CN110767738B - 显示装置、显示面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本公开是关于一种显示装置、显示面板及其制造方法，该显示面板包括衬底、导电层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层与走线层，导电层设于衬底的一侧；栅极绝缘层设于导电层远离衬底的一侧；栅极层设于栅极绝缘层远离衬底的一侧，且栅极层的厚度大于导电层的厚度；栅极层包括多个栅极线，栅极线形成有朝向衬底延伸且截断栅极线的凹槽，且凹槽与导电层正对，凹槽两侧断开的栅极线分别贯穿栅极绝缘层与导电层连接；层间介质层设于栅极层远离衬底的一侧，层间介质层覆盖导电层并填充凹槽；走线层设于层间介质层远离衬底的一侧，走线层包括多个辅助电极线，辅助电极线在栅极层的正投影与栅极线在凹槽相交，且相交部分在栅极层的正投影完全位于凹槽中。

Description

显示装置、显示面板及其制造方法
技术领域
本公开涉及技术领域显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。
背景技术
有机发光二级管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)显示面板由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、响应速度快、能耗小、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点，已被列为极具发展前景的下一代显示技术，被广泛应用于各种电子产品中。
目前，OLED显示面板分为顶发射和底发射两种结构，顶发射结构中，OLED显示面板发出的光从阴极方向透射出，所以顶发射OLED面板的阴极需要使用透明导电材料，但由于OLED阴极材料本身具有一定的电阻值，当OLED面板的尺寸较大时，OLED阴极材料本身的电阻会造成电压下降，导致面板显示亮度下降。
现有技术中，通常采用辅助阴极来降低阴极的电阻值，辅助阴极走线在薄膜晶体管的源漏极走线层完成，通常在源漏极走线层之上存在钝化层和平坦层，对钝化层与平坦层需进行开孔刻蚀，完成辅助阴极走线搭接。然而，在辅助阴极孔位置，其位置靠近栅极走线上方，导至孔内平坦层厚度不同。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种显示面板及其制造方法，与包括该显示面板的显示装置，能够提升平坦层的厚度均匀性，从而有效降避免出现对走线层造成刻蚀不良的现象。
根据本公开的一个方面，提供了一种显示面板，该显示面板包括：
衬底；
导电层，设于所述衬底的一侧；
栅极绝缘层，设于所述导电层远离所述衬底的一侧；
栅极层，设于所述栅极绝缘层远离所述衬底的一侧，且所述栅极层的厚度大于所述导电层的厚度；所述栅极层包括多个栅极线，所述栅极线形成有朝向所述衬底延伸且截断所述栅极线的凹槽，且所述凹槽与导电层正对，所述凹槽两侧断开的所述栅极线分别贯穿所述栅极绝缘层与所述导电层连接；
层间介质层，设于所述栅极层远离所述衬底的一侧，层间介质层覆盖所述导电层并填充所述凹槽；
走线层，设于所述层间介质层远离所述衬底的一侧，所述走线层包括多个辅助电极线；所述辅助电极线在所述栅极层的正投影与所述栅极线在所述凹槽相交，且相交部分在所述栅极层的正投影完全位于所述凹槽中。
在本公开的一种示例性实施例中，所述导电层为遮光的导电材料。
在本公开的一种示例性实施例中，所述显示面板还包括：
钝化层，设于所述层间介质层远离所述衬底的一侧，并覆盖所述导电层；
平坦层，设于所述钝化层远离所述衬底的一侧，且所述钝化层与所述平坦层上设有连通所述辅助电极线的过孔。
在本公开的一种示例性实施例中，所述显示面板还包括：
缓冲层，设于所述衬底与所述栅极绝缘层之间并覆盖所述导电层，所述凹槽贯穿所述栅极绝缘层并连通所述缓冲层。
在本公开的一种示例性实施例中，所述导电层的厚度为0.1μm-0.2μm。
根据本公开的另一个方面，提供了一种显示面板的制造方法，该制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底的一侧形成导电层；
在所述导电层远离所述衬底的一侧形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层远离所述衬底的一侧形成栅极层，且使所述栅极层的厚度大于所述导电层的厚度，所述栅极层包括多个栅极线；
在所述栅极线形成朝向所述衬底延伸且截断所述栅极线的凹槽，且使所述凹槽与导电层正对，将所述凹槽两侧断开的所述栅极线分别贯穿所述栅极绝缘层与所述导电层连接；
在所述栅极层远离所述衬底的一侧形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述导电层并填充所述凹槽；
在所述层间介质层远离所述衬底的一侧形成走线层，所述走线层包括多个辅助电极线，使所述辅助电极线在所述栅极层的正投影与所述栅极线在所述凹槽相交，且相交部分在所述栅极层的正投影完全位于所述凹槽中。
在本公开的一种示例性实施例中，在所述衬底的一侧形成导电层之后，在所述导电层远离所述衬底的一侧形成栅极绝缘层之前，所述制造方法还包括：
在所述衬底设有所述导电层的一侧形成覆盖所述导电层的缓冲层。
在本公开的一种示例性实施例中，在所述栅极线形成朝向所述衬底延伸且截断所述栅极线的凹槽，包括：
在所述栅极线形成朝向所述衬底延伸且截断所述栅极线的凹槽，且使所述凹槽贯穿所述栅极绝缘层并连通所述缓冲层。
在本公开的一种示例性实施例中，所述制造方法还包括：
在所述层间介质层远离所述衬底的一侧形成覆盖所述导电层的钝化层；
在所述钝化层远离所述衬底的一侧形成平坦层；
在所述钝化层与所述平坦层上形成连通所述辅助电极线的过孔。
根据本公开的又一个方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。
本公开提供的显示面板，栅极线与辅助电极线相交的部位断开，栅极线断开的两端分别通过导电层电连接；栅极线断开后，辅助电极线对应的下方无栅极线，且由于导电层与栅极绝缘层的厚度较小，因此，辅助电极线与栅极线延伸方向相交的部位相对衬底的高度能够降低，从而使辅助电极线各个部位之间的高度差减小，进而，在栅极层形成平坦层时，可有效减轻辅助电极线导致平坦层厚度不均的问题，从而在平坦层上通过刻蚀形成搭接辅助电极线的过孔时，能够有效降避免出现对走线层造成刻蚀不良的现象。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开的一种实施例提供的显示面板的俯视图；
图2为图1中A-A面的截面图；
图3为图1中B-B面的截面图；
图4为本公开的一种实施例提供的显示面板的制造方法的流程图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知技术方案以避免喧宾夺主而使得本公开的各方面变得模糊。
此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。用语“一个”、“一”、“该”和“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。
申请人发现，针对8K顶发射打印OLED产品，采用辅助阴极阵列工艺，辅助阴极走线在薄膜晶体管的源漏极走线层完成，通常在源漏极走线层之上存在钝化层和平坦层，对钝化层与平坦层需进行开孔刻蚀，完成辅助阴极走线搭接。在辅助阴极孔位置，其位置靠近栅极走线上方，导至孔内平坦层厚度不同，平坦层的厚度差为栅极走线和栅极绝缘层的总膜厚，约1μm，于是会造成干刻工艺在栅极上方过刻量过大，造成辅助阴极走线出现过刻，若辅助阴极走线采用铜工艺形成，则易产生氧化；若辅助阴极走线采用铝工艺形成，则易产生辅助阴极走线刻蚀断线，且在栅极走线与辅助阴极走线交叠区，极易产生栅线和数据线短路(DGS，Data Gate Short)型不良。
本示例实施方式中首先提供了一种显示面板，如图1-图3所示，包括：衬底10、导电层20、栅极绝缘层40、栅极层50、层间介质层60和走线层70，导电层20设于衬底10的一侧，栅极绝缘层40设于导电层20远离衬底10的一侧；栅极层50设于栅极绝缘层40远离衬底10的一侧，且栅极层50的厚度大于导电层20的厚度；栅极层50包括多个栅极线，栅极线形成有朝向衬底10延伸且截断栅极线50的凹槽510，且凹槽510与导电层正对，即凹槽510正投影位于导电层20上，凹槽510两侧断开的栅极线分别贯穿栅极绝缘层40与导电层20连接；层间介质层60设于栅极层50远离衬底10的一侧，覆盖导电层20并填充凹槽510；走线层70设于层间介质层60远离衬底10的一侧，走线层70包括多个辅助电极线；辅助电极线在栅极层50的正投影与栅极线在凹槽510相交，且相交部分的正投影完全位于凹槽510中，即栅极线与辅助电极线在衬底10上的正投影完全错位。
本公开提供的显示面板，栅极线与辅助电极线相交的部位断开，栅极线断开的两端分别通过导电层20电连接；栅极线断开后，辅助电极线对应的下方无栅极线，且由于导电层20与栅极绝缘层40的厚度较小，因此，辅助电极线与栅极线延伸方向相交的部位相对衬底10的高度能够降低，从而使辅助电极线各个部位之间的高度差减小，进而，在栅极层50形成平坦层90时，可有效减轻辅助电极线导致平坦层90厚度不均的问题，从而在平坦层90上通过刻蚀形成搭接辅助电极线的过孔910时，能够有效降避免出现对走线层70造成刻蚀不良的现象。
此外，辅助电极线与导电层20之间，存在栅极绝缘层40与层间介质层60两道绝缘层，能降低辅助电极线与导电层20之间短路的风险，即基本解决此处DGS风险。
其中，衬底10的材料可以是无机材料，例如钠钙玻璃、石英玻璃、蓝宝石玻璃等玻璃材料，或是不锈钢、铝、镍等各种金属或其合金的金属材料；还可以是有机材料，例如聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚乙烯基苯酚、聚醚砜、聚酰亚胺、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯或其组合；栅极绝缘层40的材料可为氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或其它适合的绝缘物质(例如有机高分子化合物)或上述材料的组合；栅极层50的材料可以是金属、导电性金属氧化物、导电性高分子、导电性复合材料或其组合。举例来说，金属可以是铂、金、银、铝、铬、镍、钛、镁、铁、锰或其组合；导电性金属氧化物可以是铟锡氧化物(ITO)、掺氟的氧化锡(FTO)、掺铝的氧化锌(AZO)、掺镓的氧化锌(GZO)或其组合；层间介质层60的材料可以是氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或其它适合的绝缘物质(例如有机高分子化合物)或上述材料的组合；走线层70包括多个辅助电极线，各辅助电极线连通多个辅助电极，辅助电极线可为辅助阴极线，也可为辅助阳极线，走线层70还可包括源漏极走线，走线层70的材料可为金属、导电氧化物或其组合，例如金属可以是钛、铂、金、银、铝、钨、铜、或其合金或上述材料的组合，导电氧化物可以是IZO、AZO、ITO、GZO、ZTO或其组合。本公开仅对上述各层的材料进行了做举例性说明，并不对上述各层的材料进行限制，本领域技术人员当然也可选取上述列举材料以外的材料形成上述各层，本公开对此不做限制。
具体地，导电层20为遮光的导电材料，即导电层20可同时作为遮光层。其中，导电层20的材料可为铜、铝、钼、钛、铬和钨中的至少一种。
具体地，如图2所示，显示面板还包括缓冲层30，缓冲层30设于衬底10与栅极绝缘层40之间，并覆盖导电层20。辅助电极线与导电层20之间的缓冲层30与层间介质层60的厚度和为1μm-1.5μm，使辅助电极线与导电层20之间存在层间介质层60与缓冲层30两道绝缘层，能降低辅助电极线与导电层20之间短路的风险，即基本解决此处DGS风险。其中，缓冲层30的材料可为氧化硅、氮化硅等绝缘材料，本公开对此不做限定。
具体地，凹槽510朝向衬底10的方向延伸至栅极绝缘层40内，能够进一步降低辅助电极线与凹槽510对应位置相对衬底10的高度，从而使辅助电极线上的平坦层90厚度更加均匀，从而进一步有效避免出现对走线层70造成刻蚀不良的现象。
进一步地，凹槽510贯穿栅极绝缘层40，当衬底10上设置有缓冲层30时，凹槽510连通缓冲层30。凹槽510贯穿栅极绝缘层40能够进一步降低辅助电极线与凹槽510对应位置相对衬底10的高度，平坦层90由于辅助电极线导致厚度不均匀的差值h1-h2等于导电层20的厚度。其中，导电层20的厚度0.1μm-0.2μm，可以看出，通过本公开的设置，能够使平坦层90的厚度差减少一个数量级，极大的提高了平坦层90的厚度均匀性，更加有效降避免了出现对走线层70造成刻蚀不良的现象，保证了显示面板的可靠性。
具体地，图1中未示出钝化层80与平坦层90，如图2所示，显示面板还包括钝化层80与平坦层90，钝化层80设于层间介质层60远离衬底10的一侧，并覆盖导电层70；平坦层90设于钝化层80远离衬底10的一侧，且钝化层80与平坦层90上设有连通辅助电极线的过孔910。其中，钝化层80的料例可为氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、有机材料或其组合，平坦化层的材料可为顺丁橡胶、聚氨酯、聚氯乙烯、聚酰胺中的任一种或聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚矾树脂、环氧树脂中的任一种，本公开对此不做限制。
通过本公开上述将栅极线与辅助电极线相交的部位断开并通过导电层20导通，能够使辅助电极线相对衬底10的高度差减少，从而能够使平坦层90的厚度更加均匀，减少了不同部位的厚度差，从而避免在平坦层90形成过孔910时出现对走线层70造成刻蚀不良的现象。
下述为本发明方法实施例，可以用于制造本发明的装置实施例。对于本发明方法实施例中未披露的细节，请参照本发明装置实施例。
本示例实施方式提供了一种显示面板的制造方法，如图4所示，该制造方法包括：
步骤S100、提供一衬底；
步骤S200、在衬底的一侧形成导电层；
步骤S300、在导电层远离衬底的一侧形成栅极绝缘层；
步骤S400、在栅极绝缘层远离衬底的一侧形成栅极层，且使栅极层的厚度大于导电层的厚度，栅极层包括多个栅极线；
步骤S500、在栅极线形成朝向衬底延伸且截断栅极线的凹槽，且使凹槽与导电层正对，将凹槽两侧断开的栅极线分别贯穿栅极绝缘层与导电层连接；
步骤S600、在栅极层远离衬底的一侧形成层间介质层，层间介质层覆盖导电层并填充凹槽；
步骤S700、在层间介质层远离衬底的一侧形成走线层，走线层包括多个辅助电极线；辅助电极线在栅极层的正投影与栅极线在凹槽相交，且相交部分在栅极层的正投影完全位于凹槽中。
本公开提供的显示面板的制造方法，使栅极线与辅助电极线相交的部位断开，栅极线断开的两端分别通过导电层连接；栅极线断开后，辅助电极线对应的下方无栅极线，且由于导电层与栅极绝缘层的的厚度较小，因此，辅助电极线与栅极线延伸方向相交的部位相对衬底的高度能够降低，从而使辅助电极线各个部位之间的高度差减小，进而，在栅极层形成平坦层时，可有效减轻辅助电极线导致平坦层厚度不均的问题，从而在平坦层上通过刻蚀形成搭接辅助电极线的过孔时，能够有效降避免出现对走线层造成刻蚀不良的现象。
此外，辅助电极线与导电层之间，存在栅极绝缘层与层间介质层两道绝缘层，能降低辅助电极线与导电层之间短路的风险，即基本解决此处DGS风险。
下面，将对本示例实施方式中的显示面板的制造方法的各步骤进行进一步的说明。
在步骤S100中，提供一衬底。
具体地，如图2所示，衬底10的材料可以是无机材料，例如钠钙玻璃、石英玻璃、蓝宝石玻璃等玻璃材料，或是不锈钢、铝、镍等各种金属或其合金的金属材料；还可以是有机材料，例如聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚乙烯基苯酚、聚醚砜、聚酰亚胺、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯或其组合。
在步骤S200中，在衬底的一侧形成导电层。
具体体，如图2所示，可通过物理气相沉积法(physical vapor deposition，PVD)、化学气相沉积法(chemical vapor deposition，CVD)、旋涂法(spincoating)或其组合等工艺在衬底10的一侧形成导电层20，导电层20还可作为遮光层。其中，导电层20的材料为铜、铝、钼、钛、铬和钨中的至少一种；此外，导电层20可以是单层金属结构，也可以是多层金属结构，例如可以采用钼、铝、钼的多层金属，也可以采用钛、铜、钛的多层金属，还可以采用钼、钛、铜的多层金属。其中，导电层20的厚度为0.1μm-0.2μm，例如可为0.1μm、0.13μm、0.15μm、0.17μm、0.2μm，在此不一一例举。当然，导电层20的厚度也可以大于0.2μm，也可以小于0.1μm，本公开对此不做限制。
在步骤S300中，在导电层远离衬底的一侧形成栅极绝缘层。
具体地，如图2所示，可在形成栅极绝缘层40之前，通过物理气相沉积法、化学气相沉积法、旋涂法或其组合等工艺在在衬底10上形成覆盖衬底10与导电层20的缓冲层30。其中，缓冲层30的材料可为氧化硅、氮化硅等绝缘材料，本公开对此不做限定。接着通过物理气相沉积法、化学气相沉积法、旋涂法或其组合等工艺在缓冲层30远离衬底10的一侧形成栅极绝缘层40，栅极绝缘层40的材料可为氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或其它适合的绝缘物质(例如有机高分子化合物)或上述材料的组合。
此外，在形成栅极层50之前，在凹槽510的预设位置处的两侧的栅极绝缘层40上分别通过刻蚀等工艺形成过孔，然后使栅极层50形成时通过凹槽510两侧栅极绝缘层40上的过孔与导电层20连接。当还设有缓冲层30时，使过孔同时贯穿缓冲层30与栅极绝缘层40，以露出导电层20。
在步骤S400中，在栅极绝缘层远离衬底的一侧形成栅极层，且使栅极层的厚度大于导电层的厚度，栅极层包括多个栅极线。
具体地，如图2所示，通过物理气相沉积法、化学气相沉积法、旋涂法或其组合等工艺在栅极绝缘层40远离衬底10的一侧形成栅极层50，栅极层50厚度大于导电层20的厚度，即栅极层50的厚度大于0.2μm，栅极层40通过构图等工艺形成多个栅极线，栅极线通过栅极绝缘层40或极绝缘层40与缓冲层30上的过孔与导电层20连接。其中，栅极层50的材料可以是金属、导电性金属氧化物、导电性高分子、导电性复合材料或其组合。举例来说，金属可以是铂、金、银、铝、镍、铜、钼、钛、镁、钙、钡、钠、铁、锰或其组合。导电性金属氧化物可以是铟锡氧化物(ITO)、掺氟的氧化锡(FTO)、掺铝的氧化锌(AZO)、掺镓的氧化锌(GZO)或其组合，本公开对此不做限定。
在步骤S500中，在栅极线形成朝向衬底延伸且截断栅极线的凹槽，且使凹槽与导电层正对，将凹槽两侧断开的栅极线分别贯穿栅极绝缘层与导电层连接。
具体地，如图2所示，将栅极层50与预设辅助电极线的位置相交的部位通过刻蚀等工艺形成截断栅极线的凹槽510，且使凹槽510与导电层20正对，使预设辅助电极线的位置与栅极线在衬底10上的正投影完全错位。其中，凹槽510两侧断开的栅极线分别贯穿过孔与导电层20连接。
步骤S600、在栅极层远离衬底的一侧形成层间介质层，层间介质层覆盖导电层并填充凹槽。
具体地，如图2所示，通过物理气相沉积法、化学气相沉积法、旋涂法或其组合等工艺在栅极层50远离衬底10的一侧形成层间介质层60，层间介质层60覆盖栅极层50并填充凹槽510。其中，层间介质层60的材料可以是氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或其它适合的绝缘物质(例如有机高分子化合物)或上述材料的组合。
步骤S700、在层间介质层远离衬底的一侧形成走线层，走线层包括多个辅助电极线，使辅助电极线在栅极层的正投影与栅极线在凹槽相交，且相交部分在栅极层的正投影完全位于凹槽中。
具体地，如图2所示，可通过物理气相沉积法、化学气相沉积法、旋涂法或其组合等工艺在层间介质层60远离衬底10的一侧形成走线层70，走线层70通过构图工艺形成多个辅助电极线；辅助电极线在栅极层50的正投影与栅极线在凹槽510相交，且相交部分在栅极层50的正投影完全位于凹槽510中。其中，走线层70的材料可为金属、导电氧化物或其组合。例如，金属可以是钛、铂、金、银、铝、钨、铜或其合金或上述材料的组合，导电氧化物可以是IZO、AZO、ITO、GZO、ZTO或其组合。
此外，如图2和图3所示，本公开提供的显示面板的制造方法还可包括步骤：可通过物理气相沉积法、化学气相沉积法、旋涂法或其组合等工艺在层间介质层70远离衬底10的一侧形成覆盖导电层60的钝化层80，通过物理气相沉积法、化学气相沉积法、旋涂法或其组合等工艺在钝化层80远离衬底10的一侧形成平坦层90；通过刻蚀等工艺在钝化层80与平坦层90上形成连通辅助电极线的过孔910，以实现辅助阴极的搭接。
其中，钝化层80的料例可为氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、有机材料或其组合；平坦化层的材料可为顺丁橡胶、聚氨酯、聚氯乙烯、聚酰胺中的任一种或聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚矾树脂、环氧树脂中的任一种，本公开对此不做限制。
其中，平坦层90由于辅助电极线导致厚度不均匀的差值h1-h2等于导电层20的厚度，导电层20的厚度0.1μm-0.2μm，可以看出，通过本公开的制造方法能够使平坦层90的厚度差减少一个数量级，极大的提高了平坦层90的厚度均匀性，更加有效降避免了出现对走线层70造成刻蚀不良的现象，保证了显示面板的可靠性。
此外，也可直接在层间介质层60远离衬底10的一侧形成覆盖走线层70与层间介质层60的平坦层90，本领域技术人员可根据实际情况进行选择，本公开对此不做限制。
本公开还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板，其具有的有益效果可参照上述关于显示面板有益效果的叙述，在此不再赘述。其中，显示装置例如可为电视、手机、平板电脑、笔记本电脑、显示屏、广告品、电子手表、车载显示屏等具有显示功能的装置，在此不一一列举。
应当注意，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底；
导电层，设于所述衬底的一侧；
栅极绝缘层，设于所述导电层远离所述衬底的一侧；
栅极层，设于所述栅极绝缘层远离所述衬底的一侧，且所述栅极层的厚度大于所述导电层的厚度；所述栅极层包括多个栅极线，所述栅极线形成有朝向所述衬底延伸且截断所述栅极线的凹槽，且所述凹槽与导电层正对，所述凹槽两侧断开的所述栅极线分别贯穿所述栅极绝缘层与所述导电层连接；
层间介质层，设于所述栅极层远离所述衬底的一侧，层间介质层覆盖所述导电层并填充所述凹槽；
走线层，设于所述层间介质层远离所述衬底的一侧，所述走线层包括多个辅助电极线；所述辅助电极线在所述栅极层的正投影与所述栅极线在所述凹槽相交，且相交部分在所述栅极层的正投影完全位于所述凹槽中。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导电层为遮光的导电材料。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
钝化层，设于所述层间介质层远离所述衬底的一侧，并覆盖所述导电层；
平坦层，设于所述钝化层远离所述衬底的一侧，且所述钝化层与所述平坦层上设有连通所述辅助电极线的过孔。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
缓冲层，设于所述衬底与所述栅极绝缘层之间并覆盖所述导电层，所述凹槽贯穿所述栅极绝缘层并连通所述缓冲层。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导电层的厚度为0.1μm-0.2μm。
6.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底的一侧形成导电层；
在所述导电层远离所述衬底的一侧形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层远离所述衬底的一侧形成栅极层，且使所述栅极层的厚度大于所述导电层的厚度，所述栅极层包括多个栅极线；
在所述栅极线形成朝向所述衬底延伸且截断所述栅极线的凹槽，且使所述凹槽与导电层正对，将所述凹槽两侧断开的所述栅极线分别贯穿所述栅极绝缘层与所述导电层连接；
在所述栅极层远离所述衬底的一侧形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述导电层并填充所述凹槽；
在所述层间介质层远离所述衬底的一侧形成走线层，所述走线层包括多个辅助电极线；所述辅助电极线在所述栅极层的正投影与所述栅极线在所述凹槽相交，且相交部分在所述栅极层的正投影完全位于所述凹槽中。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，在所述衬底的一侧形成导电层之后，在所述导电层远离所述衬底的一侧形成栅极绝缘层之前，所述制造方法还包括：
在所述衬底设有所述导电层的一侧形成覆盖所述导电层的缓冲层。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述栅极线形成朝向所述衬底延伸且截断所述栅极线的凹槽，包括：
在所述栅极线形成朝向所述衬底延伸且截断所述栅极线的凹槽，且使所述凹槽贯穿所述栅极绝缘层并连通所述缓冲层。
9.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
在所述层间介质层远离所述衬底的一侧形成覆盖所述导电层的钝化层；
在所述钝化层远离所述衬底的一侧形成平坦层；
在所述钝化层与所述平坦层上形成连通所述辅助电极线的过孔。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～5任一项所述的显示面板。
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