CN107394060B - 显示面板、显示装置及制备显示面板的方法 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种显示面板、显示装置及制备显示面板的方法。所述显示面板包括：基板；设置在基板上的平坦层；设置在平坦层上的第一电极；设置在第一电极上的发光层；在发光层上的第二电极；和设置在平坦层中的辅助电极，所述辅助电极与第二电极电连接。通过将辅助电极设置在平坦层中，可以将辅助电极的面积做得相当大，从而显著降低第二电极的电阻。

Description

显示面板、显示装置及制备显示面板的方法
技术领域
本公开涉及显示技术领域。更具体地，本公开涉及一种显示面板、显示装置及制备显示面板的方法。
背景技术
在显示面板中，需要用到透明电极如透明阴极。透明电极对光的透过率要求较高，因而透明电极的厚度应该尽可能的薄。但是透明电极膜层越薄其电阻越高，而过高的电阻导致透明电极上发生电阻压降(IR drop)，影响整面的显示均一性。这种情况在大尺寸面板中尤为突出。
发明内容
因此，需要提供一种显示面板、显示装置及制备显示面板的方法，其中通过包括辅助电极，可以显著降低透明电极的电阻。
在本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括：
基板；
平坦层，所述平坦层设置在所述基板上；
第一电极，所述第一电极设置在所述平坦层上；
发光层，所述发光层设置在所述第一电极上；
第二电极，所述第二电极设置在所述发光层上；和
辅助电极，所述辅助电极设置在所述平坦层中，并且与所述第二电极电连接。
根据本公开的一个实施方案，所述显示面板还包括：像素定义层，所述像素定义层设置在所述平坦层上，并且限定像素区域，其中所发光层形成在所述像素区域中，其中所述辅助电极通过位于所述像素定义层和所述平坦层中的孔与所述第二电极电连接。
根据本公开的另一个实施方案，所述平坦层包括：
第一平坦层，和
第二平坦层，
其中，所述第一平坦层设置在所述基板上，所述辅助电极设置在所述第一平坦层上，并且所述第二平坦层覆盖所述辅助电极和所述第一平坦层。
根据本公开的另一个实施方案，所述显示面板还包括：像素定义层，所述像素定义层设置在所述第二平坦层上，并且限定像素区域，其中所发光层形成在所述像素区域中，其中所述辅助电极通过贯穿所述像素定义层和所述第二平坦层的通孔与所述第二电极电连接。
根据本公开的另一个实施方案，所述第一平坦层的厚度为0.5μm至1.5μm，并且所述第二平坦层的厚度为0.5μm至1.5μm。
根据本公开的另一个实施方案，所述第二平坦层包括覆盖所述辅助电极的部分和覆盖并且接触所述第一平坦层的部分，其中所述第二平坦层的覆盖并且接触所述第一平坦层的部分的厚度等于覆盖所述辅助电极的部分的厚度与所述辅助电极的厚度之和。
根据本公开的另一个实施方案，所述辅助电极的厚度D1与所述第一平坦层的厚度D2与所述第二平坦层的覆盖并且接触所述第一平坦层的部分的厚度D3的总和之比D1/(D2+D3)为1∶10至1∶3。
根据本公开的另一个实施方案，所述辅助电极的厚度为300nm至750nm；并且所述第一平坦层的厚度与所述第二平坦层的覆盖并且接触所述第一平坦层的部分的厚度的总和为1μm至3μm。
根据本公开的另一个实施方案，所述辅助电极在平行于基板方向上的面积与所述平坦层在平行于基板方向上的面积之比为1∶1.2至1∶5。
根据本公开的另一个实施方案，所述辅助电极是网状电极。
根据本公开的另一个实施方案，所述辅助电极具有包括第一保护导电层、导电金属层和第二保护导电层的多层结构，其中所述导电金属层位于所述第一保护导电层和所述第二保护导电层之间，所述第一保护导电层和所述第二保护导电层的厚度各自独立地为10至100nm，并且所述导电金属层的厚度为300至500nm。
根据本公开的另一个实施方案，所述第一电极包含AlNd或Al，所述导电金属层包含Cu，并且所述第一保护导电层和所述第二保护导电层包含MoNb。
根据本公开的另一个实施方案，所述第一电极是阳极，并且所述第二电极是阴极。
在本公开的另一个方面，提供一种显示装置，包括根据上面任一项所述的显示面板。
在本公开的又一个方面，提供一种制备显示面板的方法，所述方法包括以下步骤：
在基板上形成平坦层；
在所述平坦层上形成第一电极；
在所述第一电极上形成发光层；和
在所述发光层上形成第二电极；
其中，在所述平坦层中形成辅助电极，并且将所述辅助电极与所述第二电极电连接。
根据本公开的另一个实施方案，所述方法包括以下步骤：
在基板上形成第一平坦层；
在所述第一平坦层上形成辅助电极；
在形成有辅助电极的所述第一平坦层上形成第二平坦层；
在所述第二平坦层中形成与所述辅助电极相通的第一通孔；
用第一电极材料在所述第二平坦层上形成第一电极；
在所述第二平坦层上形成用于限定像素区域的像素定义层；
在所述像素定义层中形成与所述第一通孔相通的第二通孔；
在所述像素区域中形成发光层；和
用第二电极材料在所述发光层和所述像素定义层的表面上形成第二电极，其中所述第二电极材料填充所述第一通孔和所述第二通孔，并且与所述辅助电极电连接。
根据本公开的另一个实施方案，
所述显示面板还包括位于所述基板上并且在所述第一平坦层下的钝化层，以及在所述基板上并且在所述钝化层下面的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有漏极，
所述方法还包括：
在所述第一平坦层中、在所述漏极的上方形成第三通孔；
在所述第二平坦层中形成第四通孔；和
在所述钝化层中形成第五通孔，其中所述第五通孔与所述第四通孔和所述第三通孔相通；
其中在用第一电极材料在所述第二平坦层上形成第一电极时，所述第一电极材料填充所述第四通孔、所述第三通孔和所述第五通孔，并且将所述第一电极与所述薄膜晶体管的所述漏极电连接。
根据本公开，可以提供一种显示面板、包含所述显示面板的显示装置及制备所述显示面板的方法，其中所述显示面板包括设置在平坦层中的辅助电极，通过将辅助电极设置在平坦层中，并且与第二电极电连接，可以将辅助电极的面积做得相当大，从而显著降低第二电极的电阻。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的示例性实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是示例性地表示根据一个实施方案的显示面板在垂直于基板方向上的剖视示意图。
图2是示例性地表示根据另一个实施方案的显示面板在垂直于基板方向上的剖视示意图。
图3是示例性地表示根据本公开的另一个实施方案的显示面板在垂直于基板方向上的剖视示意图。
图4是示例性地表示根据本公开的另一个实施方案的显示面板的辅助电极的俯视示意图。
图5是示例性地表示根据本公开的另一个实施方案的显示面板在钝化层上形成第一平坦层时在垂直于基板方向上的剖视示意图。
图6是示例性地表示根据本公开的另一个实施方案的显示面板在第一平坦层上形成辅助电极及其图形化时在垂直于基板方向上的剖视示意图。
图7是示例性地表示根据本公开的另一个实施方案的显示面板在第一平坦层和辅助电极上形成第二平坦层时在垂直于基板方向上的剖视示意图。
图8是示例性地表示根据本公开的另一个实施方案的显示面板在钝化层中形成通孔以露出漏极时在垂直于基板方向上的剖视示意图。
图9是示例性地表示根据本公开的另一个实施方案的显示面板在第二平坦层上形成第一电极及其图形化时在垂直于基板方向上的剖视示意图。
图10是示例性地表示根据本公开的另一个实施方案的显示面板在第二平坦层上形成像素定义层时在垂直于基板方向上的剖视示意图。
图11是示例性地表示根据本公开的另一个实施方案的显示面板在像素定义层限定的像素区域内形成发光层时在垂直于基板方向上的剖视示意图。
图12是示例性地表示根据本公开的另一个实施方案的显示面板在垂直于基板方向上的剖视示意图。
图13是示例性地表示根据本公开的再一个实施方案的显示面板在垂直于基板方向上的剖视示意图。
具体实施方式
下面将结合本公开的具体实施方案，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方案和/或实施例仅仅是本公开一部分实施方案和/或实施例，而不是全部的实施方案和/或实施例。基于本公开中的实施方案和/或实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方案和/或所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
在本公开的一个方面，可以提供一种显示面板。显示面板可以包括基板。在基板上可以设置有平坦层。在平坦层上可以设置有第一电极。在第一电极上可以设置有发光层。在发光层上可以设置有第二电极。显示面板包括辅助电极，其中辅助电极设置在平坦层中，并且与第二电极电连接。
在本公开的另一个方面，可以提供一种显示装置。所述显示装置可以包括上面任一项的显示面板。
在本公开的再一个方面，可以提供在基板上形成平坦层；在平坦层上形成第一电极；在第一电极上形成发光层；和在发光层上形成第二电极；其中，在平坦层中形成辅助电极，并且将辅助电极与第二电极电连接。
在本公开中，如果没有具体指明，层和膜可以互换地使用。在下面的描述，以包含薄膜晶体管的显示面板为例进行说明，但本公开不限于此。如本公开所用的，“约”表示在测量的误差范围之内，例如在所限定的数值的±10％之内，或±5％之内，或±1％之内。术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”和“第五”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”、“第四”和“第五”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开中，术语“在......表面上形成”或“在......表面上涂覆”中的“在......表面上”可以包括“在......整个表面上”或“在......部分表面上”。
在下面的描述中，有时以阳极作为第一电极并且阴极作为第二电极为例，但本公开不限于此。例如，可以将第一电极用作阴极，并且将第二电极用作阳极。
针对背景部分所述的问题，为了提高显示均一性，本公开的一个实施例中提出使用与透明电极连接的辅助电极如辅助阴极，以达到降低透明电极电阻的目的。例如，通过将辅助阴极设置在像素定义层内，可以实现降低透明阴极电阻的目的。但由于像素的阳极间距较小，可能没有足够空间制作辅助阴极。因此该实施例中用辅助阴极对透明阴极的电阻的降低程度有限。
图1是示例性地表示根据一个实施方案的显示面板在垂直于基板方向上的剖视示意图。
如图1中所示，根据一个实施方案的显示面板可以包括基板10、在基板10上的薄膜晶体管20、在薄膜晶体管20上的钝化层30、在钝化层30上的平坦层40、在平坦层40上的第一电极60和像素定义层70、在第一电极60上的发光层80和在像素定义层70和发光层80上的第二电极90。如图1所示，薄膜晶体管20可以包括在基板10上的缓冲层21、在缓冲层21上的有源层22、在有源层22上的栅极绝缘层23、在栅极绝缘层23上的栅极24和与有源层22电连接并且在其上的源极25和漏极26，以及用于隔离源极25、漏极26和栅极24的层间介电层27。第一电极60通过形成在钝化层30中的通孔302和平坦层40中的通孔402与薄膜晶体管20的漏极26电连接。像素定义层70限定像素区域81，并且发光层80形成在像素区域81中。
在如图1所示的结构中，可以将第二电极90具体实现为透明电极。透明电极对光的透过率要求较高，因而透明电极的厚度应该尽可能的薄。但透明电极的膜层越薄电阻越高，过高的电阻导致透明电极上发生电阻压降(IR drop)，影响整面的显示均一性。这样的情况在大尺寸面板尤为突出，因而需要采用与透明电极如透明阴极连接的辅助电极如辅助阴极，以达到降低透明电极电阻的目的。
图2是示例性地表示根据另一个实施方案的显示面板在垂直于基板方向上的剖视示意图。
如图2中所示，显示面板可以包括平坦层40、像素定义层70和第二电极90如阴极。像素定义层70内形成发光层80。阴极覆盖于像素定义层70并与发光层80相接。平坦层40与发光层80之间设置有第一电极60如阳极与发光层80相接。像素定义层70内设置有辅助电极50如辅助阴极。第二电极90如阴极与辅助阴极50电连接。
同样，通过将辅助阴极设置在像素定义层70内，可以实现降低透明阴极电阻的目的。但由于像素的阳极间距较小，没有足够空间制作辅助阴极，因此该辅助阴极对透明阴极的电阻的降低程度有限。
针对上述如图1和图2所示的实施方案的问题，本公开的发明人提出了进一步的改进方案。图3是示例性地表示根据本公开的另一个实施方案的显示面板在垂直于基板方向上的剖视示意图。
如图3中所示，根据本公开的该实施方案的显示面板可以包括基板10、在基板10上的薄膜晶体管20、在薄膜晶体管20上的钝化层30、在钝化层30上的平坦层40、在平坦层40上的第一电极60和像素定义层70、在第一电极60上的发光层80和在像素定义层70和发光层80上的第二电极90。薄膜晶体管20可以包括在基板10上的缓冲层21、在缓冲层21上的有源层22、在有源层22上的栅极绝缘层23、在栅极绝缘层23上的栅极24和与有源层22电连接并且在其上的源极25和漏极26，以及用于隔离源极25、漏极26和栅极24的层间介电层27。第一电极60通过形成在钝化层30中的通孔302和平坦层40中的通孔402与薄膜晶体管20的漏极26电连接。如图3所示，显示面板还包括辅助电极50，其中辅助电极50设置在平坦层40中，并且与第二电极90电连接。像素定义层70限定像素区域81，并且发光层80形成在像素区域81中。
这样，通过将辅助电极50设置在平坦层40中，并且与第二电极90电连接，可以将辅助电极50的面积做得相当大，从而显著降低第二电极90的电阻。
根据本公开的另一个实施方案，像素定义层70可以设置在平坦层40上，并且限定像素区域81，并且发光层80形成在像素区域81中，其中辅助电极50通过位于像素定义层70和平坦层40中的孔与第二电极90电连接。
根据本公开的另一个实施方案，平坦层40可以包括第一平坦层42和第二平坦层44。如图3所示，第一平坦层42设置在基板10上，其中辅助电极50设置在第一平坦层42上，第二平坦层44覆盖辅助电极50和第一平坦层42。
根据本公开的另一个实施方案，像素定义层70可以设置在平坦层40上，并且限定像素区域81，并且发光层80形成在像素区域81中，其中辅助电极50通过贯穿像素定义层70的通孔704(即第二通孔704)和第二平坦层44的通孔444(即第一通孔444)与第二电极90电连接。
根据本公开的另一个实施方案，第一平坦层42的厚度可为约0.5μm至约1.5μm，并且第二平坦层44的厚度可以为约0.5μm至约1.5μm。
根据本公开的另一个实施方案，第二平坦层44可以包括覆盖辅助电极50的部分44A和覆盖并且接触第一平坦层42的部分。第二平坦层44的覆盖并且接触第一平坦层42的部分44B的厚度等于覆盖辅助电极50的部分44A的厚度与辅助电极50的厚度之和。
根据本公开的另一个实施方案，辅助电极50的厚度D1与第一平坦层42的厚度D2与第二平坦层44的覆盖并且接触第一平坦层42的部分44B的厚度D3的总和之比D1/(D2+D3)可以为约1∶10至约1∶3，例如约1∶9至约1∶3.5，例如约1∶8至约1∶4，或例如约1∶7至约1∶4。通过这样的实施方案，可以在保证包括第一平坦层42和第二平坦层44的平坦层40的功能的情况下将辅助电极50的面积做得相当大，从而显著降低第二电极90的电阻。
根据本公开的另一个实施方案，辅助电极50的厚度可以为约300nm至约750nm，例如约350nm至约700nm，或例如约400nm至约650nm。
根据本公开的另一个实施方案，第一平坦层42的厚度与第二平坦层44的覆盖并且接触第一平坦层42的部分的厚度的总和可以为约1μm至约3μm，例如约1.2μm至约2.5μm。
图4是示例性地表示根据本公开的另一个实施方案的显示面板的辅助电极50的俯视示意图。
如图4中所示，辅助电极50可以通过贯穿第二通孔704和第一通孔444与第二电极90电连接。第一电极60通过形成在钝化层30的通孔302(即第五通孔302)、第一平坦层42的通孔422(即第三通孔422)和第二平坦层44中的通孔442(即第四通孔442)与薄膜晶体管20的漏极26电连接。像素定义层70用于限定多个像素区域81。平坦层40的通孔402包括第一平坦层42的第三通孔422和第二平坦层44中的第四通孔442。
辅助电极50可以是网状电极。
根据本公开的另一个实施方案，由于在平坦层40中形成用于将第一电极60与漏极26电连接的通孔402并且形成与第二电极90电连接的辅助电极50，因此可以在离开用于形成通孔402的区域形成辅助电极50，使得辅助电极50与通孔402中的导电材料电隔离。
根据本公开的另一个实施方案，辅助电极50在平行于基板方向上的面积与平坦层40或第一平坦层42或第二平坦层44在平行于基板方向上的面积之比可以为约1∶1.2至约1∶5，或约1∶1.3至约1∶4，或约1∶1.3至约1∶3，或约1∶1.5至约1∶2。由于第一平坦层42或第二平坦层44在平行于基板方向上的面积等于基板10的面积，因此可以将辅助电极50的面积做得相当大，从而显著降低第二电极90的电阻。
根据本公开的另一个实施方案，辅助电极50可以包含导电金属层。导电金属层可以包含选自由铜、银、铝、它们任意两种或三种的合金及其混合物组成的组中的导电金属。
根据本公开的另一个实施方案，辅助电极50可以具有包括第一保护导电层、导电金属层和第二保护导电层的多层结构。导电金属层位于第一保护导电层和第二保护导电层之间。多层结构可以包括第一保护导电层/导电金属层/第二保护导电层的三层结构。第一保护导电层和第二保护导电层的厚度可以各自独立地为约10至约100nm，例如约20至约90nm，或例如约30至约80nm。导电金属层的厚度可以为约300至约500nm，例如约350至约450nm。
可以选择辅助电极50材料与第一电极材料，使得它们之间的刻蚀比尽可能大，例如辅助电极50选择MoNb/Cu/MoNb，并且第一电极60选择为AlNd或Al，从而以保证第一电极60在刻蚀时，用于刻蚀AlNd或Al的刻蚀液不会对暴露的辅助电极50MoNb/Cu/MoNb造成破坏。
根据本公开的另一个实施方案，第一电极60与薄膜晶体管20的漏极26所用的材料可以相同或不同。
根据本公开的另一个实施方案，第一电极60可以包含AlNd或Al。辅助电极50可以具有包括第一保护导电层、导电金属层和第二保护导电层的多层结构。导电金属层位于第一保护导电层和第二保护导电层之间。第一保护导电层和第二保护导电可以包含MoNb。导电金属层可以是铝层、铜层或银层。
根据本公开的另一个实施方案，第一电极60可以是阳极，并且第二电极90可以是阴极。
根据本公开的另一个实施方案，阴极的厚度可以为约50nm至约200nm，例如约60nm至约180nm，或例如约80nm至约160nm。
根据本公开的另一个实施方案，阴极可以包含IZO、ITO、AZO或Ag纳米线。
在图1所示的显示面板中，平坦层40的材料为亚克力且厚度为4μm；阳极为AlNd，并且厚度为300nm；像素定义层70的材料为聚酰亚胺，并且厚度2.5μm；并且阴极是IZO，厚度为80nm。通过在阴极的两端连接Mo(600埃)/AlNd(5000埃)/Mo(600埃)的金属焊盘，发现两个金属焊盘间的电阻为约10Ω。
根据本公开的一个实施例，在图3所示的显示面板中，第一平坦层42的材料为亚克力且厚度为2μm；辅助阴极为图4所示的网状电极，采用MoNb/Cu/MoNb的三层结构，两层MoNb层的厚度都为50nm，并且Cu层厚度为400nm，辅助阴极的表面积与第一平坦层42的表面积之比为0.75∶1；第一平坦层42的材料为亚克力且厚度为2μm；阳极为AlNd，并且厚度为300nm；像素定义层70的材料为聚酰亚胺，并且厚度2.5μm；并且阴极是IZO，厚度为80nm。通过在阴极的两端连接Mo(600埃)/AlNd(5000埃)/Mo(600埃)的金属焊盘的金属焊盘，发现两个金属焊盘间的电阻为约4Ω。
因此，通过将辅助电极50设置在平坦层40中，并且与第二电极90电连接，可以将辅助电极50的面积做得相当大，从而显著降低第二电极90的电阻。例如，在阴极的两端连接Mo(600埃)/AlNd(5000埃)/Mo(600埃)的金属焊盘的情况下，可以将两个金属焊盘之间的电阻从没有辅助电极50情况下的约10Ω降低至在有辅助电极50情况下的约4Ω。
图5至图11分别是示例性地表示根据本公开的另一个实施方案的显示面板在钝化层30上形成第一平坦层42、形成辅助电极50及其图形化、形成第二平坦层44、在钝化层30中形成第五通孔302以露出漏极26、在第二平坦层44上形成第一电极60及其图形化、在第二平坦层44上形成像素定义层70以及在像素定义层70限定的像素区域81内形成发光层80时在垂直于基板方向上的剖视示意图。
根据本公开的一个实施方案，可以提供一种制备显示面板的方法，方法包括以下步骤：
在基板10上形成第一平坦层42；
在第一平坦层42上形成辅助电极50；
在形成有辅助电极50的第一平坦层42上形成第二平坦层44；
在第二平坦层44中形成与辅助电极50相通的第一通孔444；
用第一电极材料在第二平坦层44上形成第一电极60；
在第二平坦层44上形成用于限定像素区域81的像素定义层70；
在像素定义层70中形成与第一通孔444相通的第二通孔704；
在像素区域81中形成发光层80；和
用第二电极材料在发光层80和像素定义层70的表面上形成第二电极90，其中第二电极材料填充第一通孔444和第二通孔704，并且与辅助电极50电连接。
显示面板还包括位于基板10上并且在第一平坦层42下的钝化层30，以及在基板10上并且在钝化层30下面的薄膜晶体管20，薄膜晶体管20具有漏极26，方法还包括：
在第一平坦层42中、在漏极26的上方形成第三通孔422；
在第二平坦层44中形成第四通孔442；和
在钝化层30中形成第五通孔302，其中第五通孔302与第四通孔442和第三通孔422相通；
其中在用第一电极材料在第二平坦层44上形成第一电极60时，第一电极材料填充第四通孔442、第三通孔422和第五通孔302，并且将第一电极与薄膜晶体管20的漏极26电连接。
在像素定义层70和发光层80上形成第二电极90后的显示面板在垂直于基板方向上的剖视示意图示于图3中。图5至图11中的基板10、在基板10上的薄膜晶体管20和在薄膜晶体管20上的钝化层30与图3中的相同，为了简化起见，在此不再对其详细描述。
图5是示例性地表示根据本公开的另一个实施方案的显示面板在钝化层30上形成第一平坦层42时在垂直于基板方向上的剖视示意图。
如图5中所示，在图3所示的钝化层30上形成第一平坦层42。形成第一平坦层42的材料可以是亚克力、聚酰亚胺和硅氧烷树脂。第一平坦层42的厚度可以为约0.5μm至约1.5μm，例如约0.6至约1.5μm，或约0.8至约1.2μm。形成的方法可以包括旋涂，然后曝光、显影和刻蚀。在钝化层30的表面上涂覆，通过曝光、显影和刻蚀，在第一平坦层42中在漏极26的上方形成第三通孔422。
图6是示例性地表示根据本公开的另一个实施方案的显示面板在第一平坦层42上形成辅助电极50及其图形化时在垂直于基板方向上的剖视示意图。
如图6中所示，在图5中所示的第一平坦层42上形成辅助电极50。可以通过溅射在第一平坦层42的表面上形成辅助电极50材料层，然后通过构图工艺将其形成为网状电极，如图4中所示。构图工艺可以包括曝光、显影和刻蚀。也可以通过喷墨打印工艺在第一平坦层42上网状形成辅助电极50。由于在第一平坦层42中形成用于将第一电极60与漏极26电连接的通孔422并且在其上形成与第二电极90电连接的辅助电极50，因此可以在离开用于形成通孔422的区域形成辅助电极50，使得辅助电极50与通孔422中的导电材料电隔离。
图7是示例性地表示根据本公开的另一个实施方案的显示面板在第一平坦层42和辅助电极50上形成第二平坦层44时在垂直于基板方向上的剖视示意图。
如图7中所示，在图6所示的第一平坦层42和辅助电极50上形成第二平坦层44。第二平坦层44的材料可以是亚克力、聚酰亚胺和硅氧烷树脂。第二平坦层44的厚度可以为约0.5.5至约1.5μm，例如约0.6至约1.5μm，或约0.8至约1.2μm。形成的方法可以包括旋涂，然后曝光、显影和刻蚀。在钝化层30的表面上涂覆，通过曝光、显影和刻蚀，在第二平坦层44中形成与第三通孔422相通的第四通孔442和与辅助电极50相通的第一通孔444。
图8是示例性地表示根据本公开的另一个实施方案的显示面板在钝化层30中形成第五通孔302以露出漏极26时在垂直于基板方向上的剖视示意图。
如图8中所示，通过干法刻蚀在钝化层30中形成第五通孔302。第五通孔302、第四通孔442和第三通孔422相通，从而露出漏极26。
图9是示例性地表示根据本公开的另一个实施方案的显示面板在第二平坦层44上形成第一电极60及其图形化时在垂直于基板方向上的剖视示意图。
如图9中所示，在如图8中所示的第二平坦层44上形成第一电极60。可以通过溅射在第二平坦层44的表面上并且在第五通孔302、第三通孔422和第四通孔442中形成第一电极材料层，然后通过构图工艺将在第二平坦层44的表面上形成的第一电极材料层形成为第一电极60。构图工艺可以包括曝光、显影和刻蚀。第一电极60通过在第五通孔302、第三通孔422和第四通孔442中的第一电极材料与漏极26电连接。
图10是示例性地表示根据本公开的另一个实施方案的显示面板在第二平坦层44上形成像素定义层70时在垂直于基板方向上的剖视示意图。
如图10中所示，在如图9中所示的第二平坦层44上形成像素定义层70，并且限定像素区域81，并且发光层80形成在像素区域81中。形成像素定义层70的材料可以是亚克力、聚酰亚胺和硅氧烷树脂。像素定义层70的厚度可以为约1μm至约5μm，例如约1μm至约3μm，或例如约2μm至约3μm。形成的方法可以包括旋涂，然后曝光、显影和刻蚀。在第二平坦层44的表面上涂覆，然后通过曝光、显影和刻蚀，在像素定义层70中形成第二通孔704以与第一通孔444相通，从而露出辅助电极50。
图11是示例性地表示根据本公开的另一个实施方案的显示面板在像素定义层70限定的像素区域81内形成发光层80时在垂直于基板方向上的剖视示意图。
如图11中所示，在像素定义层70限定的像素区域81内形成发光层80。可以采用喷墨打印工艺由有机发光材料形成发光层80。
然后，由第二电极材料在如图10中所示的像素定义层70的整个表面和发光层80的表面上形成第二电极90。第二电极材料填充露出辅助电极50的第一通孔444和第二通孔704。第二电极90的厚度可以为约50nm至约200nm，例如约60nm至约180nm，或例如约80nm至约160nm。形成第二电极90后的显示面板如图3中所示。
图3和图5-11是以显示面板包含顶栅型薄膜晶体管20为例进行说明的，但是本公开不限于此。例如，可以本公开的显示面板可以采用图12或图13所示的构造。
图12是示例性地表示根据本公开的另一个实施方案的显示面板在垂直于基板方向上的剖视示意图。
图12显示的是包含具有刻蚀阻挡层的底栅型薄膜晶体管20的显示面板。如图12中所示，栅极24在有源层22和基板10之间，并且底栅型薄膜晶体管20具有刻蚀阻挡层29。刻蚀阻挡层29覆盖有源层22和未被有源层22覆盖的栅极绝缘层23，并且隔离源极25和漏极26。图12中所示的显示面板的钝化层30和钝化层30之上的部分与图3中所示的钝化层30和钝化层30之上的部分相同。
图13是示例性地表示根据本公开的再一个实施方案的显示面板在垂直于基板方向上的剖视示意图。
图13显示的是包含背沟道型底栅型薄膜晶体管20的显示面板。如图13中所示，栅极24在有源层22和基板10之间。图13中所示的显示面板的钝化层30和钝化层30之上的部分与图3中所示的钝化层30和钝化层30之上的部分相同。
根据本公开，可以提供一种显示面板、包含显示面板的显示装置及制备显示面板的方法，其中显示面板包括辅助电极，通过将辅助电极设置在平坦层中，并且与第二电极电连接，可以将辅助电极的面积做得相当大，从而显著降低第二电极的电阻。
显然，本领域的技术人员可以对本公开实施例进行各种改动和变型而不脱离本公开的精神和范围。这样，倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (14)

1.一种显示面板，包括：
基板；
平坦层，所述平坦层设置在所述基板上；
第一电极，所述第一电极设置在所述平坦层上；
发光层，所述发光层设置在所述第一电极上；
第二电极，所述第二电极设置在所述发光层上；和
辅助电极，所述辅助电极设置在所述平坦层中，并且与所述第二电极电连接，
其中所述平坦层包括：
第一平坦层，和
第二平坦层，
其中，所述第一平坦层设置在所述基板上，所述辅助电极设置在所述第一平坦层上，并且所述第二平坦层覆盖所述辅助电极和所述第一平坦层，
其中所述第二平坦层包括覆盖所述辅助电极的部分和覆盖并且接触所述第一平坦层的部分，其中所述第二平坦层的覆盖并且接触所述第一平坦层的部分的厚度等于覆盖所述辅助电极的部分的厚度与所述辅助电极的厚度之和，
其中所述辅助电极的厚度D1与所述第一平坦层的厚度D2与所述第二平坦层的覆盖并且接触所述第一平坦层的部分的厚度D3的总和之比D1/(D2+D3)为1∶10至1∶3。
2.根据权利要求1所述的显示面板，还包括：像素定义层，所述像素定义层设置在所述平坦层上，并且限定像素区域，其中所发光层形成在所述像素区域中，
其中所述辅助电极通过位于所述像素定义层和所述平坦层中的孔与所述第二电极电连接。
3.根据权利要求1所述的显示面板，还包括：像素定义层，所述像素定义层设置在所述第二平坦层上，并且限定像素区域，其中所发光层形成在所述像素区域中，
其中所述辅助电极通过贯穿所述像素定义层和所述第二平坦层的通孔与所述第二电极电连接。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述第一平坦层的厚度为0.5μm至1.5μm，并且所述第二平坦层的厚度为0.5μm至1.5μm。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述辅助电极的厚度为300nm至750nm；并且所述第一平坦层的厚度与所述第二平坦层的覆盖并且接触所述第一平坦层的部分的厚度的总和为1μm至3μm。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述辅助电极在平行于基板方向上的面积与所述平坦层在平行于基板方向上的面积之比为1∶1.2至1∶5。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述辅助电极是网状电极。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述辅助电极具有包括第一保护导电层、导电金属层和第二保护导电层的多层结构，其中所述导电金属层位于所述第一保护导电层和所述第二保护导电层之间，所述第一保护导电层和所述第二保护导电层的厚度各自独立地为10至100nm，并且所述导电金属层的厚度为300至500nm。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其中所述第一电极包含AlNd或Al，所述导电金属层包含Cu，并且所述第一保护导电层和所述第二保护导电层包含MoNb。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述第一电极是阳极，并且所述第二电极是阴极。
11.一种显示装置，包括根据权利要求1-10中任一项所述的显示面板。
12.一种制备显示面板的方法，所述方法包括以下步骤：
在基板上形成平坦层；
在所述平坦层上形成第一电极；
在所述第一电极上形成发光层；和
在所述发光层上形成第二电极；
其中，在所述平坦层中形成辅助电极，并且将所述辅助电极与所述第二电极电连接，
其中，所述方法包括以下步骤：
在基板上形成第一平坦层；
在所述第一平坦层上形成辅助电极；
在形成有辅助电极的所述第一平坦层上形成第二平坦层，
其中所述第二平坦层包括覆盖所述辅助电极的部分和覆盖并且接触所述第一平坦层的部分，其中所述第二平坦层的覆盖并且接触所述第一平坦层的部分的厚度等于覆盖所述辅助电极的部分的厚度与所述辅助电极的厚度之和，
其中所述辅助电极的厚度D1与所述第一平坦层的厚度D2与所述第二平坦层的覆盖并且接触所述第一平坦层的部分的厚度D3的总和之比D1/(D2+D3)为1：10至1：3。
13.权利要求12所述的方法，所述方法包括以下步骤：
在所述第二平坦层中形成与所述辅助电极相通的第一通孔；
用第一电极材料在所述第二平坦层上形成第一电极；
在所述第二平坦层上形成用于限定像素区域的像素定义层；
在所述像素定义层中形成与所述第一通孔相通的第二通孔；
在所述像素区域中形成发光层；和
用第二电极材料在所述发光层和所述像素定义层的表面上形成第二电极，其中所述第二电极材料填充所述第一通孔和所述第二通孔，并且与所述辅助电极电连接。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述显示面板还包括位于所述基板上并且在所述第一平坦层下的钝化层，以及在所述基板上并且在所述钝化层下面的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有漏极，
所述方法还包括：
在所述第一平坦层中、在所述漏极的上方形成第三通孔；
在所述第二平坦层中形成第四通孔；和
在所述钝化层中形成第五通孔，其中所述第五通孔与所述第四通孔和所述第三通孔相通；
其中在用第一电极材料在所述第二平坦层上形成第一电极时，所述第一电极材料填充所述第四通孔、所述第三通孔和所述第五通孔，并且将所述第一电极与所述薄膜晶体管的所述漏极电连接。
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US16/124,079 US20190074338A1 (en) 2017-09-07 2018-09-06 Display panel, display apparatus, and method for producing display panel

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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108231847B (zh) * 2018-01-02 2020-07-10 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN108258153B (zh) * 2018-01-19 2020-09-15 云谷（固安）科技有限公司 Oled器件结构及柔性显示装置
CN108615825B (zh) * 2018-04-26 2020-03-10 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示面板及其制作方法
CN109037280B (zh) 2018-07-24 2021-05-18 云谷（固安）科技有限公司 有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置
CN109449302B (zh) * 2018-09-28 2020-04-28 广州国显科技有限公司 显示面板及显示装置
CN109326612A (zh) * 2018-09-30 2019-02-12 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
CN110164915A (zh) * 2018-10-25 2019-08-23 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN109638038B (zh) * 2018-11-15 2021-04-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种主动阵列有机发光二极管显示模块
CN109698224B (zh) * 2019-02-21 2021-04-13 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法和显示面板
US11227999B2 (en) * 2019-03-01 2022-01-18 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate having a layer of magnetic material, display panel having the same and manufacturing method the same thereof
TWI706206B (zh) * 2019-03-15 2020-10-01 友達光電股份有限公司 畫素結構
CN110085768A (zh) * 2019-04-30 2019-08-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
CN110120408B (zh) * 2019-05-05 2021-12-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板
CN110534660A (zh) * 2019-08-30 2019-12-03 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示基板及制备方法、显示装置
CN110571361B (zh) * 2019-09-17 2022-09-30 合肥鑫晟光电科技有限公司 有机发光显示面板及制作方法、显示装置
CN110718571A (zh) * 2019-10-14 2020-01-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110808340B (zh) 2019-11-14 2023-08-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN110767738B (zh) * 2019-11-22 2021-12-03 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
CN111106261B (zh) * 2019-12-06 2021-02-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113437232B (zh) * 2020-03-23 2024-04-23 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN111584758B (zh) * 2020-05-28 2023-04-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN111864116B (zh) * 2020-07-28 2023-12-19 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法和显示装置
CN112259579B (zh) * 2020-10-10 2024-06-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
CN112216734A (zh) * 2020-10-15 2021-01-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及显示组件
WO2022163123A1 (ja) * 2021-02-01 2022-08-04 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN112968049A (zh) * 2021-02-22 2021-06-15 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种有机发光显示面板、其制作方法及显示装置
CN114639710A (zh) * 2022-03-18 2022-06-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070003250A (ko) * 2005-07-01 2007-01-05 삼성전자주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN103972270A (zh) * 2014-05-09 2014-08-06 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及应用其的oled显示装置
CN104716156A (zh) * 2013-12-13 2015-06-17 昆山国显光电有限公司 一种有机发光显示装置及其制备方法
CN106784375A (zh) * 2016-12-27 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示单元及其制作方法
CN207424482U (zh) * 2017-09-07 2018-05-29 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102227455B1 (ko) * 2013-10-08 2021-03-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US20170141076A1 (en) * 2014-07-23 2017-05-18 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light emitting device
KR20160030596A (ko) * 2014-09-10 2016-03-21 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치와 그 제조방법
KR102405695B1 (ko) * 2015-08-31 2022-06-03 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9965122B2 (en) * 2015-12-28 2018-05-08 Lg Display Co., Ltd. Display device with light shield
KR102483229B1 (ko) * 2015-12-31 2022-12-29 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20180066320A (ko) * 2016-12-07 2018-06-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070003250A (ko) * 2005-07-01 2007-01-05 삼성전자주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN104716156A (zh) * 2013-12-13 2015-06-17 昆山国显光电有限公司 一种有机发光显示装置及其制备方法
CN103972270A (zh) * 2014-05-09 2014-08-06 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及应用其的oled显示装置
CN106784375A (zh) * 2016-12-27 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示单元及其制作方法
CN207424482U (zh) * 2017-09-07 2018-05-29 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置

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