CN104659057A - 用于显示装置的阵列基板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示装置和用于电子装置的双栅极型薄膜晶体管(TFT)结构。根据一实施方式，双栅极TFT结构包括：形成在基板上的第一栅极；形成在第一栅极上的半导体层；形成在半导体层上的绝缘层，且绝缘层中包括第一、第二和第三接触孔；分别通过第一接触孔和第二接触孔而与半导体层接触的漏极和源极；形成在漏极和源极上的钝化层，且钝化层中包括第四接触孔；形成在钝化层上的平坦化层，且平坦化层中包括第五接触孔；以及形成在平坦化层上的第二栅极，且第二栅极通过第三、第四和第五接触孔而与第一栅极电气接触。

Description

用于显示装置的阵列基板
本申请要求享有于2013年11月22日提交的韩国专利申请第10-2013-0143114号的权益，通过引用将该申请并入本申请。
技术领域
本发明涉及显示装置，更特定而言，涉及用于显示装置的具有双栅极(dual-gate)结构且防止电气短路的阵列基板。
背景技术
最近，随着社会进入信息时代，各种将全部种类的电气信号表现为视觉图像的显示装置得到了快速发展。例如，液晶显示(LCD)装置和有机发光二极管(OLED)显示装置已被广泛的推广和使用以代替阴极射线管类型的显示装置。
一般的LCD装置具有轻重量、薄和低功耗的特性。新平板显示装置的一般的OLED显示装置具有高亮度和低驱动电压。OLED显示装置是自发光型装置，且具有视角、对比度、反应时间等等方面的优良特性。
LCD装置可包括第一基板上的阵列元件和第二基板上的滤色器。用于LCD装置的阵列元件包括栅极线、数据线、作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)以及像素电极。用于LCD装置的阵列元件可进一步包括公共电极。
另一方面，OLED显示装置可包括基板上的阵列元件以及与每一个阵列元件连接的有机发光二极管。用于OLED显示装置的阵列基板包括开关薄膜晶体管(TFT)(所述开关TFT与栅极线和数据线连接)、驱动TFT(所述驱动TFT与开关TFT连接)以及与驱动TFT连接的功率线。有机发光二极管包括第一电极(所述第一电极与驱动TFT连接)、有机发光层以及第二电极。在OLED显示装置中，来自有机发光层的光穿过第一电极或第二电极以显示图像。
如所公知的，根据现有技术的LCD装置和OLED显示装置都需要包括阵列元件的基板。此基板可称作阵列基板。
根据现有技术的TFT包括非晶硅、多晶硅或氧化物半导体材料的半导体层。包括多晶硅或氧化物半导体材料的半导体层的TFT具有迁移率方面的优点，以致所述TFT被广泛地用于OLED显示装置。最近，能够用改善的制造工艺制造包括氧化物半导体材料的半导体层的TFT，以致所述TFT被更广泛地使用。此外，推出了与单栅极型TFT相比具有改进特性的双栅极型TFT。
图1是现有技术的OLED显示装置的阵列基板的示意截面图。在多个像素区域P中的每一个像素区域P中界定驱动区域DA和发光区域EA。
如图1所示，根据现有技术的OLED显示装置包括阵列基板1。对于阵列基板1中的多个驱动区域DA中的每一个，第一栅极15形成在基板10上，栅极绝缘层18形成在第一栅极15上。
在每一个驱动区域DA中，由氧化物半导体材料形成的半导体层20形成在栅极绝缘层18上以对应于第一栅极15，由无机绝缘材料形成的蚀刻阻挡层(etch stopper)23形成在半导体层20上。蚀刻阻挡层23包括半导体接触孔25用以暴露半导体层20的两端。
源极33和漏极36形成在蚀刻阻挡层23上。源极33和漏极36分别通过半导体接触孔25接触半导体层20。
包括第一漏极接触孔43的钝化层40形成在源极33与漏极36上。漏极36的一部分通过第一漏极接触孔43而暴露。此外，暴露第一栅极15的栅极接触孔“gch”穿过钝化层40、蚀刻阻挡层23和栅极绝缘层18而形成。
辅助漏极56形成在钝化层40上且通过第一漏极接触孔43接触漏极36。此外，第二栅极54形成在钝化层40上且通过栅极接触孔“gch”接触第一栅极15。第二栅极54与辅助漏极56间隔开、与源极33重叠且定位成靠近漏极36。
第一栅极15、半导体层20、源极33、漏极36、辅助漏极56以及第二栅极54构成每一个驱动区域DA中的驱动TFT DTr。
具有平坦顶面的平坦化层60形成在辅助漏极56和第二栅极54上。平坦化层60包括暴露辅助漏极56的第二漏极接触孔63。
第一电极70形成在平坦化层60上且通过第二漏极接触孔63接触辅助漏极56。第一电极70位于发光区域EA中。与第一电极70的边缘重叠的堤(bank)71形成在平坦化层60上。堤71位于驱动区域DA中且围绕像素区域P。
有机发光层73形成在第一电极70上和发光区域EA中，第二电极76形成在有机发光层73上。第一电极70、有机发光层73和第二电极76构成每一个发光区域EA中的有机发光二极管E。
在图1中，有机发光二极管E形成在具有驱动TFT DTr的基板10上。或者，有机发光二极管E可形成在相对的基板上。在此例中，用于OLED显示装置的阵列基板包括驱动TFT和作为连接电极的电极。
另一方面，用于LCD装置的阵列基板包括图1中所示的TFT和连接至该TFT的像素电极，具有或不具有公共电极。即，用于OLED显示装置的阵列基板和用于LCD装置的阵列基板都包括TFT和电极。图1中的TFT是双栅极型TFT。
如上所述，在双栅极型TFT中，第一栅极15和第二栅极54分别设置在半导体层20之下和之上。此外，第一栅极15和第二栅极54互相直接接触且互相电气连接。
在双栅极型TFT中的半导体层20中可靠地形成沟道，以使得与包括单栅极的TFT相比，双栅极型TFT的导通(ON)电流特性被改善。此外，由TFT的非均匀性所导致的色斑(stain)问题减少，从而改进了图像质量。
然而，在根据现有技术的TFT的操作中可能存在问题。在如图1中所示的现有技术的双栅极型TFT中，在漏极36与第二栅极54之间以及在源极33与第二栅极54之间产生电气短路问题。因此，TFT不能正常工作。
更具体地，由无机绝缘材料形成的钝化层40形成在漏极36与第二栅极54之间以及源极33与第二栅极54之间，且具有2000埃至4000埃的厚度。源极33、漏极36和第二栅极54中的每一个由诸如铜(Cu)、Cu合金、铝(Al)或铝合金(AlNd)之类的低阻抗金属材料形成。
特别地，源极33、漏极36和第二栅极54中的每一个由Cu或Al形成，当源极33、漏极36和第二栅极54在溅射工艺或化学气相沉积工艺中被暴露至相对高温(例如200℃至300℃)时，源极33、漏极36和第二栅极54的材料迁移到钝化层40中，以致在漏极36与第二栅极54之间以及在源极33与第二栅极54之间产生电气短路问题。图2是显示这种Cu迁移到钝化层40中而引起电气短路问题的实例的图片。这不利地影响根据现有技术的双栅极型TFT的操作。
发明内容
因此，本发明涉及一种用于显示装置的阵列基板，其基本上避免了由于现有技术的局限和缺陷导致的一个或更多个问题。
本发明额外的特征和优点将在下面的描述中列出，一部分将从该描述中变得显而易见，或者可通过实施本发明而知晓。本发明的这些以及其他优点将通过本申请的说明书和权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
根据本发明，如本文具体和概括地描述的那样，本发明提供一种显示装置，该显示装置包括：形成在基板上的第一栅极和栅极绝缘层；形成在栅极绝缘层上的半导体层；形成在栅极绝缘层上的蚀刻阻挡层，且蚀刻阻挡层中包括第一、第二和第三接触孔；形成在蚀刻阻挡层上的漏极和源极，且漏极和源极分别通过第一接触孔和第二接触孔而都与半导体层接触；通过第三接触孔而与第一栅极接触的第一辅助图案；形成在漏极和源极上的钝化层，且钝化层中包括第四接触孔；通过第四接触孔而与第一辅助图案接触的第二辅助图案；形成在钝化层和第二辅助图案上的平坦化层，且平坦化层中包括第五接触孔；以及形成在平坦化层上的第二栅极，且第二栅极通过第五接触孔而与第二辅助图案接触。
根据一实施例，本发明提供一种用于电子装置的双栅极型薄膜晶体管(TFT)结构，该结构包括：形成在基板上的第一栅极；形成在第一栅极上的半导体层；形成在半导体层上的绝缘层，且绝缘层中包括第一、第二和第三接触孔；分别通过第一接触孔和第二接触孔而与半导体层接触的漏极和源极；形成在漏极和源极上的钝化层，且钝化层中包括第四接触孔；形成在钝化层上的平坦化层，且平坦化层中包括第五接触孔；以及形成在平坦化层上的第二栅极，且第二栅极通过第三、第四和第五接触孔而与第一栅极电气接触。
应该理解的是，前述的概括描述和下面的详细描述是示例性的和说明性的，旨在对要求保护的发明提供进一步的说明。
附图说明
附图被包括在内以提供对本发明的进一步的理解，它们被并入并构成本说明书的一部分；附图示出本发明的实施例并与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1是现有技术的OLED显示装置的阵列基板的示意截面图。
图2是显示图1的源极与第二栅极之间电气短路的图片。
图3是根据本发明的实例的OLED显示装置的一个子像素区域的电路图。
图4是根据本发明的第一实施例的OLED显示装置的阵列基板的示意截面图。
图5是根据本发明的第二实施例的OLED显示装置的阵列基板的示意截面图。
图6是根据本发明的第三实施例的OLED显示装置的阵列基板的示意截面图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的优选实施例，这些实施例的实例在附图中被示出。
图3是根据本发明的实例的OLED显示装置的一个子像素区域的电路图。
如图3中所示，OLED显示装置包括在多个像素区域的每一个像素区域P中的构造/结构C。也就是，OLED显示装置包括以矩阵形式布置的多个图3的构造C。每一个构造C包括在每一个像素区域P中的有机发光二极管E、开关薄膜晶体管(TFT)STr、驱动TFT DTr和存储电容器StgC。根据本发明的OLED显示装置或任何其他类型的显示装置的全部部件被可操作地耦接和配置。
在基板上形成沿第一方向的栅极线GL和沿第二方向的数据线DL。栅极线GL和数据线DL互相交叉以界定像素区域P。用于向发光二极管E提供电压的电源线PL被形成为与数据线DL平行且间隔开。
开关TFT STr与栅极线GL和数据线DL连接，而驱动TFT DTr和存储电容器StgC连接至开关TFT STr和电源线PL。有机发光二极管E与驱动TFT DTr连接。
有机发光二极管E的第一电极与驱动TFT DTr的漏极连接，有机发光二极管E的第二电极接地。
当开关TFT STr被通过栅极线GL施加的栅极信号导通时，来自数据线DL的数据信号被施加至驱动TFT DTr的栅极和存储电容器StgC的电极。当驱动TFT DTr被数据信号导通时，电流从电源线PL供给到有机发光二极管E。结果，有机发光二极管E发光。在这种情况下，当驱动TFT DTr被导通时，从电源线PL施加至有机发光二极管E的电流电平被确定，以使有机发光二极管E能够产生灰度(gray scale)。存储电容器StgC用于当开关TFT STr断开时维持驱动TFT DTr的栅极的电压。因此，即使开关晶体管TFT STr被断开，从电源线PL供给至有机发光二极管E的电流电平也被维持到下一帧。
尽管图3示出了在一个像素区域P中的单个驱动TFT DTr，但作为变体，可在一个像素区域P中形成至少两个驱动TFT以可靠地驱动有机发光二极管。
图4是根据本发明的第一实施例的OLED显示装置的阵列基板的示意截面图。图4和根据本发明实施例的全部其他图中的OLED显示装置被可操作地耦接和配置。特别地，OLED显示装置包括阵列基板101和用于封装有机发光二极管的相对基板。阵列基板包括多个像素区域P，且在每一个像素区域P中界定驱动区域DA和发光区域EA。OLED显示装置可进一步包括封装膜来替代该相对的基板，所述封装膜包括无机层和/或有机层。
如图4中所示，用于OLED显示装置的阵列基板101包括在每一个驱动区域DA中的驱动TFT DTr和形成在基板110上的有机发光二极管E。有机发光二极管E与驱动TFT DTr电气连接。驱动TFT DTr被设置于每一个驱动区域DA中，有机发光二极管E被设置于每一个发光区域EA中。
尽管未图示，栅极线和数据线形成在基板110上。栅极线和数据线互相交叉以界定像素区域P。电源线形成在基板110上以平行于栅极线或数据线。开关TFT形成在每一个像素区域P中。开关TFT电气连接至栅极线和数据线。
驱动TFT DTr与开关TFT连接。图4示出了在一个像素区域P中的一个驱动TFT DTr。替代地，在一个像素区域中可形成至少两个驱动TFT。驱动TFT DTr亦连接至电源线和有机发光二极管E。
驱动TFT DTr包括第一栅极115、半导体层120、源极133、漏极136、辅助漏极156以及第二栅极168。驱动TFT DTr进一步包括第一辅助图案138和第二辅助图案153，以用于第一栅极115与第二栅极168之间的电气连接。栅极线与第一栅极115形成在相同层上，且栅极线以与第一栅极115相同的材料形成，且数据线和电源线中的每个均与源极133形成在相同层上，数据线和电源线中的每个均以与源极133相同的材料形成。
第一栅极115与开关TFT连接，源极133与电源线连接。第一栅极115形成在基板110上。第一栅极115具有单层结构或多层结构，且由诸如Al、Al合金、Cu、Cu合金、钼(Mo)或Mo合金(MoTi)之类的低阻抗金属材料形成。尽管未图示，栅极线形成在基板110上。
栅极绝缘层118形成在第一栅极115和栅极线(未图示)上。栅极绝缘层118由无机绝缘层形成，例如氧化硅或氮化硅。
岛(island)状的半导体层120形成在栅极绝缘层118上以对应于第一栅极115。半导体层120由氧化物半导体材料形成，例如氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锡锌(ZTO)、氧化铟锌(ZIO)或氧化锌(ZO)。
蚀刻阻挡层123形成在包括半导体层120的基板110的整个表面之上。蚀刻阻挡层123由无机绝缘层形成，例如氧化硅或氮化硅。
暴露半导体层120两端的半导体接触孔125穿过蚀刻阻挡层123而形成。此外，暴露第一栅极115的栅极接触孔126穿过蚀刻阻挡层123和栅极绝缘层118而形成。
图4中，在半导体接触孔125中仅去除蚀刻阻挡层123以通过半导体接触孔125暴露半导体层120的顶面。替代地，如图5所示(图5是根据本发明的第二实施例的OLED显示装置的阵列基板的示意截面图)，不仅蚀刻阻挡层123的部分被去除，而且半导体层120的部分也被去除，以通过半导体接触孔125暴露栅极绝缘层118的顶面。
通过形成如图5所示的、穿过蚀刻阻挡层123和半导体层120的半导体接触孔125，源极133与半导体层120之间以及漏极136与半导体层120之间的接触面积(contact area)变得一致(uniform)。
在图4的实例中，当通过干蚀刻工艺蚀刻蚀刻阻挡层123的部分以在其中形成半导体接触孔125时，半导体层120的一些部分可被干蚀刻工艺的蚀刻气体非有意地(unintentionally)蚀刻。在用于源极133的半导体接触孔125中和用于漏极136的半导体接触孔125中，半导体层120的蚀刻量可能不同。在这种情况下，源极133与半导体层120之间的接触面积的大小可能变得不同于漏极136与半导体层120之间的接触面积的大小，以致可能根据TFT的位置而产生这些TFT的特性偏差。因此，图像质量可能劣化。
然而，通过形成如图5所示的穿过蚀刻阻挡层123和半导体层120的半导体接触孔125，可以避免或缓解以上问题。当源极133和漏极136接触半导体接触孔125中的半导体层120的暴露部分的侧表面时(半导体接触孔125形成为穿过蚀刻阻挡层123和半导体层120)，源极133与半导体层120之间的接触面积变得实质上等同于漏极136与半导体层120之间的接触面积，从而避免或最小化由于接触区域偏差所导致的图像质量劣化。
再次参照图4，源极133和漏极136形成在蚀刻阻挡层123上。源极133和漏极136中的每一个具有单层结构或多层结构，且能够由诸如Al、Al合金、Cu、Cu合金、钼(Mo)或Mo合金(MoTi)之类的低阻抗金属材料形成。源极133和漏极136通过半导体接触孔125来接触半导体层120的顶面。
替代地，如图5所示，源极133和漏极136通过半导体接触孔125来接触半导体层120的侧面。
再次参照图4，第一辅助图案138通过栅极接触孔126接触第一栅极115且与源极133和漏极136间隔开；第一辅助图案138形成在蚀刻阻挡层123上和栅极接触孔126中。第一辅助图案138形成在与源极133和漏极136相同的层上，且第一辅助图案138由与源极133和漏极136相同的材料形成。第一辅助图案138被形成以用于第一栅极115与第二栅极168之间的可靠连接。
包括第一漏极接触孔143和第一辅助接触孔144的钝化层140形成在源极133、漏极136和第一辅助图案138上。第一漏极接触孔143暴露漏极136，第一辅助接触孔144暴露第一辅助图案138。钝化层140可由诸如氧化硅或氮化硅之类的无机绝缘材料形成。
辅助漏极156通过第一漏极接触孔143接触漏极136，第二辅助图案153通过第一辅助接触孔144接触第一辅助图案138；辅助漏极156和第二辅助图案153使用低阻抗金属材料形成在钝化层140上。辅助漏极156和第二辅助图案153可使用相同的材料同时形成。
第二辅助图案153与源极133和漏极136间隔开。即，第二辅助图案153与源极133和漏极136不重叠。因此，源极133与第二辅助图案153之间以及漏极136与第二辅助图案153之间的电气短路问题得到缓解或不会发生。通过第二辅助图案153和第一辅助图案138而建立和保障第一栅极115与第二栅极168之间的电气连接。
平坦化层160形成在辅助漏极156、第二辅助图案153和钝化层140上。平坦化层160由有机绝缘材料形成且具有平坦的顶面。平坦化层160包括暴露辅助漏极156的第二漏极接触孔163和暴露第二辅助图案153的第二辅助接触孔164。第二漏极接触孔163和第二辅助接触孔164可同时形成。
第一电极170通过第二漏极接触孔163接触辅助漏极156，第一电极170形成在平坦化层160上。在OLED显示装置中，第一电极170可由具有相对较高功函数的材料(例如氧化铟锡(ITO))形成以用作阳极。另一方面，有机发光二极管E形成在相对的基板上，且第一电极170可由低阻抗金属材料形成。在LCD装置中，第一电极170被用作像素电极。
此外，第二栅极168形成在平坦化层160上和第二辅助接触孔164中。即，第二栅极168设置在源极133和漏极136之上，但第二栅极168通过平坦化层160而与钝化层140分隔开。第二栅极168通过第二辅助接触孔164接触第二辅助图案153。即，第二栅极168通过第一辅助图案138和第二辅助图案153而与第一栅极115电气连接。第一辅助图案138和第二辅助图案153中的每一个可由导电材料形成。第二栅极168由与第一电极170相同的材料形成，且第二栅极168可使用相同的制造工艺与第一电极170同时形成。
在具有以上结构的驱动TFT DTr中，不仅钝化层140而且平坦化层160也被设置在源极133与第二辅助图案153之间以及漏极136与第二辅助图案153之间。即使源极133和漏极136的金属材料迁移到钝化层140中，迁移的金属材料也会被具有比钝化层140更厚的厚度(例如1μm以上)的平坦化层160所阻挡。
因此，驱动TFT DTr具有包括第一栅极115和第二栅极168的双栅极结构，源极133与第二辅助图案153之间以及漏极136与第二辅助图案153之间的电气短路问题能够被避免或最小化。
尽管未图示，与栅极线、数据线和驱动TFT DTr电气连接的开关TFT形成在基板110上。开关TFT可具有与驱动TFT相同的结构或单栅极结构。
当开关TFT具有单栅极结构时，可省去第一辅助图案138、第二辅助图案153、第二栅极168和辅助漏极156。此外，可省去栅极接触孔126、第一辅助接触孔144、第二辅助接触孔164和第一漏极接触孔143。即，单栅极型开关TFT包括栅极、半导体层、源极和漏极。
另一方面，当开关TFT包括辅助漏极时，钝化层140包括暴露漏极的接触孔，辅助漏极通过接触孔来接触漏极且形成在钝化层140上。此外，开关TFT可包括辅助源极和辅助漏极，或者开关TFT可包括辅助源极而不包括辅助漏极。在这种情况下，钝化层140包括暴露源极的源接触孔，辅助源极通过源接触孔来接触源极且形成在钝化层140上。
在本发明的阵列基板中，驱动TFT DTr具有如图4和图5所示的双栅极结构，其中第一栅极115和第二栅极168分别设置在半导体层120之下和之上，以便改善导通(ON)电流特性(Ion)。换句话说，半导体层120被设置于第一栅极115与第二栅极168之间。此外，由于源极133与第二辅助图案153之间以及漏极136与第二辅助图案153之间的电气短路问题被缓解或不发生，因此提高了显示装置的生产量。
在第一电极170和第二栅极168上形成堤171。堤171围绕第一电极170的边缘且覆盖第二栅极168。换句话说，堤171围绕发光区域且暴露第一电极170的中心。堤171覆盖整个驱动区域DA。堤171可由黑树脂或透明有机绝缘材料形成，比如聚酰亚胺。
在第一电极170的没有形成堤171的部分上，形成有机发光层173。有机发光层173接触通过堤171而暴露的第一电极170。
在第一电极170上形成第二电极176，第二电极176覆盖阵列基板的显示区域的整个表面。第二电极176由具有相对较低功函数的金属材料形成以用作阴极。第二电极176可由Al、Al合金、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)和Al-Mg合金(AlMg)中的至少一种形成。
第一电极170、第二电极176和有机发光层173构成有机发光二极管E。
尽管未图示，第一发光增强层和第二发光增强层可分别形成在第一电极170与有机发光层173之间以及有机发光层173与第二电极176之间，以提高有机发光二极管E的发光效率。第一发光增强层和第二发光增强层中的每一个可具有多层结构。
例如，第一发光增强层可包括第一电极170上的空穴注入层和空穴注入层上的空穴传输层。第二发光增强层可包括有机发光层173上的电子传输层和电子传输层上的电子注入层。第一发光增强层可进一步包括电子阻挡层，第二发光增强层可进一步包括空穴阻挡层。
另一方面，第一发光增强层可具有空穴注入层或空穴注入层上的空穴传输层的单层结构，且第二发光增强层可具有电子传输层或电子注入层的单层结构。
参照图6，图6是根据本发明的第三实施例的OLED显示装置的阵列基板的示意截面图，图4(或图5)的阵列基板101进一步包括在每一个发光区域EA中的滤色器图案“CF”。滤色器图案“CF”具有红色、绿色和蓝色中的一种颜色。在图6中，滤色器图案“CF”具有红色。另一像素区域中的滤色器图案“CF”具有绿色或蓝色，以便在阵列基板中提供具有红色、绿色和蓝色的滤色器图案“CF”。滤色器图案“CF”位于钝化层140与平坦化层160之间。
在这种情况下，有机发光层173发射白光，来自有机发光层173的光经过滤色器图案“CF”以产生全色(full color)图像。另一方面，一个或多个像素区域可不包括滤色器图案“CF”，以便增加红光、绿光、蓝光和白光的对比度。
在另一实例中，有机发光层173可被配置成使得有机发光层173本身发红光、绿光和蓝光，从而在不使用滤色器图案“CF”的情况下产生全色图像。在这种实例中，可不需要滤色器图案“CF”。
尽管未图示，用于封装有机发光二极管E的相对基板被设置在阵列基板101之上，且可沿着阵列基板101和相对基板的边缘形成粘结图案。阵列基板101和相对基板可通过粘结图案而互相贴附以形成显示面板，其中在阵列基板101与相对基板之间具有真空条件或惰性气体条件。该相对基板可以是柔性塑料基板或玻璃基板。
另一方面，OLED显示装置可包括封装膜而不包括相对基板，封装膜包括无机层和/或有机层且用作露营层(camping layer)。
对于本领域的技术人员显而易见的是，在不背离本发明的精神或范围的情况下，能在本发明中作出各种修改和变化。因此，旨在使本发明覆盖本发明的这些修改和变化，只要这些修改和变化落在所附权利要求书及其等同物的范围内。

Claims (21)

1.一种显示装置，包括：
第一栅极和栅极绝缘层，所述第一栅极和所述栅极绝缘层都形成在基板上；
形成在所述栅极绝缘层上的半导体层；
形成在所述栅极绝缘层上的蚀刻阻挡层，并且所述蚀刻阻挡层中包括第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔；
漏极和源极，所述漏极和所述源极都形成在所述蚀刻阻挡层上，且所述漏极和所述源极分别通过所述第一接触孔和所述第二接触孔而都与所述半导体层接触；
第一辅助图案，所述第一辅助图案通过所述第三接触孔而与所述第一栅极接触；
形成在所述漏极和所述源极上的钝化层，所述钝化层中包括第四接触孔；
第二辅助图案，所述第二辅助图案通过所述第四接触孔而与所述第一辅助图案接触；
形成在所述钝化层和所述第二辅助图案上的平坦化层，且所述平坦化层中包括第五接触孔；以及
形成在所述平坦化层上的第二栅极，并且所述第二栅极通过所述第五接触孔而与所述第二辅助图案接触。
2.如权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
电极层，所述电极层形成在所述平坦化层上且与所述第二栅极相邻，
其中，所述第二栅极和所述电极层以相同的材料形成。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第二栅极通过形成在所述第二栅极与所述钝化层之间的所述平坦化层而与所述钝化层隔开。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中在所述第三接触孔、所述第四接触孔和所述第五接触孔中，所述第一辅助图案、所述第二辅助图案和所述第二栅极在所述第一栅极上堆叠在彼此的顶部上。
5.如权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
形成在所述钝化层上的辅助漏极，且所述辅助漏极通过所述平坦化层接触所述漏极。
6.如权利要求5所述的显示装置，进一步包括：
有机发光二极管(OLED)结构，所述有机发光二极管结构通过所述辅助漏极而与所述漏极电气接触。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中所述有机发光二极管结构包括：
形成在所述平坦化层上的第一电极，且所述第一电极通过所述平坦化层而接触所述辅助漏极接触；
形成在所述有机发光二极管结构的所述第一电极上的有机发光层；以及
形成在所述有机发光层上的第二电极。
8.如权利要求1所述的显示装置，其中所述半导体层进一步包括分别形成在所述第一接触孔和所述第二接触孔之下的第一半导体层接触孔和第二半导体层接触孔。
9.如权利要求8所述的显示装置，其中所述漏极通过所述第一接触孔和所述第一半导体层接触孔而接触所述栅极绝缘层，且
所述源极通过所述第二接触孔和所述第二半导体层接触孔而接触所述栅极绝缘层。
10.如权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
形成在所述钝化层上和所述平坦化层下的滤色器图案。
11.如权利要求10所述的显示装置，其中所述半导体层进一步包括分别形成在第一接触孔和第二接触孔之下的第一半导体层接触孔和第二半导体层接触孔。
12.如权利要求11所述的显示装置，其中所述漏极通过所述第一接触孔和所述第一半导体层接触孔而接触所述栅极绝缘层，且
所述源极通过所述第二接触孔和所述第二半导体层接触孔而接触所述栅极绝缘层。
13.用于电子装置的双栅极型薄膜晶体管(TFT)结构，所述结构包括：
形成在基板上的第一栅极；
形成在所述第一栅极上的半导体层；
形成在所述半导体层上的绝缘层，并且所述绝缘层中包括第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔；
漏极和源极，所述漏极和所述源极分别通过所述第一接触孔和所述第二接触孔而接触所述半导体层；
形成在所述漏极和所述源极上的钝化层，且所述钝化层中包括第四接触孔；
形成在所述钝化层上的平坦化层，且所述平坦化层中包括第五接触孔；以及
形成在所述平坦化层上的第二栅极，且所述第二栅极通过所述第三接触孔、所述第四接触孔和所述第五接触孔而与所述第一栅极电气接触。
14.如权利要求13所述的结构，进一步包括：
电极层，所述电极层形成在所述平坦化层上且与所述第二栅极相邻，
其中所述第二栅极和所述电极层以相同的材料形成。
15.如权利要求13所述的结构，进一步包括：
至少一个辅助图案，所述至少一个辅助图案形成在所述第三接触孔和所述第四接触孔的至少一个中且与所述第一栅极和所述第二栅极接触。
16.如权利要求15所述的结构，其中所述至少一个辅助图案包括第一辅助图案和第二辅助图案，以及
在所述第三接触孔、所述第四接触孔和所述第五接触孔中，所述第一辅助图案、所述第二辅助图案和所述第二栅极在所述第一栅极上堆叠在彼此的顶部上。
17.如权利要求13所述的结构，其中所述第二栅极通过形成在所述第二栅极与所述钝化层之间的所述平坦化层而与所述钝化层隔开。
18.如权利要求13所述的结构，进一步包括：
形成在所述钝化层上的辅助漏极，且所述辅助漏极通过所述平坦化层而接触所述漏极。
19.如权利要求13所述的结构，进一步包括：
形成在所述第一栅极与所述半导体层之间的栅极绝缘层，
其中，所述半导体层进一步包括分别形成在所述第一接触孔和所述第二接触孔之下的第一半导体层接触孔和第二半导体层接触孔。
20.如权利要求19所述的结构，其中所述漏极通过所述第一接触孔和所述第一半导体层接触孔而接触所述栅极绝缘层，且
所述源极通过所述第二接触孔和所述第二半导体层接触孔而接触所述栅极绝缘层。
21.如权利要求13所述的结构，进一步包括：
形成在所述钝化层上和所述平坦化层下的滤色器图案。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105140291A (zh) * 2015-07-13 2015-12-09 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置
CN106409866A (zh) * 2015-07-03 2017-02-15 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN106449696A (zh) * 2015-08-07 2017-02-22 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN108400139A (zh) * 2017-02-08 2018-08-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法以及显示装置
WO2019019428A1 (zh) * 2017-07-25 2019-01-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled阵列基板及其制作方法
CN110391275A (zh) * 2018-04-23 2019-10-29 三星显示有限公司 显示装置
CN112885846A (zh) * 2021-01-18 2021-06-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种tft背板及其制作方法
CN113130658A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 乐金显示有限公司 薄膜晶体管和包括其的显示装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103700669A (zh) * 2013-12-19 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
KR20160086016A (ko) * 2015-01-08 2016-07-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법
CN104867877A (zh) * 2015-04-09 2015-08-26 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN104977764A (zh) * 2015-06-18 2015-10-14 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、液晶显示器
KR102387791B1 (ko) * 2015-12-31 2022-04-15 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법
KR102568632B1 (ko) 2016-04-07 2023-08-21 삼성디스플레이 주식회사 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102526611B1 (ko) * 2016-05-31 2023-04-28 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20170143082A (ko) * 2016-06-17 2017-12-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102626961B1 (ko) * 2016-07-27 2024-01-17 엘지디스플레이 주식회사 하이브리드 타입의 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기발광 표시장치
KR102405404B1 (ko) * 2017-06-13 2022-06-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102464131B1 (ko) 2017-06-30 2022-11-04 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
CN207165572U (zh) * 2017-09-12 2018-03-30 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
KR102597297B1 (ko) 2018-10-11 2023-11-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110190073B (zh) * 2019-07-25 2019-11-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板
CN110808274B (zh) * 2019-11-14 2022-05-27 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1716632A (zh) * 2004-07-02 2006-01-04 中华映管股份有限公司 双栅极薄膜电晶体与像素结构及其制造方法
EP2086013A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Oxide semiconductor transistor and method of manufacturing the same
US20110017999A1 (en) * 2009-07-24 2011-01-27 Hee-Dong Choi Array substrate and method of fabricating the same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6746905B1 (en) * 1996-06-20 2004-06-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Thin film transistor and manufacturing process therefor
JPH11233784A (ja) * 1998-02-17 1999-08-27 Matsushita Electron Corp 薄膜トランジスタの製造方法
KR100628679B1 (ko) * 1999-11-15 2006-09-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 어레이 패널, 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에따른액정표시장치
JP2001177103A (ja) * 1999-12-20 2001-06-29 Sony Corp 薄膜半導体装置及び表示装置とその製造方法
US20050037550A1 (en) * 2001-10-15 2005-02-17 Myung-Koo Kang Thin film transistor using polysilicon and a method for manufacturing the same
KR20090115222A (ko) * 2005-11-15 2009-11-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 제조방법
KR100766318B1 (ko) * 2005-11-29 2007-10-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터와 이를 구비한액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
EP1895545B1 (en) * 2006-08-31 2014-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR101457837B1 (ko) * 2009-06-30 2014-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
KR102215941B1 (ko) * 2009-07-31 2021-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1716632A (zh) * 2004-07-02 2006-01-04 中华映管股份有限公司 双栅极薄膜电晶体与像素结构及其制造方法
EP2086013A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Oxide semiconductor transistor and method of manufacturing the same
US20110017999A1 (en) * 2009-07-24 2011-01-27 Hee-Dong Choi Array substrate and method of fabricating the same

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106409866A (zh) * 2015-07-03 2017-02-15 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN106409866B (zh) * 2015-07-03 2022-02-01 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN105140291B (zh) * 2015-07-13 2019-01-15 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置
WO2017008453A1 (en) * 2015-07-13 2017-01-19 Boe Technology Group Co., Ltd. Thin film transistor, fabricating method thereof, and display device
CN105140291A (zh) * 2015-07-13 2015-12-09 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置
CN106449696A (zh) * 2015-08-07 2017-02-22 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
WO2018145465A1 (zh) * 2017-02-08 2018-08-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板以及显示装置
US10651205B2 (en) 2017-02-08 2020-05-12 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display panel and display device
CN108400139B (zh) * 2017-02-08 2020-12-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法以及显示装置
CN108400139A (zh) * 2017-02-08 2018-08-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法以及显示装置
WO2019019428A1 (zh) * 2017-07-25 2019-01-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled阵列基板及其制作方法
CN110391275A (zh) * 2018-04-23 2019-10-29 三星显示有限公司 显示装置
CN110391275B (zh) * 2018-04-23 2024-04-02 三星显示有限公司 显示装置
CN113130658A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 乐金显示有限公司 薄膜晶体管和包括其的显示装置
CN112885846A (zh) * 2021-01-18 2021-06-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种tft背板及其制作方法

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