CN1976084A - 有机半导体薄膜晶体管及其制造方法 - Google Patents

有机半导体薄膜晶体管及其制造方法 Download PDF

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Abstract

一种具有薄膜晶体管的基板，包括：在基板上的缓冲层、在缓冲层上的源极和漏极，一部分缓冲层暴露在源极和漏极之间、在源极和漏极上的小分子有机半导体层，该小分子有机半导体层与缓冲层的暴露部分接触、在小分子有机半导体层上的栅绝缘层，该栅绝缘层具有与小分子有机半导体层大致相同的尺寸、在栅绝缘层上的栅极、在包括栅极的基板表面上的钝化层、和在钝化层上的像素电极，该像素电极与漏极电连接。

Description

有机半导体薄膜晶体管及其制造方法
本发明要求2005年11月29日在韩国提交的韩国专利申请第2005-0114957号的优先权，其在这里全部结合作为参考。
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管，尤其涉及一种有机半导体薄膜晶体管及其制造方法。
背景技术
随着信息时代的发展，正在发展具有轻重量、薄外形和低功耗的平板显示(FPD)装置。这些FPD装置通常替代了阴极射线管(CRT)装置。根据自发光的能力，显示装置通常分为发光型装置和非发光型装置。发光型显示装置通过利用其自身发光的能力来显示图像，而非发光型显示装置由于自身不会发光而需要光源。例如，等离子体显示面板(PDP)装置、场发射型(FED)装置、和电致发光显示(ELD)装置是发光型显示装置的例子。液晶显示(LCD)装置是非发光型显示装置的例子，由于其高分辨率、色彩再现能力和高质量图像显示，通常用在笔记本型和桌上型计算机中。
一个类型的LCD装置是有源矩阵型LCD装置，其中以矩阵形式设置有多个像素，在矩阵的每个像素中都设置有开关器件，如可独立控制的薄膜晶体管(TFT)。例如，用于笔记本、电视、监视器等屏幕的有源矩阵型LCD装置包括彼此面对的第一和第二基板以及夹在基板之间的液晶层。第一基板(或阵列基板)包括彼此交叉确定多个像素区域的多条栅线和多条数据线。此外，在多条栅线和多条数据线交点处设置有多个TFT，其中多个TFT的每一个都对应于多个像素区域中之一并与形成在多个像素区域中的多个像素电极中之一相连。
图1是依照现有技术的LCD装置的分解透视图。如图1中所示，LCD装置20具有上基板22，该上基板具有黑矩阵25、滤色片层26和滤色片层26上的公共电极28。滤色片层26包括红色、绿色和蓝色滤色片26a，26b和26c。LCD装置还包括下基板10，该下基板具有薄膜晶体管(TFT)Tr和与TFT Tr连接的像素电极18。在上和下基板22和10之间插入有液晶层30。下基板10因为在其上形成有包含栅线14和数据线16的阵列线而被称作阵列基板。栅线14和数据线16彼此交叉，TFT Tr是以矩阵形成的开关元件，其与栅线14和数据线16相连。栅线14和数据线16彼此交叉确定了像素区域P。每个TFT Tr都形成在一条栅线14和一条数据线16的交点处。在每个像素区域P中像素电极18由透明导电材料形成。上基板22因为其上形成有滤色片层26而通常称作滤色片基板。
上和下基板22通过液晶单元工序用密封剂图案(没有示出)粘结在一起。密封剂图案保持LCD装置20的单元间隙均匀并防止在上和下基板22和10之间空间中的液晶材料泄漏。尽管没有示出，但在上基板20与液晶层30之间以及下基板10与液晶层30之间还分别形成有上和下定向层。上和下定向层提高了液晶层30的定向可靠性。此外，LCD装置20包括在其外侧表面上面或下面的至少一偏振器(没有示出)，和设置在LCD装置20下面作为光源的背光单元(没有示出)。
通过施加给TFT Tr的栅线14顺序扫描ON/OFF信号，将由数据线16传输的图像信号施加到预定的像素电极18。因此，通过像素电极18与公共电极28之间的垂直电场驱动液晶层30，从而改变通过液晶层30的光透射率。因而，当在数据线16上传输多个图像信号时，就根据通过像素P矩阵的光透射率的变化来显示图像。
LCD装置的基板一般由透明玻璃基板形成。近年来，已经提出了将比玻璃基板薄且更有柔性的塑料基板作为LCD装置的基板，用于较小的便携式显示器件，如笔记本型计算机和个人数字助理(PDA)。然而，塑料基板比玻璃基板更容易受热和化学处理的影响。因而，因为在阵列基板上制造阵列元件的工序通常在高于约200摄氏度的温度下进行，所以塑料基板不能用作LCD装置的基板。此外，当制造阵列基板时执行好几个这样的高温工序。因此，不具有任何阵列元件的滤色片基板由塑料形成，但阵列基板应当使用玻璃基板。
另一个方案是使用小分子有机材料并应用小于大约200摄氏度的低温处理来形成阵列基板，从而柔性塑料基板可用于制造阵列基板。之后，将描述在小于大约200摄氏度的低温时使用柔性塑料基板制造LCD装置阵列基板的方法。尽管金属层、绝缘材料层和钝化层不受低温工序的影响，但包含薄膜晶体管沟道区域的半导体层受到影响。更特别地，当在低温工序下形成半导体材料，如硅时，因为由于低温工序半导体层具有较弱的内部结构薄膜晶体管的电特性将受到影响，且与在高温工序下形成的半导体层相比该半导体层的导电率下降了。
为了解决这种问题，半导体层由有机半导体材料形成，其中有机半导体材料包括小分子有机半导体材料和聚合物有机半导体材料。这里，小分子有机半导体材料具有比聚合物有机半导体材料高的导电率。然而，小分子有机半导体材料对于抵抗有机溶剂或醇来说非常弱。因此，在制造TFT过程中很难利用小分子有机半导体材料。
图2是依照现有技术的由有机半导体材料形成的第一底栅型TFT的示意性横截面图。如图2中所示，在基板40上形成栅极43。在其上形成有的栅极43的基板40整个表面上形成栅绝缘层47。在栅绝缘层47上形成源极50和漏极53，在源极50和漏极53之间具有空间52。此外，在源极50、漏极53上以及空间52中形成有机半导体层57。栅极43、源极53、漏极53和有机半导体层57组成了TFT Tr。
当依照现有技术将小分子有机半导体材料用作TFT中的半导体层时，在基板上形成栅极(即底栅型TFT结构)，在栅极上形成栅绝缘层，在栅绝缘层上形成源极和漏极，在源极和漏极上形成小分子有机半导体的有机半导体层。因此，有机半导体层的底表面直接与源极和漏极的顶表面接触，从而防止有机半导体层被例如来自显影剂或蚀刻剂的有机溶剂或醇损害。该结构通常称作底接触型沟道层。然而，该底接触型沟道层具有下述问题，即由于有机半导体层与源极/漏极之间接触电阻的增加，所以很难注入电荷。结果，迁移率降低，由此降低TFT的器件速度。
图3是依照现有技术的由有机半导体材料形成的另一个底栅型TFT的示意性横截面图。如图3中所示，在基板70上形成栅极73。在其上形成有的栅极73的基板70整个表面上形成栅绝缘层75。在覆盖栅极73的区域中在栅绝缘层75上形成有机半导体层78。在其上形成有有机半导体层78的基板70上形成源极80和漏极82且源极80和漏极82之间具有空间81。空间81对应于栅极73。栅极73、有机半导体层78、源极80和漏极82组成了TFT Tr。
一般地，在形成有机半导体层78之后使用包括遮光区域(没有示出)和开口区域(没有示出)的遮光掩模92将源极80和漏极82构图。因此，当形成作为具有顶接触型沟道层的底栅型TF的TFT Tr时，TFT Tr的工作相对较好。然而，当有机半导体层78暴露于有机溶剂或醇时，其半导体性能快速下降。由于使用遮光掩模92的工序的物理限制，空间81或沟道长度的距离d1具有大于几十微米的值。因此，对应于TFT Tr的尺寸增加，具有TFT Tr的装置的开口率和分辨率也下降。
为了这样的问题，已经提出了顶栅型TFT。当应用顶栅型TFT时，使用聚合物有机半导体材料作为有机半导体材料。然而，大多聚合物有机半导体材料形成了提供出不希望电特性的非晶薄膜。此外，这种结构还导致了另一个问题，即在制造过程中，在作为栅绝缘层的有机绝缘层上的聚合物有机半导体层受到损害。
发明内容
本发明涉及一种有机半导体薄膜晶体管及其制造方法，其基本克服了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。
本发明的一个目的是提供一种有机半导体薄膜晶体管及其制造方法，其防止对TFT的有机半导体层的损害。
本发明的另一个目的是提供一种有机半导体薄膜晶体管及其制造方法，其使得TFT的有机半导体层与金属层之间的接触电阻最小。
本发明的附加优点、目的和特征将在后面的描述中得以阐明，通过以下描述，将使其对本领域技术人员来说显而易见，或者可通过实践本发明来认识。本发明的这些目的和其它优点可通过说明书及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和得到。
为了实现这些目的和其它优点，并且根据本发明的目的，如同在此具体和广泛说明的，一种薄膜晶体管包括：在基板上的源极和漏极、在源极和漏极上的小分子有机半导体层、在小分子有机半导体层上的栅绝缘层、和在栅绝缘层上的栅极。
在另一个方面中，一种制造薄膜晶体管的方法包括：在基板上形成源极和漏极、在源极和漏极上形成小分子有机半导体层、在小分子有机半导体层上形成栅绝缘层、和在栅绝缘层上形成栅极。
在另一个方面中，具有薄膜晶体管的基板包括：在基板上的缓冲层、在缓冲层上的源极和漏极，一部分缓冲层暴露在源极和漏极之间、在源极和漏极上的小分子有机半导体层，该小分子有机半导体层与缓冲层的暴露部分接触、在小分子有机半导体层上的栅绝缘层，该栅绝缘层具有与小分子有机半导体层大致相同的尺寸、在栅绝缘层上的栅极、在包括栅极的基板表面上的钝化层、和在钝化层上的像素电极，该像素电极与漏极电连接。
在另一个方面中，一种制造包括薄膜晶体管的阵列基板的方法包括：在基板上形成缓冲层；在缓冲层上形成源极和漏极，一部分缓冲层暴露在源极和漏极之间；在源极和漏极上形成小分子有机半导体层，该小分子有机半导体层与缓冲层的暴露部分接触；在小分子有机半导体层上形成栅绝缘层，该栅绝缘层具有与小分子有机半导体层大致相同的尺寸；在栅绝缘层上形成栅极；在栅极上形成钝化层；和在钝化层上形成像素电极，该像素电极与漏极电性连接。
应当理解，前面一般性的描述和下面的详细描述都是示意性的和说明性的，意在提供如权利要求所述的本发明进一步的解释。
附图说明
从下面给出的详细描述和通过图解方式给出的附图，将更加全面地理解本发明，但本发明并不限于这些。
在附图中：
图1是依照现有技术的LCD装置的分解透视图；
图2是依照现有技术的使用有机半导体材料的底栅型TFT的示意性横截面图；
图3是依照现有技术的使用有机半导体材料的另一个底栅型TFT的示意性横截面图；
图4A到4G是依照本发明实施方式制造具有顶栅型TFT的阵列基板工序的示意性横截面图；
图4H是依照本发明第一实施方式的具有顶栅型TFT的阵列基板的示意性横截面图；
图5A到5G是依照本发明另一实施方式的制造具有顶栅型TFT的阵列基板工序的示意性横截面图；
图5H是依照本发明第二实施方式的具有顶栅型TFT的阵列基板的示意性横截面图；
图6A和6B是依照本发明第三实施方式的制造具有顶栅型TFT的阵列基板的部分工序的示意性横截面图；
图7是依照本发明第四实施方式的具有顶栅型TFT的阵列基板的示意性横截面图；
图8是依照本发明第五实施方式的具有顶栅型TFT的阵列基板的示意性横截面图；和
图9是基板上有机半导体层的示意性横截面图，用于示出顶栅型薄膜晶体管与底栅型薄膜晶体管之间电特性的差别。
具体实施方式
现在将详细描述本发明的优选实施方式，在附图中示出其实施例。在整个附图中尽可能相同的参考标记将用于指相同或相似的部件。
图4A到4G是依照本发明一实施方式的制造具有顶栅型TFT的阵列基板工序的示意性横截面图。
如图4A中所示，在基板101整个表面上形成缓冲层103。例如，基板101由塑料、玻璃和金属之一形成。缓冲层103可由无机绝缘材料和有机绝缘材料之一形成，缓冲层103在其上形成有机半导体层过程中可提供理想的表面粗糙度。这样，能够在缓冲层上形成具有理想结晶特性的有机半导体层。例如，无机绝缘材料可以是硅的氮化物(SiNx)、硅的氧化物(SiOx)和硅的氧氮化物(SiOxNy)之一。有机绝缘材料可以是聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚乙烯醇(PVA)、苯并环丁烯(BCB)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)之一。无机绝缘材料可在小于约200摄氏度的较低温度条件下沉积。此外，有机绝缘材料可在室温下涂覆。
如图4B中所示，通过沉积或涂覆金属材料和有机导电材料之一在缓冲层103上分别形成具有距离d11的空间115的源极113和漏极116。例如，当有机半导体层是p-型半导体时，源极113和漏极116包括具有相对高功函的金属材料，如金(Au)、氧化铟锡(ITO)、镍(Ni)和铅(Pb)。在另一个实施例中，当有机半导体层是p-型半导体时，有机导电材料包括聚乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT:PSS)，从而可很容易的注入空穴。可选择地，当有机半导体层是n-型半导体时，源极113和漏极116包括具有较低功函的金属材料，如铝(Al)、钽(Ta)和钛(Ti)。
在小于约200摄氏度的低温条件下使用金属材料沉积源极113和漏极116。在该步骤中，通过使用掩模的光刻工序形成源极113和漏极116，从而将空间115的距离d11确定在几微米到几十微米内。尽管没有示出，但还以与形成源极113和漏极116相同的工序形成与源极113连接的数据线。
如图4C中所示，在其上形成有源极113和漏极116的基板101上顺序形成有机半导体材料层120和绝缘材料层125。有机半导体材料层120由小分子有机半导体材料，如并五苯(C22H14)形成。这种小分子有机半导体材料的好处在于其综合有处理性能和结晶性能。更具体地说，可通过在小于大约200摄氏度的低温条件下热蒸发并五苯(C22H14)来形成小分子有机半导体材料层120。因此，因为这种小分子有机半导体材料通过热蒸发方法形成，所以这种小分子有机半导体材料具有理想的表面均匀性和结晶性。
绝缘材料层125可选自无机绝缘材料和有机绝缘材料之一，从而当绝缘材料层125和有机半导体材料层120彼此接触时有机半导体材料层120不被热化。例如，无机绝缘材料可以是硅的氧化物(SiOx)和硅的氮化物(SiNx)之一，而有机绝缘材料可以是聚乙烯醇(PVA)和聚酰亚胺之一。这里，当绝缘材料层125由无机绝缘材料形成时，绝缘材料层125可通过不会产生由等离子体导致的任何损害的电子束或化学气相沉积(CVD)来形成。可选择地，当绝缘材料层125由有机绝缘材料形成时，可使用涂覆方法来形成绝缘材料层125。尽管没有示出，但通过涂覆有机材料和无机材料，绝缘材料层125可形成为双层结构。
如图4D中所示，在绝缘材料层125(如图4C中所示)上形成光刻胶图案191。光刻胶图案191暴露出绝缘材料层125的端部和对应于一部分漏极116的另一部分。绝缘材料层125还包围源极113和漏极116。尽管没有示出，但形成光刻胶图案191还包括涂覆光刻胶材料层、使用包括透射区域和遮光区域的掩模曝光光刻胶材料层、以及显影曝光后的光刻胶材料层，从而形成上述的光刻胶图案191。
接下来，通过各向异性干蚀刻，如反应离子蚀刻(RIE)，使用光刻胶图案191同时构图绝缘材料层125和有机半导体材料层120(如图4C中所示)，从而形成栅绝缘层126和有机半导体层121。因此，栅绝缘层126和有机半导体层121具有相同的图案形状。在该工序中，栅绝缘层126和有机半导体层121共同具有暴露出一部分漏极116的第一漏极接触孔128。尽管没有示出，但在构图工序之后通过灰化将光刻胶图案191从基板101移除。
图6A和6B是依照本发明第三实施方式的制造顶栅型TFT的工序的示意性横截面图。如图6A中所示，光刻胶图案391暴露对应于漏极316的一部分绝缘材料层(没有示出)。之后，使用光刻胶图案391作为掩模将有机半导体材料层(没有示出)和绝缘材料层构图，从而形成有机半导体层321和栅绝缘层326。尽管没有示出，但在构图工序之后还从基板301移除光刻胶图案391。因此，有机半导体层321和栅绝缘层326暴露了一部分漏极316。此外，在该结构中，不再需要随后参照图4E描述的辅助漏极134。
返回参照图4E，通过在源极113和漏极116之间空间115上形成有具有第一漏极接触孔128的有机半导体层121和栅绝缘层126的基板101上沉积金属材料，如铝(Al)、铝合金或铬(Cr)形成栅极132。例如，铝合金包括铝钕(AlNd)。通过在小于约200摄氏度的低温条件下使用溅射或蒸发的沉积形成栅极132。栅极的长度L可以类似于或大于源极113与漏极116之间的空间115的距离d11。
通过与栅极132相同的工序由相同的材料形成辅助漏极134。辅助漏极134通过第一漏极接触孔128与漏极116相连。这里，栅极132和辅助漏极134彼此分开。换句话说，这些图案132和134彼此电绝缘。
通过各向异性干蚀刻，如等离子体蚀刻(PE)形成栅极132和辅助漏极134，从而保护有机半导体层的侧部。换句话说，当通过湿蚀刻来蚀刻栅极时，有机半导体层121的侧部与如有机溶剂的蚀刻剂接触。因此，有机半导体层121的侧部被蚀刻剂损害。尽管没有示出，但还通过与栅极132相同的工序形成与栅极132相连的栅线。栅线与数据线交叉，从而确定了像素区域。源极113、漏极116、有机半导体层121和栅极132组成了薄膜晶体管Tr。
图6B是依照本发明另一实施方式制造顶栅型TFT的工序的示意性横截面图。可选择地，结合图6A如图6B中所示，可在图6B的源极313与漏极316之间空间315上的有机半导体层321上形成栅极332。
尽管在形成栅极过程中将一部分漏极316开口，但栅极还可由下述金属材料形成，对于干蚀刻或湿蚀刻该金属材料与源极313和漏极316具有不同的蚀刻率。因此，在不损害源极313和漏极316的情况下可选择性地蚀刻栅极332。通过图6A和6B的工序，源极313、漏极316、有机半导体层321和栅极332组成了薄膜晶体管Tr。
如图4F中所示，通过在形成有栅极132和辅助漏极134的基板101上涂覆有机绝缘材料，如聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚乙烯醇(PVA)、苯并环丁烯(BCB)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和感光压克力而形成钝化层140。之后，将钝化层140构图，从而具有暴露一部分辅助漏极134的第二漏极接触孔145。尽管没有示出，但还通过各自的工序形成从栅线延伸的栅焊盘和从数据线延伸的数据焊盘。此外，形成第二漏极接触孔还包括形成栅焊盘接触孔和数据焊盘接触孔。
如图4G中所示，通过在形成有具有第二漏极接触孔145的钝化层140的基板101上沉积透明导电材料，如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)而形成像素电极150。该工序也在小于约200摄氏度的低温下进行。像素电极150通过第二漏极接触孔145与辅助漏极134连接。因此，像素电极150通过辅助漏极134与漏极116电性连接。尽管没有示出，还分别形成通过栅焊盘接触孔与栅焊盘连接的栅焊盘端子、和通过数据焊盘接触孔与数据焊盘连接的数据焊盘端子。
可选择地，返回参照图6A和6B，在形成有栅极332的基板301整个表面上形成钝化层(没有示出)。钝化层与部分漏极316的表面接触。钝化层具有暴露一部分漏极316的漏极接触孔(没有示出)。接下来，在其上形成有具有漏极接触孔的钝化层的基板301上形成像素电极(没有示出)。像素电极通过漏极接触孔与漏极连接。
图4H是依照本发明第一实施方式的具有有机半导体薄膜晶体管的液晶显示装置的阵列基板的示意性横截面图。
如图4H中所示，液晶显示装置的阵列基板包括在基板101上的源极和漏极113和116、在包含源极和漏极113和116的基板101上的小分子有机半导体层121，如并五苯(C22H14)。小分子有机半导体层121覆盖源极和漏极113和116的两个侧部。为了提高小分子有机半导体层121的结晶特性，在形成源极和漏极113和116之前在基板101上形成缓冲层103。在小分子有机半导体层121上形成无机材料和有机材料之一的栅绝缘层126。可选择地，通过涂覆有机材料和无机材料，栅绝缘层126可形成为双层结构。在栅绝缘层126上形成栅极132，由此组成了具有源极和漏极113和116、和小分子有机半导体层121的薄膜晶体管。栅绝缘层126具有与小分子有机半导体层121相同的横向尺寸。此外，辅助漏极134通过第一接触孔128与漏极116电接触。钝化层140覆盖包含上述薄膜晶体管结构(即点线圆圈部分)的基板101的整个表面。像素电极150通过钝化层140中的第二接触孔145与辅助漏极134电性接触。
图5A到5G是依照本发明一实施方式的制造具有顶栅型TFT的阵列基板工序的示意性横截面图。为了方便，省略了与图4A到4G以及图6A和6B相同的描述。
如图5A中所示，在基板201整个表面上形成缓冲层203。在缓冲层203上分别形成源极213和漏极216且源极213和漏极16之间具有空间215，如图5B中所示。如图5C中所示，在形成有源极213和漏极216的基板201的表面上顺序形成有机半导体材料层220、绝缘材料层225和金属层231。有机半导体材料层220包括小分子有机半导体材料，如并五苯(C22H14)。
如图5D中所示，在对应于空间215(如图5B中所示)的部分中的金属层231(如图5C中所示)上形成光刻胶图案291。通过光刻胶图案291暴露出金属层231的各个侧部。接下来，使用光刻胶图案291作为掩模将金属层231构图成栅极232。这里，通过湿蚀刻或干蚀刻来蚀刻金属层231。
如图5E中所示，通过使用光刻胶图案291和栅极232作为掩模的各向异性干蚀刻，如反应离子蚀刻(RIE)同时将有机半导体材料层220和绝缘材料层225构图成有机半导体层226和栅绝缘层232。因此有机半导体层221和栅绝缘层226具有与栅极232相同的尺寸。有机半导体层221的底表面与源极213和漏极216的顶表面接触。这通常称作底接触型沟道层。尽管没有示出，但在将有机半导体层221和栅绝缘层226构图之后还从基板201移除光刻胶图案291。源极213、漏极216、有机半导体层221和栅极232组成了TFT Tr。
如图5F中所示，在其上形成有栅极232、栅绝缘层226和有机半导体层221的基板201上形成钝化层240。钝化层240与栅极、源极213和漏极216的表面接触。将钝化层240构图，从而具有暴露出一部分漏极216的漏极接触孔245。
如图5G中所示，在形成具有漏极接触孔245的钝化层240的基板201上形成像素电极250。这里，像素电极250通过漏极接触孔245与漏极216连接。
图5H是依照本发明第二实施方式的具有有机半导体薄膜晶体管的液晶显示装置的阵列基板的示意性横截面图。
如图5H中所示，液晶显示装置的阵列基板包括在基板201上的源极和漏极213和216、在包含源极和漏极213和216的基板201上方的小分子有机半导体层221，如并五苯(C22H14)。为了提高小分子有机半导体层221的结晶特性，在形成源极和漏极213和216之前在基板201上形成缓冲层203。在小分子有机半导体层221上形成栅绝缘层226。栅绝缘层226包括无机材料和有机材料之一。可选择地，通过涂覆有机材料和无机材料，栅绝缘层226可形成为双层结构。在栅绝缘层226上形成栅极232，由此组成了具有源极和漏极213和216、和小分子有机半导体层221的薄膜晶体管。钝化层140覆盖包含上述薄膜晶体管结构(即点线圆圈部分)的基板201的整个表面。和图4H的第一实施方式不一样，像素电极250通过钝化层240中的接触孔245与漏极216直接接触。如图5H中所示，小分子有机半导体层221没有覆盖源极和漏极213和216的侧部。此外，小分子有机半导体层221、栅绝缘层226、和栅极232大致具有相同的横向尺寸。
图7是依照本发明第三实施方式的具有有机半导体薄膜晶体管的液晶显示装置的阵列基板的示意性横截面图。如图7中所示，第三实施方式的液晶显示装置的阵列基板与图4H中第一实施方式类似，不同之处在于栅绝缘层126的结构。与第一实施方式不一样，栅绝缘层126形成为覆盖小分子有机半导体层121的侧部，由此在制造工序过程中保护小分子有机半导体层221免受显影剂或蚀刻剂，如有机溶剂或醇的损害。
图8是依照本发明第四实施方式的具有有机半导体薄膜晶体管的液晶显示装置的阵列基板的示意性横截面图。如图8中所示，第四实施方式的液晶显示装置的阵列基板与图5H中第二实施方式类似，不同之处在于栅绝缘层226的结构。与第二实施方式不一样，栅绝缘层226形成为覆盖小分子有机半导体层221的侧部，由此在制造工序过程中保护小分子有机半导体层221免受显影剂或蚀刻剂，如有机溶剂或醇的损害。
依照本发明的实施方式，在显影剂或蚀刻剂，如有机溶剂或醇不损害小分子有机半导体层的情况下，可形成阵列基板的顶栅型TFT。此外，本发明的实施方式提供了具有改善工作的底接触沟道层的顶栅型TFT。可参照图9更全面地解释该顶栅型TFT的这些优点。
图9是基板上有机半导体层的示意性横截面图，用于图解顶栅型薄膜晶体管与底栅型薄膜晶体管之间电特性的差别。如图9中所示，小分子有机半导体层120结晶并从与基板101接触的底表面处的籽晶进行晶粒生长。此时在结晶过程中，晶粒彼此匹配并组合，从而减小了晶粒边界。因此，半导体层顶部处的晶粒边界120b具有比半导体层底部处的晶粒边界120a低的密度。结果，在半导体层顶部处具有沟道的顶栅型TFT具有比在半导体层底部处具有沟道的底栅型TFT相对更好的电特性。
此外，本发明的实施方式，因为在有机半导体层下面设置了提供理想表面粗糙度的缓冲层，还提供了一种具有较高表面均匀性的有机半导体层。尽管附图中没有示出，但依照本发明实施方式的阵列基板可用在包括液晶显示(LCD)装置的平板显示器(FPD)中。
在不脱离本发明精神或范围的情况下本发明可以做各种修改和变化，这对于本领域熟练技术人员来说是显而易见的。因而本发明意在覆盖落入所附权利要求及其等效物范围内的本发明的修改和变化。

Claims (37)

1.一种薄膜晶体管，包括：
在基板上的源极和漏极；
在源极和漏极上的小分子有机半导体层；
在小分子有机半导体层上的栅绝缘层；以及
在栅绝缘层上的栅极。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，进一步包括基板上的缓冲层。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，一部分缓冲层暴露在源极和漏极之间。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，栅绝缘层和小分子有机半导体层在侧向尺寸上具有大致相同的尺寸。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，栅绝缘层、小分子有机半导体层、和栅极在侧向尺寸上具有大致相同的尺寸。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，栅绝缘层覆盖小分子有机半导体层的两侧面。
7.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，缓冲层包括无机绝缘材料和有机绝缘材料之一。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，无机绝缘材料包括硅的氮化物、硅的氧化物和硅的氧氮化物之一。
9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，有机绝缘材料包括聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、苯并环丁烯和聚甲基丙烯酸甲酯。
10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，源极和漏极包括金属材料和有机导电材料之一。
11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，金属材料包括金、氧化铟锡、镍、铅、铝、钽和钛之一。
12.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，有机导电材料包括聚乙烯二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸酯。
13.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，小分子有机半导体层包括并五苯。
14.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，栅绝缘层包括无机绝缘材料和有机绝缘材料之一。
15.根据权利要求14所述的薄膜晶体管，其特征在于，无机绝缘材料包括硅的氧化物和硅的氮化物之一。
16.根据权利要求14所述的薄膜晶体管，其特征在于，有机材料包括聚乙烯醇和聚酰亚胺之一。
17.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，基板包括塑料、玻璃和金属材料之一。
18.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，进一步包括在基板表面上且具有第一接触孔的钝化层。
19.根据权利要求18所述的薄膜晶体管，其特征在于，进一步包括在钝化层上并与漏极电接触的像素电极。
20.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，进一步包括与漏极电接触的辅助漏极。
21.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，栅绝缘层和小分子有机半导体层具有暴露出一部分漏极的第二接触孔。
22.一种制造薄膜晶体管的方法，包括：
在基板上形成源极和漏极；
在源极和漏极上形成小分子有机半导体层；
在小分子有机半导体层上形成栅绝缘层；和
在栅绝缘层上形成栅极。
23.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，进一步包括在基板上形成缓冲层。
24.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，在小于约200摄氏度的温度下形成源极和漏极。
25.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，通过蒸发形成小分子有机半导体层。
26.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，通过干蚀刻同时形成小分子有机半导体层和栅绝缘层。
27.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，通过使用栅极作为掩模形成小分子有机半导体层和栅绝缘层。
28.一种具有薄膜晶体管的阵列基板，包括：
在基板上的缓冲层；
在缓冲层上的源极和漏极，一部分缓冲层暴露在源极和漏极之间；
在源极和漏极上的小分子有机半导体层，该小分子有机半导体层与缓冲层的暴露部分接触；
在小分子有机半导体层上的栅绝缘层，该栅绝缘层具有与小分子有机半导体层大致相同的尺寸；
在栅绝缘层上的栅极；
在包括栅极的基板表面上的钝化层；和
在钝化层上的像素电极，该像素电极与漏极电连接。
29.根据权利要求28所述的基板，其特征在于，像素电极通过钝化层中的第一接触孔与漏极电连接。
30.根据权利要求28所述的基板，其特征在于，小分子有机半导体层和栅绝缘层具有暴露一部分漏极的第二接触孔。
31.根据权利要求30所述的基板，其特征在于，进一步包括通过第二接触孔与漏极电连接的辅助漏极。
32.一种制造包括薄膜晶体管的阵列基板的方法，包括：
在基板上形成缓冲层；
在缓冲层上形成源极和漏极，一部分缓冲层暴露在源极和漏极之间；
在源极和漏极上形成小分子有机半导体层，该小分子有机半导体层与缓冲层的暴露部分接触；
在小分子有机半导体层上形成栅绝缘层，该栅绝缘层具有与小分子有机半导体层大致相同的尺寸；
在栅绝缘层上形成栅极；
在栅极上形成钝化层；和
在钝化层上形成像素电极，该像素电极与漏极电性连接。
33.根据权利要求32所述的方法，其特征在于，进一步包括在钝化层中形成暴露一部分漏极的第一接触孔，像素电极通过第一接触孔与漏极电连接。
34.根据权利要求32所述的方法，其特征在于，进一步包括在小分子有机半导体层和栅绝缘层中形成第二接触孔，第二接触孔暴露一部分漏极。
35.根据权利要求34所述的方法，其特征在于，进一步包括在栅绝缘层和钝化层之间形成辅助漏极，其中辅助漏极通过第二接触孔与漏极电连接，像素电极通过辅助漏极与漏极电连接。
36.根据权利要求35所述的方法，其特征在于，通过与栅极相同的工序形成辅助漏极。
37.根据权利要求32所述的方法，其特征在于，所述形成小分子有机半导体层和形成栅绝缘层的步骤包括通过同时干蚀刻小分子有机半导体层和栅绝缘层暴露出一部分漏极。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102315214A (zh) * 2011-09-19 2012-01-11 深圳莱宝高科技股份有限公司 阵列基板及其制作方法、使用该阵列基板的显示面板
CN102487044A (zh) * 2010-12-06 2012-06-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法和电子纸显示器
CN102487041A (zh) * 2010-12-02 2012-06-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法和电子纸显示器
CN103295960A (zh) * 2012-03-05 2013-09-11 乐金显示有限公司 阵列基板及其制造方法
CN104656332A (zh) * 2015-01-28 2015-05-27 上海天马微电子有限公司 阵列基板及其制备方法和显示装置
TWI602798B (zh) * 2012-12-12 2017-10-21 Daicel Corp Composition for the production of organic transistors, and use of the solvent or solvent composition for the production of organic transistors

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080013300A (ko) * 2006-08-08 2008-02-13 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101279927B1 (ko) * 2006-10-16 2013-07-04 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR101352110B1 (ko) * 2007-06-18 2014-01-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법, 이를 이용한평판 표시 장치
US7858513B2 (en) * 2007-06-18 2010-12-28 Organicid, Inc. Fabrication of self-aligned via holes in polymer thin films
JP2009021477A (ja) 2007-07-13 2009-01-29 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法、ならびに表示装置およびその製造方法
KR101396940B1 (ko) * 2007-12-05 2014-05-20 엘지디스플레이 주식회사 전기영동표시소자에 적용한 유기박막트랜지스터 및 그제조방법
GB0802183D0 (en) * 2008-02-06 2008-03-12 Cambridge Display Technology O Method of fabricating top gate organic semiconductor transistors
US8463116B2 (en) 2008-07-01 2013-06-11 Tap Development Limited Liability Company Systems for curing deposited material using feedback control
JP2010040897A (ja) * 2008-08-07 2010-02-18 Sony Corp 有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、および電子機器
KR101503310B1 (ko) * 2008-09-17 2015-03-17 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터의 제조방법
KR101503311B1 (ko) * 2008-12-08 2015-03-17 엘지디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
TW201119110A (en) * 2009-11-18 2011-06-01 Metal Ind Res & Dev Ct Fabrication method of organic thin-film transistors
TWI534905B (zh) * 2010-12-10 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及顯示裝置之製造方法
JP5866783B2 (ja) * 2011-03-25 2016-02-17 セイコーエプソン株式会社 回路基板の製造方法
CN102779942B (zh) * 2011-05-24 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
WO2013042562A1 (en) * 2011-09-22 2013-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101963229B1 (ko) * 2011-12-05 2019-03-29 삼성전자주식회사 접을 수 있는 박막 트랜지스터
CN102709237B (zh) * 2012-03-05 2014-06-25 京东方科技集团股份有限公司 薄膜场效应晶体管阵列基板及其制造方法、电子器件
CN102779785A (zh) * 2012-07-25 2012-11-14 京东方科技集团股份有限公司 有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法和显示装置
TW201445794A (zh) * 2013-05-27 2014-12-01 Wistron Corp 有機光電元件封裝結構以及封裝方法
JP6277625B2 (ja) * 2013-08-08 2018-02-14 大日本印刷株式会社 有機半導体素子およびその製造方法
JP6160361B2 (ja) * 2013-08-20 2017-07-12 大日本印刷株式会社 有機半導体素子およびその製造方法
CN103474437B (zh) * 2013-09-22 2015-11-18 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法与显示装置
KR102248641B1 (ko) * 2013-11-22 2021-05-04 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자
TWI662709B (zh) * 2014-04-07 2019-06-11 緯創資通股份有限公司 電子元件及其製作方法
JP2015228426A (ja) * 2014-06-02 2015-12-17 大日本印刷株式会社 配線部材
KR102245996B1 (ko) * 2014-11-13 2021-04-30 엘지디스플레이 주식회사 디지털 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판과 이의 제조방법
KR102457204B1 (ko) * 2015-08-27 2022-10-21 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 표시장치
GB2556313B (en) * 2016-02-10 2020-12-23 Flexenable Ltd Semiconductor patterning
CN105633100B (zh) * 2016-03-17 2018-11-02 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列面板及其制作方法
CN105826329B (zh) * 2016-05-09 2019-04-02 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶面板
CN105826330A (zh) * 2016-05-12 2016-08-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
KR101771882B1 (ko) 2017-06-08 2017-08-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 어레이 기판 제조방법
CN110246848B (zh) * 2019-05-05 2024-04-12 福建华佳彩有限公司 一种氧化物半导体tft阵列基板及其制作方法
FR3098982B1 (fr) * 2019-07-19 2022-04-15 Isorg Dispositif optoélectronique comprenant une couche organique active à performances améliorées et son procédé de fabrication
CN111584522A (zh) * 2020-05-25 2020-08-25 成都中电熊猫显示科技有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板
CN115096965B (zh) * 2022-05-31 2023-09-08 上海交通大学 薄膜晶体管型生化传感微阵列芯片及其制备方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3651386A (en) * 1970-08-24 1972-03-21 Universal Oil Prod Co Pyropolymeric semiconducting organic-refractory oxide material
JPS59232385A (ja) * 1983-06-15 1984-12-27 株式会社東芝 アクテイブマトリクス型表示装置
JPS6178166A (ja) * 1984-09-25 1986-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ−アレ−とその製造方法
FR2664430B1 (fr) * 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
JP2522470B2 (ja) * 1993-02-25 1996-08-07 日本電気株式会社 薄膜集積回路の製造方法
JPH06314686A (ja) * 1993-04-28 1994-11-08 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
KR100295637B1 (ko) * 1997-12-29 2001-10-24 김영환 반도체웨이퍼의구조및반도체칩의제조방법
KR100317641B1 (ko) * 1999-05-21 2001-12-22 구본준, 론 위라하디락사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US6197663B1 (en) * 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
JP2002098948A (ja) * 2000-09-20 2002-04-05 Hitachi Ltd 液晶表示装置の製造方法
TWI297407B (zh) * 2002-01-29 2008-06-01 Au Optronics Corp
WO2004006351A1 (ja) * 2002-07-05 2004-01-15 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. スイッチング素子
US7285440B2 (en) * 2002-11-25 2007-10-23 International Business Machines Corporation Organic underlayers that improve the performance of organic semiconductors
US6854135B2 (en) * 2002-12-06 2005-02-15 Microtek Medical Holdings, Inc. Reusable, launderable water-soluble coveralls
JP4423864B2 (ja) * 2003-02-21 2010-03-03 コニカミノルタホールディングス株式会社 薄膜トランジスタ素子及びその製造方法
JP2007500452A (ja) * 2003-05-20 2007-01-11 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 電界効果トランジスタ構成および電界効果トランジスタ構成の製造方法
KR100995451B1 (ko) * 2003-07-03 2010-11-18 삼성전자주식회사 다층 구조의 게이트 절연막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
JP4997688B2 (ja) * 2003-08-19 2012-08-08 セイコーエプソン株式会社 電極、薄膜トランジスタ、電子回路、表示装置および電子機器
JP2005086147A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Sony Corp 金属単層膜形成方法、配線形成方法、及び、電界効果型トランジスタの製造方法
JP4415653B2 (ja) * 2003-11-19 2010-02-17 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
US7767998B2 (en) * 2003-12-04 2010-08-03 Alcatel-Lucent Usa Inc. OFETs with active channels formed of densified layers
KR101002332B1 (ko) * 2003-12-30 2010-12-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
JP4969041B2 (ja) * 2004-01-26 2012-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US20050180809A1 (en) * 2004-02-13 2005-08-18 Publications International, Ltd. Apparatus and method for securing print media
JP4407311B2 (ja) * 2004-02-20 2010-02-03 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
GB0407739D0 (en) * 2004-04-05 2004-05-12 Univ Cambridge Tech Dual-gate transistors
KR100560796B1 (ko) * 2004-06-24 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막트랜지스터 및 그의 제조방법
US7791072B2 (en) * 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
TWI292076B (en) * 2004-12-24 2008-01-01 Au Optronics Corp Pixel structure and thin film transistor and fabricating methods thereof
KR101130404B1 (ko) * 2005-02-16 2012-03-27 삼성전자주식회사 고차가지형 고분자에 분산된 고유전율 절연체를 포함하는유기 절연체 조성물 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터
US20060231908A1 (en) * 2005-04-13 2006-10-19 Xerox Corporation Multilayer gate dielectric
US7319153B2 (en) * 2005-07-29 2008-01-15 3M Innovative Properties Company 6,13-Bis(thienyl)pentacene compounds
US7566915B2 (en) * 2006-12-29 2009-07-28 Intel Corporation Guard ring extension to prevent reliability failures
US7651882B1 (en) * 2007-08-09 2010-01-26 Impinj, Inc. RFID tag circuit die with shielding layer to control I/O bump flow

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102487041A (zh) * 2010-12-02 2012-06-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法和电子纸显示器
CN102487044A (zh) * 2010-12-06 2012-06-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法和电子纸显示器
CN102487044B (zh) * 2010-12-06 2014-11-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法和电子纸显示器
CN102315214A (zh) * 2011-09-19 2012-01-11 深圳莱宝高科技股份有限公司 阵列基板及其制作方法、使用该阵列基板的显示面板
CN103295960A (zh) * 2012-03-05 2013-09-11 乐金显示有限公司 阵列基板及其制造方法
CN103295960B (zh) * 2012-03-05 2016-01-13 乐金显示有限公司 阵列基板及其制造方法
TWI602798B (zh) * 2012-12-12 2017-10-21 Daicel Corp Composition for the production of organic transistors, and use of the solvent or solvent composition for the production of organic transistors
CN104656332A (zh) * 2015-01-28 2015-05-27 上海天马微电子有限公司 阵列基板及其制备方法和显示装置
CN104656332B (zh) * 2015-01-28 2018-11-06 上海天马微电子有限公司 阵列基板及其制备方法和显示装置

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