JP4997688B2 - 電極、薄膜トランジスタ、電子回路、表示装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電極、薄膜トランジスタ、電子回路、表示装置および電子機器に関する。

近年、シリコンに代表される無機材料を用いた薄膜電界効果型トランジスタから置き換えうるデバイスとして、有機半導体材料を用いた有機薄膜電界効果型トランジスタが注目されている。
従来の典型的な有機薄膜トランジスタは、ソース、ドレイン電極として金を用いる構造を有していた(例えば、非特許文献１参照)。

具体的には、非特許文献１に記載の薄膜トランジスタは、ポリエチレンテレフタラート基板にフォトリソグラフィー法等を用いてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）をエッチングして、ゲート電極を形成し、ゲート絶縁層として有機シロキサンおよび窒化珪素を用いる構造を有している。
そして、金の薄膜を蒸着法で形成し、マイクロコンタクトプリンティング法を用いて、これをパターニングして、ソース電極およびドレイン電極を形成する。最後に、有機半導体層（ｐ型の有機半導体層）を蒸着法で形成することにより作製している。

しかしながら、前記非特許文献１に記載の有機トランジスタでは、ソース電極およびドレイン電極を、高価な金の薄膜を蒸着して形成し、さらにエッチングすることにより形成しているため、低コスト化という点で改善の余地がある。
これに対して、低コストなＡｌ等の金属を電極として用いると、ソース電極と有機半導体層の界面で生じる障壁が大きくキャリア（正孔）の注入が効率よく行われず、トランジスタ特性が低下するという問題が生じる。

Ｒｏｇｅｒｓ ｅｔ ａｌ． 「Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ａｃａｄｅｍｙ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ」 Ａｐｒｉｌ ２４， ２００１ ｕ ｖｏｌ． ９８ ｕ ｎｏ． ９ ４８３５４８４０

本発明の目的は、低コストで作製可能でありかつ正孔の注入効率の高い電極、信頼性の高い薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタを用いた電子回路、表示装置、および、電子機器を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の電極は、主として有機材料で構成され正孔を輸送する機能を有する有機層に対して、正孔を注入する薄膜トランジスタのソース電極用の電極であって、
前記有機層は、有機半導体層であり、
前記電極は、下地電極層と、該下地電極層の表面を覆う表面電極層とからなり、前記表面電極層が前記有機半導体層と接触するように、前記有機半導体層に対して部分的に形成されており、
前記表面電極層は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも１種の金属材料を含む金属酸化物を含有し、
前記下地電極層は、主としてＣｕ、Ｎｉ、Ｃｏまたはこれらを含む合金で構成されていることを特徴とする。
これにより、低コストで作製可能でありかつ正孔の注入効率の高いものとなる。また、電極を安価に形成することができるとともに、２層の密着性の向上を図ることもできる。

本発明の電極では、前記表面電極層において、前記酸化物の含有量は、５０ｗｔ％以上であることが好ましい。
これにより、正孔の注入効率をより向上させることができる。
本発明の電極では、前記酸化物は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ以外に、Ｓｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓのうちの少なくとも１種を含むことが好ましい。
これにより、電気伝導度を高めて正孔の注入をより効率良く行うことができる。

本発明の電極では、前記表面電極層は、前記下地電極層より仕事関数が大きいことが好ましい。
これにより、有機層へのより効率のよい正孔の注入が可能となる。

本発明の電極は、主として有機材料で構成され正孔を輸送する機能を有する有機層に対して、正孔を注入する薄膜トランジスタのソース電極用の電極であって、
前記有機層は、有機半導体層であり、
前記電極は、下地電極層と、該下地電極層の表面を覆う表面電極層とからなり、前記表面電極層が前記有機半導体層と接触するように、前記有機半導体層に対して部分的に形成されており、
前記表面電極層は、金属硫化物および金属塩化物の少なくとも一方を含有し、
前記下地電極層は、主としてＣｕ、Ｎｉ、Ｃｏまたはこれらを含む合金で構成されていることを特徴とする。
これにより、低コストで作製可能でありかつ正孔の注入効率の高いものとなる。

本発明の電極では、前記金属硫化物は、Ｃｕを含む硫化物を主とするものであることが好ましい。
これにより、正孔の注入効率のより高いものとなる。
本発明の電極では、前記金属塩化物は、Ａｇを含む塩化物を主とするものであることが好ましい。
これにより、正孔の注入効率のより高いものとなる。

本発明の薄膜トランジスタは、本発明の電極で構成されたソース電極と、
主としてｐ型の有機半導体材料で構成された前記有機半導体層とを有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い薄膜トランジスタが得られる。

本発明の薄膜トランジスタは、主としてｐ型の有機半導体材料で構成された有機半導体層と、
該有機半導体層に正孔を注入するソース電極とを備える薄膜トランジスタであって、
前記ソース電極は、下地電極層と、該下地電極層の表面を覆う表面電極層とからなり、前記表面電極層が前記有機半導体層と接触するように、前記有機半導体層に対して部分的に形成されており、
前記表面電極層が、Ａｇを含む酸化物を含有し、
前記下地電極層は、ＡｇまたはＡｇを含む合金で構成されていることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い薄膜トランジスタが得られる。

本発明の薄膜トランジスタでは、前記有機半導体材料は、高分子系有機半導体材料を主成分とするものであることが好ましい。
これにより、薄膜トランジスタの特性（スイッチング特性）をより向上させることができる。
本発明の薄膜トランジスタでは、前記ソース電極は、前記有機半導体層に直接接触していることが好ましい。
これにより、有機半導体層への正孔の注入をより効率よく行うことができる。

本発明の電子回路は、本発明の薄膜トランジスタを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子回路が得られる。
本発明の表示装置は、本発明の電子回路を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い表示装置が得られる。

本発明の電子機器は、本発明の表示装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。

本発明によれば、低コストで作製可能でありかつ正孔の注入効率の高い電極が得られる。
また、本発明によれば、信頼性の高い薄膜トランジスタ、電子回路、表示装置および電子機器を低コストで製造することができる。

以下、本発明の電極、電極形成方法、薄膜トランジスタ、電子回路、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と言う。）、表示装置および電子機器について、図示の好適実施形態に基づいて詳細に説明する。

＜薄膜トランジスタ＞
まず、本発明の電極を適用した薄膜トランジスタについて説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の薄膜トランジスタの第１実施形態について説明する。
図１は、本発明の薄膜トランジスタの第１実施形態を示す概略断面図、図２および図３は、それぞれ、図１に示す薄膜トランジスタの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。

図１に示す薄膜トランジスタ１は、トップゲート型の薄膜トランジスタであり、互いに分離して設けられたソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂと、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂ間に介在する有機半導体層３０と、有機半導体層３０とゲート電極５０との間に位置するゲート絶縁層４０とを有する構造をしており、さらに基板１０上に搭載されている。

以下、各部の構成について、順次説明する。
基板１０は、薄膜トランジスタ１を構成する各層（各部）を支持するものである。
基板１０には、例えば、ガラス基板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリイミド（ＰＩ）等で構成されるプラスチック基板（樹脂基板）、石英基板、シリコン基板、金属基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。

薄膜トランジスタ１に可撓性を付与する場合には、基板１０には、プラスチック基板、あるいは、薄い（比較的膜厚の小さい）金属基板が選択される。
基板１０上には、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂが設けられている。
このうち、ソース電極２０ａは、後述する有機半導体層３０に対して、正孔を注入する電極（本発明の電極）を構成する。

ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂは、それぞれ、複数の層（本実施形態では、下地電極層２１および表面電極層２２の２層）で構成されている。
下地電極層（基部）２１は、各種の金属材料や、各種の導電性酸化物材料等で構成することができるが、主としてＣｕ、Ｎｉ、Ｃｏまたはこれらを含む合金、あるいは、ＡｇまたはＡｇを含む合金で構成するのが好ましい。これらの金属材料は、比較的安価であるため、薄膜トランジスタ１の製造コストの低減を図ることができる。

また、後述するように、表面電極層２２が、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも１種を含む酸化物、または、Ａｇを含む酸化物を含有してなるものである場合、下地電極層２１を主としてＣｕ、Ｎｉ、Ｃｏまたはこれらを含む合金、あるいは、主としてＡｇまたはＡｇを含む合金で構成することにより、下地電極層２１と表面電極層２２との密着性を向上させることもできる。
また、表面電極層２２が、金属硫化物や金属塩化物を含有してなるものである場合、下地電極層２１を主として前記金属硫化物や金属塩化物を構成する金属またはこれを含む合金で構成することにより、下地電極層２１と表面電極層２２との密着性を向上させることもできる。

表面電極層（有機半導体層３０に最も近い層）２２は、下地電極層２１を覆うように設けられている。
表面電極層２２は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも１種を含む酸化物、Ａｇを含む酸化物、または、金属硫化物（以下、単に「硫化物」と言う。）および金属塩化物（以下、単に「塩化物」と言う。）の少なくとも一方を含有してなるものである。
酸化物の具体例としては、Ｃｕ（II）_１−ｘＯ（ただし、０≦ｘ＜１である。）、Ｃｕ（Ｉ）_{２（１−ｘ）}Ｏ（ただし、０≦ｘ＜１である。）で表されるＣｕ酸化物、Ｎｉ_１−ｘＯ（ただし、０≦ｘ＜１である。）で表されるＮｉ酸化物、Ｃｏ_１−ｘＯ（ただし、０≦ｘ＜１）で表されるＣｏ酸化物、Ａｇ（II）_１−ｘＯ（ただし、０≦ｘ＜１である。）、Ａｇ（Ｉ）_{２（１−ｘ）}Ｏ（ただし、０≦ｘ＜１である。）で表されるＡｇ酸化物、または、これらにＣｕ、Ｎｉ、Ｃｏ以外の元素（原子）として、Ｓｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓのうちの少なくとも１種を含む複合酸化物等のうちの１種または２種以上を組み合わせたものが挙げられる。

ここで、一般に、仕事関数の大きい金属材料は、高価なものが多く、逆に、安価な金属材料は、仕事関数が低い傾向にある。また、酸化物（金属化合物）は、一般に、金属単体に対して仕事関数が大きくなるものが多い。
したがって、表面電極層２２を前記酸化物を含有する構成とすることにより、下地電極層２１に安価な金属材料を使用しつつ、表面電極層（酸化物含有層）２２の仕事関数を、下地電極層２１の仕事関数より大きく設定するのが容易となる。その結果、コスト高になるのを防止しつつ、有機半導体層３０への正孔の注入効率の高いソース電極２０ａを得ることができる。

また、酸化物は、金属単体より有機材料に対する活性（有機材料を変質、劣化させる作用）が低い。このため、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂと接触する有機層（本実施形態では、有機半導体層３０）の変質、劣化を好適に防止または抑制することができ、結果として、薄膜トランジスタ１の耐久性の向上を図ることができる。
さらに、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇ以外に、Ｓｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓのうちの少なくとも１種を含む複合酸化物は、キャリアであるホール（正孔）の密度を高く、精度良く制御することができる。このため、薄膜トランジスタ１では、電気伝導度を高めてホール（正孔）の注入をより効率良く行うことが可能である。
また、以上では、酸化物を代表に説明したが、同様のことが硫化物および塩化物にも言える。したがって、表面電極層２２を硫化物および塩化物の少なくとも一方を含有する構成とすることによっても、前記酸化物を含有する場合と同様の効果が得られる。

硫化物としては、Ｃｕを含む硫化物を主とするものが好適であり、塩化物としては、Ａｇを含む塩化物を主とするものが好適である。硫化物および塩化物として、それぞれ、これらのものを用いることにより、ソース電極２０ａを、正孔の注入効率のより高いものとすることができる。
Ｃｕを含む硫化物の具体例としては、Ｃｕ（II）_１−ｘＳ（ただし、０≦ｘ＜１である。）、Ｃｕ（Ｉ）_{２（１−ｘ）}Ｓ（ただし、０≦ｘ＜１である。）、または、これらにＣｕ以外の元素（原子）として、Ｓｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓのうちの少なくとも１種を含む複合硫化物等のうちの１種または２種以上を組み合わせたものが挙げられる。

一方、Ａｇを含む塩化物の具体例としては、Ａｇ（II）_１−ｘＣｌ（ただし、０≦ｘ＜１である。）、Ａｇ（Ｉ）_{２（１−ｘ）}Ｃｌ（ただし、０≦ｘ＜１である。）、または、これらにＡｇ以外の元素（原子）として、Ｓｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓのうちの少なくとも１種を含む複合硫化物等のうちの１種または２種以上を組み合わせたものが挙げられる。

また、表面電極層２２の厚さ（平均）は、特に限定されないが、前述したような酸化物、硫化物や塩化物の電気伝導度は、金属（金属単体）と比較して低いので、できるだけ薄く（小さく）かつ均一であることが望ましい。
具体的には、表面電極層２２の厚さ（平均）は、０．１〜５０ｎｍ程度であるのが好ましく、０．５〜１０ｎｍ程度であるのがより好ましい。表面電極層２２が薄過ぎると、酸化物、硫化物や塩化物の含有率等によっては、正孔の注入効率を向上させる効果、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂに接触する有機層の変質、劣化を防止する効果が十分に発揮されないおそれがある。一方、表面電極層２２が厚過ぎると、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの導電性が極端に低下するおそれがある。

表面電極層２２において、前記酸化物、硫化物や塩化物の含有量（含有率）は、できるだけ多い方が好ましい。具体的には、その含有量は、５０ｗｔ％以上であるのが好ましく、７５ｗｔ％以上であるのがより好ましい。表面電極層２２において、酸化物、硫化物や塩化物の含有量が前記下限値未満の場合には、表面電極層２２の厚さ等によっては、正孔の注入効率を向上させる効果、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂに接触する有機層の変質、劣化を防止する効果が十分に発揮されないおそれがある。
なお、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの厚さ（平均）は、特に限定されないが、それぞれ、１０〜２０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。

ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂに接触するように、有機半導体層（正孔を輸送する機能を有する有機層）３０が設けられている。
この有機半導体層３０は、主としてｐ型の有機半導体材料で構成されている。ｐ型の有機半導体材料には、ポリマー有機半導体材料（高分子系有機半導体材料）、低分子系有機半導体材料のいずれも使用可能である。

ポリマー有機半導体材料としては、例えば、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、ポリ（３−オクチルチオフェン）、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）（ＰＴＶ）、ポリ（パラ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）（ＰＦＯ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ビス−Ｎ，Ｎ’−（４−メトキシフェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ’−フェニル−１，４−フェニレンジアミン）（ＰＦＭＯ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ベンゾチアジアゾール）（ＢＴ）、フルオレン−トリアリルアミン共重合体、トリアリルアミン系ポリマー、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ジチオフェン）（Ｆ８Ｔ２）のようなフルオレン−ビチオフェン共重合体等が挙げられる。

低分子系有機半導体としては、例えば、Ｃ６０、あるいは、金属フタロシアニンあるいはそれらの置換誘導体、あるいは、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン等のアセン分子材料、あるいは、α−オリゴチオフェン類、具体的にはクォーターチオフェン（４Ｔ）、セキシチオフェン（６Ｔ）、オクチチオフェン（８Ｔ）、ジヘキシルクォーターチオフェン（ＤＨ４Ｔ）、ジヘキルセキシチオフェン（ＤＨ６Ｔ）等が挙げられる。

なお、ｐ型の有機半導体材料としては、ポリマー有機半導体材料を主成分とするものが好適である。ｐ型の有機半導体材料として、ポリマー有機半導体材料を主成分とするものを用いることにより、有機半導体層３０の形成（成膜）をより容易かつ低コストで行うことができる。
この有機半導体層３０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１〜１００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。

有機半導体層３０上には、ゲート絶縁層４０が設けられている。
このゲート絶縁層４０の構成材料としては、公知のゲート絶縁体材料であれば、種類は特に限定されるものではなく、有機材料、無機材料のいずれも使用可能である。
有機材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

一方、無機材料としては、シリカ、窒化珪素、酸化アルミ、酸化タンタル等の金属酸化物、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウムチタン酸鉛等の金属複合酸化物が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
ゲート絶縁層４０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ゲート絶縁層４０の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂとゲート電極５０とを確実に絶縁しつつ、薄膜トランジスタ１の動作電圧を低くすることができる。
なお、ゲート絶縁層４０は、単層構成のものに限定されず、複数層の積層構成のものであってもよい。

ゲート絶縁層４０上の所定の位置、すなわち、ゲート電極２０ａとドレイン電極２０ｂとの間の領域に対応する位置には、ゲート電極５０が設けられている。
このゲート電極５０の構成材料としては、公知の電極材料であれば、種類は特に限定されるものではない。具体的には、Ｃｒ、Ａｌ 、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｃｏまたはこれらを含む合金のような金属材料、およびそれらの酸化物等を用いることができる。
また、ゲート電極５０は、導電性有機材料で構成することもできる。

ゲート電極５０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜２０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
このような薄膜トランジスタ１では、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの間に電圧を印加した状態で、ゲート電極５０にゲート電圧を印加すると、有機半導体層３０のゲート絶縁層４０との界面付近にチャネルが形成され、チャネル領域をキャリア（正孔）が移動することで、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの間に電流が流れる。

すなわち、ゲート電極５０に電圧が印加されていないＯＦＦ状態では、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂとの間に電圧を印加しても、有機半導体層３０中にほとんどキャリアが存在しないため、微少な電流しか流れない。一方、ゲート電極５０に電圧が印加されているＯＮ状態では、有機半導体層３０のゲート絶縁層４０に面した部分に電荷が誘起され、チャネル（キャリアの流路）が形成される。この状態でソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの間に電圧を印加すると、チャネル領域を通って電流が流れる。
このような薄膜トランジスタ１は、例えば、次のようにして製造することができる。

図１に示す薄膜トランジスタ１の製造方法（第１の製造方法）は、基板１０上にソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを形成する工程［Ａ１］と、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを覆うように有機半導体層３０を形成する工程［Ａ２］と、有機半導体層３０上にゲート絶縁層４０を形成する工程［Ａ３］と、ゲート絶縁層４０上にゲート電極５０を形成する工程［Ａ４］とを有している。

［Ａ１］ ソース電極およびドレイン電極形成工程
［Ａ１−１］ 下地電極層形成工程
基板１０上に、下地電極層２１を形成する（図２（ａ）参照。）。
この下地電極層２１は、例えば、エッチング法、リフトオフ法等を用いて形成することができる。

エッチング法により下地電極層２１を形成する場合には、Ｉ：まず、例えば、スパッタ法、蒸着法、メッキ法等を用いて、基板１０の全面に膜厚１０ｎｍ〜１０μｍ範囲で金属膜（金属層）を成膜する。II：次に、例えばフォトレジスト法、マイクロコンタクトプリンティング法等を用いて、金属膜上（表面）にレジスト層を得る。III：次に、このレジスト層をマスクに用いて、金属膜にエッチングを施して、所定の形状にパターニングする。
また、リフトオフ法により下地電極層２１を形成する場合には、Ｉ：まず、下地電極層２１を形成する以外の部分を覆うように、レジスト層を形成する。II：次に、例えば、蒸着法、メッキ法等を用いて、基板１０のレジスト層側の全面に、膜厚１０ｎｍ〜１０μｍ範囲で金属膜（金属層）を成膜する。III：次に、レジスト層を除去する。

［Ａ１−２］ 表面電極層形成工程
次に、表面電極層（酸化物含有層）２２を、下地電極層２１の表面を覆うように形成する。
表面電極層２２は、表面電極層２２の構成材料を下地電極層２１上に堆積させて、被膜（被覆層）２２０を形成した後、この被膜２２０の不要部分を除去することにより形成することができる。

まず、基板１０の下地電極層２１が形成された側の面に、被膜２２０を形成する（図２（ｂ）参照。）。
被膜２２０の形成には、例えば、レーザーアブレーション法、スパッタ法（例えば、リアクティブＤＣマグネトロンスパッタ法）、ＣＶＤ法、蒸着法等を用いることができる。
例えば、Ｃｕ酸化物、Ｎｉ酸化物、Ｃｏ酸化物またはＡｇ酸化物を含む被膜２２０を、リアクティブＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて形成する場合には、金属Ｃｕ、金属Ｎｉ、金属Ｃｏまたは金属Ａｇをターゲットに用いて、次のような条件で行うことができる。

ガス導入前のチャンバー内の圧力（到達真空度）は、１×１０^−２Ｐａ以下であるのが好ましく、１×１０^−３Ｐａ以下であるのがより好ましい。
導入ガスは、酸素ガスと不活性ガス（例えばアルゴン、ヘリウム等）との混合ガスを用いるのが好ましい。
ガス導入後のチャンバー内の圧力（成膜時の圧力）は、０．１〜１０Ｐａ程度であるのが好ましく、０．５〜５Ｐａ程度であるのがより好ましい。
ＤＣパワーは、１０〜２００Ｗ程度であるのが好ましく、２０〜１００Ｗ程度であるのがより好ましい。

以上のような条件で、酸素ガスと不活性ガスとの混合比を適宜設定することにより、被膜２２０（表面電極層２２）において、酸化物と金属単体との比率を所望のものに設定することができる。
なお、酸素ガスに代えて、例えば硫化水素等の硫黄系ガスを用いることにより、硫化物を含む被膜２２０を、また、例えば塩化水素、塩素等の塩素系ガスを用いることにより、塩化物を含む被膜２２０を、それぞれ形成することができる。

また、例えば、ＳｒＣｕ_２Ｏ_２、ＣｕＡｌＯ_２、ＣｕＧａＯ_２等の複合酸化物を主材料とする被膜２２０を、レーザーアブレーション法を用いて形成する場合には、堆積させる複合酸化物に対応する組成の複合酸化物焼結体をターゲットに用いて、酸素ガスを供給しつつ、次のような条件で行うことができる。
ガス導入前のチャンバー内の圧力（到達真空度）は、１×１０^−４Ｐａ以下であるのが好ましく、１×１０^−６Ｐａ以下であるのがより好ましい。

照射するレーザー光は、波長が１５０〜３００ｎｍ程度、パルス長が１〜３０ｎｓ程度のパルス光が好ましく、具体的には、ＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザーが好適に使用される。
このレーザー光のエネルギー密度は、１Ｊ／ｃｍ^２以上であるのが好ましく、２〜６Ｊ／ｃｍ^２程度であるのがより好ましい。

酸素ガス導入後のチャンバー内の圧力（成膜時の圧力）は、０．１〜１００Ｐａ程度であるのが好ましく、１〜１０Ｐａ程度であるのがより好ましい。
また、塩化物を含む被膜２２０は、例えば塩化水素水溶液等の中で、下地電極層２１に通電して電気分解処理を行い、下地電極層２１の表面に塩化物を析出させることにより形成することもできる。

また、基板１０として、プラスチック基板等の可撓性基板を用いる場合には、得られた被膜２２０に対して、光照射法等を用いて、被膜２２０の結晶化を促進させる処理を施すのが好ましい。
なお、基板１０として、石英基板等の硬質基板を用いる場合には、例えば２００〜８００℃程度に基板１０を加熱しつつ成膜を行うことにより、結晶性の高い被膜２２０を得ることができる。

次に、フォトリソグラフィー法、マイクロコンタクトプリンティング法等によってソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂに対応する形状のレジスト層を形成する。このレジスト層をマスクに用いて、被膜２２０の不要部分を除去する（図２（ｃ）参照。）。これにより、下地電極層２１上に表面電極層２２が形成され、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂが得られる。

この被膜２２０の除去には、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このようにして、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを形成することにより、蒸着源やターゲットが含有する酸化物の量や、成膜雰囲気中に導入する酸素ガス流量等を制御するという簡単な作業で、表面電極層２２が含有する酸化物の量を比較的精密に制御することができる。また、成膜雰囲気中に導入する硫黄系ガスや塩素系ガスの流量等を制御するという簡単な作業で、表面電極層２２が含有する硫化物や塩化物の量を比較的精密に制御することができる。これにより、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの仕事関数等の特性を、容易かつ正確に調整することができる。

［Ａ２］ 有機半導体層形成工程
次に、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを覆うように、有機半導体層３０を形成する（図２（ｄ）参照。）。このとき、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂとの間には、チャネル領域が形成される。
有機半導体層３０は、ポリマー有機半導体材料（高分子系有機半導体材料）で構成する場合、スピンコーター方式やディップ方式等を用いた塗布法、インクジェット方式やスクリーン印刷方式等を用いた印刷法等を用いて形成することができる。

また、有機半導体層３０は、低分子系有機半導体材料で構成する場合、蒸着法あるいは、前駆体を用いて可溶性にすることで、スピンコーター方式やディップ方式等を用いた塗布法、インクジェット方式やスクリーン印刷方式等を用いた印刷法等を用いて塗膜を形成した後、この塗膜に対してアニール処理を行うことで、所望のものに形成することが可能である。

なお、有機半導体層３０の形成領域は、図示の構成に限定されず、有機半導体層３０は、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂとの間の領域（チャネル領域）にのみ形成してもよい。これにより、同一基板上に、複数の薄膜トランジスタ（素子）１を並設する場合に、各素子の有機半導体層３０を独立して形成することにより、リーク電流、各素子間のクロストークを抑えることができる。また、有機半導体材料の使用量を削減することができ、製造コストの削減を図ることもできる。

［Ａ３］ ゲート絶縁層形成工程
次に、有機半導体層３０上に、ゲート絶縁層４０を形成する（図３（ｅ）参照。）。
例えば、ゲート絶縁層４０を有機高分子材料で構成する場合、ゲート絶縁層４０は、有機高分子材料またはその前駆体を含む溶液を、有機半導体層３０上を覆うように塗布（供給）した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。

有機高分子材料またはその前駆体を含む溶液を、有機半導体層３０上へ塗布（供給）する方法としては、前記工程［Ａ２］で挙げた塗布法、印刷法等を用いることができる。
また、ゲート絶縁層４０を無機材料で構成する場合、ゲート絶縁層４０は、例えば、熱酸化法、ＣＶＤ法、ＳＯＧ法により形成することができる。また、原材料にポリシラザンを用いることで、ゲート絶縁層４０として、シリカ膜、窒化珪素膜を湿式プロセスで成膜することが可能である。

［Ａ４］ ゲート電極形成工程
次に、ゲート絶縁膜４０上に、ゲート電極５０を形成する（図３（ｆ）参照。）。
まず、金属膜（金属層）を形成する。
これは、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング（低温スパッタリング）、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等により形成することができる。

この金属膜上に、レジスト材料を塗布した後に硬化させ、ゲート電極５０の形状に対応する形状のレジスト層を形成する。このレジスト層をマスクに用いて、金属膜の不要部分を除去する。
この金属膜の除去には、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

その後、レジスト層を除去することにより、ゲート電極５０が得られる。
なお、ゲート電極５０は、ゲート絶縁層４０上に、例えば、導電性粒子や、導電性有機材料を含む導電性材料を塗布（供給）して塗膜を形成した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することもできる。
導電性粒子を含む導電性材料としては、金属微粒子を分散させた溶液、導電性粒子を含むポリマー混合物等が挙げられる。
また、導電性有機材料を含む導電性材料としては、導電性有機材料の溶液または分散液が挙げられる。

ゲート絶縁層４０上に導電性材料を塗布（供給）する方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法のような塗布法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、マイクロコンタクトプリンティング法のような印刷法等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
以上のような工程を経て、第１実施形態の薄膜トランジスタ１が得られる。

なお、本実施形態では、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂは、それぞれ、下地電極層２１と表面電極層２２との２層構成であったが、本発明では、これらの層２１、２２の間や、下地電極層２１の基板１０側には、必要に応じて、任意の目的（例えば密着性の向上等）で、１層または２層以上を追加することもできる。
この場合、複数層のうち、有機半導体層３０に最も近い層（最外層）の仕事関数を最も大きいものとするようにすればよい。これにより、有機半導体層３０へのより効率のよい正孔の注入が可能となる。

また、本発明では、ソース電極２０ａが前述したような構成であればよく、ドレイン電極２０ｂは、ソース電極２０ａと異なる構成であってもよい。なお、製造コストを低減させる観点からは、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂは、同一の構成とするのが好ましい。
さらに、本発明では、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂと有機半導体層３０との間、有機半導体層３０とゲート絶縁層４０との間、ゲート絶縁層４０とゲート電極５０との間には、それぞれ、任意の目的で、１層または２層以上を追加することもできる。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の薄膜トランジスタの第２実施形態について説明する。
図４は、本発明の薄膜トランジスタの第２実施形態を示す概略断面図、図５は、図４に示す薄膜トランジスタの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
以下、第２実施形態の薄膜トランジスタ１について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

第２実施形態の薄膜トランジスタ１は、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの構成が異なり、それ以外は、前記第１実施形態の薄膜トランジスタ１と同様である。
すなわち、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂは、それぞれ、単層構成をなし、その少なくとも有機半導体層３０側の面（図４に示す構成では、表面を含む所定厚さの部分、以下「表面付近」と言う。）に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも１種を含む酸化物、Ａｇを含む酸化物、または、硫化物および塩化物の少なくとも一方を含有してなるものである。

酸化物の具体例としては、前記第１実施形態で挙げたものと同様のもの、すなわち、Ｃｕ（II）_１−ｘＯ（ただし、０≦ｘ＜１である。）、Ｃｕ（Ｉ）_{２（１−ｘ）}Ｏ（ただし、０≦ｘ＜１である。）で表されるＣｕ酸化物、Ｎｉ_１−ｘＯ（ただし、０≦ｘ＜１である。）で表されるＮｉ酸化物、Ｃｏ_１−ｘＯ（ただし、０≦ｘ＜１）で表されるＣｏ酸化物、Ａｇ（II）_１−ｘＯ（ただし、０≦ｘ＜１である。）、Ａｇ（Ｉ）_{２（１−ｘ）}Ｏ（ただし、０≦ｘ＜１である。）で表されるＡｇ酸化物、または、これらにＣｕ、Ｎｉ、Ｃｏ以外の元素（原子）として、Ｓｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓのうちの少なくとも１種を含む複合酸化物等のうちの１種または２種以上を組み合わせたものが挙げられる。

硫化物および塩化物も、それぞれ、前記第１実施形態で挙げたものと同様のもの、すなわち、Ｃｕを含む硫化物を主とするものおよびＡｇを含む塩化物を主とするものが好適である。
また、本実施形態のソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂでは、酸化物、硫化物や塩化物を含有する部分（図４中、領域Ｘ）において、酸化物、硫化物や塩化物の含有量は、それぞれ、５０ｗｔ％以上であるのが好ましく、７５ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
この領域Ｘの厚さ（平均）は、０．１〜５０ｎｍ程度であるのが好ましく、０．５〜１０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
このような薄膜トランジスタ１は、例えば、次のようにして製造することができる。

［Ｂ１］ ソース電極およびドレイン電極形成工程
まず、基板１０上に、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂとなる金属膜（金属層）２０を形成する（図５（ａ）参照。）。
この金属膜２０の形成は、前記第１実施形態の下地電極層２１の形成で説明したのと同様にして行うことができるが、成膜方法として、メッキ法（湿式メッキ法）を用いるのが好ましい。メッキ法によれば、真空装置等の大掛かりな装置を用いずに、高い成膜精度で、所望の膜厚の金属膜２０を成膜することができる。
また、メッキ法の中でも、無電解メッキ法を用いるのがより好ましい。これにより、より高い成膜精度で金属膜２０を成膜することができる。

次に、金属膜２０に酸化処理を施す（図５（ｂ）参照。）。これにより、金属膜２０の表面付近が酸化され、金属膜２０の構成材料に対応した酸化物が生成する。その結果、表面付近に酸化物を含有するソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂが得られる。
この酸化物としては、前述したようなものが好ましいことから、金属膜２０は、主としてＣｕ、Ｎｉ、Ｃｏまたはこれらを含む合金、あるいは、ＡｇまたはＡｇを含む合金で構成される。
合金としては、例えば、Ｃｕ−Ｎｉ合金、Ｃｕ−Ｃｏ合金、Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｃｕ、Ｎｉ、ＣｏおよびＡｇのうちの少なくとも１種と、Ｓｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓのうちの少なくとも１種との合金等が挙げられる。

なお、金属膜２０の形成に無電解メッキ法を用いることにより、所望の組成のものが容易かつ確実に得られる。
また、酸化処理の方法には、例えば、酸素を含む雰囲気中でプラズマ処理を行う方法（酸素プラズマ法）、熱酸化法、陽極酸化法等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらの中でも、酸化処理の方法には、酸素プラズマ法を用いるのが好ましい。これにより、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂは、それぞれ、その表面付近に均一に酸化物を含有するようになる。これにより、有機半導体層３０にムラなく（均一）に正孔を注入（供給）することができるようになる。
また、酸素プラズマ法を用いることにより、金属膜２０の酸化のみならず、金属膜２０の表面に存在する有機物も同時に除去することができる。

このようなことから、有機半導体層３０への正孔の注入効率がより高いゲート電極２０ａを得ることができる。
さらに、この酸素プラズマ処理は、減圧（真空）下で行うものであってよいが、大気圧下で行うものであるのが好ましい。これにより、金属膜２０の酸化処理を容易かつ低コストで行うことができる。

なお、表面付近に硫化物を含有するソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂは、それぞれ、例えば硫化水素等の硫黄を含む雰囲気中で、金属膜２０に対して所定の条件で熱処理を行うこと等により得られる。
また、表面付近に塩化物を含有するソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂは、それぞれ、例えば塩化水素、塩素等の塩素を含む雰囲気中で、金属膜２０に対して所定の条件で熱処理を行うこと等により得られる。

［Ｂ２］ 有機半導体層形成工程
前記工程［Ａ２］と同様の工程を行う。
［Ｂ３］ ゲート絶縁層形成工程
前記工程［Ａ３］と同様の工程を行う。
［Ｂ４］ ゲート電極形成工程
前記工程［Ａ４］と同様の工程を行う。
以上のような工程を経て、第２実施形態の薄膜トランジスタ１が得られる。
このような第２実施形態の薄膜トランジスタ１によっても、前記第１実施形態の薄膜トランジスタ１と同様の作用・効果が得られる。

＜第３実施形態＞
次に、本発明の薄膜トランジスタの第３実施形態について説明する。
図６は、本発明の薄膜トランジスタの第３実施形態を示す概略断面図である。
以下、第３実施形態の薄膜トランジスタについて、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

第３実施形態の薄膜トランジスタ１は、全体構成が異なり、それ以外は、前記第１実施形態の薄膜トランジスタ１と同様である。
すなわち、図６に示す薄膜トランジスタ１は、ゲート電極５０がゲート絶縁層４０を介して、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂより基板１０側に位置するボトムゲート型の薄膜トランジスタである。
そして、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂが、それぞれ、前記第１実施形態と同様の構成となっている。

このような薄膜トランジスタ１は、例えば、次のようにして製造することができる。
図６に示す薄膜トランジスタ１は、基板１０上にゲート電極５０を形成する工程［Ｃ１］と、ゲート電極５０を覆うようにゲート絶縁層４０を形成する工程［Ｃ２］と、ゲート絶縁層４０上にソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを形成する工程［Ｃ３］と、ソース電極２０ａ、ドレイン電極２０ｂおよびゲート絶縁層４０を覆うように有機半導体層３０を形成する工程［Ｃ４］とを有している。

［Ｃ１］ ゲート電極形成工程
前記工程［Ａ４］と同様の工程を行う。
特に、前述したのと同様の理由から、例えば、エッチング法、リフトオフ法等を用いて、前記第１実施形態で説明したのと同様の金属膜を形成するのが好適である。
［Ｃ２］ ゲート絶縁層形成工程
前記工程［Ａ３］と同様の工程を行う。
次工程［Ｃ３］において、ゲート絶縁層４０上に、例えば、主としてＣｕ、Ｎｉ、Ｃｏまたはこれらを含む合金、あるいは、ＡｇまたはＡｇを含む合金（金属材料）で構成される下地電極層２１を形成することから、ゲート絶縁層４０は、前記第１実施形態で挙げた無機材料を用いて構成するのが好適である。

［Ｃ３］ ソース電極およびドレイン電極形成工程
前記工程［Ａ１］と同様の工程を行う。
［Ｃ４］ 有機半導体層形成工程
前記工程［Ａ２］と同様の工程を行う。
以上のような工程を経て、第３実施形態の薄膜トランジスタ１が得られる。
このような第３実施形態の薄膜トランジスタ１によっても、前記第１実施形態の薄膜トランジスタ１と同様の作用・効果が得られる。
さらに、第３実施形態の薄膜トランジスタ１では、ボトムゲート型であることから、次のような利点も有する。

すなわち、有機半導体材料は、無機半導体材料と比較して、熱、および、酸、アルカリに対する耐性が比較的低いものが多いが、本実施形態のようなボトムゲート型の構造を採用することにより、ゲート電極５０、ゲート絶縁層４０、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを形成した後に、有機半導体層３０を形成することができる。このため、前記工程［Ｃ１］〜［Ｃ３］において、より高い温度での処理方法や、硫酸等の強酸を使用した処理方法等、より最適なプロセス条件を選択することができる。その結果、得られる薄膜トランジスタ１の特性（スイッチング特性）をより向上させることができる。

＜第４実施形態＞
次に、本発明の薄膜トランジスタの第４実施形態について説明する。
図７は、本発明の薄膜トランジスタの第４実施形態を示す概略断面図である。
以下、第４実施形態の薄膜トランジスタについて、前記第１〜第３実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

第４実施形態の薄膜トランジスタ１は、全体構成が異なり、それ以外は、前記第２実施形態の薄膜トランジスタ１と同様である。
すなわち、図７に示す薄膜トランジスタ１は、ゲート電極５０がゲート絶縁層４０を介して、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂより基板１０側に位置するボトムゲート型の薄膜トランジスタである。
そして、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂが、それぞれ、前記第２実施形態と同様の構成となっている。
このような薄膜トランジスタ１は、例えば、次のようにして製造することができる。

［Ｄ１］ ゲート電極形成工程
前記工程［Ｃ１］と同様の工程を行う。
［Ｄ２］ ゲート絶縁層形成工程
前記工程［Ｃ２］と同様の工程を行う。
［Ｄ３］ ソース電極およびドレイン電極形成工程
前記工程［Ｂ１］と同様の工程を行う。
［Ｄ４］ 有機半導体層形成工程
前記工程［Ｃ４］と同様の工程を行う。
以上のような工程を経て、第４実施形態の薄膜トランジスタ１が得られる。
このような第４実施形態の薄膜トランジスタ１によっても、前記第１〜第３実施形態の薄膜トランジスタ１と同様の作用・効果が得られる。

＜有機ＥＬ素子＞
次に、本発明の電極を適用した有機ＥＬ素子について説明する。
図８は、本発明の有機ＥＬ素子の実施形態を示す概略断面図である。
図８に示す有機ＥＬ素子１００は、基板１２０と、基板１２０上に、順次積層された陽極１３０、正孔輸送層１４０、発光層１５０、電子注入層１６０および陰極１７０と、各層１３０〜１７０を覆うように設けられた封止部材（保護部材）１８０とを有している。

この有機ＥＬ素子１００は、発光層１５０からの光を陰極１７０側に取り出して視認するトップエミッション構造の素子である。
また、本実施形態では、正孔輸送層１４０と発光層１５０とにより、有機エレクトロルミネッセンス層（有機ＥＬ層）が構成されている。
基板１２０は、有機ＥＬ素子１００の支持体となるものである。

基板１２０には、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリアミド（ＰＡ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）等で構成されるプラスチック基板（樹脂基板）、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、金属基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。

基板１２０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
なお、有機ＥＬ素子１００に可撓性を付与する場合には、基板１２０には、プラスチック基板、あるいは、薄い（比較的膜厚の小さい）金属基板が選択される。
陽極（本発明の電極）１３０は、正孔輸送層１４０に正孔を注入する電極である。
この陽極１３０には、前述した薄膜トランジスタ１の第１〜第４実施形態で挙げたソース電極２０ａの構成と同様の構成が適用される。

すなわち、単層構成の場合、陽極１３０は、その少なくとも表面（正孔輸送層１４０側の面）に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも１種を含む酸化物、または、硫化物および塩化物の少なくとも一方を含有し、積層構成の場合、最外層（最も正孔輸送層１４０側の層）が、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも１種を含む酸化物、または、硫化物および塩化物の少なくとも一方を含有している。
これにより、正孔輸送層１４０への正孔の注入効率が増大することにより、発光輝度の高い有機ＥＬ素子１００、すなわち、信頼性の高い有機ＥＬ素子１００が得られる。

陽極１３０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜２０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陽極１３０の厚さが薄すぎると、陽極１３０としての機能が十分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極１３０を前記上限値を超えて厚くしてもそれ以上の効果の増大が期待できない。
正孔輸送層１４０は、陽極１３０から注入された正孔を発光層１５０まで輸送する機能を有するものである。
この正孔輸送層１４０は、主としてｐ型の有機半導体材料で構成されている。ｐ型の有機半導体材料には、ポリマー有機半導体材料（高分子系有機半導体材料）、低分子系有機半導体材料のいずれも使用可能である。

これらの有機半導体材料としては、それぞれ、前記薄膜トランジスタ１において有機半導体層３０の構成材料として挙げたものの他、例えば、次のようなものを用いることもできる。
ポリマー有機半導体材料としては、例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリチオフェン、ポリ（チオフェンビニレン）、ポリ（２，２’−チエニルピロール）、ポリアニリン等を用いることもできる。

低分子系有機半導体材料としては、例えば、１，１−ビス（４−ジ−パラ−トリアミノフェニル）シクロへキサン、１，１’−ビス（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン、４，４’，４’’−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ１）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メトキシフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メトキシフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ３）、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（パラ−トリル）−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（メタ−トリル）−メタ−フェニレンジアミン、カルバゾール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−フェニルカルバゾール、４−ジ−パラ−トリルアミノスチルベン、トリフェニルメタン、１−フェニル−３−（パラ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン、１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ジ（４−ジメチルアミノフェニル）−１，３，４，−オキサジアゾール、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン、フルオレノン、２，４，７，−トリニトロ−９−フルオレノン、２，７−ビス（２−ヒドロキシ−３−（２−クロロフェニルカルバモイル）−１−ナフチルアゾ）フルオレノン、１，４−ジチオケト−３，６−ジフェニル−ピロロ−（３，４−ｃ）ピロロピロール、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリン、キナクリドン、銅ナフタロシアニン、バナジルナフタロシアニン、モノクロロガリウムナフタロシアニン、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジン等を用いることもできる。

なお、ｐ型の有機半導体材料としては、ポリマー有機半導体材料を主成分とするものが好適である。ｐ型の有機半導体材料として、ポリマー有機半導体材料を主成分とするものを用いることにより、正孔輸送層１４０の形成（成膜）をより容易かつ低コストで行うことができる。
この正孔輸送層１４０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１〜１００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。正孔輸送層１４０の厚さが薄すぎると、ピンホールが生じるおそれがあり、一方、正孔輸送層１４０が厚過ぎると、正孔輸送層１４０の透過率が悪くなる原因となり、有機ＥＬ素子１００の発光色の色度（色相）が変化してしまうおそれがある。

発光層１５０には、陽極１３０と後述する陰極１７０との間に通電（電圧を印加）すると、正孔輸送層１４０および電子注入層１６０を介して、それぞれ正孔と電子とが注入される。そして、発光層１５０中において再結合する。この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。すなわち、発光層１５０が発光する。

この発光光は、陰極１７０側および陽極１４０側に発せられるが、前述した構成の陽極１３０では、光反射性が高くなる傾向にあるため、陽極１３０側に発せられた光も陽極１３０で反射して、陰極１７０側から照射されることになる。したがって、本実施形態のように、有機ＥＬ素子１００の構成としてトップエミッション構造を採用することにより、発光効率のより高いものとすることができる。
この発光層１５０の構成材料（発光材料）としては、電圧印加時に陽極１３０側から正孔を、また、陰極１７０側から電子を注入することができ、正孔と電子が再結合する場を提供できるものであれば、いかなるものであってもよい。
このような発光材料には、低分子系発光材料、ポリマー発光材料（高分子系発光材料）のいずれも使用可能である。

なお、発光材料として低分子系発光材料を主成分とするものを用いることにより、緻密な発光層１５０が得られるため、発光層１５０の発光効率を向上させることができる。一方、ポリマー発光材料を主成分とするものを用いることにより、比較的容易に溶剤へ溶解させることができるため、インクジェット印刷法等の各種塗布法により、発光層１５０を容易に形成（成膜）することができる。

低分子系発光材料としては、例えば、ジスチリルベンゼン（ＤＳＢ）、ジアミノジスチリルベンゼン（ＤＡＤＳＢ）、ナフタレン、ナイルレッド、フェナントレン、クリセン、６−ニトロクリセン、ペリレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−３，４，９，１０−ペリレン−ジ−カルボキシイミド（ＢＰＰＣ）、コロネン、アントラセン、ビススチリルアントラセン、ピレン、４−（ジ−シアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、アクリジン、スチルベン、２，５−ジベンゾオキサゾールチオフェン、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、２，２’−（パラ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾール、ビスチリル（１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン）、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ペリノン、オキサジアゾール、１，２，３，４，５−ペンタフェニル−１，３−シクロペンタジエン（ＰＰＣＰ）、キナクリドン、キナクリドンレッド、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、２，２’，７，７’−テトラフェニル−９，９’−スピロビフルオレン、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ_３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ_３）、（８−ヒドロキシキノリノレート）亜鉛（Ｚｎｑ_２）、（１，１０−フェナントロリン）−トリス−（４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニル）−ブタン−１，３−ジオネート）ユーロピウム（III）（Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（ｐｈｅｎ））、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、（２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン）プラチナム（II）等が挙げられる。

ポリマー発光材料としては、例えば、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）（Ｆ８）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ジチオフェン）（Ｆ８Ｔ２）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−２，１，３−ベンゾチアジゾール）（Ｆ８ＢＴ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−Ｎ−（４−ブチルフェニル）ジフェニルアミン）（ＴＦＢ）、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレン、ポリ（ジ−フェニルアセチレン）（ＰＤＰＡ）、ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（２，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレンビニレン）（ＲＯ−ＰＰＶ）、シアノ−置換−ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＣＮ−ＰＰＶ）、ポリ（２−ジメチルオクチルシリル−パラ−フェニレンビニレン）（ＤＭＯＳ−ＰＰＶ）、ポリ（２−メトキシ，５−（２’−エチルヘキソキシ）−パラ−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ（オキシプロピレン）トリオール（ＰＯＰＴ）、α，ω−ビス［Ｎ，Ｎ’−ジ（メチルフェニル）アミノフェニル］−ポリ［９，９−ビス（２−エチルヘキシル）フルオレン−２，７−ジル］（ＰＦ２／６ａｍ４）、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）、ポリ（パラ−フェニレン）（ＰＰＰ）、ポリ（１，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレン）（ＲＯ−ＰＰＰ）、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、ポリ（メチルフェニルシラン）（ＰＭＰＳ）、ポリ（ナフチルフェニルシラン）（ＰＮＰＳ）、ポリ（ビフェニリルフェニルシラン）（ＰＢＰＳ）等が挙げられる。

発光層１５０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、５〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。発光層の厚さを前記範囲とすることにより、正孔と電子との再結合が効率よくなされ、発光層１５０の発光効率をより向上させることができる。

電子注入層１６０は、陰極１７０から注入された電子を発光層１５０まで輸送する機能を有するものである。
この電子注入層１６０の構成材料としては、仕事関数の小さい金属材料が好適に使用される。このような金属材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金、あるいは、これらのフッ化物等が挙げられる。

本実施形態の有機ＥＬ素子１００は、トップエミッション構造（陰極１７０側において発光層１５０からの発光を視認する形態）であるため、電子注入層１６０は、できるだけ薄い方が好ましい。電子注入層１６０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、５〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。電子注入層１６０の厚さが薄すぎると、ピンホールが生じてショートするおそれがあり、一方、電子注入層１６０が厚過ぎると、その構成材料の種類等によっては、抵抗値が高くなるおそれがある。

陰極１７０は、電子注入層１６０に電子を注入する電極である。また、本実施形態の陰極１７０は、発光層１５０からの発光を視認し得るように、実質的に透明（無色透明、有色透明、半透明）とされている。
かかる観点から、陰極１７０の構成材料としては、導電性に優れ、かつ、透光性を有する材料を用いるのが好ましい。

このような陰極１７０の構成材料としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＦＴＯ（フッ素含有ＩＴＯ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）、ＡＴＯ（酸化アンチモンスズ）、ＡＺＯ（酸化アルミニウム亜鉛）等の透明導電性酸化物のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いるのが好適である。
透明導電性酸化物は、導電性および透光性の双方の特性において特に優れるため、陰極１７０を透明導電性酸化物を主成分として構成することにより、より発光効率に優れる有機ＥＬ素子１００を得ることができる。

陰極１７０の厚さ（平均）は、１０ｎｍ〜１μｍ程度であるのが好ましい。陰極１７０の厚さが薄すぎると、陰極１７０としての機能が十分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陰極１７０が厚過ぎると、有機ＥＬ素子１００の発光効率が低下したり、その構成材料の種類等によっては、光の透過率が著しく低下し、実用に適さなくなるおそれがある。

封止部材１８０は、有機ＥＬ素子１００を構成する各層１３０〜１７０を気密的に封止し、酸素や水分を遮断（遮蔽）する機能を有する。封止部材１８０を設けることにより、有機ＥＬ素子１００の信頼性を向上させる効果や、各層１３０〜１７０（特に、正孔輸送層１４０および発光層１５０）の変質・劣化を防止する効果等が発揮される。
また、封止部材１８０の内部には、例えば、窒素ガス、各種希ガス等の不活性ガスを充填するようにしてもよい。これにより、各層１３０〜１７０の変質・劣化等をより確実に防止することができる。
封止部材１８０の構成材料としては、透光性を有するものであればよく、特に限定されないが、例えば、各種樹脂材料や各種ガラス材料等を用いることができる。

なお、本実施形態では、発光層１５０は、正孔輸送層１４０と別個に設けられているが、正孔輸送層１４０と発光層１５０との双方の機能を兼ねた正孔輸送性発光層とすることもできる。この場合、正孔輸送性発光層の電子注入層１６０との界面付近が、発光層１５０として機能する。
また、正孔輸送性発光層を用いた場合には、陽極１３０から正孔輸送性発光層に注入された正孔が電子注入層１６０によって閉じこめられるため、正孔と電子との再結合効率を向上させることができるという利点がある。

また、陽極１３０と正孔輸送層１４０との間、正孔輸送層１４０と発光層１５０との間、発光層１５０と電子注入層１６０との間等には、それぞれ、任意の目的の層を設けるようにしてもよい。
例えば、陽極１３０と正孔輸送層１４０との間には正孔注入層を、また、発光層１５０と電子注入層１６０との間には電子輸送層等を設けることができる。その他、有機ＥＬ素子１００には、正孔ブロック層や電子ブロック層等を設けるようにしてもよい。

＜表示装置＞
次に、前述したような薄膜トランジスタ１を備えるアクティブマトリクス装置が組み込まれた表示装置について、電気泳動表示装置を一例に説明する。
図９は、本発明の表示装置を電気泳動表示装置に適用した場合の実施形態を示す縦断面図、図１０は、図９に示す電気泳動表示装置が備えるアクティブマトリクス装置の構成を示すブロック図である。

図９に示す電気泳動表示装置２００は、基板５００上に設けられたアクティブマトリクス装置（本発明の電子回路）３００と、このアクティブマトリクス装置３００に電気的に接続された電気泳動表示部４００とで構成されている。
図１０に示すように、アクティブマトリクス装置３００は、互いに直交する複数のデータ線３０１と、複数の走査線３０２と、これらのデータ線３０１と走査線３０２との各交点付近に設けられた薄膜トランジスタ１とを有している。
そして、薄膜トランジスタ１が有するゲート電極５０は走査線３０２に、ソース電極２０ａはデータ線３０１に、ドレイン電極２０ｂは後述する画素電極（個別電極）４０１に、それぞれ接続されている。

図９に示すように、電気泳動表示部４００は、基板５００上に、順次積層された、画素電極４０１と、マイクロカプセル４０２と、透明電極（共通電極）４０３および透明基板４０４とを有している。
そして、マイクロカプセル４０２がバインダ材４０５により、画素電極４０１と透明電極４０３との間に固定されている。

画素電極４０１は、マトリクス状に、すなわち、縦横に規則正しく配列するように分割されている。
各カプセル４０２内には、それぞれ、特性の異なる複数種の電気泳動粒子、本実施形態では、電荷および色（色相）の異なる２種の電気泳動粒子４２１、４２２を含む電気泳動分散液４２０が封入されている。

このような電気泳動表示装置２００では、１本あるいは複数本の走査線３０２に選択信号（選択電圧）を供給すると、この選択信号（選択電圧）が供給された走査線３０２に接続されている薄膜トランジスタ１がＯＮとなる。
これにより、かかる薄膜トランジスタ１に接続されているデータ線３０１と画素電極４０１とは、実質的に導通する。このとき、データ線３０１に所望のデータ（電圧）を供給した状態であれば、このデータ（電圧）は画素電極４０１に供給される。
これにより、画素電極４０１と透明電極４０３との間に電界が生じ、この電界の方向、強さ、電気泳動粒子４２１、４２２の特性等に応じて、電気泳動粒子４２１、４２２は、いずれかの電極の方向に向かって電気泳動する。

一方、この状態から、走査線３０２への選択信号（選択電圧）の供給を停止すると、薄膜トランジスタ１はＯＦＦとなり、かかる薄膜トランジスタ１に接続されているデータ線３０１と画素電極４０１とは非導通状態となる。
したがって、走査線３０２への選択信号の供給および停止、あるいは、データ線３０１へのデータの供給および停止を適宜組み合わせて行うことにより、電気泳動表示装置２００の表示面側（透明基板４０４側）に、所望の画像（情報）を表示させることができる。
特に、本実施形態の電気泳動表示装置２００では、電気泳動粒子４２１、４２２の色を異ならせていることにより、多階調の画像を表示することが可能となっている。

また、本実施形態の電気泳動表示装置２００は、アクティブマトリクス装置３００を有することにより、特定の走査線３０２に接続された薄膜トランジスタ１を選択的にＯＮ／ＯＦＦすることができるので、クロストークの問題が生じにくく、また、回路動作の高速化が可能であることから、高い品質の画像（情報）を得ることができる。
また、本実施形態の電気泳動表示装置２００は、低い駆動電圧で作動するため、省電力化が可能である。
なお、本発明の表示装置は、このような電気泳動表示装置２００への適用に限定されるものではなく、電気泳動表示部４００に代えて、前述したような有機ＥＬ素子１００を用いた有機ＥＬ表示装置や、無機ＥＬ素子を用いた無機ＥＬ表示装置、液晶表示素子を用いた液晶表示装置等に適用することもできる。

＜電子機器＞
このような電気泳動表示装置２００（本発明の表示装置）は、各種電子機器に組み込むことができる。以下、電気泳動表示装置２００を備える本発明の電子機器について説明する。
＜＜電子ペーパー＞＞
まず、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態について説明する。
図１１は、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態を示す斜視図である。
この図に示す電子ペーパー６００は、紙と同様の質感および柔軟性を有するリライタブルシートで構成される本体６０１と、表示ユニット６０２とを備えている。
このような電子ペーパー６００では、表示ユニット６０２が、前述したような電気泳動表示装置２００で構成されている。

＜＜ディスプレイ＞＞
次に、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態について説明する。
図１２は、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
この図に示すディスプレイ８００は、本体部８０１と、この本体部８０１に対して着脱自在に設けられた電子ペーパー６００とを備えている。なお、この電子ペーパー６００は、前述したような構成、すなわち、図１１に示す構成と同様のものである。

本体部８０１は、その側部（図中、右側）に電子ペーパー６００を挿入可能な挿入口８０５が形成され、また、内部に二組の搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂが設けられている。電子ペーパー６００を、挿入口８０５を介して本体部８０１内に挿入すると、電子ペーパー６００は、搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂにより挟持された状態で本体部８０１に設置される。

また、本体部８０１の表示面側（下図（ｂ）中、紙面手前側）には、矩形状の孔部８０３が形成され、この孔部８０３には、透明ガラス板８０４が嵌め込まれている。これにより、本体部８０１の外部から、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を視認することができる。すなわち、このディスプレイ８００では、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を、透明ガラス板８０４において視認させることで表示面を構成している。

また、電子ペーパー６００の挿入方向先端部（図中、左側）には、端子部８０６が設けられており、本体部８０１の内部には、電子ペーパー６００を本体部８０１に設置した状態で端子部８０６が接続されるソケット８０７が設けられている。このソケット８０７には、コントローラー８０８と操作部８０９とが電気的に接続されている。
このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００は、本体部８０１に着脱自在に設置されており、本体部８０１から取り外した状態で携帯して使用することもできる。
また、このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００が、前述したような電気泳動表示装置２００で構成されている。

なお、本発明の電子機器は、以上のようなものへの適用に限定されず、例えば、テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、電子新聞、ワードプロセッサ、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等を挙げることができ、これらの各種電子機器の表示部に、電気泳動表示装置２００を一例とする本発明の表示装置を適用することが可能である。

以上、本発明の電極、電極形成方法、薄膜トランジスタ、電子回路、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および電子機器について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、本発明の電極は、太陽電池（光電変換素子）が備える陽極、ＲＦタグが備える電極等に適用することもできる。
また、本発明の電極形成方法は、前述したような工程に、必要に応じて、１または２以上の任意の目的の工程を追加することもできる。
また、本発明の薄膜トランジスタ、電子回路、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および電子機器の各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
Ａ１．薄膜トランジスタの製造
（実施例Ａ１）
まず、ガラス基板（ＮＥＣコーニング社製、「ＯＡ１０」）を用意し、エタノールを用いて洗浄することにより、表面の脱脂処理を行った。

次に、ガラス基板を乾燥した後、濃硫酸中に浸漬することにより、ガラス基板の表面を荒らした。これにより、次工程で形成されるメッキ膜の密着性の改善を図った。その後、ガラス基板を純水を用いて洗浄した。
次に、ガラス基板を、感受化液中に１５秒間浸漬した後、純水で洗浄する操作を１サイクルとし、４サイクル繰り返した。
なお、感受化液には、３７ｗｔ％の濃塩酸：１ｍＬ／ＬにＳｎＣｌ_２：１ｇ／Ｌを添加した溶液（塩化スズ（II）溶液）を用いた。

次に、ガラス基板を、Ｎｉメッキ浴中に５分間浸漬した。なお、Ｎｉメッキ浴の条件は、以下に示す通りである。
次亜リン酸ナトリウム溶液：０．１５ｍｏｌ／Ｌ
硫酸アンモニウム溶液 ：０．５０ｍｏｌ／Ｌ
クエン酸ナトリウム溶液 ：０．２０ｍｏｌ／Ｌ
硫酸ニッケル溶液 ：０．１０ｍｏｌ／Ｌ
これらの４種の溶液を等量ずつ混合し、水酸化ナトリウム水溶液でｐＨ９．０に調整
Ｎｉメッキ浴の温度 ：９０℃
これにより、ガラス基板上に、平均厚さ１００ｎｍのＮｉメッキ膜を形成した。その後、純水を用いてガラス基板を洗浄した後、５０℃で乾燥した。

次に、このＮｉメッキ膜上に、レジスト材料（東京応化工業社製、「ＴＳＭＲ８９００」）を供給し、露光・現像すること（フォトリソグラフィー法）により、ソース電極およびドレイン電極の形状に対応するパターンのレジスト層を形成した。
次に、ガラス基板を、５〜１０ｗｔ％の塩化第二鉄水溶液中に、３０〜４０℃×５〜１０分間浸漬した。これにより、レジスト層で覆われていない部分のＮｉメッキ膜を除去して、ソース電極およびドレイン電極に対応する形状にパターニングした。

次に、レジスト剥離液を用いて、レジスト層を除去した後、ガラス基板を、水およびエタノールを用いて、順次洗浄した。
次に、Ｎｉメッキ膜に対して、酸素プラズマ処理を施した。なお、酸素プラズマ処理の条件は、以下に示す通りである。
プラズマ処理装置：サムコインターナショナル研究所社製、「ＰＸ１０００」
パワー ：２００Ｗ
処理時間 ：５分間
酸素流量 ：１００ｓｃｃｍ
アルゴン流量 ：１００ｓｃｃｍ
これにより、図４に示す構成のソース電極およびドレイン電極を得た。

次に、ガラス基板上に、Ｆ８Ｔ２（ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ジチオフェン））の１％ｗｔ／ｖｏｌトルエン溶液を、スピンコート法（２４００ｒｐｍ）により塗布した後、６０℃×１０分間で乾燥した。これにより、平均厚さ５０ｎｍの有機半導体層を形成した。
次に、有機半導体層上に、ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）の５％ｗｔ／ｖｏｌ酢酸ブチル溶液を、スピンコート法（２４００ｒｐｍ）により塗布した後、６０℃×１０分間で乾燥した。これにより、平均厚さ１００ｎｍのゲート絶縁層を形成した。

次に、ゲート絶縁層上の、ソース電極とドレイン電極との間の領域に対応する部分に、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）の水分散液（粘度（常温）５ｃｐｓ）を、インクジェット法（液滴１滴の量２０ｐＬ）により塗布した後、８０℃×１０分間で乾燥した。これにより、平均厚さ１００ｎｍのゲート電極を形成した。
以上の工程により、薄膜トランジスタを得た。

（実施例Ａ２）
還元剤としてジメチルボランを添加した０．１ｗｔ％塩化ニッケル水溶液中に、ガラス基板を４０℃×５分間浸漬して、Ｎｉメッキ膜を形成した以外は、前記実施例Ａ１と同様にして、薄膜トランジスタを得た。
なお、得られたＮｉメッキ膜は、平均厚さが１００ｎｍであった。

（実施例Ａ３）
ソース電極およびドレイン電極を形成するに際して、Ｎｉメッキ膜に代わり、Ｃｕメッキ膜を形成した以外は、前記実施例Ａ１と同様にして、薄膜トランジスタを得た。
なお、ガラス基板のＣｕメッキ浴への浸漬時間は５分間であり、Ｃｕメッキ浴の条件は、以下に示す通りである。

ホルマリン ：０．２５ｍｏｌ／リットル
エチレンジアミン四酢酸ナトリウム溶液：０．０６ｍｏｌ／リットル
硫酸銅溶液 ：０．０５ｍｏｌ／リットル
２，２’−ジピリジル溶液 ：２０ｍｇ／リットル
ヘキサシアノ鉄（II）カリウム溶液 ：５０ｍｇ／リットル
これらの５種の溶液を等量ずつ混合し、水酸化ナトリウム水溶液でｐＨ１２．５に調整
Ｃｕメッキ浴の温度 ：９０℃
なお、得られたＣｕメッキ膜は、平均厚さが１００ｎｍであった。

（実施例Ａ４）
錯化剤としてロッシェル塩を添加した０．５ｗｔ％硫酸銅水溶液中に、ガラス基板を２０℃×１０分間浸漬して、Ｃｕメッキ膜を形成した以外は、前記実施例Ａ１と同様にして、薄膜トランジスタを得た。
なお、得られたＣｕメッキ膜は、平均厚さが１００ｎｍであった。

（実施例Ａ５）
Ｃｕメッキ膜に代えて、リフトオフ法を用いてＣｕ膜を形成した以外は、前記実施例Ａ１と同様にして、薄膜トランジスタを得た。
すなわち、まず、ガラス基板上に、ソース電極およびドレイン電極に対応する以外の部分を覆うようにレジストパターンを設けておき、全面にＣｕ膜を１００ｎｍ蒸着した。
次に、レジストパターンをジェットスクライバー装置で除去することにより、ソース電極およびドレイン電極に対応する形状のＣｕ膜を得た。

（実施例Ａ６）
酸素プラズマ処理に際して、処理時間を２０分とした以外は、前記実施例Ａ３と同様にして、薄膜トランジスタを得た。
なお、得られたＣｕメッキ膜は、平均厚さが１００ｎｍであった。
（実施例Ａ７）
０．１ｗｔ％塩化コバルト水溶液中に、ガラス基板を９０℃×５分間浸漬して、Ｃｏメッキ膜を形成した以外は、前記実施例Ａ１と同様にして、薄膜トランジスタを得た。
なお、得られたＣｏメッキ膜は、平均厚さが１００ｎｍであった。

（実施例Ａ８）
まず、ガラス基板（ＮＥＣコーニング社製、「ＯＡ１０」）を用意し、エタノールを用いて洗浄することにより、表面の脱脂処理を行った。
次に、ガラス基板を乾燥した後、濃硫酸中に浸漬することにより、ガラス基板の表面を荒らした。これにより、次工程で形成される膜の密着性の改善を図った。その後、ガラス基板を純水を用いて洗浄した。

次に、リアクティブＤＣマグネトロンスパッタ法により、ガラス基板上に、平均厚さ１００ｎｍのＮｉＯを含有する被膜を形成した。
なお、リアクティブＤＣマグネトロンスパッタ法の条件は、以下に示す通りである。
ターゲット ：金属Ｎｉ
チャンバー内の到達真空度 ：５×１０^−４Ｐａ
ＤＣパワー ：６０Ｗ
導入ガス ：酸素とアルゴンとの混合ガス（酸素：アルゴン＝８０：２０（モル比））
成膜時のチャンバー内の圧力：０．６５Ｐａ（５ｍＴｏｒｒ）

次に、この被膜上に、レジスト材料（東京応化工業社製、「ＴＳＭＲ８９００」）を供給し、露光・現像すること（フォトリソグラフィー法）により、ソース電極およびドレイン電極の形状に対応するパターンのレジスト層を形成した。
次に、反応性イオンエッチングにより、レジスト層で覆われていない部分の被膜を除去して、ソース電極およびドレイン電極に対応する形状にパターニングした。
これにより、図４に示す構成のソース電極およびドレイン電極を得た。
以下、前記実施例Ａ１と同様にして、薄膜トランジスタを得た。

（実施例Ａ９）
酸素とアルゴンとの混合比を、２５：７５に変更した以外は、前記実施例Ａ８と同様にして、薄膜トランジスタを得た。
（実施例Ａ１０）
酸素とアルゴンとの混合比を、１０：９０に変更した以外は、前記実施例Ａ８と同様にして、薄膜トランジスタを得た。

（実施例Ａ１１〜Ａ１３）
ターゲットとして金属Ｎｉに代えて、金属Ｃｕを用いた以外は、それぞれ、前記実施例Ａ８〜Ａ１０と同様にして、薄膜トランジスタを得た。
（実施例Ａ１４〜Ａ１６）
ターゲットとして金属Ｎｉに代えて、金属Ｃｏを用いた以外は、それぞれ、前記実施例Ａ８〜Ａ１０と同様にして、薄膜トランジスタを得た。

（実施例Ａ１７）
まず、ガラス基板（ＮＥＣコーニング社製、「ＯＡ１０」）を用意し、エタノールを用いて洗浄することにより、表面の脱脂処理を行った。
次に、ガラス基板を乾燥した後、濃硫酸中に浸漬することにより、ガラス基板の表面を荒らした。これにより、次工程で形成される膜の密着性の改善を図った。その後、ガラス基板を純水を用いて洗浄した。

次に、レーザーアブレーション法により、ガラス基板上に、平均厚さ１００ｎｍのＳｒＣｕ_２Ｏ_２で構成される被膜を形成した。
なお、レーザーアブレーション法の条件は、以下に示す通りである。
ターゲット ：ＳｒＣｕ_２Ｏ_２焼結体
チャンバー内の到達真空度 ：５×１０^−７Ｐａ
レーザー
・種類 ：ＡｒＦエキシマレーザー（波長：１９３ｎｍ、パルス長：２０ｎｓ）
・エネルギー密度 ：５Ｊ／ｃｍ^２
導入ガス ：酸素ガス
成膜時のチャンバー内の圧力：５Ｐａ
ガラス基板の温度 ：２５０℃

次に、この被膜上に、レジスト材料（東京応化工業社製、「ＴＳＭＲ８９００」）を供給し、露光・現像すること（フォトリソグラフィー法）により、ソース電極およびドレイン電極の形状に対応するパターンのレジスト層を形成した。
次に、反応性イオンエッチングにより、レジスト層で覆われていない部分の被膜を除去して、ソース電極およびドレイン電極に対応する形状にパターニングした。
これにより、図４に示す構成のソース電極およびドレイン電極を得た。
以下、前記実施例Ａ１と同様にして、薄膜トランジスタを得た。

（実施例Ａ１８）
ターゲットとしてＳｒＣｕ_２Ｏ_２焼結体に代えて、ＣｕＡｌＯ_２焼結体を用いた以外は、前記実施例Ａ１７と同様にして、薄膜トランジスタを得た。
（実施例Ａ１９）
ターゲットとしてＳｒＣｕ_２Ｏ_２焼結体に代えて、ＣｕＧａＯ_２焼結体を用いた以外は、前記実施例Ａ１７と同様にして、薄膜トランジスタを得た。

（実施例Ａ２０）
まず、ガラス基板（ＮＥＣコーニング社製、「ＯＡ１０」）を用意し、エタノールを用いて洗浄することにより、表面の脱脂処理を行った。
次に、ガラス基板を乾燥した後、濃硫酸中に浸漬することにより、ガラス基板の表面を荒らした。これにより、次工程で形成される膜の密着性の改善を図った。その後、ガラス基板を純水を用いて洗浄した。

次に、前記実施例Ａ３と同様にして、平均厚さ８０ｎｍのＣｕで構成される下地電極層（仕事関数４．７ｅＶ）を形成し、次いで、前記実施例Ａ１１と同様にして、平均厚さ２０ｎｍのＣｕ（II）Ｏで構成される表面電極層（仕事関数５．４ｅＶ）を形成した。
これにより、図１に示す構成のソース電極およびドレイン電極を得た。
以下、前記実施例Ａ１と同様にして、薄膜トランジスタを得た。

（実施例Ａ２１）
まず、ガラス基板（ＮＥＣコーニング社製、「ＯＡ１０」）を用意し、エタノールを用いて洗浄することにより、表面の脱脂処理を行った。
次に、ガラス基板を乾燥した後、濃硫酸中に浸漬することにより、ガラス基板の表面を荒らした。これにより、次工程で形成される膜の密着性の改善を図った。その後、ガラス基板を純水を用いて洗浄した。

次に、前記実施例Ａ３と同様にして、平均厚さ８０ｎｍのＣｕで構成される下地電極層（仕事関数４．７ｅＶ）を形成し、次いで、前記実施例Ａ１７と同様にして、平均厚さ２０ｎｍのＳｒＣｕ_２Ｏ_２で構成される表面電極層（仕事関数５．４ｅＶ）を形成した。
これにより、図１に示す構成のソース電極およびドレイン電極を得た。
以下、前記実施例Ａ１と同様にして、薄膜トランジスタを得た。

（実施例Ａ２２〜Ａ２４）
ターゲットとして金属Ｎｉに代えて、金属Ａｇを用いた以外は、それぞれ、前記実施例Ａ８〜Ａ１０と同様にして、薄膜トランジスタを得た。
（実施例Ａ２５）
Ｃｕメッキ膜に代えて、真空蒸着法により、平均厚さ１００ｎｍのＣｕ蒸着膜を形成した以外は、前記実施例Ａ１と同様にして、薄膜トランジスタを得た。

（実施例Ａ２６）
酸素プラズマ処理に代えて、硫化処理を施した以外は、前記実施例Ａ２５と同様にして、薄膜トランジスタを得た。
なお、硫化処理は、Ｃｕ蒸着膜に対して、硫化水素雰囲気中１００℃×３０分間で熱処理を施すことにより行った。

（実施例Ａ２７）
Ｃｕメッキ膜に代えて、真空蒸着法により、平均厚さ１００ｎｍのＡｇ蒸着膜を形成し、前記実施例Ａ１と同様にして、ソース電極およびドレイン電極に対応する形状にパターニングした。
次に、Ａｇ蒸着膜に対して、塩化処理を施した。これにより、図４に示す構成のソース電極およびドレイン電極を得た。
なお、塩化処理は、Ａｇ蒸着膜に対して、塩化水素雰囲気中１００℃×３０分間で熱処理を施すことにより行った。
以下、前記実施例Ａ１と同様にして、薄膜トランジスタを得た。

（実施例Ａ２８）
塩化処理の方法を変更した以外は、前記実施例Ａ２７と同様にして、薄膜トランジスタを得た。
すなわち、まず、Ａｇ蒸着膜を、３ＭのＨＮＯ_３で前処理した後、水洗した。
次に、ガラス基板を０．１ＭのＨＣｌ水溶液に浸漬し、Ａｇ蒸着膜に電流密度０．８ｍＡ／ｃｍ^２で１５分間通電して、電気分解処理を行った。
これにより、図１に示す構成のソース電極およびドレイン電極を得た。

（比較例Ａ１）
酸素とアルゴンとの混合比を、０：１００に変更した以外は、前記実施例Ａ８と同様にして、薄膜トランジスタを得た。
（比較例Ａ２）
酸素とアルゴンとの混合比を、０：１００に変更した以外は、前記実施例Ａ１１と同様にして、薄膜トランジスタを得た。

（比較例Ａ３）
酸素とアルゴンとの混合比を、０：１００に変更した以外は、前記実施例Ａ１４と同様にして、薄膜トランジスタを得た。
（比較例Ａ４）
酸素とアルゴンとの混合比を、０：１００に変更した以外は、前記実施例Ａ２２と同様にして、薄膜トランジスタを得た。

Ａ２．評価
Ａ２−１．酸化物の含有量の測定
各実施例および各比較例で得られたソース電極およびドレイン電極に対して、それぞれ、酸化物、硫化物、塩化物（以下、これらを総称して「金属化合物」と言う。）が存在する部分（領域）の確認と、この部分における金属化合物の含有量の測定を行った。
なお、この測定は、Ｘ線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）法により行った。
Ａ２−２．仕事関数の測定
各実施例および各比較例で得られたソース電極およびドレイン電極に対して、それぞれ、仕事関数の測定を行った。
なお、この測定には、簡易ＵＰＳ装置（理研計器社製、「ＡＣ−１」）を使用した。

Ａ２−３．トランジスタ特性の評価
各実施例および各比較例で得られた薄膜トランジスタに対して、それぞれ、キャリアの移動度μ、しきい電圧ＶｔｈおよびＳ値を測定した。
なお、この測定は、アジレント社製、「半導体パラメータアナライザ４１５６Ｃ」を用いて行った。

ここで、しきい電圧Ｖｔｈとは、ゲート電圧とＩｄ^１／２（Ｉｄ：ドレイン電流の値）との関係を表す近似式（関係式）の値が０となるときのゲート電圧であり、ドレイン電流が流れ始めるのに要するゲート電圧とみなすことができる。
Ｓ値とは、ドレイン電流の値が１桁上昇するのに要するゲート電圧の値である。
したがって、キャリアの移動度μが大きく、しきい電圧Ｖｔｈの絶対値が小さく、Ｓ値が小さいもの程、良好な特性を有する薄膜トランジスタであることを意味する。
その結果を、表１（表１−１および表１−２）に示す。

表１−１および表１−２に示すように、各実施例の薄膜トランジスタは、いずれも、しきい電圧Ｖｔｈの絶対値およびＳ値が小さく、かつ、キャリアの移動度μが大きく、特性に優れるものであった。
また、ソース電極およびドレイン電極において、酸化物（金属化合物）の含有量が増大するのにしたがって、トランジスタ特性が向上する傾向を示した。
これに対して、各比較例の薄膜トランジスタは、いずれも、しきい電圧Ｖｔｈの絶対値およびＳ値が大きく、かつ、キャリアの移動度μが小さいものであった。

Ａ２−４． 経時劣化の評価
実施例Ａ６および比較例Ａ２で得られた薄膜トランジスタを、２５℃ 水分濃度１０ｐｐｍ 酸素濃度１０ｐｐｍの環境下に放置し、放置３日後および放置５７日後に、再度、キャリアの移動度μ、しきい電圧ＶｔｈおよびＳ値を測定した。
その結果を、表２に示す。

表２に示すように、実施例Ａ６の薄膜トランジスタは、放置５７日後においても初期のトランジスタ特性を維持していることが明らかとなった。
これに対して、比較例Ａ２の薄膜トランジスタは、トランジスタ特性の経時的な劣化が著しいことが明らかとなった。
この結果は、ソース電極およびドレイン電極の表面付近に酸化物（金属化合物）を含有することにより、有機層の変質、劣化を防止する効果が得られることを示唆するものである。
以上のような結果から、ソース電極およびドレイン電極の表面付近に、所定の元素を含む酸化物を含有させることにより、薄膜トランジスタの特性が向上し、またその経時的な変質、劣化を防止または抑制し得ることがわかった。

Ｂ１．有機ＥＬ素子の作製
（実施例Ｂ１）
まず、ガラス基板（ＮＥＣコーニング社製、「ＯＡ１０」）を用意し、エタノールを用いて洗浄することにより、表面の脱脂処理を行った。
次に、ガラス基板を乾燥した後、濃硫酸中に浸漬することにより、ガラス基板の表面を荒らした。これにより、次工程で形成されるメッキ膜の密着性の改善を図った。その後、ガラス基板を純水を用いて洗浄した。

次に、ガラス基板を、感受化液中に１５秒間浸漬した後、純水で洗浄する操作を１サイクルとし、４サイクル繰り返した。
なお、感受化液には、３７ｗｔ％の濃塩酸：１ｍＬ／ＬにＳｎＣｌ_２：１ｇ／Ｌを添加した溶液（塩化スズ（II）溶液）を用いた。
次に、ガラス基板上に、前記実施例Ａ１と同様にして、平均厚さ１００ｎｍの陽極を形成した。
次に、陽極上に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）の１ｗｔ％水分散液（スタルクヴィテック社製、「バイトロンＰ」）をスピンコート法（２４００ｒｐｍ）により塗布した後、６０℃×１０分間で乾燥した。これにより、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。

次に、正孔輸送層上に、Ｆ８Ｔ２（ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ジチオフェン））の１％ｗｔ／ｖｏｌトルエン溶液をスピンコート法（２４００ｒｐｍ）により塗布した後、６０℃×１０分間で乾燥した。これにより、平均厚さ６０ｎｍの発光層を形成した。
次に、発光層上に、カルシウムを真空蒸着法により成膜した。これにより、平均厚さ２０ｎｍの電子注入層を形成した。

次に、電子注入層上に、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）をスパッタリング法により成膜した。これにより、平均厚さ１００ｎｍの陰極を形成した。
次に、ガラス材料で構成された封止部材をガラス基板に接合して、陽極、正孔輸送層、発光層、電子注入層および陰極を封止した。
以上の工程により、図８に示すような有機ＥＬ素子を得た。

（実施例Ｂ２）
陽極を、前記実施例Ａ３と同様にして形成した以外は、前記実施例Ｂ１と同様にして有機ＥＬ素子を得た。
（実施例Ｂ３）
陽極を、前記実施例Ａ７と同様にして形成した以外は、前記実施例Ｂ１と同様にして有機ＥＬ素子を得た。

（実施例Ｂ４）
陽極を、前記実施例Ａ８と同様にして形成した以外は、前記実施例Ｂ１と同様にして有機ＥＬ素子を得た。
（実施例Ｂ５）
陽極を、前記実施例Ａ１１と同様にして形成した以外は、前記実施例Ｂ１と同様にして有機ＥＬ素子を得た。

（実施例Ｂ６）
陽極を、前記実施例Ａ１４と同様にして形成した以外は、前記実施例Ｂ１と同様にして有機ＥＬ素子を得た。
（実施例Ｂ７）
陽極を、前記実施例Ａ１７と同様にして形成した以外は、前記実施例Ｂ１と同様にして有機ＥＬ素子を得た。

（実施例Ｂ８）
陽極を、前記実施例Ａ１８と同様にして形成した以外は、前記実施例Ｂ１と同様にして有機ＥＬ素子を得た。
（実施例Ｂ９）
陽極を、前記実施例Ａ１９と同様にして形成した以外は、前記実施例Ｂ１と同様にして有機ＥＬ素子を得た。

（実施例Ｂ１０）
陽極を、前記実施例Ａ２５と同様にして形成した以外は、前記実施例Ｂ１と同様にして有機ＥＬ素子を得た。
（実施例Ｂ１１）
陽極を、前記実施例Ａ２６と同様にして形成した以外は、前記実施例Ｂ１と同様にして有機ＥＬ素子を得た。
（実施例Ｂ１２）
陽極を、前記実施例Ａ２８と同様にして形成した以外は、前記実施例Ｂ１と同様にして有機ＥＬ素子を得た。

（比較例Ｂ１）
陽極を、前記比較例Ａ１と同様にして形成した以外は、前記実施例Ｂ１と同様にして有機ＥＬ素子を得た。
（比較例Ｂ２）
陽極を、前記比較例Ａ２と同様にして形成した以外は、前記実施例Ｂ１と同様にして有機ＥＬ素子を得た。

（比較例Ｂ３）
陽極を、前記比較例Ａ３と同様にして形成した以外は、前記実施例Ｂ１と同様にして有機ＥＬ素子を得た。
（参考例）
陽極を、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）をスパッタリング法により成膜した以外は、前記実施例Ｂ１と同様にして有機ＥＬ素子を得た。

Ｂ２．評価
Ｂ２−１．酸化物の含有量の測定
前記Ａ２−１．と同様にして行った。
Ｂ２−２．仕事関数の測定
Ａ２−２．と同様にして行った。

Ｂ２−３．発光強度の測定
各実施例、各比較例および参考例で得られた有機ＥＬ素子に対して、それぞれ、陽極と陰極との間に電圧（６Ｖ）を印加したときの発光強度（輝度）を測定した。
その結果を、表３に示す。
なお、表３中の各発光強度は、比較例Ｂ２で測定された発光強度を「１」としたときの相対値で示した。

表３に示すように、各実施例の有機ＥＬ素子の発光強度は、いずれも参考例の発光強度と変わらないか、参考例の発光強度より高いものであった。
これに対し、各比較例の有機ＥＬ素子の発光強度は、いずれも明らかに低く、実用に耐えないものであった。
なお、この結果は、Ａｇよりなる陽極を備える有機ＥＬ素子でも同様であった。すなわち、陽極を、前記比較例Ａ４と同様にして形成した以外は、前記実施例Ｂ１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。そして、このものについて、前記と同様に発光強度を測定した結果、比較例Ｂ２の発光強度に対して０．１〜０．５倍程度であった。

本発明の薄膜トランジスタの第１実施形態を示す概略断面図である。 図１に示す薄膜トランジスタの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。 図１に示す薄膜トランジスタの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の薄膜トランジスタの第２実施形態を示す概略断面図である。 図４に示す薄膜トランジスタの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の薄膜トランジスタの第３実施形態を示す概略断面図である。 本発明の薄膜トランジスタの第４実施形態を示す概略断面図である。 本発明の有機ＥＬ素子の実施形態を示す概略断面図である。 本発明の表示装置を電気泳動表示装置に適用した場合の実施形態を示す縦断面図である。 図９に示す電気泳動表示装置が備えるアクティブマトリクス装置の構成を示すブロック図である。 本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態を示す斜視図である。 本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態を示す図である。

符号の説明

１……薄膜トランジスタ １０……基板 ２０ａ……ソース電極 ２０ｂ……ドレイン電極 ２０……金属膜 ２１……下地電極層 ２２……表面電極層 ２２０……被膜 ３０……有機半導体層 ４０……ゲート絶縁層 ５０……ゲート電極 １００……有機ＥＬ素子 １２０……基板 １３０……陽極 １４０……正孔輸送層 １５０……発光層 １６０……電子注入層 １７０……陰極 １８０……封止部材 ２００‥‥電気泳動表示装置 ３００‥‥アクティブマトリクス装置 ３０１‥‥データ線 ３０２‥‥走査線 ４００‥‥電気泳動表示部 ４０１‥‥画素電極 ４０２‥‥マイクロカプセル ４２０‥‥電気泳動分散液 ４２１、４２２‥‥電気泳動粒子 ４０３‥‥透明電極 ４０４‥‥透明基板 ４０５‥‥バインダ材 ５００‥‥基板 ６００‥‥電子ペーパー ６０１‥‥本体 ６０２‥‥表示ユニット ８００‥‥ディスプレイ ８０１‥‥本体部 ８０２ａ、８０２ｂ‥‥搬送ローラ対 ８０３‥‥孔部 ８０４‥‥透明ガラス板 ８０５‥‥挿入口 ８０６‥‥端子部 ８０７‥‥ソケット ８０８‥‥コントローラー ８０９‥‥操作部

Claims (14)

1. 主として有機材料で構成され正孔を輸送する機能を有する有機層に対して、正孔を注入する薄膜トランジスタのソース電極用の電極であって、
   前記有機層は、有機半導体層であり、
   前記電極は、下地電極層と、該下地電極層の表面を覆う表面電極層とからなり、前記表面電極層が前記有機半導体層と接触するように、前記有機半導体層に対して部分的に形成されており、
   前記表面電極層は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも１種の金属材料を含む金属酸化物を含有し、
   前記下地電極層は、主としてＣｕ、Ｎｉ、Ｃｏまたはこれらを含む合金で構成されていることを特徴とする電極。
2. 前記表面電極層において、前記酸化物の含有量は、５０ｗｔ％以上である請求項１に記載の電極。
3. 前記酸化物は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ以外に、Ｓｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓのうちの少なくとも１種を含む請求項１または２に記載の電極。
4. 前記表面電極層は、前記下地電極層より仕事関数が大きい請求項１ないし３のいずれかに記載の電極。
5. 主として有機材料で構成され正孔を輸送する機能を有する有機層に対して、正孔を注入する薄膜トランジスタのソース電極用の電極であって、
   前記有機層は、有機半導体層であり、
   前記電極は、下地電極層と、該下地電極層の表面を覆う表面電極層とからなり、前記表面電極層が前記有機半導体層と接触するように、前記有機半導体層に対して部分的に形成されており、
   前記表面電極層は、金属硫化物および金属塩化物の少なくとも一方を含有し、
   前記下地電極層は、主としてＣｕ、Ｎｉ、Ｃｏまたはこれらを含む合金で構成されていることを特徴とする電極。
   
6. 前記金属硫化物は、Ｃｕを含む硫化物を主とするものである請求項５に記載の電極。
7. 前記金属塩化物は、Ａｇを含む塩化物を主とするものである請求項５に記載の電極。
8. 請求項１ないし７のいずれかに記載の電極で構成されたソース電極と、
   主としてｐ型の有機半導体材料で構成された前記有機半導体層とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
9. 主としてｐ型の有機半導体材料で構成された有機半導体層と、
   該有機半導体層に正孔を注入するソース電極とを備える薄膜トランジスタであって、
   前記ソース電極は、下地電極層と、該下地電極層の表面を覆う表面電極層とからなり、前記表面電極層が前記有機半導体層と接触するように、前記有機半導体層に対して部分的に形成されており、
   前記表面電極層が、Ａｇを含む酸化物を含有し、
   前記下地電極層は、ＡｇまたはＡｇを含む合金で構成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
10. 前記有機半導体材料は、高分子系有機半導体材料を主成分とするものである請求項９に記載の薄膜トランジスタ。
11. 前記ソース電極は、前記有機半導体層に直接接触している請求項９または１０に記載の薄膜トランジスタ。
12. 請求項９ないし１１のいずれかに記載の薄膜トランジスタを備えることを特徴とする電子回路。
13. 請求項１２に記載の電子回路を備えることを特徴とする表示装置。
14. 請求項１３に記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。

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