)이 지시한다. 이하에서 설명되는 각 층들 또는 유닛들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향(DR3)에 의해 구분된다. 그러나, 본 실시예에서 도시된 제1 내지 제3 방향들(DR1, DR2, DR3)은 예시에 불과하다.
본 발명의 일 실시예에서 평면형 표시면(DP-IS)을 구비한 표시패널(DP)을 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 표시패널(DP)은 곡면형 표시면 또는 입체형 표시면을 포함할 수도 있다. 입체형 표시면은 서로 다른 방향을 지시하는 복수 개의 표시영역들을 포함할 수도 있다.
도 2는 신호라인들(GL1~GLn, DL1~DLm) 및 화소들(PX11~PXnm)의 평면상 배치관계를 도시하였다. 신호라인들(GL1~GLn, DL1~DLm)은 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn), 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm)을 포함할 수 있다.
화소들(PX11~PXnm) 각각은 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn) 중 대응하는 게이트 라인과 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm) 중 대응하는 데이터 라인에 연결된다. 화소들(PX11~PXnm) 각각은 화소 구동회로 및 표시소자를 포함할 수 있다. 화소 구동회로의 구성에 따라 더 많은 종류의 신호라인이 표시패널(DP)에 구비될 수 있다.
화소들(PX11~PXnm)은 매트릭스 형태로 배치될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 화소들(PX11~PXnm)은 펜타일 형태로 배치될 수 있다. 화소들(PX11~PXnm)은 다이아몬드 형태로 배치될 수 있다.
게이트 구동회로 등은 비표시영역(NDA)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 게이트 구동회로는 OSG(oxide silicon gate driver circuit) 또는 ASG(amorphose silicon gate driver circuit) 공정을 통해 표시패널(DP)에 집적화될 수 있다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 표시영역(DA)의 평면도이다. 도 3b는 도 3a의 I-I'에 따른 일 실시예의 단면도이다. 도 3c는 도 3a의 Ⅱ-Ⅱ'에 따른 일 실시예의 단면도이다. 도 3d는 도 3a의 Ⅲ-Ⅲ'에 따른 일 실시예의 단면도이다. 도 3e는 도 3a의 Ⅳ-Ⅳ'에 따른 일 실시예의 단면도이다.
도 3a는 도 1a에 도시된 표시영역(DA)의 일부분을 확대 도시한 것이다. 3종의 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 중심으로 도시하였다. 도 3a에 도시된 3종의 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 표시영역(DA) 전체에 반복적으로 배치될 수 있다.
제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 주변에는 차광영역(NPXA)이 배치된다. 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 및 차광영역(NPXA)은 실질적으로 상부 표시기판(200)에 정의될 수 있다.
본 실시예에서 평면상 2개 이상의 면적이 상이한 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 서로 동일한 면적을 갖거나, 서로 상이한 면적을 가질 수 있다. 평면상 다각형상을 가지는 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 평면상에서 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 둥근 코너 영역을 갖는 직사각형상의 또는 둥근 코너 영역을 갖는 정다각형상을 가질 수도 있다.
사용자에게 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 중 하나는 제1 색광을 제공하고, 다른 하나는 제1 색광과 다른 제2 색광을 제공하고, 남은 다른 하나는 제1 색광 및 제2 색광과 다른 제3 색광을 제공할 수 있다.
본 실시예에서 제1 화소영역(PXA-R)은 레드광을 제공하고, 제2 화소영역(PXA-G)은 그린광을 제공하고, 제3 화소영역(PXA-B)은 블루광을 제공할 수 있다. 본 실시예에서 소스광은 제3 색광인 블루광일 수 있다. 소스광은 백라이트 유닛과 같은 광원에서 생성되거나, 발광 다이오드와 같은 표시소자에서 생성될 수 있다.
차광영역(NPXA)은 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 경계를 설정하여 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 사이의 혼색을 방지할 수 있다. 또한, 차광영역(NPXA)은 소스광이 사용자에 제공되지 않도록 소스광을 차단할 수 있다.
도 3b는 제3 화소영역(PXA-B)에 대응하는 표시패널(DP)의 단면을 도시하였다. 도 3b는 구동 트랜지스터(T-D)와 발광소자(OLED)에 대응하는 단면을 예시적으로 도시하였다.
도 3b를 참조하면, 구동 트랜지스터(T-D)와 발광소자(OLED)에 대응하는 단면을 예시적으로 도시하였다. 상부 표시기판(200)과 하부 표시기판(100)은 소정의 갭(GP)을 형성할 수 있다.
갭(GP)은 상부 표시기판(200)의 컬럼 스페이서(CS, 도 3c 참조)에 의해 유지될 수 있다. 컬럼 스페이서(CS)에 대해서는 뒤에서 자세히 설명한다. 도 3b에서는 갭(GP)이 공기층인 것을 예시적으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 갭(GP)에는 유기 접착층 또는 무기 접착층이 충전될 수 도 있다
도 3b에 도시된 것과 같이, 하부 표시기판(100)은 제1 베이스 기판(BS1), 제1 베이스 기판(BS1) 상에 배치된 회로 소자층(DP-CL), 회로 소자층(DP-CL) 상에 배치된 표시 소자층(DP-OLED), 및 표시 소자층(DP-OLED)을 포함할 수 있다.
제1 베이스 기판(BS1)은 합성 수지기판 또는 유리 기판을 포함할 수 있다. 회로 소자층(DP-CL)은 적어도 하나의 절연층과 회로 소자를 포함할 수 있다. 회로 소자는 신호라인, 화소의 구동회로 등을 포함할 수 있다. 코팅, 증착 등에 의한 절연층, 반도체층 및 도전층 형성공정과 포토리소그래피 공정에 의한 절연층, 반도체층 및 도전층의 패터닝 공정을 통해 회로 소자층(DP-CL)이 형성될 수 있다.
본 실시예에서 회로 소자층(DP-CL)은 버퍼막(BFL), 제1 절연층(10), 제2 절연층(20), 제3 절연층(30)을 포함할 수 있다. 제1 절연층(10) 및 제2 절연층(20)은 무기막이고, 제3 절연층(30)은 유기막일 수 있다.
도 3b에는 구동 트랜지스터(T-D)를 구성하는 액티브(A-D), 소스(S-D), 드레인(D-D), 게이트(G-D)의 배치관계가 예시적으로 도시되었다. 액티브(A-D), 소스(S-D), 드레인(D-D)은 반도체 유기물 패턴의 도핑 농도 또는 전도성에 따라 구분되는 영역일 수 있다.
표시 소자층(DP-OLED)은 발광소자(OLED)를 포함한다. 발광소자(OLED)는 상술한 소스광을 생성할 수 있다. 발광소자(OLED)는 제1 전극(AE), 제2 전극(CE), 및 이들 사이에 배치된 발광층(EML)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 발광소자(OLED)는 유기발광 다이오드를 포함할 수 있다. 표시 소자층(DP-OLED)은 화소 정의막(PDL)을 포함한다. 예컨대, 화소 정의막(PDL)은 유기층일 수 있다
제3 절연층(30) 상에 제1 전극(AE)이 배치될 수 있다. 도 3b에서 제1 전극(AE)과 구동 트랜지스터(T-D)의 연결구조는 미도시하였으나, 제1 전극(AE)은 구동 트랜지스터(T-D)와 직접 또는 간접적으로 연결될 수 있다. 화소 정의막(PDL)에는 개구부(OP)가 정의될 수 있다. 화소 정의막(PDL)의 개구부(OP)는 제1 전극(AE)의 적어도 일부분을 노출시킬 수 있다. 화소 정의막(PDL)에 의해 노출된 제1 전극(AE)은 발광영역일 수 있다.
정공 제어층(HCL), 발광층(EML), 전자 제어층(ECL)은 제1 전극(AE)과 화소 정의막(PDL) 상에 공통으로 배치될 수 있다. 정공 제어층(HCL), 발광층(EML), 전자 제어층(ECL)은 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B, 도 3a 참고)에 공통적으로 배치될 수 있다.
정공 제어층(HCL)은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광층(EML)은 블루광을 생성할 수 있다. 블루광은 410nm 내지 480 nm 파장을 포함할 수 있다. 블루광의 발광 스펙트럼은 440nm 내지 460 nm 내에서 최대 피크를 가질 수 있다. 전자 제어층(ECL)은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광층(EML)은 텐덤 구조를 갖거나 단층 구조를 가질 수 있다.
전자 제어층(ECL) 상에 제2 전극(CE)이 배치될 수 있다. 제2 전극(CE)은 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B, 도 3a 참고)에 공통적으로 배치될 수 있다. 제2 전극(CE)은 제1 전극(AE)보다 큰 면적을 갖는다.
제2 전극(CE) 상에 제2 전극(CE)을 밀봉하는 박막 봉지층(TFE)이 배치될 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다. 구체적으로, 무기층/유기층이 반복되는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 무기층/유기층/무기층의 밀봉 구조를 가질 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 출광효율을 향상시키기 위한 굴절률 제어층을 더 포함할 수 있다.
별도로 도시하지 않았으나, 하부 표시기판(100)은 도 3a에 도시된 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 대응하는 제1 내지 제3 표시소자들을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 표시소자들의 적층구조는 서로 동일하고, 도 3b에 도시된 발광소자(OLED)와 동일한 적층구조를 가질 수 있다.
도 3b에 도시된 것과 같이, 상부 표시기판(200)은 제2 베이스 기판(BS2), 제2 베이스 기판(BS2) 하면 상에 배치된 컬러필터층(CFL) 및 광제어층(WCL)을 포함할 수 있다.
제2 베이스 기판(BS2)은 합성 수지기판 또는 유리 기판을 포함할 수 있다. 컬러필터층(CFL)은 제2 베이스 기판(BS2)의 하면 상에 배치된 분할 패턴(BM), 제1 화소영역(PXA-R)에 중첩하는 제1 컬러필터(CF-R), 제2 화소영역(PXA-G)에 중첩하는 제2 컬러필터(CF-G), 및 제3 화소영역(PXA-B)에 중첩하는 제3 컬러필터(CF-B)를 포함할 수 있다.
분할패턴(BM)은 차광영역(NPXA)에 중첩하게 제2 베이스 기판(BS2) 상에 배치된다. 실절적으로 분할패턴(BM)에는 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각에 대응하는 개구부(BM-OP)가 정의된다. 본 실시예에서 제3 화소영역(PXA-B)은 분할패턴(BM)의 개구부(BM-OP)에 대응하게 정의되었다.
제1 컬러필터(CF-R), 제2 컬러필터(CF-G), 및 제3 컬러필터(CF-B)는 서로 다른 파장을 투과시킨다. 본 실시예에서 제1 컬러필터(CF-R)는 레드 컬러필터이고, 제2 컬러필터(CF-G)는 그린 컬러필터이고, 제3 컬러필터(CF-B)는 블루 컬러필터일 수 있다.
제1 컬러필터(CF-R), 제2 컬러필터(CF-G), 및 제3 컬러필터(CF-B)는 베이스 수지 및 베이스 수지에 분산된 염료 및/또는 안료를 포함한다. 제1 컬러필터(CF-R), 제2 컬러필터(CF-G), 및 제3 컬러필터(CF-B)는 서로 다른 종류의 염료/안료를 포함할 수 있다.
광제어층(WCL)은 복수의 뱅크들(BK), 제1 광제어부(CCF-R), 제2 광제어부(CCF-G) 및 제3 광제어부(CCF-B)를 포함할수 있다. 제1 내지 제3 광제어부(CCF-R, CCF-G, CCF-B)는 복수의 뱅크들(BK) 사이에 배치되는 것일 수 있다.
제1 광제어부(CCF-R) 및 제2 광제어부(CCF-G) 각각은 소스광을 흡수하여 소스광과 다른 컬러의 광을 생성할 수 있다. 제1 광제어부(CCF-R) 및 제2 광제어부(CCF-G)는 광변환층일 수 있다. 제1 광제어부(CCF-R)는 제1 컬러필터(CF-R)를 투과할 수 있는 광을 생성하고, 제2 광제어부(CCF-G)는 제2 컬러필터(CF-G)를 투과할 수 있는 광을 생성한다.
제1 광제어부 내지 제3 광제어부(CCF-R, CCF-G, CCF-B) 각각은 베이스 수지, 산란입자, 및 양자점들을 포함할 수 있다. 산란입자는 광제어부로 입사한 소스광을 산란시키는 것일 수 있다.
제1 광제어부(CCF-R) 및 제2 광제어부(CCF-G) 각각은 베이스 수지 및 베이스 수지에 혼합된(또는 분산된) 양자점들(QD1, QD2)을 포함할 수 있다. 베이스 수지는 양자점들(QD1, QD2)이 분산되는 매질로서, 일반적으로 바인더로 지칭될 수 있는 다양한 수지 조성물로 이루어질 수 있다. 다만, 그에 제한되는 것은 아니며, 본 명세서에서 양자점들을 분산 배치시킬 수 있는 매질이면 그 명칭, 추가적인 다른 기능, 구성 물질 등에 상관없이 베이스 수지로 지칭될 수 있다. 베이스 수지는 고분자 수지일 수 있다. 예를 들어, 베이스 수지는 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지, 에폭시계 수지 등일 수 있다. 베이스 수지는 투명 수지일 수 있다.
양자점들(QD1, QD2)은 입사되는 광의 파장을 변환하는 입자일 수 있다. 양자점들은 수 나노미터 크기의 결정 구조를 가진 물질로, 수백에서 수천 개 정도의 원자로 구성되며, 작은 크기로 인해 에너지 밴드 갭(band gap)이 커지는 양자 구속(quantum confinement) 효과를 나타낸다. 양자점들에 밴드 갭보다 에너지가 높은 파장의 빛이 입사하는 경우, 양자점들은 그 빛을 흡수하여 들뜬 상태로 되고, 특정 파장의 광을 방출하면서 바닥 상태로 떨어진다. 방출된 파장의 빛은 밴드 갭에 해당되는 값을 갖는다. 양자점들은 그 크기와 조성 등을 조절하면 양자 구속 효과에 의한 발광 특성을 조절할 수 있다.
제1 광제어부(CCF-R)는 제1 양자점을 포함하고, 제2 광제어부(CCF-G)는 제1 양자점과 다른 제2 양자점을 포함할 수 있다. 제1 양자점은 블루광을 흡수하여 레드광을 생성할 수 있다. 제2 양자점은 블루광을 흡수하여 그린광을 생성할 수 있다.
양자점들은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다.
양자점들은 코어(core)와 코어를 둘러싸는 쉘(shell)을 포함하는 코어쉘 구조일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
양자점들은 나노미터 스케일의 크기를 갖는 입자일 수 있다. 양자점들은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점들을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 양자점들의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노 와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.
제3 광제어부(CCF-B)는 소스광을 투과시킬 수 있다. 일 실시예에서, 제3 광제어부(CCF-B)는 블루광을 투과시키는 것일 수 있다. 제3 광제어부(CCF-B)는 베이스 수지를 포함하고, 산란입자를 더 포함할 수 있다. 산란입자는 티타늄옥사이드(TiO2) 입자 또는 실리카계 나노 입자 등일 수 있다.
복수의 뱅크(BK)들은 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발액성 유기물을 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 복수의 뱅크(BK)들은 무기물을 더 포함할 수 있다.
상부 표시기판(200)은 적어도 하나의 캡핑층을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 캡핑층(ENL1)은 제1 컬러필터(CF-R), 제2 컬러필터(CF-G), 제3 컬러필터(CF-B), 및 제4 컬러필터(CF-Y)를 커버할 수 있다. 제1 캡핑층(ENL1)은 무기층을 포함할 수 있다. 제1 캡핑층(ENL1)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 또는 실리콘 옥시 나이트라이드 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 제1 캡핑층(ENL1)은 평탄한 하면을 제공하는 유기층을 더 포함할 수도 있다.
제2 캡핑층(ENL2)은 제1 내지 제3 광제어부(CCF-R, CCF-G, CCF-B)를 커버할 수 있다. 제2 캡핑층(ENL2)은 무기층을 포함할 수 있다. 제2 캡핑층(ENL2)은 평탄한 하면을 제공하기 위해 무기층 하측에 배치된 유기층을 더 포함할 수도 있다.
도 3c 내지 도 3e는 본 발명의 일 실시예에 따른 상부 표시기판(200)의 단면도이다. 이하, 도 1 내지 도 3b에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 3c는 복수의 제3 화소영역(PXA-B) 및 복수의 제3 화소영역(PXA-B)의 사이에 배치된 일 실시예의 차광영역(NPXA)을 도시한 것이다.
일 실시예에서, 복수의 뱅크들(BK)은 차광영역(NPXA)에 중첩하고, 제2 베이스 기판(BS2) 상에 배치된 제1 뱅크(BK1), 제2 뱅크(BK2), 및 브릿지 뱅크(BK-C)를 포함할 수 있다. 제1 뱅크(BK1), 제2 뱅크(BK2), 및 브릿지 뱅크(BK-C) 각각은 서로 인접하게 배치된다. 제1 뱅크(BK1), 제2 뱅크(BK2), 및 브릿지 뱅크(BK-C) 각각의 사이에는 소정의 공간(SP)이 정의될 수 있다.
일 실시예에서, 제2 베이스기판(BS2) 상에는 컬러필터층(CFL)이 배치될 수 있다. 제1 뱅크(BK1), 제2 뱅크(BK2), 및 브릿지 뱅크(BK-C)는 컬러필터층(CFL) 상에 배치되는 것일 수 있다.
브릿지 뱅크(BK-C)는 제1 뱅크(BK1) 및 제2 뱅크(BK2) 사이에 배치된다. 일 실시예에서, 브릿지 뱅크(BK-C)는 제1 뱅크(BK1) 및 제2 뱅크(BK2)의 중앙에 배치될 수 있다. 브릿지 뱅크(BK-C) 상에는 유기물을 포함하는 유기물 패턴(PN)이 배치된다. 유기물 패턴(PN)은 광차단 물질 및 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 유기물 패턴(PN)은 차광성, 절연성, 및 탄성력을 가지는 것일 수 있다.
일 실시예에서, 제1 뱅크(BK1), 제2 뱅크(BK2), 및 브릿지 뱅크(BK-C) 상에 제2 캡핑층(ENL2)이 배치될 수 있다. 유기물 패턴(PN)은 제2 캡핑층(ENL2)에 접촉하는 것일 수 있다.
유기물 패턴(PN)은 제1 뱅크(BK1) 및 제2 뱅크(BK2) 사이에 배치되고, 적어도 일부가 브릿지 뱅크(BK-C) 상에 배치된다. 유기물 패턴(PN)은 브릿지 뱅크(BK-C)를 커버하는 것일 수 있다. 이하, 평면 상에서 브릿지 뱅크(BK-C)와 중첩하는 유기물 패턴(PN)은 브릿지 패턴(CS-PN)으로 정의한다.
브릿지 뱅크(BK-C) 및 브릿지 패턴(CS-PN)은 상부 표시기판(200) 및 하부 표시기판(100) 사이의 갭(GP, 도 3a)을 유지시키는 컬럼 스페이서(CS)일 수 있다.
일 실시예에서, 컬럼 스페이서(CS)는 복수의 화소들(PX11~PXnm, 도 2 참조) 사이마다 배치되거나, 복수의 화소들(PX11~PXnm, 도 2 참조) 사이에 주기를 가지고 배치될 수 있다. 예를 들어 컬럼 스페이서(CS)는 제1 방향(DR1)을 따라 4개의 화소(PX11~PXnm, 도 2 참조)마다 배치되고, 제2 방향(DR2)을 따라 3개의 화소(PX11~PXnm, 도 2 참조)마다 배치될 수 있다. 다만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니며, 유기물 패턴(PN)이 배치되는 주기는 제한없이 설정될 수 있다.
컬럼 스페이서(CS)가 주기적으로 배치될 경우, 일부 차광영역(NPXA)에는 컬럼 스페이서(CS)가 배치되지 않을 수 있다.
도 3d는 컬럼 스페이서가 배치되지 않은 일 실시예의 차광영역(NPXA)을 도시한 것이다. 일 실시예에서, 복수의 뱅크들(BK)은 차광영역(NPXA)에 중첩하게 배치된 제3 뱅크(BK3), 제4 뱅크(BK4), 및 비브릿지 뱅크(BK-N)를 포함할 수 있다. 제3 뱅크(BK3), 제4 뱅크(BK4), 및 비브릿지 뱅크(BK-N)는 서로 인접하게 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 제2 베이스기판(BS2) 상에는 컬러필터층(CFL)이 배치될 수 있다. 제3 뱅크(BK3), 제4 뱅크(BK4), 및 비브릿지 뱅크(BK-N)는 컬러필터층(CFL) 상에 배치되는 것일 수 있다.
비브릿지 뱅크(BK-N)는 제3 뱅크(BK3) 및 제4 뱅크(BK4) 사이에 배치된다. 일 실시예에서, 비브릿지 뱅크(BK-N)는 제3 뱅크(BK3) 및 제4 뱅크(BK4)의 중앙에 배치될 수 있다. 비브릿지 뱅크(BK-N) 상에는 유기물 패턴이 배치되지 않을 수 있다.
비브릿지 뱅크(BK-N)는 상면에 유기물 패턴이 배치되지 않고, 도 3c에서 전술한 브릿지 뱅크(BK-C)와 달리 컬럼 스페이서를 형성하지 않을 수 있다.
제3 뱅크(BK3), 제4 뱅크(BK4), 및 비브릿지 뱅크(BK-N) 상에는 제2 캡핑층(ENL2)이 배치될 수 있다.
도 3e는 컬럼 스페이서(CS)의 배치 주기에 따라, 컬럼 스페이서(CS)가 차광영역(NPXA)에 중첩하게 배치된 것을 도시한 것이다.
도 3c 내지 도 3e의 표시영역(DA)을 참조하면, 일 실시예에서 브릿지 뱅크(BK-C)는 복수의 화소들(PX11~PXnm, 도 2a) 사이마다 배치될 수 있다. 유기물 패턴(PN)은 제1 방향(DR1)을 따라 4개의 화소마다 배치되고, 제2 방향(DR2)을 따라 3개의 화소마다 배치될 수 있다. 유기물 패턴(PN)이 배치되는 주기에 따라, 브릿지 뱅크(BK-C)와 유기물 패턴(PN)이 모두 배치되는 부분은 컬럼 스페이서(CS)의 역할을 할 수 있다.
도 4는 도 3a의 Ⅲ-Ⅲ'에 따른 다른 실시예의 단면도이다. 이하, 도 1 내지 도 3e에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 4는 컬럼 스페이서가 배치되지 않은 차광영역(NPXA)의 다른 실시예를 도시한 것이다. 일 실시예에서, 복수의 뱅크들(BK)은 차광영역(NPXA)에 중첩하게 배치된 제3 뱅크(BK3), 제4 뱅크(BK4), 및 유기물 패턴(PN')을 포함할 수 있다. 제3 뱅크(BK3) 및 제4 뱅크(BK4)는 서로 인접하게 배치될 수 있다.
유기물 패턴(PN')은 제3 뱅크(BK3) 및 제4 뱅크(BK4) 사이에 배치되고, 제2 베이스 기판(BS2) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 유기물 패턴(PN')은 제3 뱅크(BK3) 및 제4 뱅크(BK4) 사이에 배치되고, 제2 베이스 기판(BS2) 상에 배치된 제2 캡핑층(ENL2) 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 유기물 패턴(PN')의 높이(H1)는 제3 뱅크(BK3)의 높이(H2) 및 제4 뱅크(BK4)의 높이(H3)보다 작을 수 있다. 본 명세서에서 높이는 제2 베이스 기판(BS2)의 하면을 기준으로 측정한 길이이다.
도 4에 도시된 유기물 패턴(PN')의 높이(H1)가 제3 뱅크(BK3)의 높이(H2) 및 제4 뱅크(BK4)의 높이(H3)보다 작기 때문에, 유기물 패턴(PN')은 도 3c에 도시된 유기물 패턴(PN)과 달리, 컬럼 스페이서를 형성하지 않을 수 있다.
도 4를 참조하면, 일 실시예에서, 유기물 패턴(PN)은 복수의 화소들(PX11~PXnm, 도 2a) 사이마다 배치될 수 있다. 브릿지 뱅크(BK-C)는 주기를 가지고 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 방향(DR1)을 따라 4개의 화소마다 배치되고, 제2 방향(DR2)을 따라 3개의 화소마다 배치될 수 있다. 브릿지 뱅크(BK-C)가 배치되는 주기에 따라, 브릿지 뱅크(BK-C)와 유기물 패턴(PN)이 모두 배치되는 부분은 컬럼 스페이서(CS, 도 3c 참조)의 역할을 할 수 있다. 또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 브릿지 뱅크(BK-C)와 유기물 패턴(PN) 중 어느 하나가 배치되지 않는 차광영역에는 컬럼 스페이서가 형성되지 않을 수 있다.
도 5a는 도 3a의 Ⅱ-Ⅱ'에 따른 다른 실시예의 단면도이다. 도 5b는 도 3a의 Ⅲ-Ⅲ'에 따른 다른 실시예의 단면도이다. 도 5a를 참조하면, 일 실시예에서 유기물 패턴(PN)은 제1 뱅크(BK1), 브릿지 뱅크(BK-C) 및 제2 뱅크(BK2)에 중첩하게 배치하고, 광제어부(CCF-B)에 비중첩하게 배치될 수 있다. 브릿지 뱅크(BK-C) 및 브릿지 패턴(CS-PN)은 컬럼 스페이서(CS)를 구성할 수 있다.
일 실시예에서 유기물 패턴(PN)은 제1 뱅크(BK1), 브릿지 뱅크(BK-C) 및 제2 뱅크(BK2) 사이에 정의된 소정의 공간(SP, 도 3c 참조)을 모두 채울 수 있다. 유기물 패턴(PN)이 소정의 공간(SP, 도 3c 참조)을 모두 채움으로써, 상부 표시기판(200) 및 하부 표시기판(100)의 합착 과정에서 기포가 발생하는 것을 방지하고, 상부 표시기판(200)의 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 일 실시예에서 유기물 패턴(PN')은 제3 뱅크(BK3) 및 제4 뱅크(BK4) 사이에 정의된 소정의 공간(SP, 도 3c 참조)을 모두 채울 수 있다. 유기물 패턴(PN')이 소정의 공간(SP, 도 3c 참조)을 모두 채움으로써, 상부 표시기판(200) 및 하부 표시기판(100)의 합착 과정에서 기포가 발생하는 것을 방지하고, 상부 표시기판(200)의 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 단면도이다. 일 실시예의 표시패널(DP)은 하부 표시기판(100) 및 상부 표시기판(200)을 포함하고, 상부 표시기판(200)이 브릿지 뱅크(BK-C) 및 브릿지 패턴(CS-PN)을 포함하는 컬럼 스페이서(CS)를 포함함에 따라, 하부 표시기판(100) 및 상부 표시기판(200) 사이의 간격을 유지할 수 있다.
일 실시예의 표시패널에서는, 하부 표시기판과 상부 표시기판 사이의 갭을 유지하는 컬럼 스페이서를 별도로 형성하지 않고, 차광영역에 배치되는 브릿지 뱅크와 브릿지 뱅크 상에 배치되는 브릿지 패턴이 컬럼 스페이서의 기능을 수행할 수 있다. 이를 통해, 차광영역에 배치된 브릿지 뱅크와 다른 뱅크들 사이에 형성된 소정의 공간을 통해 잉크젯 공정에서의 오탄착 불량을 방지하면서도, 하부 표시기판과 상부 표시기판 사이의 갭을 유지할 수 있어, 표시패널의 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 제조방법(S10)의 순서도이다. 도 8a 내지 8h는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 제조방법의 각 단계들을 도시한 것이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 제조방법(S10)은 베이스 기판을 준비하는 단계(S100), 베이스 기판 상에 컬러필터층을 형성하는 단계(S200), 컬러필터층 상에 복수의 뱅크들을 형성하는 단계(S300), 복수의 뱅크들 중 일부의 뱅크들 사이에 광제어부를 형성하는 단계(S400), 및 복수의 뱅크들 중 일부의 뱅크들 사이에 유기 조성물을 제공 및 경화하여 유기물 패턴을 형성하는 단계(S500)를 포함한다.
도 7, 도 8a 및 도 8b를 함께 참조하면, 베이스 기판(BS)을 준비하는 단계(S100)는 합성 수지기판 또는 유리 기판을 준비하는 단계일 수 있다. 도시하지는 않았으나, 베이스 기판(BS) 상에 컬러필터층(CFL)을 형성하는 단계(S200)는 베이스 기판(BS) 상에 분할 패턴(BM, 도 3b 참조), 제1 컬러필터(CF-R, 도 3b 참조), 제2 컬러필터(CF-G, 도 3b 참조) 및 제3 컬러필터(CF-B, 도 3b 참조)를 형성하는 단계일 수 있다.
도 7 및 도 8c를 함께 참조하면, 컬러필터층(CFL) 상에 복수의 뱅크들(BK)을 형성하는 단계(S300)는 컬러필터층(CFL) 상에 제11 뱅크, 제12 뱅크, 제13 뱅크, 제14 뱅크, 및 제 15 뱅크(BK11, BK12, BK13, BK14, BK15)를 형성하는 것일 수 있다.
도 7 및 도 8d를 함께 참조하면, 복수의 뱅크들(BK) 중 일부의 뱅크들 사이에 광제어부(CCF1, CCF2)를 형성하는 단계(S400)는 제11 뱅크(BK11) 및 제12 뱅크(BK12) 사이에 광제어부(CCF1)를 형성하는 것일 수 있다. 또한, 제14 뱅크(BK14), 및 제15 뱅크(BK15) 사이에 광제어부(CCF2)를 형성하는 것일 수 있다. 광제어부(CCF1, CCF2)는 베이스 수지 및 기능성 물질(FN)을 포함할 수 있다. 기능성 물질(FN)은 산란입자 및 양자점 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 광제어부(CCF1, CCF2)는 잉크젯 방식으로 제공된 잉크 조성물에 자외선(UV)을 조사하여 경화시킨 것일 수 있다.
도 7 및 도 8e를 함께 참조하면, 광제어부(CCF1, CCF2)를 형성하는 단계 이후에, 광제어부(CCF1, CCF2) 및 복수의 뱅크들(BK) 상에 캡핑층(ENL)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
캡핑층(ENL)은 광제어부(CCF1, CCF2)를 외부의 산소 및/또는 수분으로부터 보호하는 것일 수 있다.
도 7, 도 8f, 및 도 8g를 함께 참조하면, 복수의 뱅크들(BK) 중 일부의 뱅크들 사이에 유기 조성물(OS)을 제공 및 경화하여 유기물 패턴(PN)을 형성하는 단계(S500)는 제12 뱅크, 제13 뱅크, 및 제14 뱅크(BK12, BK13, BK14)를 덮는 유기 조성물(OS)을 형성하는 것일 수 있다. 유기 조성물(OS)은 제12 뱅크, 제13 뱅크, 및 제14 뱅크(BK12, BK13, BK14)에 중첩하고, 광제어부(CCF1, CCF2)에는 비중첩할 수 있다.
유기 조성물(OS)은 광차단 물질 및 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니며 유기 조성물(OS)은 경화 개시제를 더 포함할 수 있다. 유기 조성물(OS)은 자외선(UV)을 조사하여 경화시킬 수 있다. 유기 조성물(OS)이 경화되면, 유기물 패턴(PN)이 형성될 수 있다. 유기물 패턴(PN)은 제12 뱅크, 제13 뱅크, 및 제14 뱅크(BK12, BK13, BK14)에 중첩하고, 광제어부(CCF1, CCF2)에는 비중첩할 수 있다.
제13 뱅크(BK13)는 전술한 브릿지 뱅크(BK-C)일 수 있다. 제13 뱅크(BK13)에 중첩한 유기물 패턴(PN)은 전술한 브릿지 패턴(CS-PN, 도 3c 참조)일 수 있다. 유기 조성물(OS)을 경화하여, 제13 뱅크(BK13) 및 브릿지 패턴(CS-PN)을 포함하는 컬럼 스페이서(CS)를 형성할 수 있다.
도 7 및 도 8h를 함께 참조하면, 유기물 패턴(PN)을 형성하는 단계(S500) 이후에 하부 표시기판(100)을 합착하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상부 표시기판(200) 및 하부 표시기판(100) 사이에는 접착층(FL)이 배치될 수 있다. 접착층(FL)은 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다.
컬럼 스페이서(CS)는 절연성 및 탄성력을 가짐에 따라, 상부 표시기판(200) 및 하부 표시기판(100) 사이의 간격을 유지시킬 수 있다. 하부 표시기판(100)은 도 3b에서 전술한 하부 표시기판(100)과 동일한 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 제조방법에 의하면, 브릿지 뱅크 상에 유기물 패턴을 제공하여 브릿지 뱅크 및 브릿지 패턴이 컬럼 스페이서의 기능을 수행하도록 할 수 있다. 컬럼 스페이서를 별도의 영역에 형성하지 않아 표시패널에 공간이 확보될 수 있으며, 확보된 공간으로 잉크의 오탄착 불량 등을 방지할 수 있다. 일 실시예의 표시패널은 상부 표시기판 및 하부 표시기판 사이의 갭을 유지하면서, 신뢰성이 향상될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DP: 표시패널
BK: 뱅크
BK-C: 브릿지 뱅크
PN: 유기물 패턴
CS-PN: 브릿지 패턴
CS: 컬럼 스페이서
BK: 뱅크
BK-C: 브릿지 뱅크
PN: 유기물 패턴
CS-PN: 브릿지 패턴
CS: 컬럼 스페이서
Claims (20)
- 제1 화소영역, 제2 화소영역 및 제3 화소영역과 상기 제1 내지 제3 화소영역에 인접한 차광영역을 포함하는 상부 표시기판; 및
발광소자를 포함하는 하부 표시기판; 을 포함하고,
상기 상부 표시기판은,
베이스 기판;
각각이 상기 차광영역에 중첩하고, 상기 베이스 기판 상에 인접하게 배치된 제1 뱅크, 제2 뱅크, 및 상기 제1 뱅크와 상기 제2 뱅크 사이에 배치되는 브릿지 뱅크; 및
적어도 일부는 상기 브릿지 뱅크 상에 배치되는 유기물 패턴; 을 포함하는 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 유기물 패턴은 상기 제1 뱅크 및 상기 제2 뱅크 사이에 배치되고, 상기 브릿지 뱅크를 커버하는 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 화소는 제1 방향으로 나열되고,
상기 유기물 패턴 중 적어도 일부는 상기 제1 방향과 교차하는 방향 상에서 상기 브릿지 뱅크와 중첩하는 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 화소 영역과 중첩하고, 평면 상에서 상기 제1 뱅크에 인접하게 배치된 광제어부를 더 포함하고,
상기 광제어부는 산란입자 및 양자점 중 적어도 하나를 포함하는 표시패널. - 제4 항에 있어서,
상기 유기물 패턴은 상기 제1 뱅크, 상기 브릿지 뱅크, 및 상기 제2 뱅크에 중첩하고, 상기 광제어부에 비중첩하는 표시패널. - 제4 항에 있어서,
상기 광제어부는 상기 발광소자에서 발광된 소스광을 투과시키거나, 상기 소스광의 파장을 변환시키는 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 유기물 패턴 중 상기 브릿지 뱅크와 중첩하는 부분은 브릿지 패턴으로 정의되고,
상기 상부 표시기판 중 하부 표시기판과 가장 인접한 부분은 상기 브릿지 패턴인 표시패널. - 제1 항에서,
상기 브릿지 뱅크 및 상기 유기물 패턴 사이에 배치되는 캡핑층을 더 포함하는 표시패널. - 제1 항에서,
상기 유기물 패턴은 광차단 물질 및 수지 중 적어도 하나를 포함하는 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 상부 표시기판은,
상기 베이스 기판 및 상기 제1 뱅크 사이에 배치되는 컬러필터층을 더 포함하고,
상기 컬러필터층은 상기 제1 화소영역에 중첩하는 제1 컬러필터, 상기 제2 화소영역에 중첩하며 상기 제1 컬러필터와 다른 파장의 광을 투과시키는 제2 컬러필터, 상기 제3 화소영역에 중첩하며 상기 제1 컬러필터 및 제2 컬러필터와 다른 파장의 광을 투과시키는 제3 컬러필터를 포함하는 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 베이스 기판 상에 배치된 제3 뱅크, 제4 뱅크 및 상기 제3 뱅크와 상기 제4 뱅크 사이에 배치된 비브릿지 뱅크를 더 포함하고,
상기 비브릿지 뱅크는 상기 유기물 패턴과 비중첩하는 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 베이스 기판 상에 배치된 제3 뱅크 및 제4 뱅크를 더 포함하고,
상기 제3 뱅크 및 상기 제4 뱅크 사이에 상기 유기물 패턴이 배치되고,
상기 유기물 패턴의 높이는 상기 제3 뱅크 및 상기 제4 뱅크의 높이보다 낮은 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 상부 표시기판은 제1 내지 제3 화소영역 및 비발광영역에 중첩하는 표시영역; 및 상기 표시영역에 인접한 비표시영역을 포함하고,
상기 유기물 패턴은 상기 표시영역에 중첩하는 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 발광소자는 블루광을 발광하는 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 화소 영역 내지 제3 화소 영역은 각각 레드광, 그린광, 및 블루광을 제공하는 표시패널. - 베이스 기판을 준비하는 단계;
상기 베이스 기판 상에 컬러필터층을 형성하는 단계;
상기 컬러필터층 상에 복수의 뱅크들을 형성하는 단계;
상기 복수의 뱅크들 중 일부의 뱅크들 사이에 광제어부를 형성하는 단계; 및
상기 복수의 뱅크들 중 일부의 뱅크들 사이에 유기 조성물을 제공 및 경화하여 유기물 패턴을 형성하는 단계; 를 포함하는 표시패널의 제조방법. - 제16 항에 있어서,
상기 광제어부를 형성하는 단계 이후에, 상기 광제어부 및 상기 복수의 뱅크들 상에 캡핑층을 형성하는 단계; 를 더 포함하는 표시패널의 제조방법. - 제16 항에 있어서,
상기 유기 조성물은 광차단 물질 및 수지 중 적어도 하나를 포함하는 표시패널의 제조방법. - 제16 항에 있어서,
상기 유기물 패턴을 형성하는 단계 이후에, 하부 표시기판을 합착하는 단계를 더 포함하는 표시패널의 제조방법. - 제19 항에 있어서,
상기 하부 표시기판은 발광소자를 포함하고,
상기 발광소자는 블루광을 발광하는 표시패널의 제조방법.
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