KR100883769B1 - 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
상기 데이터 배선은 구리(Cu) 또는 구리/몰리합금(Cu/Mo-alloy)층으로 구성된다.
또한, 본 발명은 기판 상에 몰리합금(Mo-alloy)층과 구리(Cu)를 순차적으로 증착하고 패턴하여, 일 방향으로 연장된 게이트 배선과 이에 연결된 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 상기 게이트 전극이 형성된 상기 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극 상부의 상기 게이트 절연막 상에 액티브층과 오믹 콘택층을 적층하는 단계와; 상기 오믹 콘택층 상에 소정간격 이격된 소스 전극과 드레인 전극과, 상기 게이트 배선과 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막 상에 형성되며 상기 게이트배선과 중첩하는 섬형상의 금속패턴을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극이 형성된 상기 기판의 전면에 상기 드레인 전극과 상기 금속패턴의 일부를 노출하는 보호막을 형성하는 단계와; 상기 노출된 드레인 전극 및 상기 금속패턴과 접촉하면서 상기 화소영역에 위치하는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 액티브층, 상기 오믹 콘택층, 상기 소스 및 드레인전극은 일괄 식각되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법을 제공한다.
상기 보호막은 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹과 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나로 형성되며, 상기 데이터 배선과 소스 및 드레인 전극은 구리 또는 구리/몰리합금(Cu/Mo-alloy)층으로 형성된다.
또한, 상기 몰리합금은 몰리브덴과 텅스텐(W), 네오디뮴(Nd), 니오브(Nb)를 포함하는 합금가능한 금속그룹 중 선택된 하나로 합금되며, 상기 화소전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속그룹 중 선택된 하나로 형성한다.
Claims (7)
- 기판 상에 몰리합금(Mo-alloy)층과 구리(Cu)가 순차적으로 증착되어 패턴된 게이트 전극과, 게이트 배선과;상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 상에 위치한 액티브층과 오믹 콘택층과;상기 오믹 콘택층의 일측에 걸쳐 구성되며, 소스 전극과 이와는 소정간격 이격된 드레인 전극과, 소스 전극과 연결되며 상기 게이트 배선과 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과;상기 게이트 절연막 상에 형성되며 상기 게이트배선과 중첩하는 섬형상의 금속패턴과;상기 소스 및 드레인 전극과 상기 데이터 배선 그리고 상기 금속패턴의 상부에 구성되고, 상기 드레인 전극과 상기 금속패턴의 일부를 노출하는 보호막과;상기 보호막 상부에 형성되며, 상기 노출된 드레인 전극 및 상기 금속패턴과 접촉하면서 상기 화소영역에 위치하는 투명한 화소전극을 포함하며, 상기 소스 및 드레인전극은 구리(Cu) 또는 구리/몰리합금(Cu/Mo-alloy)층으로 구성되고, 상기 섬형상의 금속패턴을 제 1 전극으로, 상기 섬형상의 금속패턴과 중첩하는 게이트 배선 부분을 제 2 전극으로, 상기 제 1 및 제 2 전극 사이에는 게이트 절연막만이 개재되어 유전체층 역할을 하여 스토리지 캐패시터를 구성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 데이터 배선은 구리(Cu) 또는 구리/몰리합금(Cu/Mo-alloy)층으로 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
- 기판 상에 몰리합금(Mo-alloy)층과 구리(Cu)를 순차적으로 증착하고 패턴하여, 일 방향으로 연장된 게이트 배선과 이에 연결된 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 배선과 상기 게이트 전극이 형성된 상기 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극 상부의 상기 게이트 절연막 상에 액티브층과 오믹 콘택층을 적층하는 단계와;상기 오믹 콘택층 상에 소정간격 이격된 소스 전극과 드레인 전극과, 상기 게이트 배선과 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선을 형성하는 단계와;상기 게이트 절연막 상에 형성되며 상기 게이트배선과 중첩하는 섬형상의 금속패턴을 형성하는 단계와;상기 소스 및 드레인 전극이 형성된 상기 기판의 전면에 상기 드레인 전극과 상기 금속패턴의 일부를 노출하는 보호막을 형성하는 단계와;상기 보호막 상부에 형성되며, 상기 노출된 드레인 전극 및 상기 금속패턴과 접촉하면서 상기 화소영역에 위치하는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 액티브층, 상기 오믹 콘택층, 상기 소스 및 드레인전극은 일괄 식각되고, 상기 섬형상의 금속패턴을 제 1 전극으로, 상기 섬형상의 금속패턴과 중첩하는 게이트 배선 부분을 제 2 전극으로, 상기 제 1 및 제 2 전극 사이에는 게이트 절연막만이 개재되어 유전체층 역할을 하여 스토리지 캐패시터를 구성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 보호막은 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹과 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나로 형성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 데이터 배선과 소스 및 드레인 전극은 구리 또는 구리/몰리합금(Cu/Mo-alloy)층으로 형성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 몰리합금은 몰리브덴과 텅스텐(W), 네오디뮴(Nd), 니오브(Nb)를 포함하는 합금가능한 금속그룹 중 선택된 하나로 합금한 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 화소전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속그룹 중 선택된 하나로 형성한 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
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