KR100766318B1 - 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터와 이를 구비한액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (31)
- 기판 상에 형성된 버퍼층과;상기 버퍼층 위로 형성되며 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극;상기 소스 전극과 드레인 전극의 이격한 영역을 포함하여 상기 소스 및 드레인 전극과 동시에 접촉하며 형성된 유기 반도체층과;상기 유기 반도체층 상부로 상기 유기 반도체층과 동일한 형태로 형성된 게이트 절연막과;상기 게이트 절연막 위로 상기 소스 및 드레인 전극 간 이격영역에 대응하여 형성된 게이트 전극을 포함하는 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 게이트 절연막과 동일한 형태인 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 버퍼층은, 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiO2), SiNxOy 중에서 선택되는 무기절연물질로 형성되거나 또는 PVP(poly vinyl pyrrolidone), PVA(polyvinyl alcohol), BCB(benzocyclobutene), PMMA(poly methyl meta acrylate) 중에서 선택되는 유기절연물질로 형성된 것이 특징인 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기 반도체층은 펜타신(pentacene)으로 이루어진 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 산화실리콘(SiO2), 또는 질화실리콘(SiNx) 등의 무기절연물질 또는 PVA(poly vinyl alcohol) 또는 기상 증착된 고분자물질인 폴리이미드(polyimide) 등의 유기절연물질로 이루어진 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극은 금(Au), ITO, 니켈(Ni), 납(Pb), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 중에서 선택되는 금속물질 또는 PEDOT:PSS(poly ethylene dioxy thiophene : poly styrene sulfonate) 등의 유기 도전성 물질로 이루어진 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터.
- 기판 상에 형성된 버퍼층과;상기 버퍼층 위로 형성되며 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 연결된 데이터 배선과;상기 소스 및 드레인 전극과 이들 두 전극 사이의 이격영역을 포함하여 상기 데이터 배선 위로 형성된 유기 반도체층과;상기 유기 반도체층 상부로 상기 유기 반도체층과 동일한 형태로 형성된 게이트 절연막과;상기 게이트 절연막 위로 상기 소스 및 드레인 전극 간 이격영역에 형성된 게이트 전극 및 상기 게이트 전극과 연결되며 상기 데이터 배선과 교차하는 게이트 배선과;상기 게이트 전극과 게이트 배선 위로 전면에 드레인 콘택홀을 갖는 보호층과;상기 보호층 상부로 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결되는 화소전극을 포함하는 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 7 항에 있어서,상기 유기 반도체층과 그 상부의 게이트 절연막에는 상기 드레인 전극을 노출시키는 제 1 콘택홀이 형성된 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 8 항에 있어서,상기 게이트 절연막 위로 상기 제 1 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 드레인 접촉 패드가 형성된 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 9 항에 있어서,상기 드레인 콘택홀은 상기 드레인 접촉 패드를 노출시키는 것이 특징인 유 기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 10 항에 있어서,상기 화소전극은 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 접촉 패드와 접촉하는 것이 특징인 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 7 항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 게이트 절연막과 동일한 형태인 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 7 항 또는 제 11 항 또는 제 12 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 버퍼층은 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiO2), SiNxOy 중에서 선택되는 무기절연물질로 형성되거나 또는 PVP(poly vinyl pyrrolidone), PVA(polyvinyl alcohol), BCB(benzocyclobutene), PMMA(poly methyl meta acrylate) 중에서 선택되는 유기절연물질로 형성된 것이 특징인 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 7 항 또는 제 11 항 또는 제 12 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 유기 반도체층은 펜타신(pentacene)으로 이루어진 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 7 항 또는 제 11 항 또는 제 12 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 산화실리콘(SiO2), 또는 질화실리콘(SiNx) 등의 무기절연물질 또는 PVA(poly vinyl alcohol) 또는 기상 증착된 고분자물질인 폴리이미드(polyimide) 등의 유기절연물질로 이루어진 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 7 항 또는 제 11 항 또는 제 12 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극은 금(Au), ITO, 니켈(Ni), 납(Pb), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 중에서 선택되는 금속물질 또는 PEDOT:PSS(poly ethylene dioxy thiophene : poly styrene sulfonate) 등의 유기 도전성 물질로 이루어진 유 기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 7 항 또는 제 11 항 또는 제 12 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 기판은 플라스틱, 유기 또는 금속물질로 이루어진 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치용 어레이 기판.
- 기판 위로 전면에 버퍼층을 형성하는 단계와;상기 버퍼층 위로 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 연결된 데이터 배선을 형성하는 단계와;상기 소스 및 드레인 전극과 데이터 배선 위로 전면에 유기 반도체 물질을 진공 열 증착하여 유기 반도체 물질층을 형성하는 단계와;상기 유기 반도체 물질층 위로 절연층을 형성하는 단계와;상기 절연층 위로 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와;상기 포토레지스트 패턴을 외부로 노출된 절연층 및 그 하부의 유기 반도체 물질층을 드라이 에칭하여 제거함으로써 상기 소스 및 드레인 전극의 이격영역을 포함하여 상기 소스 및 드레인 전극과 데이터 배선 위로 유기 반도체층과 그 위로 게이트 절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트 절연막 위로 상기 소스 및 드레인 전극의 이격영역에 대응하여 게이트 전극과, 상기 게이트 전극과 연결되며 상기 데이터 배선과 교차하는 게이트 배선을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극과 게이트 배선 위로 제 1 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계와;상기 보호층 위로 상기 제 1 콘택홀을 통해 드레인 전극과 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 버퍼층은 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiO2), SiNxOy 중에서 선택되는 무기절연물질을 증착함으로써 형성하거나 또는 PVP(polyinylpyrrolidone), PVA(polyvinyl alcohol), BCB(benzocyclobutene), PMMA(poly methyl meta acrylate) 중에서 선택되는 유기절연물질을 코팅하여 형성함으로써 매끈한 표면상태를 갖는 것이 특징인 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극과 데이터 배선을 형성하는 단계는금(Au), ITO, 니켈(Ni), 납(Pb), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 중에서 선택되는 금속물질을 증착하여 제 1 금속층을 형성하거나 또는 PEDOT:PSS(poly ethylene dioxy thiophene : poly styrene sulfonate)의 유기 도전성 물질을 상온에서 코팅하여 유기 도전성 물질층을 형성하는 단계와;상기 제 1 금속층 또는 유기 도전성 물질층을 패터닝하는 단계를 포함하는 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 삭제
- 제 18 항에 있어서,상기 유기 반도체층 및 게이트 절연막을 형성하는 단계는,상기 드레인 전극을 노출시키는 제 2 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하는 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 22 항에 있어서,상기 게이트 전극 및 게이트 배선을 형성하는 단계는,상기 제 2 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하며 상기 게이트 전극과 이격하는 드레인 접촉 패드를 형성하는 단계를 포함하는 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 23 항에 있어서,상기 제 1 콘택홀은 상기 드레인 접촉 패드를 노출시키도록 형성하는 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치용 어레이 기판의 제 조 방법.
- 제 24 항에 있어서,상기 화소전극은 상기 제 1 콘택홀을 통해 상기 드레인 접촉 패드와 접촉하도록 형성됨으로써 상기 드레인 전극과 연결되는 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 기판 위로 전면에 버퍼층을 형성하는 단계와;상기 버퍼층 위로 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 연결된 데이터 배선을 형성하는 단계와;상기 소스 및 드레인 전극과 데이터 배선 위로 전면에 유기 반도체 물질을 진공 열 증착하여 유기 반도체 물질층을 형성하는 단계와;상기 유기 반도체 물질층 위로 절연층을 형성하는 단계와;상기 절연층 위로 제 2 금속물질을 증착하여 제 2 금속물질층을 형성하는 단계와;상기 제 2 금속물질층을 패터닝하여 상기 소스 및 드레인 전극 간 이격영역에 대응하여 게이트 전극과, 상기 게이트 전극과 연결된 게이트 배선을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극 및 게이트 배선을 마스크로 하여 상기 게이트 전극 및 게이트 배선 외부로 노출된 상기 절연층 및 그 하부의 유기 반도체 물질층을 드라이 에칭을 실시하여 제거함으로써 상기 게이트 전극 하부에 상기 게이트전극과 동일한 형태의 유기 반도체층과, 게이트 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 26 항에 있어서,상기 유기 반도체층과 그 상부에 위치한 상기 게이트 절연막은 상기 유기 반도체층 하부에 위치한 드레인 전극을 일부 노출시키며 형성되는 것이 특징인 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 27 항에 있어서,상기 제 1 콘택홀은 상기 유기 반도체층과 그 상부에 위치한 상기 게이트 절연막 외부로 노출된 부분의 상기 드레인 전극에 대응하여 형성하는 것이 특징인 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 삭제
- 제 18 항에 있어서,상기 유기 반도체층은 펜타신(pentacene)을 진공 열 증착하여 형성하는 것이 특징인 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 산화실리콘(SiO2), 또는 질화실리콘(SiNx) 등의 무기절연물질을 증착하거나 또는 PVA(poly vinyl alcohol) 또는 기상 증착된 고분자물질인 폴리이미드(polyimide) 등의 유기절연물질을 코팅하여 형성하는 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
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