JP2000150166A - 有機el素子 - Google Patents
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
持ち、長寿命で、効率が改替され、動作電圧が低く、特
に高性能の平面型カラーディスプレー用として、実用的
価値の大きい有機EL素子を提供する。 【解決手段】 基板上に、少なくとも、Cuを含有する
複合酸化物を含有する無機物層と、少なくとも発光機能
に関与する有機化合物を含有する発光層が積層されてい
る構造体を有する有機EL素子とした。
Description
光)素子に関し、詳しくは、有機化合物の薄膜に電界を
印加して光を放出する素子に用いられる無機/有機接合
構造に関する。
い。とくに、以下の2つの研究開発が活性化している。
第一に、半導体pn接合による電子とホールの注入再結
合発光を基本原理とするLED(発光ダイオード)およ
びLD(レーザーダイオード)に関するものである。第
二に、発光層となる有機薄膜を電子輸送性およびホール
輸送性有機物質等とともに積層させ、半導体pn接合に
類似の電子とホールの注入発光再結合を基本原理とする
有機EL素子に関するものである。
究されていたが、近年になって、GaN系、ZnSe系
の研究が進み、例えば日経エレクトロニクスno.674、p.
79(1996)に示されるように、これら窒化物半導体層の積
層構造を含み、青色、緑色等の短い波長の光を発光する
LEDがすでに開発されている。現在では試験的ながら
LDに関するものも報告されている。LED、LDの開
発において、長期にわたる時間を要した理由は、Ga
N、ZnSeなどワイドギャップ半導体材料では、n型
の半導体は得られるものの、p型の半導体化が不可能で
あったためである。最近になって、その結晶成長技術の
進歩によりp型化が報告され、LEDが可能になり、さ
らにはLDと急速な進展をみせた。
ては、結晶成長条件や装置、使用する単結晶基板など赤
色LEDなどにくらべるとコストが大きな問題となって
いる。現状、青色デバイスのコストが1/2になれば市
場が5倍になるといわれ、従来技術に対する低価格化と
歩留まり改善が急務である。
面積で素子を形成できるため、ディスプレー用に研究開
発が進められている。一般に有機EL素子は、ガラス基
板上にITOなどの透明電極を形成し、その上に有機ア
ミン系のホール輸送層、電子導電性を示しかつ強い発光
を示すたとえばAlq3 材からなる有機発光層を積層
し、さらに、MgAgなどの仕事関数の小さい電極を形
成し、基本素子としている。
は、ホール注入電極及び電子注入電極の間に1層または
複数層の有機化合物層が挟まれた構造となっており、有
機化合物層としては、2層構造あるいは3層構造があ
る。
電子注入電極の間にホール輸送層と発光層が形成された
構造または、ホール注入電極と電子注入電極の間に発光
層と電子輸送層が形成された構造がある。3層構造の例
としては、ホール注入電極と電子注入電極の間にホール
輸送層と発光層と電子輸送層とが形成された構造があ
る。また、単一層に全ての役割を持たせた単層構造も高
分子や混合系で報告されている。
な構造を示す。
入電極12と電子注入電極13の間に有機化合物である
ホール輸送層14と発光層15が形成されている。この
場合、発光層15は、電子輸送層の機能も果たしてい
る。
注入電極12と電子注入電極13の間に有機化合物であ
るホール輸送層14と発光層15と電子輸送層16が形
成されている。
て、信頼性が問題となっている。すなわち、有機EL素
子は、原理的にホール注入電極と、電子注入電極とを有
し、これら電極間から効率よくホール・電子を注入輸送
するための有機層を必要とする。しかしながら、これら
の材料は、製造時にダメージを受けやすく、電極との親
和性にも問題がある。また、有機薄膜の劣化もLED、
LDに較べると著しく大きいという問題を有している。
料と無機半導体材料のそれぞれのメリットを利用する方
法が考えられている。すなわち、有機ホール輸送層を無
機p型半導体に置き換えた有機/無機半導体接合であ
る。このような検討は、特許第2636341号、特開
平2−139893号公報、特開平2−207488号
公報、特開平6−119973号公報で検討されている
が、発光特性や基本素子の信頼性で素子従来の有機EL
を越える特性を得ることが不可能であった。
材料と無機材料の有するメリットを併せ持ち、長寿命
で、効率が改善され、動作電圧が低い有機EL素子を提
供することである。
レー用として、実用的価値の大きい有機EL素子を提供
することである。
(1)〜(5)のいずれかの構成により達成される。 (1) 基板上に、少なくとも、Cuを含有する複合酸
化物を含有する無機物層と、少なくとも発光機能に関与
する有機化合物を含有する発光層が積層されている構造
体を有する有機EL素子。 (2) 前記無機物層のバンドギャップは、2.5eV以
上である上記(1)の有機EL素子。 (3) 前記無機物層は、p型半導体である上記(1)
または(2)の有機EL素子。 (4) 前記Cuを含有する複合酸化物は、デラフオサ
イト化合物である上記(1)〜(3)のいずれかの有機
EL素子。 (5) 前記Cuを含有する複合酸化物は、SrCu2
O2 である上記(1)〜(3)のいずれかの有機EL素
子。
2 、SrCu2O2 などの1価のCuを含む複合酸化物か
らなる層と有機化合物からなる発光層を積層したもので
あり、有機型のエレクトロルミネッセンス素子のホール
輸送層を有機化合物に代えて、化学的に安定な無機材料
とするものである。
ホール輸送層が果たす発光層へのホール注入の役割を、
ホール注入ができる無機材料、すなわち、p型の酸化物
半導体で機能させる。
わち、特許第2636341号、特開平2−13989
3号公報、特開平2−207488号公報、特開平6−
119973号公報では、p型無機半導体材料として、
Si1-xCx (0≦x1)、CuI、CuS、GaA
s、ZnTe、アモルフアスSi、酸化物半導体材料が
用いられていた。
すなわち、これらの無機p型半導体/有機発光層を作製
した。有機発光層には、Alq3 を用いた。しかしなが
ら、発光実験を行うと、大電流が流れ、発光が観察され
ない、または発光が見られるが大電流のためにすぐに破
損してしまった。
に、用いた有機材料および無機材料の物性評価、および
接合の導電性の温度特性評価を行ない、特性改良の検討
を行つた。
るホール輸送層またはp型半導体の役割は、電子輸送性
の発光層から来る電子をブロックし、かつ、ホール輸送
層またはp型半導体のホールを発光層に注入する役割を
果たさなければならない。しかしながら、従来のp型半
導体材料を用いた接合においては、接合にバイアスを印
加してゆくと、発光の前に大電流が流れてしまう。すな
わち、p型半導体の電子のブロックが不十分で、ホール
の注入が起こる前に発光層内の電子が流失してしまう。
従って、十分な発光特性が得られなかったのだと考えら
れる。
ャップを測定したところ、全て、20eV以下であった。
使用した有機発光層Alq3 膜のバンドギャップは、
2.6eVであった。ここで、2.0eV以下のp型半導体
と2.6eVのAlq3 の接合におけるバンドダイヤグラ
ムを図5に示す。
lq3 31から来る電子eをブロックするためには、p
型半導体32の電子親和力は、3.0eV以下でなくては
ならない。p型半導体32の電子親和力を3.0eV以下
とすると、バンドギャップが2.0eV以下なので、イオ
ン化エネルギーは、5.0eV以下になる。Alq3 31
のイオン化エネルギーは5.6eVであるので、少なくと
も、p型半導体32とAlq3 31のイオン化エネルギ
ーのギャップは0.6eV以上となる。0.6eV以上のギ
ャップにおいては、ホールhの注入は起こりにくい。ま
た、このギャップを0.5eV以下にしてホールhの注入
が起こり易い系(B)を想定すると、p型半導体薄膜3
2のバンドギャップは2.0eV以下であるので、p型半
導体薄膜32の電子親和力は3.0eV以上となり、Al
q3 31からの電子eを全くブロックできなくなる。
のp型半導体薄膜では、電子輸送性の発光層から来る電
子eをブロックし、かつ、ホール輸送層またはp型半導
体のホールhを発光層に注入する役割を同時に果たすこ
とができないことが明らかとなった。
従来用いられていたp型半導体薄膜に代わり、バンドギ
ャップの大きいp型半導体である1価のCuを含む複合
酸化物からなる層に注目した。
導体の代わりに、バンドギャップの大きいP型半導体で
ある1価のCuを含む複合酸化物からなる無機物層を使
用したことを特徴とする。その結果、電子輸送性の発光
層から来る電子をブロックし、かつ、ホール輸送層また
はp型半導体のホールを発光層に注入する役割を果たす
ことができ、安定な発光特性を有する素子が得られた。
デラフオサイト化合物、SrCu2O2 化合物に関して
は、例えば、New GLASS 第13巻 2号 (1998)43ペー
ジ、川副博司、細野秀雄”p型導電性透明酸化物の探
索”、Nature 第389号 (1997) 941ページ、H.KAWAZO
E、M.YASUKAWA、H.HYODO、M.KURITA、H.YANAGI、
H.HOSONO ”P-type electricalconduction intranspar
ent thin films of CuAlO2 ”、Applied Physic3 Lette
rs 第73号(1998)220ページ、A.KUDO、H.YANAGI、
H.HOSONO、H.KAWAZOE ”SrCu202 :Ap-type conducti
ve oxide with wide bandgap ”等において検討されて
いる。
薄膜材料は、透明導電体に関するもので、有機物質を用
いた有機層により発光を行う有機EL素子への応用につ
いては未だ検討されたものはない。
に、少なくとも、1価のCuを含む複合酸化物を含有す
る無機物層と、少なくとも発光機能に関与する有機化合
物を含有する発光層が積層されている構造体を有する。
また、好ましくは無機物層のバンドギャップが2.5eV
以上であり、さらに好ましくは無機物層がp型半導体で
ある。
フオサイト化合物は、ウルツ鉱型(Wurtzite)に類似し
た結晶構造を有し、例えば、CuAlO2 化合物では、
1価のCuと、3価のAlによるCu+ 、AlO2 - が
それぞれ。軸に垂直な2次元平面を形成し、交互に積層
している。SrCu2O2 は、O−Cu−Oのダンベル
構造のユニットがジグザグにつながり、1次元のチェー
ン結晶構造中で形成している。デラフオサイト化合物ま
たはSrCu2O2 は、エピタキシャル膜でもよいが、
非晶質、多結晶の薄膜においてもp型導電性を示す薄膜
が容易に得られる。
による電気的特性変化も少なく、電極材との電気化学反
応も少ないない。さらに透光性にも優れている。
物としては、デラフオサイト化合物であるCuAlO2
に代表されるI−III−VI2 あるいはZnAl2O4 に代
表されるII−III2−VI4 (ここでI族元素としてはC
u、Agなど、III族元素としてはAl、Ga、In、
Tlなど、VI族元素としては、O、S、Se、Teな
ど、II族元素としては、Zn、Cdなど、IV族元素とし
てはSi、Ge、Snなど、また、V族元素としては
P,As,Sbなど)などの化合物またはSrCu2O2
、または、SrCu2O2 において、Srに代わり他の
アルカリ土類金属、またはSc,Yおよび他の希土類金
属を用いた、例えば、BaCu2O2 等のACu2O2
(A:アルカリ土類金属、または希土類金属)で表され
るものが好ましい。さらに、これらの化合物を用いた複
数成分の組み合わせの混晶化合物が好ましい。
値をとるのではなく、それぞれの元素に関してある程度
の固溶限を有している。従って、CuAlO2 、SrC
u2O2 などの酸化物は、その範囲の組成比であればよ
い。
2 、CuGaO2 、ACu2O2 (A:アルカリ土類金
属、または希土類金属で、特にSrが好ましい)および
これらの混晶化合物は、組成制御が容易でp型のワイド
ギャップの半導体となるため特に好ましい。
結果から、バンドギャップが2.5eV以上、より好まし
くは2.7eV以上、さらには3.0eV以上、特に3.2
eVであることが好ましい。その上限は、特に規制される
ものではないが、通常、4eV程度である。バンドギャッ
プが2.5eV以上であると電子輸送性の発光層から来る
電子をブロックし、ホールを発光層に注入する役割を果
たすことができ、安定な発光特性を有する素子が得られ
る。バンドギャップが2.5eV以上の無機物層に用いる
材料は、上述した1価のCuを含む複合酸化物中より適
宜選択して用いればよい。
あるとさらに好ましい。p型半導体中のホールを発光層
にさらに効率良く注入することができ低い電圧で安定し
た発光特性を有する素子が得られる。p型半導体の無機
物層に用いる材料は、上述したデラフオサイト化合物中
より適宜選択して用いればよい。これらの化合物の中に
は、そのままでp型半導体の性質を示すものもあるが、
これらの化合物の作製時に公知のドービング物質または
ガスを添加してp型化を行うことが好ましい。また、ド
ーピングを行わず、組成をずらすことによりp型化を行
うことが特に好ましい。p型半導体か否かはホール測
定、またはゼーベック効果により判断することができ
る。
えば、1価の金属、特にカリウム等が挙げられる。これ
らは単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いて
もよい。また、そのド−ピング量としては、全体の5at
%以下、特に3at%以下程度であることが好ましい。
結晶薄膜、多結晶薄膜、エピタキシャル薄膜、単結晶薄
膜、または、これらの入り交じった薄膜、またこれらの
積層薄膜や人工格子薄膜が用いられる。特に、ガラス基
板上でディスプレー素子に用いる場合には、多結晶薄膜
が好ましい。多結晶薄膜は大面積に形成可能でかつ結晶
性であるため、無機物層の半導体的特性を効果的に利用
することが可能である。
一表示器として用いる場合などには、エピタキシャル薄
膜、単結晶薄膜を用いることが好ましい。
が、1〜3μm 程度が使用されるが、特にp型性の強く
ない抵抗率の高い無機物層には、発光素子の低電圧駆動
のためには、1〜10nmが好ましい。p型化している低
抵抗率の無機物層は比較的厚くてよく、大面積でピンホ
ールフリーとするためおよぴ結晶性を高めるために10
0nm〜2μm が好ましい。
しホール注入輸送層として機能する。上記の無機物層の
製造方法としては、スパッタ法、蒸着法、MBE法、C
VD法などの各種の物理的または化学的な薄膜形成など
が用いられ、また、特性向上のため、ポスト還元アニー
ル法などの薄膜形成後に後処理を使用してもよい。
好ましく、例えば、K、Li、Na、Mg、La、C
e、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Z
n、Zr等の金属元素単体、または安定性を向上させる
ためにそれらを含む2成分、3成分の合金系を用いるこ
とが好ましい。合金系としては、例えばAg・Mg(A
g:0.1〜50at%)、Al・Li(Li:0.01
〜14at%)、In・Mg(Mg:50〜80at%)、
Al・Ca(Ca:0.01〜20at%)等が挙げられ
る。また、低抵抗の半導体たとえばZnO、ITO、G
aNなどが好ましい。電子注入電極層にはこれらの材料
からなる薄膜、それらの2種類以上の多層薄膜が用いら
れる。低抵抗の半導体電極では、電子注入電極として用
いることと同時にホール注入電極としても機能しうるた
め、基本素子構造の多層化が可能となる。
分行える一定以上の厚さとすれば良く、0.1nm以上、
好ましくは0.5nm以上、特に1nm以上とすればよい。
また、その上限値には特に制限はないが、通常膜厚は1
〜500nm程度とすればよい。電子注入電極の上には、
さらに補助電極(保護電極)を設けてもよい。
し、水分や酸素あるいは有機溶媒の進入を防止するた
め、一定以上の厚さとすればよく、好ましくは50nm以
上、さらには100nm以上、特に100〜1000nmの
範囲が好ましい。補助電極層が薄すぎると、その効果が
得られず、また、補助電極層の段差被覆性が低くなって
しまい、端子電極との接続が十分ではなくなる。一方、
補助電極層が厚すぎると、補助電極層の応力が大きくな
るため、ダークスポットの成長速度が速くなってしま
う。
材質により最適な材質を選択して用いればよい。例え
ば、電子注入効率を確保することを重視するのであれば
Al等の低抵抗の金属を用いればよく、封止性を重視す
る場合には、TiN等の金属化合物を用いてもよい。
厚さとしては、特に制限はないが、通常100〜100
0nm程度とすればよい。
Oが用いられるが、その他、ZnO、GaNなど低抵抗
の半導体が好ましい。光を取り出す側の電極は、透明な
いし半透明な電極が好ましい。ITOは、通常In2 O
3 とSnOとを化学量論組成で含有するが、O量は多少
これから偏倚していてもよい。In2 O3 に対するSn
O2 の混合比は、1〜20wt%、さらには5〜12wt%
が好ましい。また、IZOでのIn2 O3 に対するZn
O2 の混合比は、通常、12〜32wt%程度である。
としては、導電性酸化物が好ましく、特に、以下の導電
性酸化物を含む材料が好ましい。
O,RO1-x( ここで、R:一種類以上の希土類(Sc
およびYを含む)、0≦x <1),LiVO2 等。
MxTi2-xO4 (ここで、M=Li,Al,Cr,0<
x<2),Li1-xMxTi2O4 (ここで、M=Mg,
Mn,0<x<1),LiV2O4 ,Fe3O4 等。
3 ,MxReO3 (ここで、M金属,0<x<0.
5),MxWO3 (ここで、M=金属,0<x<0.
5),A2P8W32O112 (ここで、A=K,Rb,T
l),NaxTayW1-yO3 (ここで、0≦x<1,0
<y<1),RNbO3 (ここで、R:一種類以上の希
土類(ScおよびYを含む)),Na1-xSrxNbO3
(ここで、0≦x≦1),RTiO3 (ここで、R:一
種類以上の希土類(ScおよびYを含む)),Can+1
TinO3n+1-y (ここで、n=2,3,...,y>
0),CaVO3,SrVO3,R1-xSrxVO3 (ここ
で、R:一種類以上の希土類(ScおよびYを含む)、
0≦x≦1),R1-xBaxVO3 (ここで、R:一種類
以上の希土類(ScおよびYを含む)、0≦x≦1),
Srn+1VnO3n+1-y (ここで、n=1,2,
3....,y>0),Ban+1VnO3n+1-y (ここ
で、n=1,2,3....,y>0),R4BaCu5
O13-y (ここで、R:一種類以上の希土類(Scおよ
びYを含む)、0≦y),R5SrCu6O15(ここで、
R:一種類以上の希土類(ScおよびYを含む)),R
2SrCu2O6.2(ここで、R:一種類以上の希土類
(ScおよびYを含む)),R1-xSrxVO3 (ここ
で、R:一種類以上の希土類(ScおよびYを含
む)),CaCrO3,SrCrO3,RMnO3(ここ
で、R:一種類以上の希土類(ScおよびYを含
む)),R1-xSrxMnO3 (ここで、R:一種類以上
の希土類(ScおよびYを含む),0≦x≦1),R
1-xBaxMnO3 (ここで、R:一種類以上の希土類
(ScおよびYを含む),0≦x≦1),Ca1-xRxM
nO3-y (ここで、R:一種類以上の希土類(Scおよ
びYを含む),0≦x≦1,0≦y),CaFeO3 ,
SrFeO3,BaFeO3 ,SrCoO3 ,BaCo
O3 ,RCoO3 (ここで、R:一種類以上の希土類
(ScおよびYを含む)),R1-xSrxCoO3 (ここ
で、R:一種類以上の希土類(ScおよびYを含む),
0≦x≦1),R1−xBaxCoO3 (ここで、R:一
種類以上の希土類(ScおよびYを含む),0≦x≦
1),RNiO3 (ここで、R:一種類以上の希土類
(ScおよびYを含む)),RCuO3 (ここで、R:
一種類以上の希土類(ScおよびYを含む)),RNb
O3 (ここで、R:一種類以上の希土類(ScおよびY
を含む)),Nb12O29,CaRuO3 ,Ca1-xRxR
u1-yMnyO3 (ここで、R:一種類以上の希土類(S
cおよびYを含む),0≦x≦1,0≦y≦1),Sr
RuO3,Ca1-xMgxRuO3 (ここで、0≦x≦
1),Ca1-xSrxRuO3(ここで、0<x<1),
BaRuO3 ,Ca1-xBaxRuO3 (ここで、0<x
<1),(Ba,Sr)RuO3 ,Ba1-xKxRuO3
(ここで、0<x≦1),(R,Na)RuO3 (ここ
で、R:一種類以上の希土類(ScおよびYを含
む)),(R,M)RhO3 (ここで、R:一種類以上
の希土類(ScおよびYを含む),M=Ca,Sr,B
a),SrIrO3,BaPbO3 ,(Ba,Sr)P
bO3-y( ここで、0≦y<1),BaPb1-xBixO
3 (ここで、0<x≦1),Ba1-xKxBiO3 (ここ
で、0<x≦1),Sr(Pb,Sb)O3-y (ここ
で、0≦y<1),Sr(Pb,Bi)O3-y (ここ
で、0≦y<1),Ba(Pb,Sb)O3-y (ここ
で、0≦y<1), Ba(Pb,Bi)O3-y(ここ
で、0≦y<1),MMoO3 (ここで、M=Ca,S
r,Ba),(Ba,Ca,Sr)TiO3-x (ここ
で、0≦x)等。
型を含む):Rn+1NinO3n+1 (ここで、R:Ba,
Sr,希土類(ScおよびYを含む)のうち一種類以
上,n=1〜5の整数),Rn+1CunO3n+1 (ここ
で、R:Ba,Sr,希土類(ScおよびYを含む)の
うち一種類以上,n=1〜5の整数),Sr2RuO
4 ,Sr2RhO4 ,Ba2RuO4 ,Ba2RhO4
等。
こで、R:一種類以上の希土類(ScおよびYを含
む),0≦y<1),Tl2Mn2O7-y (ここで、0≦
y<1),R2Mo2O7-y (ここで、R:一種類以上の
希土類(ScおよびYを含む),0≦y<1),R2R
u2O7-y (ここで、R:Tl,Pb,Bi,希土類
(ScおよびYを含む)のうち一種類以上,0≦y<
1),Bi2-xPbxPt2-x RuxO7-y (ここで、0
≦x≦2,0≦y<1),Pb2(Ru,Pb)O7-y
(ここで、0≦y<1),R2Rh2O7-y (ここで、
R:Tl,Pb,Bi,Cd,希土類(ScおよびYを
含む)のうち一種類以上,0≦y<1),R2Pd2O7-
y (ここで、R:Tl,Pb,Bi,Cd,希土類(S
cおよびYを含む)のうち一種類以上,0≦y<1),
R2Re2O7-y (ここで、R:Tl,Pb,Bi,C
d,希土類(ScおよびYを含む)のうち一種類以上,
0≦y<1),R2Os2O7−y (ここで、R:Tl,
Pb,Bi,Cd,希土類(ScおよびYを含む)のう
ち一種類以上,0≦y<1),R2Ir2O7-y (ここ
で、R:Tl,Pb,Bi,Cd,希土類(Scおよび
Yを含む)のうち一種類以上,0≦y<1),R2Pt2
O7-y (ここで、R:Tl,Pb,Bi,Cd,希土類
(ScおよびYを含む)のうち一種類以上,0≦y<
1)等。
で、R:一種類以上の希土類(ScおよびYを含
む)),R4Ru6O19 (ここで、R:一種類以上の希
土類(ScおよびYを含む)),Bi3Ru3O11 ,V2
O3 ,Ti2O3 ,Rh2O3 ,VO2,CrO2 ,Nb
O2 ,MoO2 ,WO2 ,ReO2 ,RuO2 ,RhO
2 ,OsO2 ,IrO2 ,PtO2 ,PdO2 ,V3O5
,VnO2n-1 (n=4から9の整数),SnO2-x
(ここで、0≦x<1),La2Mo2O7, ,(M,M
o)O(ここで、M=Na,K,Rb,Tl),Mon
O3n-1 (n=4,8,9,10),Mo17O47 ,Pd
1-xLixO(ここで、x≦0.1)等。Inを含む酸化
物。
は導電性ペロブスカイト酸化物が好ましく、特にIn2
O3 、In2 O3 (Snドープ)、RCoO3 、RMn
O3、RNiO3 、R2 CuO4 、(R,Sr)CoO3
、(R,Sr,Ca)RuO3 、(R,Sr)RuO3
、SrRuO3 、(R,Sr)MnO3 (Rは、Yお
よびScを含む希土類)、およびそれらの関連化合物が
好ましい。一般に導電性酸化物、仕事関数が大きくホー
ル注入電極として好ましい。ホール注入電極層にはこれ
らの材料からなる薄膜、それらの2種類以上の多層薄膜
が用いられる。ペロブスカイト酸化物の多くは、不透明
であり、この場合には、電子注入電極に透明電極を用
い、電子注入電極側から発光光を外に取り出す。
通常400〜700nm、特に各発光光に対する光透過率
が50%以上、より好ましくは60%以上、特に80%
以上、さらには90%以上であることが好ましい。透過
率が低くなると、発光層からの発光自体が減衰され、発
光素子として必要な輝度を得難くなってくる。
〜300nmの範囲が好ましい。また、その上限は特に制
限はないが、あまり厚いと透過率の低下や剥離などの心
配が生じる。厚さが薄すぎると、十分な効果が得られ
ず、製造時の膜強度等の点でも問題がある。
に、基板1/ホール注入電極2/無機物層4/発光層5
/電子注入電極3とが順次積層された構成としてもよ
い。また、図2に示すように、基板1/電子注入電極3
/発光層5/無機物層4/ホール注入電極2と逆に積層
された構成としてもよい。これらは、たとえば、ディス
プレーの作製プロセスにより、適宜選択し使用される。
特に、ホール注入電極2に不透明の材料を用いる場合に
は、上記図2に示すような構造が好ましい。また、図
1、2において、ホール注入電極2と電子注入電極6の
間には、駆動電源Eが接続されている。
層および発光層/電極層/無機物層および発光層/電極
層/無機物層および発光層/電極層・・・と多段に重ね
てもよい。このような素子構造により、発光色の色調調
整や多色化を行うことができる。
1種類、または2種類以上の有機化合物薄膜の積層膜か
らなる。
外部摂動を受けやすいπ電子系を有して、容易に励起さ
れやすいものが好ましい。
注入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の再結合に
より励起子を生成させる機能を有する。発光層には、比
較的電子的にニュートラルな化合物を用いることで、電
子とホールを容易かつバランスよく注入・輸送すること
ができる。
他、さらにホール輸送層、電子注入輸送層等を有してい
ても良い。
機物層からのホールの注入を容易にする機能、ホールを
安定に輸送する機能および電子を妨げる機能を有するも
のであり、電子注入輸送層は、電子注入電極からの電子
の注入を容易にする機能、電子を安定に輸送する機能お
よびホールを妨げる機能を有するものである。これらの
層は、発光層に注入されるホールや電子を増大・閉じこ
めさせ、再結合領域を最適化させ、発光効率を改善す
る。
電子注入輸送層の厚さは、特に制限されるものではな
く、形成方法によっても異なるが、通常5〜500nm程
度、特に10〜300nmとすることが好ましい。
の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光層の
厚さと同程度または1/10〜10倍程度とすればよ
い。電子の注入層と輸送層とを分ける場合は、注入層は
1nm以上、輸送層は1nm以上とするのが好ましい。この
ときの注入層、輸送層の厚さの上限は、通常、注入層で
500nm程度、輸送層で500nm程度である。このよう
な膜厚については、注入輸送層を2層設けるときも同じ
である。
する化合物である蛍光性物質を含有させる。このような
蛍光性物質としては、例えば、特開昭63−26469
2号公報に開示されているような化合物、例えばキナク
リドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択
される少なくとも1種が挙げられる。また、トリス(8
−キノリノラト)アルミニウム等の8−キノリノールま
たはその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノ
リン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセ
ン、ペリレン、コロネン、12−フタロペリノン誘導体
等が挙げられる。さらには、特開平8−12600号公
報(特願平6−110569号)に記載のフェニルアン
トラセン誘導体や特開平8−12969号公報(特願平
6−114456号)に記載のテトラアリールエテン誘
導体等を用いることができる。
と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントと
しての使用が好ましい。このような場合の発光層におけ
る化合物の含有量は0.01〜10wt% 、さらには0.
1〜5wt% であることが好ましい。ホスト物質と組み合
わせて使用することによって、ホスト物質の発光波長特
性を変化させることができ、長波長に移行した発光が可
能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上す
る。
好ましく、さらには8−キノリノールまたはその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭63−26469
2号、特開平3−255190号、特開平5−7073
3号、特開平5−258859号、特開平6−2158
74号等に開示されているものを挙げることができる。
ラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネ
シウム、ビス(ベンゾ{f}−8−キノリノラト)亜
鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ムオキシド、トリス(8−キノリノラト)インジウム、
トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ−
8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−
キノリノラト)カルシウム、5,7−ジクロル−8−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−
8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ポリ[亜
鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリニル)メ
タン]等がある。
のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であって
もよく、このようなものとしては、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム(III)
、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(オルト−
クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(メタークレゾラト)アルミニウム
(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ
−クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル
−8−キノリノラト)(オルト−フェニルフェノラト)
アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノ
ラト)(メタ−フェニルフェノラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ−
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−
メチル−8−キノリノラト)(2,3−ジメチルフェノ
ラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キ
ノリノラト)(2,6−ジメチルフェノラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(3,4−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(3,5−ジメ
チルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチ
ル−8−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフ
ェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2,6−ジフェニルフェノラト)ア
ルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラ
ト)(2,4,6−トリフェニルフェノラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(2,3,6−トリメチルフェノラト)アルミニウム(I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2,
3,5,6−テトラメチルフェノラト)アルミニウム(I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(1−ナ
フトラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)
(オルト−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)(パラ−
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,
4−ジメチル−8−キノリノラト)(メタ−フェニルフ
ェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチ
ル−8−キノリノラト)(3,5−ジメチルフェノラ
ト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8
−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフェノラ
ト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4−エチ
ル−8−キノリノラト)(パラ−クレゾラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−4−メトキシ−8−キ
ノリノラト)(パラ−フェニルフェノラト)アルミニウ
ム(III) 、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリ
ノラト)(オルト−クレゾラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2−メチル−6−トリフルオロメチル−8−キノ
リノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(III) 等が
ある。
ノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(2−
メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス
(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム
(III) −μ−オキソ−ビス(2,4−ジメチル−8−キ
ノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(4−エチル−
2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −
μ−オキソ−ビス(4−エチル−2−メチル−8−キノ
リノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4
−メトキシキノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オ
キソ−ビス(2−メチル−4−メトキシキノリノラト)
アルミニウム(III) 、ビス(5−シアノ−2−メチル−
8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−
ビス(5−シアノ−2−メチル−8−キノリノラト)ア
ルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−5−トリフルオ
ロメチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ
−オキソ−ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル
−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 等であっても
よい。
−12600号公報(特願平6−110569号)に記
載のフェニルアントラセン誘導体や特開平8−1296
9号公報(特願平6−114456号)に記載のテトラ
アリールエテン誘導体なども好ましい。
ってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム等を使用することが好ましい。これら
の蛍光性物質を蒸着すればよい。
も1種のホール注入輸送性化合物と少なくとも1種の電
子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、
さらにはこの混合層中にドーパントを含有させることが
好ましい。このような混合層における化合物の含有量
は、0.01〜20wt% 、さらには0.1〜15wt% と
することが好ましい。
スができるため、各キャリアは極性的に有利な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるた
め、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命
がのびるという利点がある。また、前述のドーパントを
このような混合層に含有させることにより、混合層自体
のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長
を長波長に移行させることができるとともに、発光強度
を高め、素子の安定性を向上させることもできる。
物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール
輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物の中
から選択すればよい。なかでも、ホール注入輸送層用の
化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、例え
ばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導体、
さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つア
ミン誘導体を用いるのが好ましい。
ン誘導体、さらには8−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム(Alq3 )を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。
蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送材
料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチリ
ルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を用
いるのが好ましい。
移動度とキャリア濃度によるが、一般的には、ホール注
入輸送性化合物の化合物/電子注入輸送機能を有する化
合物の重量比が、1/99〜99/1、さらに好ましく
は10/90〜90/10、特に好ましくは20/80
〜80/20程度となるようにすることが好ましい。
する厚み以上で、有機化合物層の膜厚未満とすることが
好ましい。具体的には1〜85nmとすることが好まし
く、さらには5〜60nm、特には5〜50nmとすること
が好ましい。
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧(蒸
発温度)が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは、樹脂バインダー中に分散させ
てコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに
形成する。
63−295695号公報、特開平2−191694号
公報、特開平3−792号公報、特開平5−23468
1号公報、特開平5−239455号公報、特開平5−
299174号公報、特開平7−126225号公報、
特開平7−126226号公報、特開平8−10017
2号公報、EP0650955A1等に記載されている
各種有機化合物を用いることができる。例えば、テトラ
アリールベンジシン化合物(トリアリールジアミンない
しトリフェニルジアミン:TPD)、芳香族三級アミ
ン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾ
ール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオ
キサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。これ
らの化合物は、1種のみを用いても、2種以上を併用し
てもよい。2種以上を併用するときは、別層にして積層
したり、混合したりすればよい。
は、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq
3 )等の8−キノリノールまたはその誘導体を配位子と
する有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキサジアゾ
ール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミ
ジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘
導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等を用いることがで
きる。電子注入輸送層は発光層を兼ねたものであっても
よく、このような場合はトリス(8−キノリノラト)ア
ルミニウム等を使用することが好ましい。電子注入輸送
層の形成は、発光層と同様に、蒸着等によればよい。
とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合
物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることが
できる。このとき、電子注入電極側から電子親和力の値
の大きい化合物の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については、電子注入輸送層を2層以上設け
るときも同様である。
層の形成には、均質な薄膜が形成できることから、真空
蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用いた場
合、アモルファス状態または結晶粒径が0.2μm 以下
の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が0.2μm を超え
ていると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を高く
しなければならなくなり、ホールの注入効率も著しく低
下する。
0-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は0.01〜1nm/
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりする
ことができる。
合において、1層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。
ために、素子上を封止板等により封止することが好まし
い。封止板は、湿気の侵入を防ぐために、接着性樹脂層
を用いて、封止板を接着し密封する。封止ガスは、A
r、He、N2 等の不活性ガス等が好ましい。また、こ
の封止ガスの水分含有量は、100ppm 以下、より好ま
しくは10ppm 以下、特には1ppm 以下であることが好
ましい。この水分含有量に下限値は特にないが、通常
0.1ppm 程度である。
であって、ガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明材
料が挙げられるが、特にガラスが好ましい。このような
ガラス材として、コストの面からアルカリガラスが好ま
しいが、この他、ソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラ
ス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカ
ガラス等のガラス組成のものも好ましい。特に、ソーダ
ガラスで、表面処理の無いガラス材が安価に使用でき、
好ましい。封止板としては、ガラス板以外にも、金属
板、プラスチック板等を用いることもできる。
し、所望の高さに保持してもよい。スペーサーの材料と
しては、樹脂ビーズ、シリカビーズ、ガラスビーズ、ガ
ラスファイバー等が挙げられ、特にガラスビーズ等が好
ましい。スペーサーは、通常、粒径の揃った粒状物であ
るが、その形状は特に限定されるものではなく、スペー
サーとしての機能に支障のないものであれば種々の形状
であってもよい。その大きさとしては、円換算の直径が
1〜20μm 、より好ましくは1〜10μm 、特に2〜
8μm が好ましい。このような直径のものは、粒長10
0μm 以下程度であることが好ましく、その下限は特に
規制されるものではないが、通常直径と同程度以上であ
る。
スペーサーは使用しても、使用しなくてもよい。使用す
る場合の好ましい大きさとしては、前記範囲でよいが、
特に2〜8μm の範囲が好ましい。
されていても、接着時に混入してもよい。封止用接着剤
中におけるスペーサーの含有量は、好ましくは0.01
〜30wt%、より好ましくは0.1〜5wt%である。
て、気密性が良好なものであれば特に限定されるもので
はないが、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ
樹脂接着剤を用いることが好ましい。
る基板としては、非晶質基板たとえばガラス、石英な
ど、結晶基板たとえば、Si、GaAs、ZnSe、Z
nS、GaP、InPなどがあげられ、またこれらの結
晶基板に結晶質、非晶質あるいは金属のバッファ層を形
成した基板も用いることができる。また金属基板として
は、Mo、Al、Pt、Ir、Au、Pdなどを用いる
ことができ、好ましくはガラス基板が用いられる。基板
は、通常光取り出し側となるため、上記電極と同様な光
透過性を有することが好ましい。
てもよい。平面上に並べられたそれぞれの素子の発光色
を変えて、カラーのディスプレーにすることができる。
色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコン
トロールしてもよい。
で用いられているカラーフィルターを用いれば良いが、
有機EL素子の発光する光に合わせてカラーフィルター
の特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すれば
よい。
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。
いてカラーフィルターの代わりにしても良い。
吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させること
で、発光色の色変換を行うものであるが、組成として
は、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成
される。
いものを用いれば良く、EL発光波長域に吸収が強いこ
とが望ましい。実際には、レーザー色素などが適してお
り、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン
系化合物・フタロシアニン系化合物(サブフタロシアニ
ン等も含む)ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素
系化合物・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・ク
マリン系化合物等を用いればよい。
ような材料を選べば良く、フォトリソグラフィー、印刷
等で微細なパターニングが出来るようなものが好まし
い。また、基板上にホール注入電極と接する状態で形成
される場合、ITO、IZOの成膜時にダメージを受け
ないような材料が好ましい。
い場合に用いるが、必要のない場合は用いなくても良
い。また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しな
いような材料を選べば良い。
型、パルス駆動型のEL素子として用いられるが、交流
駆動とすることもできる。印加電圧は、通常、2〜30
V 程度とされる。
をさらに詳細に説明する。 実施例1 図1において有機化合物であるホール輸送層13を無機
化合物であるCuAlO2 薄膜に置き換えた発光素子を
作製した。
059基板を中性洗剤を用いてスクラブ洗浄した。
いRFマグネトロンスパックリング法により、基板温度
250℃で、膜厚200nmのITO陽極層を形成した。
度を350℃とし、原子比でCu:Al:O=1:1:
2の組成で作製したターゲットを用い、Arガスにより
RFマグネトロンスパッタリング法で膜厚200nmのC
uAlO2 薄膜を形成した。
成分析した結果、原子比でCu:Al:O==1.0
2:0.92:1.99であった。X線回折によるとデ
ラフオサイト型の結晶構造を有する多結晶薄膜であるこ
とがわかった。また、CuAlO2 薄膜の抵抗率は50
Ωcmであり、ゼーベック係数の測定よりp型の半導体膜
であり、光透過特性からバンドギャップは3.5eVであ
ることがわかった。
に取り出したが、実際の素子作製では、CuAlO2 薄
膜形成後、真空を破らずに、基板温度を室温まで冷却
し、抵抗加熱による蒸着法により、Alq3 薄膜を10
0nm形成した。
Ag合金電極膜を250nm形成した。電極面積は2.2
5mm2 とした。
ら電極を引き出し、電界を印加した。V−I特性はダイ
オード特性を示し、ITO側をプラス、MgAg側をマ
イナスにバイアスした場合、電流は、電圧の増加ととも
に増加し、8Vで30mA/cm2の注入電流がみられ、通常
の室内ではっきりとした緑色の発光が観察された。ま
た、繰り返し発光動作をさせても、輝度の低下はみられ
なかった。
を調べた。従来のTPDをホール注入層としたこと以外
全く同様の素子評価では、100時間で輝度が半減した
のに対して本実施例では、100時間で90%の輝度を
保っていた。
た理由として、ホール注入層を、有機化合物に代えて、
化学的、安定な無機p型半導体としてデラフオサイト化
合物を用いたことにより、電子をブロックし、かつ、発
光層へのホールの注入を効果的に、長時間にわたって安
定に行われたためであると考えられる。
化合物であるSrCu2O2 薄膜に置き換えた発光素子
を作製した。
059基板を中性洗剤を用いてスクラブ洗浄した。
いRFマグネトロンスパックリング法により、基板温度
250℃で、膜厚200nmのITO陽極層を形成した。
度を350℃とし、原子比でSr:Cu:O=1:2:
2の組成で作製したターゲットを用い、Arガスにより
RFマグネトロンスパッタリング法で膜厚200nmのS
rCu2O2 薄膜を形成した。
組成分析した結果、原子比でSr:Cu:O==1.0
2:1.95:1.99であった。X線回折によるとS
rCu2O2 の結晶構造を有する多結晶薄膜であること
がわかった。また、SrCu2O2 薄膜の抵抗率は30
Ωcmであり、ゼーベック係数の測定よりp型の半導体膜
であり、光透過特性からバンドギャップは3.5eVであ
ることがわかった。
めに取り出したが、実際の素子作製では、CuAlO2
薄膜形成後、真空を破らずに、基板温度を室温まで冷却
し、抵抗加熱による蒸着法により、Alq3 薄膜を10
0nm形成した。
Ag合金電極膜を250nm形成した。電極面積は2.2
5mm2 とした。
ら電極を引き出し、電界を印加した。V−I特性はダイ
オード特性を示し、ITO側をプラス、MgAg側をマ
イナスにバイアスした場合、電流は、電圧の増加ととも
に増加し、8Vで35mA/cm2の注入電流がみられ、通常
の室内ではっきりとした緑色の発光が観察された。ま
た、繰り返し発光動作をさせても、輝度の低下はみられ
なかった。
を調べた。従来のTPDをホール注入層としたこと以外
全く同様の素子評価では、100時間で輝度が半減した
のに対して本実施例では、100時間で90%の輝度を
保っていた。
た理由として、ホール注入層を、有機化合物に代えて、
化学的、安定な無機p型半導体としてデラフオサイト化
合物を用いたことにより、電子をブロックし、かつ、発
光層へのホールの注入を効果的に、長時間にわたって安
定に行われたためであると考えられる。
と無機析料の有するメリットを併せ持ち、長寿命で、効
率が改替され、動作電圧が低い有機EL素子を提供する
ことができる。
レー用として、実用的価値の大きい有機EL素子を提供
することができる。
面図である。
略断面図である.
の概略断面図である。
子の概略断面図である。
グラムである。
Claims (5)
- 【請求項1】 基板上に、少なくとも、Cuを含有する
複合酸化物を含有する無機物層と、 少なくとも発光機能に関与する有機化合物を含有する発
光層が積層されている構造体を有する有機EL素子。 - 【請求項2】 前記無機物層のバンドギャップは、2.
5eV以上である請求項1の有機EL素子。 - 【請求項3】 前記無機物層は、p型半導体である請求
項1または2の有機EL素子。 - 【請求項4】 前記Cuを含有する複合酸化物は、デラ
フオサイト化合物である請求項1〜3のいずれかの有機
EL素子。 - 【請求項5】 前記Cuを含有する複合酸化物は、Sr
Cu2O2 である請求項1〜3のいずれかの有機EL素
子。
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Publication Number | Publication Date |
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