CN1752825A - 采用小分子有机半导体材料的液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种液晶显示器结构。所述液晶显示器结构包括象素区和基板上的薄膜晶体管。薄膜晶体管毗邻象素区并且包括栅极；具有一顶面的栅绝缘层；栅绝缘层顶面上的源极和漏极；设置在栅绝缘层顶面上的半导体层，源极和漏极之间的半导体层限定一沟道区，半导体层包括小分子有机半导体材料；以及覆盖沟道区的第一钝化层，第一钝化层的顶面与源极和漏极各自的顶面吻合或是处在源极和漏极各自的顶面下方。

Description

采用小分子有机半导体材料的液晶显示器件及其制造方法
本申请要求享有2004年9月22日在韩国专利局申请的的韩国专利申请2004-0075984的优先权，在此引用该申请的全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示(LCD)器件，具体涉及一种LCD器件的阵列基板及其制作方法。
背景技术
液晶显示(LCD)器件一般是利用液晶分子的光学各向异性和双折射特性来显示图像。LCD器件通常具有彼此分开并且面对的第一和第二基板，以及介于二者之间的液晶层。第一和第二基板各自具有电极，以在电极之间形成一个电场。也就是，如果对LCD器件的电极施加电压，就会在电极之间形成电场，电场改变液晶分子的取向。改变的的液晶分子取向控制通过液晶层的光透射率率，控制通过液晶层的光透射率就能显示出图像。
在常用的各种类型LCD器件当中，有源矩阵LCD(AM-LCD)器件得以发展是因为其在显示运动图像时具有高分辨率和优势。AM-LCD器件包括各个象素区内作为开关器件的薄膜晶体管(TFT)，各个象素区内的象素电极，以及公共电极。
图1是按照现有技术的一种LCD器件的分解透视图。如图1所示的LCD器件20有一上基板22，它具有黑矩阵25、滤色片层26、和在滤色片26上的公共电极28。LCD器件还包括一下基板12，它具有薄膜晶体管(TFT)T和连接到TFT T的象素电极18。滤色片层26包括红、绿、蓝滤色片26a、26b和26c。
液晶层30设置在上、下基板22和12之间。下基板12被称作阵列基板是因为在上面设有包括栅线14和数据线16的阵列线。栅线14和数据线16彼此交叉，作为开关元件的TFT T被设在矩阵中并且连接到栅线14和数据线16。栅线14和数据线16彼此交叉限定一象素区P。TFT T形成在栅线14和数据线16的交叉部位附近。象素区P内的象素电极18是用透明导电材料形成的。上基板22被称为滤色片基板是因为在上面设有滤色片层26。
通过液晶单元工序用密封图案(未示出)使上、下基板22和12粘结。密封图案保持LCD器件20的盒间隙均匀并能防止上基板22和下基板12之间的空间内的液晶材料发生泄漏。尽管图中没有表示，在液晶层30与上、下基板22和12之间的边界上还要分别形成上、下定向层，其中，上、下定向层能够改善液晶层30取向的可靠性。LCD器件20还包括至少一偏振器(未示出)，其在LCD器件20外表面的上方或下方，并且在LCD器件20的下方可以设置作为光源的背光单元(未示出)。
由数据线16传输的图像信号通过向栅线14顺序扫描TFTT的开/关信号被施加给预定的象素电极18。由此用垂直电场驱动液晶层30，并且根据其光透射率的改变显示出图像。
LCD器件的母基板通常是用透明玻璃材料制成的。近来，为了诸如笔记本和个人数字助理(PDA)等小型便携式显示装置，建议用比玻璃基板更轻且更柔韧的塑料基板作为LCD器件的母基板。
然而，由于塑料基板与玻璃基板相比对热和化学处理更加敏感，LCD器件难以采用塑料基板作为母基板，这是因为阵列基板的制作工艺通常是在200摄氏度以上的高温下完成的。另外，在制作阵列基板时通常需要若干高温工艺。因此，为了解决这一问题，没有阵列元件的滤色片基板可以是用塑料基板制成，但是阵列基板仍然通常是用玻璃基板制成。
另一种方案是采用小分子有机材料，并且采用200摄氏度以下的低温工艺，这样可以用柔韧的塑料基板制作阵列基板。
以下要描述在200摄氏度以下的低温下用柔韧的塑料基板制作LCD器件的阵列基板的一种方法。应该注意到，在低温工艺中，尽管金属层、绝缘层和钝化层不会影响薄膜晶体管的特性，但是当包括薄膜晶体管的沟道区的半导体层是用一般半导体材料制成时，在低温处理中，薄膜晶体管的电性能会受到影响，这是因为半导体层在低温处理下具有脆弱的内部结构，与在通常的高温处理下的半导体层相比，这种半导体层的导电性会降低。
为了解决这一问题，用有机半导体材料制成半导体层，其中，有机半导体材料包括小分子材料和聚合物材料。这里，小分子有机半导体材料具有比聚合物有机半导体材料更高的导电性。
图2是按照现有技术用于采用柔韧塑料基板的LCD器件的一种阵列基板的示意性横截面图，该阵列基板包括小分子有机半导体材料的半导体层。在图2中，栅线(未示出)和栅极53是通过在塑料基板50上沉积金属材料并且对其构图而形成的。然后在包括栅线和栅极53的基板50的整个表面上涂敷有机绝缘材料形成栅绝缘层57。
在栅极53上面通过蒸发诸如并五苯(Pentacene，C22H14)的小分子有机半导体材料形成半导体层60。由于诸如并五苯的小分子有机半导体材料是粉末形式的，并且难以制成溶剂形式，用化学蒸气沉积(CVD)工艺难以沉积并五苯，也难以用光刻法工艺对并五苯构图，在该光刻法工艺中并五苯会接触到含湿气的光刻胶材料、显影液和剥离液。为此要采用具有开口部分(未示出)的荫罩70来蒸发半导体层60。然而，这种工艺对半导体层60的宽度W1和半导体层60之间的距离W2有一定的限制。
更具体地说，荫罩70是用金属材料制成的，对应着半导体层60宽度的开口部分宽度至少应该约大于40微米。也就是说，开口部分的宽度至少应该约大于40微米，而开口部分之间对应着半导体层60之间距离W2的距离应该约大于120微米。这是因为在蒸发工艺中需要考虑到材料的扩散。
因此，半导体层60的宽度W1至少应该大于40微米，其中规则半导体层60的沟道长度小于约10微米。缩小除沟道区之外的半导体层60的尺寸有助于增大孔径比。象素区增加越多，清晰度就增大越多，而象素区尺寸减小越少。因此，象素区内薄膜晶体管的尺寸减小越少，沟道的尺寸减小也就越少。因此，采用荫罩70的小分子有机半导体层60不适合高分辨率阵列基板，因为半导体层60的宽度W1要至少约大于40微米。
另外，如果在此后用显影液和剥离液按照光刻法工艺形成源极和漏极，那些溶液会损伤源极和漏极下面的半导体层60。因此，在高分辨率LCD的阵列基板中难以采用小分子有机半导体层。
发明内容
为此，本发明提出了一种阵列基板及其制作方法，其能够基本上消除因现有技术的局限和缺点造成的问题。
本发明的一个目的是提供一种LCD器件的阵列基板，它具有几微米内的沟道区，并且能通过蒸发对湿气敏感的小分子有机半导体材料来制造该阵列基板。
本发明的再一目的是提供一种制作LCD器件阵列基板的方法，它具有几微米内的沟道区，并且能通过蒸发对湿气敏感的小分子有机半导体材料来制造该阵列基板。
为了按照本发明的意图实现上述目的和其他优点，以下要具体和广泛地说明，一种液晶显示器结构包括：象素区；基板上的薄膜晶体管，薄膜晶体管的位置毗邻象素区，薄膜晶体管包括：栅极；具有顶面的栅绝缘层；栅绝缘层顶面上的源极和漏极；设置在栅绝缘层顶面上的半导体层，源极和漏极之间的半导体层限定沟道区，半导体层包括小分子有机半导体材料；以及覆盖沟道区的第一钝化层，第一钝化层的顶面与源极和漏极各自的顶面吻合或是处在源极和漏极各自的顶面下方。
按照另一方面，液晶显示器结构的一种制作方法包括以下步骤：在基板上形成栅极；形成栅绝缘层；在栅绝缘层上方形成源极、漏极、以及源极和漏极之间的沟道区；在沟道区内通过蒸发小分子有机半导体材料形成半导体层；并且形成覆盖半导体层的第一钝化层，使得第一钝化层的顶面与源极和漏极各自的顶面吻合或是处在源极和漏极各自的顶面下方。
根据以下的说明就能理解本发明的应用范围。然而应该理解具体的说明和特殊实施例仅仅是作为本发明的最佳实施例提出的，在说明书的基础上，本领域的普通技术人员就能实现属于本发明原理和范围之内的各种修改和变更。
附图说明
根据以下结合附图举例的说明就能充分理解本发明，附图并不构成对本发明的限制。
图1是按照现有技术的一种LCD器件的分解透视图；
图2是按照现有技术用于采用柔韧塑料基板的LCD器件的一种阵列基板的示意性横截面图，所述阵列基板包括小分子有机半导体材料的半导体层；
图3A-3C、4A-4C、5A-5C、6A-6C、7A-7C、8A-8C和9A-9C为表示按照本发明第一实施例的LCD器件阵列基板的制作步骤的示意性横截面图；以及
图10A-10C、11A-11C、12A-12C、13A-13C和14A-14C为表示按照本发明第二实施例的LCD器件阵列基板的制作步骤的示意性横截面图。
具体实施方式
以下要具体描述本发明的最佳实施例，在附图中表示了这些例子。在所有附图中尽可能用相同的标号代表相同或类似的部分。
图3A-3C、4A-4C、5A-5C、6A-6C、7A-7C、8A-8C和9A-9C为表示按照本发明第一实施例的LCD器件阵列基板的制作步骤的示意性横截面图。其中的图3A、4A、5A、6A、7A、8A和9A表示包括薄膜晶体管区Tr的象素区P；图3B、4B、5B、6B、7B、8B和9B表示栅焊盘区GP；而图3C、4C、5C、6C、7C、8C和9C表示数据焊盘区DP。
尽管图中没有表示，如果要处理的母基板是一个塑料基板，通过加载步骤，塑料基板能够由于柔韧性而严重弯折。因此可以将一个诸如玻璃的刚性基板与该母基板粘结在一起。
在图3A-3C中，在诸如约200摄氏度以下的低温下通过溅射在作为母基板的基板101上沉积第一金属层(未示出)。接着在第一金属层上涂敷光刻胶材料，并在光刻胶材料的上方设置具有开口部分的掩模(未示出)。通过用掩模对光刻胶材料进行曝光和显影形成光刻胶图案(未示出)。在此时通过光刻胶图案暴露出部分第一金属层。然后通过蚀刻暴露出的第一金属层形成栅线(未示出)、栅极105和栅焊盘电极107。尽管图中没有表示，栅线连接到栅极105，而栅焊盘电极107连接到栅线的端部。接着利用灰化或剥离去掉与栅线，栅极105和栅焊盘电极17重叠的光刻胶图案。
在图4A-4C中，通过涂敷一种诸如聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和苯并环丁烯(BCB)的有机材料，在包括栅线，栅极105和栅焊盘电极107的基板101上方形成栅绝缘层110。在本实施例中，用有机绝缘材料制成的栅绝缘层110具有一水平顶面，在包括诸如栅线，栅极105和栅焊盘电极107的栅图案的部分与不包括栅图案的另一部分之间没有阶梯。然而如下文所述，栅绝缘层110并不一定要求具有水平顶面。
接着在栅极绝缘层110上通过在诸如200摄氏度以下的低温下沉积金属材料而形成第二金属层。尽管现有技术的第二金属层厚度范围在1500埃到2000埃，考虑到后续要进行的掀离(lift-off)工序，本发明第一实施例的第二金属层的厚度t1至少要达到3000埃以上。
在第二金属层的整个表面上涂敷一种光刻胶材料，并在光刻胶材料上面设置具有开口部分的掩模。将光刻胶材料曝光并显影形成光刻胶图案120，其中光刻胶图案120形成在用于数据线(未示出)、源极113、漏极115和数据焊盘电极117的区域内。可以用与第一金属层相同的金属材料制成第二金属层。
尽管图中没有表示，通过蚀刻对应着光刻胶图案120的开口部分的暴露的金属层而形成与栅线交叉以限定象素区P的数据线、源极113、和与源极113以一定距离分开的漏极115，以及数据焊盘电极117，其中源极113连接到数据线，而数据焊盘电极117连接到数据线的端部。
在本实施例中，在形成数据线、源极113、漏极115和数据焊盘电极117之后保留与数据线、源极113、漏极115和数据焊盘电极117重叠的光刻胶图案120，不采用灰化或剥离的工序。这样，源极113和漏极117之间的间隔区域对应着沟道区，对于高分辨率LCD器件，该区域具有约10微米的距离d1。而对于一般分辨率模式，该距离d1可以小于40微米的最小限制。
在图5A-5C中，在基板101的整个表面上通过蒸发小分子有机半导体材料形成半导体层123，所述基板101具有数据线，源极113，漏极115和与数据线、源极113、和漏极115重叠的光刻胶图案120。例如，小分子有机半导体材料的透射率约大于85％，并且这种小分子有机半导体材料包括并五苯。
例如，半导体层123的厚度大约是500埃。应该注意到数据线、源极113，漏极115和数据焊盘电极117包括顶面和侧部，其中由于蒸发步骤的特性，通过半导体层123暴露出侧部。利用蒸发形成的半导体层123在具有阶梯的侧面通常具有较差的沉积特性，因此很少会沉积在源极和漏极113和115的侧面。
如上所述，包括光刻胶图案120的另外厚度在内的源极和漏极113和115各自的厚度t1至少有3000埃，因此便于从源极和漏极113和115的侧面切割半导体层123。另外，由于没有去掉象素区P内的半导体层123，半导体层123应该具有高的光透射率。例如，本实施例的半导体层123就是由透射率大约为85％的小分子有机半导体材料制成的。
在图6A-6C中，在半导体层123上沉积一种诸如氧化硅(SiOx)的无机材料形成第一钝化层127。此处的第一钝化层127没有沉积在源极和漏极113和115的侧面。在本实施例中，数据线、源极113、漏极115和数据焊盘电极117各自的厚度t1等于或大于半导体层123和第一钝化层127组合的总厚度t2。另外，第一钝化层127在光刻胶图案120上面的部分比第一钝化层127在象素区P内的其它部分要高。
接着参见图7A-7C，通过用剥离液浸渍以去掉光刻胶图案120。具体地说，由于源极和漏极113和115的侧面是通过半导体层123和第一钝化层127暴露的，在浸渍步骤中剥离液容易接触并且与接近源极和漏极113和115侧面的光刻胶图案120的暴露部分发生反应。此时，半导体层123和第一钝化层127与光刻胶图案120重叠的部位和光刻胶图案120被同时去掉。该步骤可以被称为掀离步骤。在本实施例中，光刻胶图案120的顶面不会接触到剥离液，但是，由于半导体层123和第一钝化层127在源极和漏极113和115侧面的开口部分，光刻胶图案120的侧面会接触到剥离液，使光刻胶图案120与基板101分离。
如上所述，在第一实施例中，有机绝缘材料制成的栅绝缘层110具有一个没有阶梯的水平顶面，并且数据线、源极113、漏极115和数据焊盘电极117各自的厚度t1等于或大于半导体层123和第一钝化层127组合的总厚度t2。然而，栅绝缘层110可以具有带阶梯结构的顶面。如果栅绝缘层110具有带阶梯结构的顶面，第一钝化层127的顶面可以与源极113和漏极115各自的顶面吻合或是低于其顶面，以便于掀离工序。换句话说，通过控制第一钝化层127的顶面使其与源极113和漏极115各自的顶面吻合或是低于其顶面，光刻胶图案120的侧面就不会被第一钝化层127覆盖。这样就能有效地去掉光刻胶图案120，在掀离工序中去掉与光刻胶图案120重叠的半导体层123和第一钝化层127。这样就不必要求栅绝缘层110是水平顶板并且源极113和漏极115的厚度t1等于或大于半导体层123和第一钝化层127组合的厚度t2。如果第一钝化层127的顶面与源极113和漏极115各自的顶面吻合或是低于其顶面，就能有效地去掉光刻胶图案120，因为光刻胶图案120的整个侧壁在进行掀离工序时是暴露的。
尽管半导体层123是用对剥离液敏感的材料制成的，因为第一钝化层127覆盖了半导体层123，仍然保护半导体层123免受剥离液的伤害。由于半导体层123形成在源极113和漏极115之间，可以按照理想值控制半导体层123的宽度d1，例如是约小于40微米。
在图8A-8C中，在第一钝化层127、数据线、源极113和漏极115上涂覆一种诸如聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和苯并环丁烯(BCB)有机材料来形成第二钝化层140。在本实施例中，第二钝化层140具有一水平面，这是因为它是由有机材料制成的。接着通过对第二钝化层140构图形成分别暴露出第二钝化层140中的部分漏极电极115、部分栅焊盘电极107和部分数据焊盘电极117的第一、第二和第三接触孔142、144和146。
在图9A-9C中，通过沉积一种诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明材料并对其构图形成象素电极150，其中象素电极150通过第一接触孔142连接到漏极115。栅辅助焊盘电极152通过第二接触孔144连接到栅焊盘电极107，而数据辅助焊盘电极154通过第三接触孔146连接到数据焊盘电极117。
这样就能将小分子有机半导体材料的半导体层123控制在几微米。然而，按照第一实施例，第一实施例的半导体层123是形成在象素区P和薄膜晶体管区Tr内。因此，半导体层123应该用透射率约为85％的材料制成。因此，在第一实施例中对半导体层123的材料选择有限制。另外，尽管半导体层123是选自具有良好透射率的材料，仍然会影响象素区P的亮度。
为了增加对半导体层材料的选择，在本发明的第二实施例中形成的半导体层123不占用象素区P。为了简便，由于按照本发明的第一实施例形成半导体层123之前的步骤可以适用于第二实施例，此处不再重复对第二实施例的相应说明。
图10A-10C、11A-11C、12A-12C、13A-13C和14A-14C为表示按照本发明第二实施例的LCD器件阵列基板的制作步骤的示意性横截面图。其中的图10A、11A、12A和13A表示包括薄膜晶体管区Tr的象素区P；图10B、11B、12B和13B表示栅焊盘区GP；而图10C、11C、12C和13C表示数据焊盘区DP。
在图10A-10C中，数据线(未示出)、源极213、漏极215和数据焊盘电极217形成在栅绝缘层210上，并且保留用于对数据线、源极213、漏极215和数据焊盘电极217构图的光刻胶图案220。在光刻胶图案220上面设置具有开口部分OA的荫罩260，其中开口部分OA对应着源极213、漏极215和源极与漏极213和215之间的间隔，即沟道区。通过荫罩260在包括光刻胶图案220的基板201上蒸发半导体层的材料来形成半导体层223，其中半导体层223可以是用小分子有机半导体材料制成，与第一实施例中的半导体层123(见图5a)相比不必考虑透射率。这是因为半导体层223没有形成在象素区P内，而半导体层223的透射率不再成为问题。
在图11A-11C中，在包括半导体层223的基板201的整个表面上通过沉积一种诸如氧化硅(SiOx)的无机材料形成第一钝化层227。第一钝化层227同样在象素区内直接接触到栅绝缘层210。在具有明显高阶梯的数据线、源极213、漏极215和数据焊盘电极217的侧面没有形成第一钝化层227。在本实施例中，数据线、源极213，漏极215和数据焊盘电极217各自的厚度t1等于或大于半导体层223和第一钝化层227组合的总厚度t2。
在图12A-12C中，通过浸渍剥离液从基板201上去掉光刻胶图案220。该步骤可以被称为掀离工序。另外，光刻胶图案220上的半导体层223和第一钝化层227被同时去掉，并且对被第一钝化层227覆盖的源极和漏极213和215之间的半导体层223构图。因此，由于半导体层223的宽度对应着源极和漏极213和215之间的距离d1，所以易于控制半导体层223的宽度。应该注意到，尽管本实施例中的栅绝缘层210具有水平顶面，本发明的范围不仅限于本实施例。如果栅绝缘层210具有水平的顶面，为了便利掀离工序，第一钝化层227的顶面可以与源极213和漏极215各自的顶面吻合或是低于其顶面。
在图13A-13C中，在包括半导体层223的基板201的整个表面上涂覆一种诸如聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和苯并环丁烯(BCB)的有机材料来形成第二钝化层240。接着通过对第二钝化层240构图形成分别暴露出第二钝化层240中的部分漏极215、部分栅焊盘电极207和部分数据焊盘电极217的第一、第二和第三接触孔242、244和246。
在图14A-14C中，沉积一种诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)透明材料并且对其构图形成象素电极250，其中象素电极250通过第一接触孔242连接到漏极215。栅辅助焊盘电极252通过第二接触孔244连接到栅焊盘电极207，而数据辅助焊盘电极254通过第三接触孔246连接到数据焊盘电极217。
这样，按照本发明的LCD器件阵列基板不用荫罩就能提供一种精密图案，或是提供采用阴罩随后可以进行构图的半导体层，如此就能改善孔径比和亮度。
另外，尽管小分子有机半导体材料对湿气和化学反应敏感，本发明所提供的阵列基板及其制作方法能够使小分子有机半导体材料免受湿气和化学反应影响。这样就能提供一种具有小分子有机半导体材料的柔韧的、高分辨率的LCD器件。
以上所述的本发明显然还有许多可能的变更途径。这些变更都不会脱离本发明的原理和范围，而对于本领域技术人员显而易见的所有这些变更都应该属于权利要求书的范围之内。

Claims (28)

1、一种液晶显示器结构，包括：
象素区；和
在基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的位置毗邻所述象素区，所述薄膜晶体管包括：
栅极；
具有一顶面的栅绝缘层；
在所述栅绝缘层顶面上的源极和漏极；
设置在所述栅绝缘层顶面上的半导体层，其位于所述源极和漏极之间以限定一沟道区，所述半导体层包括小分子有机半导体材料；以及
覆盖所述沟道区的第一钝化层，所述第一钝化层的顶面与所述源极和漏极各自的顶面吻合或是处在所述源极和漏极各自的顶面下方。
2、按照权利要求1的液晶显示器结构，其特征在于，所述栅绝缘层的顶面是水平顶面。
3、按照权利要求2的液晶显示器结构，其特征在于，所述源极和漏极的厚度等于或大于所述半导体层和第一钝化层的厚度之和。
4、按照权利要求1的液晶显示器结构，其特征在于，所述栅绝缘层还设置在象素区内，所述第一钝化层在所述象素区内直接接触到所述栅绝缘层的顶面。
5、按照权利要求1的液晶显示器结构，其特征在于，所述半导体层还设置在所述象素区内。
6、按照权利要求1的液晶显示器结构，其特征在于，所述小分子有机半导体材料是透明材料。
7、按照权利要求6的液晶显示器结构，其特征在于，所述小分子有机半导体材料具有约85％以上的光透射率。
8、按照权利要求6的液晶显示器结构，其特征在于，所述小分子有机半导体材料包括并五苯。
9、按照权利要求1的液晶显示器结构，其特征在于，所述源极和漏极具有3000埃以上的厚度。
10、按照权利要求1的液晶显示器结构，其特征在于，所述沟道区具有小于40μm的宽度。
11、按照权利要求1的液晶显示器结构，其特征在于，还包括在所述第一钝化层上方形成的第二钝化层，所述第二钝化层直接接触到所述源极和漏极各自的顶面。
12、按照权利要求1的液晶显示器结构，其特征在于，所述基板是塑料基板。
13、一种液晶显示器结构的制造方法，包括以下步骤：
在基板上形成栅极；
形成栅绝缘层；
在栅绝缘层上方形成源极、漏极，以及所述源极和漏极之间的沟道区；
通过在沟道区内蒸发小分子有机半导体材料形成半导体层；以及
形成覆盖半导体层的第一钝化层，使得第一钝化层的顶面与源极和漏极各自的顶面吻合或是处在源极和漏极各自的顶面下方。
14、按照权利要求13的方法，其特征在于，所述形成栅绝缘层的步骤包括形成具有水平顶面的栅绝缘层。
15、按照权利要求14的方法，其特征在于，所述形成半导体层和第一钝化层的步骤包括形成半导体层和第一钝化层，使得半导体层的厚度与第一钝化层的厚度之和等于或小于源极和漏极的厚度。
16、按照权利要求13的方法，其特征在于，还包括：
在第一钝化层上方形成第二钝化层；以及
第二钝化层直接接触源极和漏极各自的顶面。
17、按照权利要求13的方法，其特征在于，所述形成源极、漏极和沟道区的步骤包括：
在栅绝缘层上形成金属层；以及
用构图的金属掩模层对金属层进行构图，以形成源极、漏极和沟道区，构图的掩模层位于源极和漏极的顶面上。
18、按照权利要求13的方法，其特征在于，所述形成半导体层的步骤还包括在构图的掩模层的顶面上蒸发小分子有机半导体材料。
19、按照权利要求18的方法，其特征在于，所述形成第一钝化层的步骤还包括在构图的掩模层的顶面上形成第一钝化层。
20、按照权利要求19的方法，其特征在于，还包括通过去掉构图的掩模层，以去掉在构图的掩模层顶面上的半导体层和在构图的掩模层顶面上的第一钝化层。
21、按照权利要求13的方法，其特征在于，所述形成半导体层的步骤还包括在象素区内蒸发小分子有机半导体材料。
22、按照权利要求13的方法，其特征在于，所述形成栅绝缘层的步骤包括在象素区内形成栅绝缘层。
23、按照权利要求22的方法，其特征在于，所述形成半导体层的步骤包括：
在象素区内蒸发小分子有机半导体材料；以及
象素区内的小分子有机半导体材料直接接触象素区内的栅绝缘层顶面。
24、按照权利要求13的方法，其特征在于，所述在沟道区内形成半导体层的步骤包括：
采用具有对应着沟道区、源极和漏极的开口的荫罩；以及
在沟道区内蒸发小分子有机半导体材料。
25、按照权利要求24的方法，其特征在于，所述形成栅绝缘层的步骤包括在象素区内形成栅绝缘层。
26、按照权利要求25的方法，其特征在于，还包括：
在象素区内形成第一钝化层；以及
象素区内的第一钝化层直接接触到象素区内的栅绝缘层顶面。
27、按照权利要求13的方法，其特征在于，所述形成栅极的步骤还包括在塑料基板上形成栅极。
28、按照权利要求27的方法，其特征在于，各个所述步骤是在约200摄氏度以下的温度下进行的。
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