KR101197059B1 - 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 - Google Patents
박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101197059B1 KR101197059B1 KR1020060064700A KR20060064700A KR101197059B1 KR 101197059 B1 KR101197059 B1 KR 101197059B1 KR 1020060064700 A KR1020060064700 A KR 1020060064700A KR 20060064700 A KR20060064700 A KR 20060064700A KR 101197059 B1 KR101197059 B1 KR 101197059B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conductive layer
- forming
- thin film
- data line
- source electrode
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 105
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
- H10K19/10—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
본 발명은 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 상기 게이트선 위에 형성되어 있으며 개구부를 가지는 층간 절연막, 상기 개구부에 형성되어 있는 게이트 절연체, 상기 층간 절연막 위에 형성되어 있으며 투명 도전성 산화물을 포함하는 제1 도전층 및 금속을 포함하는 제2 도전층을 포함하는 데이터선, 상기 데이터선과 연결되어 있으며 투명 도전성 산화물을 포함하는 소스 전극, 상기 소스 전극과 마주하며 투명 도전성 산화물을 포함하는 드레인 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하는 유기 반도체, 그리고 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
유기 박막 트랜지스터, 슬릿 마스크, 잉크젯 인쇄
Description
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고,
도 2는 도 1의 박막 트랜지스터 표시판을 II-II 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 3, 도 6, 도 8, 도 12, 도 14 및 도 16은 도 1 및 도 2의 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법을 보여주는 배치도이고,
도 4는 도 3의 박막 트랜지스터 표시판을 IV-IV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 5는 도 3 및 도 4의 박막 트랜지스터 표시판의 연속 공정을 도시한 단면도이고,
도 7은 도 6의 박막 트랜지스터 표시판을 VII-VII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 9는 도 8의 박막 트랜지스터 표시판을 IX-IX 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 10 및 도 11은 도 8 및 도 9의 박막 트랜지스터 표시판의 연속 공정을 도 시한 단면도이고,
도 13은 도 12의 박막 트랜지스터 표시판을 XIII-XIII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 15는 도 14의 박막 트랜지스터 표시판을 XV-XV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 17은 도 16의 박막 트랜지스터 표시판을 XVII-XVII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
<도면 부호의 설명>
110: 절연 기판 121: 게이트선
124: 게이트 전극 129: 게이트선의 끝 부분
140: 층간 절연막 141: 접촉 구멍
144: 개구부 146: 게이트 절연 부재
154: 유기 반도체 171: 데이터선
172: 상부 데이터선 180: 보호 부재
191: 화소 전극 192: 하부 데이터선
193: 소스 전극 195: 드레인 전극
199: 데이터선의 끝 부분 81: 접촉 보조 부재
본 발명은 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display), 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display) 등의 평판 표시 장치는 복수 쌍의 전기장 생성 전극과 그 사이에 들어 있는 전기 광학(electro-optical) 활성층을 포함한다. 액정 표시 장치의 경우 전기 광학 활성층으로 액정층을 포함하고, 유기 발광 표시 장치의 경우 전기 광학 활성층으로 유기 발광층을 포함한다.
한 쌍을 이루는 전기장 생성 전극 중 하나는 통상 스위칭 소자에 연결되어 전기 신호를 인가받고, 전기 광학 활성층은 이 전기 신호를 광학 신호로 변환함으로써 영상을 표시한다.
평판 표시 장치에서는 스위칭 소자로서 삼단자 소자인 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 사용하며, 이 박막 트랜지스터를 제어하기 위한 주사 신호를 전달하는 게이트선(gate line)과 화소 전극에 인가될 신호를 전달하는 데이터선(data line)이 평판 표시 장치에 구비된다.
이러한 박막 트랜지스터 중에서, 규소(Si)와 같은 무기 반도체 대신 유기 반도체를 포함하는 유기 박막 트랜지스터(organic thin film transistor, OTFT)에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.
유기 박막 트랜지스터는 유기 물질의 특성상 섬유(fiber) 또는 필름(film)과 같은 형태로 만들 수 있어서 가요성 표시 장치(flexible display device)의 핵심 소자로 주목받고 있다.
또한 유기 박막 트랜지스터는 잉크젯 인쇄와 같은 용액 공정(solution process)으로 제작할 수 있어서 증착 공정 만으로 한계가 있는 대면적 평판 표시 장치에도 쉽게 적용할 수 있다.
그러나 유기 반도체는 무기 반도체에 비하여 내열성 및 내화학성이 약하여 후속 공정에서 쉽게 손상될 수 있다. 또한 알루미늄과 같은 저저항성 도전체로 소스 및 드레인 전극을 형성하는 경우 유기 반도체와 소스 및 드레인 전극 사이에 쇼트키 장벽(schottky barrier)이 형성되어 박막 트랜지스터 특성이 저하될 수 있다.
이에 따라 유기 반도체를 보호하고 유기 박막 트랜지스터의 특성 저하를 방지하기 위하여 더 많은 적층 구조 및 그에 따른 부가 공정이 요구된다. 이 경우 이에 소요되는 마스크 수가 늘어나서 제조 비용이 현저하게 상승한다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 유기 박막 트랜지스터를 제조하는데 소요되는 마스크 수를 줄이는 동시에 유기 반도체의 안정성 및 유기 박막 트랜지스터의 특성을 개선하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 상기 게이트선 위에 형성되어 있으며 개구부를 가지는 층간 절연막, 상기 개구부에 형성되어 있는 게이트 절연체, 상기 층간 절연막 위에 형성되어 있으며 투명 도전성 산화물을 포함하는 제1 도전층 및 금속을 포함하는 제2 도전층을 포함하는 데이터선, 상기 데이터선과 연결되어 있으며 투명 도전성 산화물을 포 함하는 소스 전극, 상기 소스 전극과 마주하며 투명 도전성 산화물을 포함하는 드레인 전극, 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극, 그리고 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하는 유기 반도체를 포함한다.
상기 투명 도전성 산화물은 ITO 또는 IZO일 수 있다.
상기 금속은 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 크롬(Cr), 크롬 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄 합금, 구리(Cu), 구리 합금, 은(Ag), 은 합금에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 개구부는 제1 개구부 및 상기 제1 개구부보다 큰 제2 개구부를 포함할 수 있고, 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부에는 각각 상기 게이트 절연체 및 상기 유기 반도체가 형성될 수 있다.
상기 유기 반도체를 덮는 보호 부재를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 기판 위에 형성되어 있으며 게이트 전극을 포함하는 게이트선, 상기 게이트선과 교차하며 제1 도전층 및 제2 도전층을 포함하는 데이터선, 상기 데이터선과 연결되어 있는 소스 전극, 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극을 포함하는 화소 전극 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하는 유기 반도체를 포함하며, 상기 데이터선의 제1 도전층, 상기 소스 전극 및 상기 화소 전극은 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층은 식각 선택비가 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 데이터선의 제1 도전층, 상기 소스 전극 및 상기 화소 전극은 투명 도 전성 산화물을 포함하고, 상기 제2 도전층은 금속을 포함할 수 있다.
상기 게이트선 및 상기 데이터선 사이에 형성되어 있는 층간 절연막을 더 포함하고, 상기 층간 절연막은 제1 개구부 및 상기 제1 개구부보다 면적이 큰 제2 개구부를 가질 수 있다.
상기 제1 개구부에 형성되어 있으며 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하는 게이트 절연체를 더 포함하고, 상기 유기 반도체는 상기 제2 개구부에 위치할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 기판 위에 게이트선을 형성하는 단계, 상기 게이트선을 포함한 기판 전면에 층간 절연막을 형성하는 단계, 상기 층간 절연막에 개구부를 형성하는 단계, 상기 개구부에 게이트 절연체를 형성하는 단계, 상기 층간 절연막 및 상기 게이트 절연체 위에 투명 도전성 산화물을 포함하는 제1 도전층 및 금속을 포함하는 제2 도전층을 차례로 적층하는 단계, 상기 제2 도전층 및 상기 제1 도전층을 차례로 사진 식각하여 데이터선 및 이와 분리되어 있는 도전 부재를 형성하는 단계, 상기 데이터선의 일부 및 상기 도전 부재의 상기 제2 도전층을 제거하여 드레인 전극을 포함하는 화소 전극 및 소스 전극을 형성하는 단계, 그리고 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하는 유기 반도체를 형성하는 단계를 포함한다.
상기 개구부를 형성하는 단계는 차광 영역, 투광 영역 및 반투광 영역을 가지는 마스크를 사용하여 상기 층간 절연막을 노광하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 데이터선 및 도전 부재를 형성하는 단계와 상기 화소 전극 및 소스 전 극을 형성하는 단계는 하나의 마스크를 사용하여 수행할 수 있다.
상기 마스크는 차광 영역, 투광 영역 및 반투광 영역을 가질 수 있다.
상기 데이터선 및 도전 부재를 형성하는 단계는 상기 제2 도전층 위에 감광막을 형성하는 단계, 상기 마스크를 사용하여 상기 감광막을 노광하여 제1 감광 부재 및 상기 제1 감광 부재보다 얇은 제2 감광 부재를 형성하는 단계, 그리고 상기 제1 감광 부재와 상기 제2 감광 부재를 사용하여 상기 제2 도전층 및 제1 도전층을 식각하는 단계를 포함한다.
상기 화소 전극 및 상기 소스 전극을 형성하는 단계는 상기 제2 감광 부재를 제거하는 단계, 그리고 상기 제1 감광 부재를 사용하여 상기 도전 부재의 상기 제2 도전층을 식각하는 단계를 포함한다.
상기 게이트 절연체를 형성하는 단계 및 상기 유기 반도체를 형성하는 단계 중 적어도 하나는 잉크젯 인쇄 방법으로 수행할 수 있다.
본 발명의 다른 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 기판 위에 게이트선을 형성하는 단계, 상기 게이트선 위에 개구부를 가지는 층간 절연막을 형성하는 단계, 상기 개구부에 게이트 절연체를 형성하는 단계, 상기 층간 절연막 위에 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 드레인 전극을 포함하는 화소 전극을 형성하는 단계, 그리고 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 위에 유기 반도체를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 게이트선은 제1 마스크를 사용하여 형성하고, 상기 층간 절연막은 제2 마스크를 사용하여 형성하고, 상기 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 상기 드레인 전극을 포함하는 화소 전극은 제3 마스크를 사용하여 형 성한다.
상기 게이트 절연체를 형성하는 단계 및 상기 유기 반도체를 형성하는 단계 중 적어도 하나는 잉크젯 인쇄 방법으로 수행할 수 있다.
상기 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 드레인 전극을 포함하는 화소 전극을 형성하는 단계는 식각 선택비가 다른 제1 도전층 및 제2 도전층을 차례로 적층하는 단계, 상기 제2 도전층 및 상기 제1 도전층을 차례로 식각하여 상기 게이트 절연체의 일부를 드러내는 단계, 그리고 상기 제2 도전층을 부분적으로 식각하는 단계를 포함하고, 상기 제2 도전층을 부분적으로 식각하는 단계에서 상기 제2 도전층이 남아있는 부분은 데이터선이고 상기 제2 도전층이 제거된 부분은 소스 전극, 드레인 전극 및 화소 전극일 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
그러면 도 1 및 도 2를 참고로 하여 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터 표시판에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 2는 도 1의 박막 트랜지스터 표시판을 II-II 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
투명한 유리, 실리콘(silicone) 또는 플라스틱(plastic) 따위로 만들어진 절연 기판(substrate)(110) 위에 복수의 게이트선(gate line)(121)이 형성되어 있다.
게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 위로 돌출한 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(129)을 포함한다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 게이트 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(121)이 연장되어 게이트 구동 회로와 직접 연결될 수 있다.
게이트선(121)은 그 측면이 기판(110) 면에 대하여 30° 내지 80° 정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다.
게이트선(121)을 포함한 기판 전면에는 층간 절연막(140)이 형성되어 있다. 층간 절연막(140)은 용액 공정이 가능한 감광성 유기 물질로 만들어질 수 있으며, 그 두께는 약 5000Å 내지 4㎛일 수 있다.
층간 절연막(140)은 복수의 개구부(144) 및 복수의 접촉 구멍(141)을 가진 다. 개구부(144)는 게이트 전극(124)을 드러내는 하부 개구부(144p)와 그 위에 위치하는 상부 개구부(144q)를 포함한다. 하부 개구부(144p)와 상부 개구부(144q)는 계단식으로 형성되어 있으며 상부 개구부(144q)가 하부 개구부(144p)보다 크다. 접촉 구멍(141)은 게이트선(121)의 끝 부분(129)을 드러낸다.
하부 개구부(144p)에는 게이트 절연체(146)가 형성되어 있다. 이 때 하부 개구부(144p)를 둘러싸는 층간 절연막(140)은 게이트 절연체(146)를 가두는 둑(bank) 역할을 한다.
게이트 절연체(146)는 유기 물질 또는 무기 물질로 만들어진다. 이러한 유기 물질의 예로는 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 플루오란(fluorane)함유 화합물, 파릴렌(parylene) 등의 용해성 고분자 화합물을 들 수 있으며, 무기 물질의 예로는 옥타데실트리클로로실란(octadecyl trichloro silane, OTS)으로 표면처리된 산화규소(SiO2) 따위를 들 수 있다.
게이트 절연체(146) 및 층간 절연막(140) 위에는 데이터선(data line)(171), 화소 전극(pixel electrode)(191) 및 접촉 보조 부재(contact assistant)(81)가 형성되어 있다.
데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어서 게이트선(121)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 옆으로 돌출되어 있는 소스 전극(source electrode)(193)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(199)을 포함한다. 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동 회로(도시하지 않음) 는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 데이터 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우, 데이터선(171)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.
소스 전극(193)은 층간 절연막(140)의 개구부(144) 일부에 형성되어 있으며 개구부(144)에서 게이트 절연체(146)와 접촉되어 있다.
데이터선(171) 중 소스 전극(193) 및 끝 부분(199)을 제외한 부분은 상부 데이터선(172) 및 하부 데이터선(192)을 포함한 이중층으로 형성되어 있다.
상부 데이터선(172)은 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 크롬(Cr), 크롬 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄 합금, 구리(Cu), 구리 합금, 은(Ag), 은 합금 따위의 저저항성 금속으로 만들어지며, 하부 데이터선(192)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 따위의 투명 도전성 산화물로 만들어진다. 이 때 상부 데이터선(172) 및 하부 데이터선(192)은 식각 선택비가 달라야 한다.
소스 전극(193) 및 끝 부분(199)은 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전성 산화물로 만들어진 단일 층이다.
화소 전극(191)은 소스 전극(193)과 마주하는 부분(이하 '드레인 전극'이라 함)(195)을 포함하며, ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전성 산화물로 만들어진다. 화소 전극(191)은 드레인 전극(195)으로부터 데이터 신호를 인가 받는다. 데이터 전압이 인가된 화소 전극(191)은 화소 전극(191)과 마주보며 공통 전압을 인가 받는 공통 전극(도시하지 않음)과 함께 전기장을 생성함으로써, 두 전극 사이의 액정층 (도시하지 않음)의 액정 분자들의 방향을 결정하거나 발광층(도시하지 않음)에 전류를 흘러 발광하게 된다.
드레인 전극(195)은 게이트 절연체(146) 위에서 소스 전극(193)과 마주하고 있다.
접촉 보조 부재(81)는 접촉 구멍(141)을 통하여 게이트선(121)의 끝 부분(129)과 연결되어 있으며, 게이트선(121)의 끝 부분(129)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.
데이터선(171), 화소 전극(191) 및 접촉 보조 부재(81)는 그 측면이 기판(110) 면에 대하여 30° 내지 80° 정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다.
상부 개구부(144q)에는 유기 반도체(154)가 형성되어 있다.
유기 반도체(154)는 상부 개구부(144q)에서 소스 전극(193) 및 드레인 전극(195)과 접촉되어 있으며 게이트 전극(124)과 중첩되어 있다.
유기 반도체(154)는 수용액이나 유기 용매에 용해되는 고분자 화합물이나 저분자 화합물을 포함할 수 있다.
유기 반도체(154)는 테트라센(tetracene) 또는 펜타센(pentacene)의 치환기를 포함하는 유도체를 포함할 수 있다. 유기 반도체(154)는 또한 티오펜 링(thiophene ring)의 2, 5 위치에서 연결된 4 내지 8개의 티오펜을 포함하는 올리고티오펜(oligothiophene)을 포함할 수 있다.
유기 반도체(154)는 폴리티닐렌비닐렌(polythienylenevinylene), 폴리-3-헥 실티오펜(poly 3-hexylthiophene), 폴리티오펜(polythiophene), 프탈로시아닌(phthalocyanine), 금속화 프탈로시아닌(metallized phthalocyanine) 또는 그의 할로겐화 유도체를 포함할 수 있다. 유기 반도체(154)는 또한 페릴렌테트라카르복실산 이무수물(perylenetetracarboxylic dianhydride, PTCDA), 나프탈렌테트라카르복실산 이무수물(naphthalenetetracarboxylic dianhydride, NTCDA) 또는 이들의 이미드(imide) 유도체를 포함할 수 있다. 유기 반도체(154)는 페릴렌(perylene) 또는 코로넨(coronene)과 그들의 치환기를 포함하는 유도체를 포함할 수도 있다.
유기 반도체(154)의 두께는 약 300Å 내지 1㎛일 수 있다.
하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(193) 및 하나의 드레인 전극(195)은 유기 반도체(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(193)과 드레인 전극(195) 사이의 유기 반도체(154)에 형성된다. 이 때 소스 전극(193)과 드레인 전극(195)의 마주하는 부분은 굴곡지게 형성함으로써 채널 폭을 놀려서 전류 특성을 개선할 수도 있다.
유기 반도체(154) 위에는 보호 부재(180)가 형성되어 있다. 보호 부재(180)는 유기 물질 또는 무기 물질로 만들어질 수 있으며, 유기 물질의 예로는 상온 또는 저온에서 형성할 수 있는 불소계 중합체 또는 파릴렌을 들 수 있고 무기 물질의 예로는 ITO 또는 IZO를 들 수 있다. 보호 부재(180)는 제조 과정에서 유기 반도체(154)가 손상되는 것을 방지한다.
상술한 바와 같이 본 발명의 한 실시예에 따르면, 데이터선(171)은 알루미늄 등의 저저항성 금속으로 만들어진 상부 도전층(172)을 포함함으로써 저항을 줄여 신호 지연 및 전압 강하를 방지할 수 있다.
한편, 유기 반도체(154)와 직접 접촉하는 소스 전극(193) 및 드레인 전극(195)은 유기 반도체(154)로 캐리어(carrier)가 효과적으로 주입 및 이동할 수 있도록 유기 반도체(154)와 일 함수(work function) 차이가 크지 않은 ITO 또는 IZO와 같은 도전 물질로 만들어진다. 따라서 소스 전극(193) 및 드레인 전극(195)이 저저항성 금속으로 만들어지는 경우와 달리, 금속과 유기 반도체 사이에 쇼트키 장벽(schttky barrier)이 형성되지 않아 캐리어 주입 및 이동을 용이하게 할 수 있다. 따라서 유기 박막 트랜지스터의 특성을 개선할 수 있다.
그러면 도 1 및 도 2에 도시한 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 대하여 도 3 내지 도 17을 참고하여 상세하게 설명한다.
도 3, 도 6, 도 8, 도 12, 도 14 및 도 16은 도 1 및 도 2의 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법을 보여주는 배치도이고, 도 4는 도 3의 박막 트랜지스터 표시판을 IV-IV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 5는 도 3 및 도 4의 박막 트랜지스터 표시판의 연속 공정을 도시한 단면도이고, 도 7은 도 6의 박막 트랜지스터 표시판을 VII-VII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 9는 도 8의 박막 트랜지스터 표시판을 IX-IX 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 10 및 도 11은 도 8 및 도 9의 박막 트랜지스터 표시판의 연속 공정을 도시한 단면도이고, 도 13은 도 12의 박막 트랜지스터 표시판을 XIII-XIII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 15는 도 14의 박막 트랜지스터 표시판을 XV-XV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 17은 도 16의 박막 트랜지스터 표시판을 XVII-XVII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
먼저, 도 3 및 도 4를 참고하면, 기판(110) 위에 스퍼터링(sputtering) 따위의 방법으로 금속층을 적층하고 이를 사진 식각하여 게이트 전극(124) 및 끝 부분(129)을 포함하는 게이트선(121)을 형성한다.
다음, 도 5를 참고하면, 기판(110) 위에 유기 물질을 도포하여 층간 절연막(140)을 형성하고, 층간 절연막(140) 위에 마스크(mask)(10)를 배치한다. 마스크(10)는 투광 영역(10c)과 차광 영역(10a) 뿐 아니라 반투광 영역(10b)을 가진다. 반투광 영역(10b)에는 슬릿 패턴(slit pattern), 격자 패턴(lattice pattern) 또는 투과율이 중간이거나 두께가 중간이 박막이 구비된다. 슬릿 패턴을 사용할 때에는 슬릿의 폭이나 슬릿 사이의 간격이 사진 공정에 사용하는 노광기의 분해능(resolution)이 보다 작은 것이 바람직하다.
다음, 도 6 및 도 7을 참고하면, 층간 절연막(140)을 노광 및 현상하여 복수의 개구부(144) 및 접촉 구멍(141)을 형성한다. 이 때 마스크(10)의 투광 영역(10c) 아래에 위치하는 층간 절연막(140)은 완전히 제거되고, 반투광 영역(10b) 아래에 위치하는 층간 절연막(140)은 일부가 제거되고 일부는 남는다. 따라서 투광 영역(10c) 아래에 위치하는 층간 절연막(140)에는 게이트 전극(124) 및 게이트선(121)의 끝 부분(129)을 각각 노출하는 하부 개구부(144p) 및 접촉 구멍(141)이 형성되고, 반투광 영역(10b) 아래에 위치하는 층간 절연막(140)에는 층간 절연막(140)의 두께보다 깊이가 얕은 상부 개구부(144q)가 형성된다.
다음, 도 8 및 도 9를 참고하면, 하부 개구부(144p)에 게이트 절연체(146)를 형성한다. 게이트 절연체(146)는 잉크젯 인쇄 방법 따위의 용액 공정 또는 증착으로 형성될 수 있으며, 이 중 잉크젯 인쇄 방법이 바람직하다. 잉크젯 인쇄 방법으로 형성하는 경우 기판 위에서 잉크젯 헤드(도시하지 않음)를 이동하면서 하부 개구부(144p)에 게이트 절연 용액을 분사하고 이를 건조하는 단계가 필요하다.
다음, 도 10을 참고하면, 층간 절연막(140) 및 게이트 절연체(146) 위에 하부 도전층(190) 및 상부 도전층(170)을 차례로 적층한다. 하부 도전층(190)은 ITO 또는 IZO 따위의 투명 도전성 산화물로 만들어질 수 있으며, 상부 도전층(170)은 알루미늄 따위의 저저항성 금속으로 만들어질 수 있다. 이 때 투명 도전성 산화물과 저저항성 금속은 식각 선택비가 달라야 한다.
하부 도전층(190)을 ITO로 형성하는 경우, ITO는 비정질 ITO(amorphous ITO)로 형성할 수 있다. 비정질 ITO는 약 130℃ 이하, 바람직하게는 상온에서 스퍼터링으로 형성할 수 있다. 이와 같이 비정질 ITO는 비교적 저온에서 형성하는 경우 유기 물질로 만들어진 게이트 절연체(146)가 열에 의해 손상되는 것을 방지하여 우수한 막질을 유지할 수 있다.
이어서, 상부 도전층(170) 위에 감광막(40)을 도포한 후, 감광막(40) 위에 투광 영역(20c), 차광 영역(20a) 및 반투광 영역(20b)을 가지는 마스크(20)를 배치하고 노광한다.
이에 따라, 도 11에 도시한 바와 같이, 서로 다른 두께를 가지는 감광 패턴(40a, 40b)을 형성한다. 데이터선(171)이 형성될 영역 중 소스 전극(193) 및 끝 부분(179)이 형성될 영역을 제외한 영역 위에는 제1 감광 패턴(40a)을 형성하고, 소스 전극(193), 데이터선(171)의 끝 부분(179), 화소 전극(191) 및 접촉 보조 부재(81)가 형성될 영역 위에는 제1 감광 패턴(40a)보다 두께가 얇은 제2 감광 패턴(40b)을 형성한다. 이 때 제1 감광 패턴(40a)의 두께와 제2 감광 패턴(40b)의 두께의 비(ratio)는 후술할 식각 공정에서의 공정 조건에 따라 다르게 하되, 제2 감광 패턴(40b)의 두께를 제1 감광 패턴(40a)의 두께의 1/2 이하로 하는 것이 바람직하다.
다음, 도 12 및 도 13을 참고하면, 제1 및 제2 감광 패턴(40a, 40b)을 사용하여 상부 도전층(170)을 습식 식각(wet etching)하여 상부 데이터선(172) 및 복수의 데이터 부재(174a, 174b, 174c)를 형성한다.
이어서, 애싱(ashing)과 같은 에치 백(etch back) 공정을 이용하여 제2 감광 패턴(40b)을 제거하며, 이 때 제1 감광 패턴(40a) 또한 두께가 어느 정도 얇아진다. 이 경우 유기 물질로 만들어진 게이트 절연체(146)는 하부 도전층(190)에 의해 덮여 있으므로, 애싱 공정시 노출되는 플라스마 및 열에 의해 게이트 절연체(146)의 막질이 열화되는 것을 방지할 수 있다.이어서, 상부 데이터선(172) 및 데이터 부재(174a, 174b, 174c)를 마스크로 하여 하부 도전층(190)을 습식 식각하여 소스 전극(193) 및 끝 부분(199)을 포함하는 하부 데이터선(192), 드레인 전극(195)을 포함하는 화소 전극(191) 및 접촉 보조 부재(81)를 형성한다.
다음, 도 14 및 도 15를 참고하면, 제1 감광 패턴(40a)을 사용하여 상부 데이터선(172) 및 데이터 부재(174a, 174b, 174c)를 습식 식각으로 제거한다. 이에 따라 투명 도전성 산화물로 만들어진 소스 전극(193), 하부 데이터선(192)의 끝 부 분(199), 화소 전극(191) 및 접촉 보조 부재(81)가 드러난다.
이어서, 제1 감광 패턴(40a)을 제거한다.
다음, 도 16 및 도 17을 참고하면, 상부 개구부(144q)에 유기 반도체(154)를 형성한다. 유기 반도체(154)는 잉크젯 인쇄 방법 따위의 용액 공정 또는 증착으로 형성할 수 있으며, 이 중 잉크젯 인쇄 방법이 바람직하다. 잉크젯 인쇄 방법으로 형성하는 경우 기판 위에서 잉크젯 헤드(도시하지 않음)를 이동하면서 상부 개구부(144q)에 유기 반도체 용액을 분사하고 이를 건조하는 단계가 필요하다.
마지막으로, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 유기 반도체(154)를 덮는 보호 부재(180)를 형성한다.
이와 같이 본 발명의 한 실시예에서는 소스 전극(193)을 포함하는 데이터선(171) 및 드레인 전극(195)을 포함하는 화소 전극(191)을 형성하는데 하나의 마스크 만이 필요하다. 따라서 본 발명의 한 실시예에 따르면, 게이트선(121)을 형성하는데 소요되는 마스크, 개구부(144)를 형성하는데 소요되는 마스크, 소스 전극(193)을 포함하는 데이터선(171) 및 드레인 전극(195)을 포함하는 화소 전극(191)을 형성하는데 소요되는 마스크만이 필요하여, 총 3매의 마스크로 유기 박막 트랜지스터 표시판을 제조할 수 있다.
또한 상술한 바와 같이 데이터선(171)과 화소 전극(191)을 하나의 마스크로 형성하여 공정을 단순화하면서도, 데이터선(171)이 화소 전극(191)과 다른 식각 선택비를 가지는 저저항성 금속층을 더 포함함으로써 신호 지연을 줄일 수 있다.
또한, 유기 반도체와 직접 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극은 ITO와 같이유 기 반도체와 접촉 특성이 우수한 물질로 만듦으로서 유기 박막 트랜지스터의 특성을 개선할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
유기 박막 트랜지스터 제조시 사용되는 마스크 수를 줄여서 제조 비용을 줄이고 공정을 단순화할 수 있다. 또한 신호 지연을 방지하면서도 유기 박막 트랜지스터의 특성을 개선할 수 있다.
Claims (20)
- 기판 위에 형성되어 있는 게이트선,상기 게이트선 위에 형성되어 있으며 개구부를 가지는 층간 절연막,상기 개구부에 형성되어 있는 게이트 절연체,상기 층간 절연막 위에 형성되어 있으며 투명 도전성 산화물을 포함하는 제1 도전층 및 금속을 포함하는 제2 도전층을 포함하는 데이터선,상기 데이터선과 연결되어 있으며 투명 도전성 산화물을 포함하는 소스 전극,상기 소스 전극과 마주하며 투명 도전성 산화물을 포함하는 드레인 전극,상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극, 그리고상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하는 유기 반도체을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제1항에서,상기 투명 도전성 산화물은 ITO 또는 IZO인 박막 트랜지스터 표시판.
- 제2항에서,상기 금속은 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 크롬(Cr), 크롬 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄 합금, 구리(Cu), 구리 합금, 은(Ag), 은 합금에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제1항에서,상기 개구부는 제1 개구부 및 상기 제1 개구부보다 큰 제2 개구부를 포함하고,상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부에는 각각 상기 게이트 절연체 및 상기 유기 반도체가 형성되어 있는박막 트랜지스터 표시판.
- 제1항에서,상기 유기 반도체를 덮는 보호 부재를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
- 기판 위에 형성되어 있으며 게이트 전극을 포함하는 게이트선,상기 게이트선과 교차하며 제1 도전층 및 제2 도전층을 포함하는 데이터선,상기 데이터선과 연결되어 있는 소스 전극,상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극을 포함하는 화소 전극, 그리고상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하는 유기 반도체를 포함하며,상기 데이터선의 제1 도전층, 상기 소스 전극 및 상기 화소 전극은 동일한 물질을 포함하는박막 트랜지스터 표시판.
- 제6항에서,상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층은 식각 선택비가 다른 물질을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제6항에서,상기 데이터선의 제1 도전층, 상기 소스 전극 및 상기 화소 전극은 투명 도전성 산화물을 포함하고,상기 제2 도전층은 금속을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제6항에서,상기 게이트선 및 상기 데이터선 사이에 형성되어 있는 층간 절연막을 더 포함하고,상기 층간 절연막은 제1 개구부 및 상기 제1 개구부보다 면적이 큰 제2 개구부를 가지는박막 트랜지스터 표시판.
- 제9항에서,상기 제1 개구부에 형성되어 있으며 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉되어 있는 게이트 절연체를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
- 기판 위에 게이트선을 형성하는 단계,상기 게이트선을 포함한 기판 전면에 층간 절연막을 형성하는 단계,상기 층간 절연막에 개구부를 형성하는 단계,상기 개구부에 게이트 절연체를 형성하는 단계,상기 층간 절연막 및 상기 게이트 절연체 위에 투명 도전성 산화물을 포함하는 제1 도전층 및 금속을 포함하는 제2 도전층을 차례로 적층하는 단계,상기 제2 도전층 및 상기 제1 도전층을 차례로 사진 식각하여 데이터선과 이와 분리되어 있는 도전 부재를 형성하는 단계,상기 데이터선의 일부 및 상기 도전 부재의 상기 제2 도전층을 제거하여 드레인 전극을 포함하는 화소 전극 및 소스 전극을 형성하는 단계, 그리고상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하는 유기 반도체를 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제11항에서,상기 개구부를 형성하는 단계는상기 층간 절연막을 차광 영역, 투광 영역 및 반투광 영역을 가지는 마스크 를 사용하여 노광하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제11항에서,상기 데이터선 및 도전 부재를 형성하는 단계와 상기 화소 전극 및 소스 전극을 형성하는 단계는 하나의 마스크를 사용하여 수행하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제13항에서,상기 마스크는 차광 영역, 투광 영역 및 반투광 영역을 가지는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제14항에서,상기 데이터선 및 도전 부재를 형성하는 단계는상기 제2 도전층 위에 감광막을 형성하는 단계,상기 마스크를 사용하여 상기 감광막을 노광하여 제1 감광 부재 및 상기 제1 감광 부재보다 얇은 제2 감광 부재를 형성하는 단계, 그리고상기 제1 감광 부재와 상기 제2 감광 부재를 사용하여 상기 제2 도전층 및 제1 도전층을 식각하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제15항에서,상기 화소 전극 및 상기 소스 전극을 형성하는 단계는상기 제2 감광 부재를 제거하는 단계, 그리고상기 제1 감광 부재를 사용하여 상기 도전 부재의 상기 제2 도전층을 식각하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제11항에서,상기 게이트 절연체를 형성하는 단계 및 상기 유기 반도체를 형성하는 단계 중 적어도 하나는 잉크젯 인쇄 방법으로 수행하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 기판 위에 게이트선을 형성하는 단계,상기 게이트선 위에 개구부를 가지는 층간 절연막을 형성하는 단계,상기 개구부에 게이트 절연체를 형성하는 단계,상기 층간 절연막 위에 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 드레인 전극을 포함하는 화소 전극을 형성하는 단계, 그리고상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 위에 유기 반도체를 형성하는 단계를 포함하며,상기 게이트선은 제1 마스크를 사용하여 형성하고,상기 층간 절연막은 제2 마스크를 사용하여 형성하고,상기 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 상기 드레인 전극을 포함하는 화소 전극은 제3 마스크를 사용하여 형성하는박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제18항에서,상기 게이트 절연체를 형성하는 단계 및 상기 유기 반도체를 형성하는 단계 중 적어도 하나는 잉크젯 인쇄 방법으로 수행하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제18항에서,상기 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 드레인 전극을 포함하는 화소 전극을 형성하는 단계는식각 선택비가 다른 제1 도전층 및 제2 도전층을 차례로 적층하는 단계,상기 제2 도전층 및 상기 제1 도전층을 차례로 식각하여 상기 게이트 절연체의 일부를 드러내는 단계, 그리고상기 제2 도전층을 부분적으로 식각하는 단계를 포함하고,상기 제2 도전층을 부분적으로 식각하는 단계에서 상기 제2 도전층이 남아있는 부분은 데이터선이고 상기 제2 도전층이 제거된 부분은 소스 전극, 드레인 전극 및 화소 전극인박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060064700A KR101197059B1 (ko) | 2006-07-11 | 2006-07-11 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| US11/764,560 US7719009B2 (en) | 2006-07-11 | 2007-06-18 | Thin film transistor array panel and method of manufacture |
| US12/753,615 US8399311B2 (en) | 2006-07-11 | 2010-04-02 | Thin film transistor array panel and method of manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060064700A KR101197059B1 (ko) | 2006-07-11 | 2006-07-11 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080006048A KR20080006048A (ko) | 2008-01-16 |
| KR101197059B1 true KR101197059B1 (ko) | 2012-11-06 |
Family
ID=38948344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060064700A KR101197059B1 (ko) | 2006-07-11 | 2006-07-11 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7719009B2 (ko) |
| KR (1) | KR101197059B1 (ko) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070017762A (ko) * | 2005-08-08 | 2007-02-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 식각액 조성물, 이를 이용한 도전막의 패터닝 방법 및평판표시장치의 제조 방법 |
| KR101244898B1 (ko) | 2006-06-28 | 2013-03-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| US8461582B2 (en) | 2009-03-05 | 2013-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| TWI402593B (zh) * | 2010-12-30 | 2013-07-21 | Ind Tech Res Inst | 畫素陣列的製作方法 |
| US20140034952A1 (en) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. | Liquid Crystal Display Device, Array Substrate and Manufacturing Method Thereof |
| KR20150061256A (ko) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 화소 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 포함하는 표시기판 및 그 제조방법 |
| KR20160086487A (ko) * | 2015-01-09 | 2016-07-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 터치 패널 및 플렉서블 표시 장치 |
| KR102555392B1 (ko) | 2016-03-18 | 2023-07-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20180027703A (ko) * | 2016-09-06 | 2018-03-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006114862A (ja) | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Samsung Electronics Co Ltd | 有機半導体を利用した薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000269504A (ja) | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置 |
| TW200413803A (en) | 2003-01-30 | 2004-08-01 | Ind Tech Res Inst | Organic transistor array substrate and its manufacturing method, and LCD including the organic transistor array substrate |
| JP2004302192A (ja) | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 調光体及び合わせガラス |
| JP4408030B2 (ja) | 2003-07-16 | 2010-02-03 | シャープ株式会社 | トランジスタ、表示装置、トランジスタの製造方法、および、表示装置の製造方法 |
| KR100973811B1 (ko) | 2003-08-28 | 2010-08-03 | 삼성전자주식회사 | 유기 반도체를 사용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법 |
| JP4444694B2 (ja) | 2004-03-03 | 2010-03-31 | 株式会社リコー | 液晶表示素子 |
| JP2005277065A (ja) | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Pioneer Electronic Corp | 回路素子およびその製造方法 |
| JP4385812B2 (ja) | 2004-03-26 | 2009-12-16 | 株式会社日立製作所 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| KR100635064B1 (ko) | 2004-05-03 | 2006-10-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법 |
| KR100675639B1 (ko) | 2004-08-30 | 2007-02-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 박막트랜지스터 및 액정표시소자의 제조방법 |
| KR100691319B1 (ko) | 2004-09-15 | 2007-03-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
| KR101058458B1 (ko) | 2004-09-22 | 2011-08-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 저분자 유기 반도체물질을 이용한 액정표시장치용 어레이기판 및 그의 제조 방법 |
| KR101085132B1 (ko) | 2004-12-24 | 2011-11-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101066492B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2011-09-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| JP2006190757A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機半導体層の形成方法および有機薄膜トランジスタの製造方法 |
| KR101219035B1 (ko) * | 2005-05-03 | 2013-01-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| KR101133767B1 (ko) * | 2005-03-09 | 2012-04-09 | 삼성전자주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| KR101240653B1 (ko) | 2006-04-26 | 2013-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| KR101261605B1 (ko) * | 2006-07-12 | 2013-05-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
-
2006
- 2006-07-11 KR KR1020060064700A patent/KR101197059B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-06-18 US US11/764,560 patent/US7719009B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-04-02 US US12/753,615 patent/US8399311B2/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006114862A (ja) | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Samsung Electronics Co Ltd | 有機半導体を利用した薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8399311B2 (en) | 2013-03-19 |
| US20100197074A1 (en) | 2010-08-05 |
| US7719009B2 (en) | 2010-05-18 |
| US20080012011A1 (en) | 2008-01-17 |
| KR20080006048A (ko) | 2008-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101261605B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR101415560B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR101197059B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR101197053B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR101326129B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR101261608B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR101187205B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR20070052067A (ko) | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR20070014579A (ko) | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR20060104092A (ko) | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR20070063300A (ko) | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR101393636B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법 | |
| KR20080026957A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 | |
| KR101240654B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR101061845B1 (ko) | 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법 | |
| KR101251997B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR20080013300A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR101240653B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR20070052505A (ko) | 잉크젯 프린팅 시스템 및 이를 이용한 유기 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법 | |
| KR101189274B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR20080006876A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 | |
| KR20070096609A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR20080026989A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR20080044436A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR20070101030A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150930 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170928 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181001 Year of fee payment: 7 |