JP4011664B2

JP4011664B2 - 配線基板の製造方法

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Publication number: JP4011664B2
Application number: JP02076497A
Authority: JP
Inventors: 誠亀山; 淳理石倉; 俊明吉川
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Priority date: 1997-02-03
Filing date: 1997-02-03
Publication date: 2007-11-21
Anticipated expiration: 2017-02-03
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板の製造方法に関し、特に配線基板の補助電極の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ＴＮ（ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）やＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ
ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）型等の液晶素子では、透光性基材の一例であるガラス基板上に形成される透明電極としてＩＴＯ（ＩｎｄｉａｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）膜が一般に用いられるが、この透明電極を構成するＩＴＯ膜は抵抗値が高いため、最近のように表示面積の大型化、高精細化に伴って印加される電圧波形の遅延が問題になってきた。
【０００３】
特に、強誘電性液晶を用いた液晶素子ではセルギャップが１〜３μｍとより狭いため、電圧波形の遅延が顕著であった。ここで、この抵抗値を低くするために透明電極を厚く形成することも考えられるが、膜厚を厚くすると成膜に時間を要し、且つコストもかかり、更に透明性も悪くなる等の欠点があった。
【０００４】
そこで、このような欠点を解決するために、例えば、特開平２−６３０１９号公報に示されるもののように、膜厚の薄い透明電極に併設して低抵抗値の金属配線を形成する構成の配線基板が提案されている。ここで、この公報に開示されている配線基板は、金属配線を透明な絶縁物で埋め込み、表面に金属パターンを露出した金属配線上にＩＴＯ膜等の透明電極を形成したものである。
【０００５】
ところで、上述したような構成の配線基板を作製する場合、金属配線間を埋めて平坦化する絶縁物として、例えば特開平６−３４７８１０号公報に示されるもののように透明な樹脂を用いる構成の配線基板が提案されている。
【０００６】
次に、このような低抵抗率の金属配線を備えた配線基板を製造する方法の一例を図７を用いて説明する。
【０００７】
まず、同図（ａ）に示すように透明な平滑板１０１の表面上に、ＵＶ（紫外線）硬化樹脂１０２をディスペンサ等の定量化治具１０８で所定量滴下する。次に、（ｂ）に示すようにＵＶ硬化樹脂１０２が滴下された平滑板１０１上に、予め１μｍ程度の膜厚からなる金属配線１０３が形成されたガラス基板１０４を金属配線１０３を平滑板１０１に向けてＵＶ硬化樹脂１０２を挟むように接触させる。なお、この金属配線１０３は、例えばスパッター法等によってガラス基板１０４上に銅等の金属膜層を形成した後、フォトリソ法等によってパターンニングして形成されたものである。
【０００８】
次に、（ｃ）に示すように平滑板１０１とガラス基板１０４とでＵＶ硬化樹脂１０２を挟んだ一体物１００Ａを、（ｄ）に示すようにプレス機１０５内に入れて平滑板１０１とガラス基板１０４とを密着させる。この時、後の工程でＩＴＯ膜等の透明電極と金属配線１０３とが接して導通性を保つようにするため、ＵＶ硬化樹脂１０２を金属配線１０３の表面上から除去するか、又は極薄く樹脂が残るように、（ｅ）に示す矢印方向にようにプレス機１０５によりさらに圧力を加えて平滑板１０１とガラス基板１０４とを強く、且つ基板全面に均一に密着させる。
【０００９】
次に、一体物１００Ａをプレス機１０５から取り外し、この後ＵＶ硬化樹脂１０２を硬化させるため、（ｆ）に示すように平滑板１０１側からＵＶ（紫外線）光１０６を照射してＵＶ硬化樹脂１０２を硬化させる。
【００１０】
次に、離型治具（図示省略）により（ｇ）の矢印に示すように平滑板１０１から、硬化したＵＶ硬化樹脂１０２と一体となったガラス基板１０４を剥離する。そして、この平滑板１０１からの剥離により、（ｈ）に示すような状態となったガラス基板１０４のＵＶ硬化樹脂１０２上に、（ｉ）に示すように金属配線１０３と電気的に接するようにしてＩＴＯ膜からなる透明電極１０７を形成し、ＵＶ硬化樹脂１０２を埋め込んだ配線基板１００を得ていた。
【００１１】
ところで、上述した従来の製造方法によって製造される配線基板１００では、金属配線１０３の金属として、体積抵抗値が２〜１０×１０^-8Ωｍと小さいＣｕ（銅）が一般的に用いられている。そして、銅で形成した金属配線１０３は、他の金属を用いた場合に較べて膜厚を薄く設定でき、且つ材料費が安価なことから最も経済的である。
【００１２】
しかしながら、銅を用いた場合、銅で形成された金属配線１０３はガラス基板１０４との密着力が小さいために、図７（ｇ）に示した離型工程において、平滑板１０１からガラス基板１０４を剥離する際、ガラス基板１０４から金属配線１０３が剥離するおそれがあり、これにより得られる配線基板１００の歩留りが大幅に低下するという欠点があった。
【００１３】
また、銅は酸化しやすい金属であり、図７（ｉ）に示した工程でＩＴＯ膜等の透明電極１０７を金属配線１０３上に形成する際、銅の表面酸化により透明電極１０７と金属配線１０３との安定した電気的導通が得られなくなるという欠点があった。
【００１４】
そこで、このような欠点を解決するために、金属配線１０３を、ガラス基板１０４と密着性の良い金属からなる下地密着層と、この下地密着層上に形成された低抵抗の金属からなる低抵抗層と、この低抵抗層上に形成され、低抵抗層の酸化を防止する金属からなる保護層とを順に形成して多層構造とした配線基板が提案されている。
【００１５】
図８の（ａ）は、このような構成の配線基板を示すものであり、多層金属配線１０３Ａを形成する下地密着層１１０は、例えばＴｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａl 、Ｔａ、Ｎｉ等の基板との密着性の良い金属、あるいはそれらの合金で形成されている。また、低抵抗層１１１は、例えば銅（Ｃｕ）からなる薄膜であり、また保護層１１２は、例えばＭｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｎｉあるいはそれらの合金からなる酸化防止薄膜からそれぞれ構成されている。なお、図５（ｂ）はカラーフィルタ１１３上に該多層金属配線が形成された例である。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このような従来の配線基板において、液晶素子の高画質、高開口率化の要求に応えるために、配線幅を狭くし、高精細な配線パターンを得る目的でフォトエッチング加工を施した場合、図９に示すように、保護層１１２として低抵抗層１１１上に形成した薄膜が、ひさし状にバリＢとして残ってしまい、これによりエッチング加工精度を低下させ、結果的に加工歩留りを低くしてしまうという問題点があった。
【００１７】
そこで本発明は、このような従来の問題点を解決するためになされたものであり、高精細な配線パターンを形成することのできる配線基板の製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、透光性基材の表面にパターン形成された補助電極と、前記補助電極の表面に形成された主電極とを有する配線基板の製造方法において、前記透光性基材の表面に該透光性基材との接着性の良い金属からなる下地層を形成する工程と、前記下地層の表面に低抵抗の金属からなる低抵抗層を形成する工程と、前記低抵抗層の表面に該低抵抗層を保護する保護層を形成する工程と、前記保護層の表面にエッチング精度向上層を形成する工程と、前記下地層、低抵抗層、保護層及びエッチング精度向上層を前記補助電極のパターンにエッチングする工程と、前記エッチングの後、前記エッチング精度向上層を除去する工程と、により前記補助電極を形成することを特徴とするものである。
【００２５】
また本発明は、前記エッチング精度向上層を１００Å〜５００Åの厚さ範囲で形成することを特徴とするものである。
【００２６】
また本発明は、前記下地層をＭｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれかで形成したことを特徴とするものである。
【００２７】
また本発明は、前記保護層をＭｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれかで形成したことを特徴とするものである。
【００２８】
また本発明は、前記下地層及び前記保護層をＮｉＭｏ合金で形成したことを特徴とするものである。
【００２９】
また本発明は、前記低抵抗層及びエッチング精度向上層をＣｕあるいはその合金で形成したことを特徴とするものである。
【００３０】
また本発明は、前記エッチング精度向上層を除去する工程を、前記補助電極のパターンをパターニングしたエッチングレジストの剥離工程と同時に行うことを特徴とするものである。
【００３１】
また本発明は、前記保護層を形成する工程と、前記エッチング精度向上層を形成する工程との間に、該保護層及びエッチング精度向上層を形成する金属又は合金の混合材料によってミキシング層を形成する工程を設けたことを特徴とするものである。
【００３２】
また本発明は、前記ミキシング層を１００Å〜５００Åの厚さ範囲で形成することを特徴とするものである。
【００３３】
また本発明は、前記補助電極相互の間隙に高分子層を形成する工程を設けたことを特徴とするものである。
【００３８】
また本発明は、透光性基材と、該透光性基材上に設けられた第１電極と、該第１電極に設けられた第２電極とを有する配線基板の製造方法において、前記透光性基材上にＭｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれかからなる第１層を形成する工程と、前記第１層の上にＣｕあるいはその合金からなる第２層を形成する工程と、前記第２層の上にＭｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれかからなる第３層を形成する工程と、前記第３層の上にＣｕあるいはその合金からなる第４層を形成する工程と、前記第１層、第２層、第３層及び第４層を前記第１電極のパターンにエッチングする工程と、前記エッチングの後、前記第４層を除去する工程と、により前記第１電極を形成することを特徴とするものである。
【００３９】
また本発明は、前記第３層を形成する工程と、前記第４層を形成する工程との間に、該第３層及び第４層を形成する金属又は合金の混合材料によってミキシング層を形成する工程を設けたことを特徴とするものである。
【００４０】
また本発明は、前記第４層を除去する工程を、前記第１電極のパターンをパターニングしたエッチングレジストの剥離工程と同時に行うことを特徴とするものである。
【００４１】
また本発明は、前記補助電極相互の間隙に高分子層を形成する工程を設けたことを特徴とするものである。
【００４３】
また本発明のように、透光性基材の表面に順に透光性基材との接着性の良い金属からなる下地層と、低抵抗の金属からなる低抵抗層と、低抵抗層を保護する保護層と、エッチング精度向上層とを形成した後、エッチング及びエッチング精度向上層の除去を行うことにより、高精細な配線パターンを有する補助電極を形成するようにする。
【００４４】
また本発明のように、透光性基材の表面に該透光性基材との接着性の良い金属からなる下地層を形成する工程と、下地層の表面に低抵抗の金属からなる低抵抗層を形成する工程と、低抵抗層の表面に低抵抗層を保護する保護層を形成する工程と、補助電極のパターンにエッチングする工程の他に、保護層の表面にエッチング精度向上層を形成する工程と、エッチングの後、エッチング精度向上層を除去する工程とを設けることにより、高精細な配線パターンを有する補助電極を形成するようにする。
【００４５】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
【００４６】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る配線基板を用いた液晶素子の構造を示す断面図であり、同図において、１は液晶素子、２は配線基板、３は液晶、４はシール材、５はスペーサである。ここで、この配線基板２は、透光性基材であるガラス基板６と、主電極（第２電極）である透明電極７と、多層の補助電極（第１電極）である多層金属電極１０と、高分子材料である紫外線硬化型樹脂で形成され、多層金属電極１０間を絶縁する絶縁層（高分子層）１１とを有したものである。なお、この配線基板２には絶縁膜８及び配向膜９が形成されている。
【００４７】
ところで、この配線基板２の多層金属電極１０は、図２に示すように、ガラス基板６上の全面に成膜されたガラス基板６との密着性のよい、例えばＮｉＭｏ合金よりなる下地層（第１層）１２と、この下地層１２の上に成膜された低抵抗のＣｕ（銅）よりなる低抵抗層（第２層）１３と、この低抵抗層１３の上に成膜された酸化防止膜として機能する、例えばＮｉＭｏ合金よりなる保護層（第３層）１４とからなるものである。
【００４８】
次に、このような構成の多層金属電極１０を備えた配線基板２の製造方法を図３、図４を用いて説明する。
【００４９】
まず、図３の（ａ）に示すように、例えば寸法３００×３１０mmで厚さ１．１mmの両面研磨された透明なガラス基板６上の全面に、例えばスパッタ法によりガラス基板６との密着性のよい、ＮｉＭｏ（ニッケルモリブデン合金Ｍｏ含有率８．３ａｔ％）を５００Å程度の膜厚で成膜して下地層１２を形成する。
【００５０】
次に、（ｂ）に示すように、この下地層形成工程にて形成された下地層１２の上に、例えばスパッタ法により低抵抗のＣｕ（銅）を１μm 程度の膜厚で成膜して低抵抗層１３を形成し、この後、（ｃ）に示すように、この低抵抗層形成工程にて形成された低抵抗層１３の上に、例えばスパッタ法により酸化防止膜として機能するＮｉＭｏ（ニッケルモリブデン合金Ｍｏ含有率８．３ａｔ％）を５００Å程度の膜厚で成膜して保護層１４を形成する。
【００５１】
ところで、本実施の形態においては、この後のエッチング工程の前に、配線パターンの高精細化が可能となるよう（ｄ）に示すように、保護層形成工程にて形成された保護層１４の上に、例えばスパッタ法により第２層目の低抵抗層１３で用いた金属と同一のＣｕ（銅）を１００〜５００Åの厚さ範囲でエッチング精度向上層（第４層）１５を形成するようにしている。
【００５２】
そして、このようにエッチング精度向上層形成工程にて形成されたエッチング精度向上層１５の上に、例えばフォトリソグラフィー法及びスピンコート法によってフォトレジストを１μｍ程度の膜厚で全面塗布する。
【００５３】
次に、このようにフォトレジストが塗布されたガラス基板６をプリベータした後、所望パターンのフォトマスク（図示省略）を用いて露光装置（例えば、キヤノン（株）社製、商品名；ＭＰＡ−１５００）により露光する。そして、この後、現像液により現像を行った後、ポストベーク工程を経て、図４の（ａ）に示すようにレジストパターン１６を形成する。
【００５４】
次に、塩化第２鉄を主成分とする水溶液からなるエッチング液によりエッチング処理を施すことによりガラス基板６上に、（ｂ）に示すような例えば幅６μｍでピッチ３２０μｍのストライプ形状の高精細パターンをパターンニングする。ここで、この時形成された多層金属配線１０には、保護層１４によるひさし状のバリは観測されず、高精度でシャープなパターンが得られた。
【００５５】
次に、このエッチング工程の後、レジスト剥離液（長瀬電子化学社製の商品名：Ｎ−３２０）を用い液温設定３０°Ｃ、液スプレー圧０．８〜１．０kg／cm² 、基板搬送スピード４５０mm／min 、の条件でスプレー剥離する。この工程でレジスト１６及びＣｕ（銅）からなるエッチング精度向上層１５を同時に除去することができ、その結果として、（ｃ）に示すようにガラス基板６上に下地層１２、低抵抗層１３、保護層１４が順次形成された高精細な３層金属配線パターンが形成された配線基板２を得ることができる。
【００５６】
なお、このようにして形成された配線基板２を備えた液晶素子の製造方法について次に説明すると、まず平滑板の表面に、ＵＶ（紫外線）硬化樹脂（例えばペンタエリスリトールトリファリレート５０重量部材、ネオベンチルグリコールジアクリレート５０重量部、１−ヒドロキシンクロヘキシルフェニルケトン２重量部からなる樹脂）を滴下する（図７の（ａ）参照）。
【００５７】
次に、多層金属電極１０が形成された配線基板２と、ＵＶ硬化樹脂を挟むようにして一体化する（図７の（ｂ）、（ｃ）参照）。そして、この後、プレス工程、ＵＶ露光工程、離型工程を経て、金属配線間がＵＶ硬化樹脂１１で埋め込まれ、全面にわたって平坦な配線基板２を形成する（図７の（ｈ）参照）。
【００５８】
そして、最後に多層金属配線１０と電気的に接するように配線パターンに合せて、例えば幅３００μｍのＩＴＯ膜からなる透明電極７をスパッタ形成してパターンニングし、図２に示すような配線基板２を形成する。
【００５９】
このように、エッチング工程の前に保護層１４の上にエッチング精度向上層１５を形成することにより、配線パターンの高精細化が可能となる。
【００６０】
なお、本実施の形態においては、下地層１２として、ＮｉＭｏ合金を用いたが、ガラス基板６との密着性が強い、例えばＴｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａl 、Ｔａ、Ｎｉ等の金属、あるいはそれらの合金からなる薄膜が好適に用いられる。また、保護層１４としてＮｉＭｏ合金を用いたが、例えばＭｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｎｉ等の高融点金属、あるいはそれらの合金からなる酸化防止膜として機能する薄膜を好適に用いることができる。
【００６１】
さらに、レジスト剥離工程で、レジスト及びエッチング精度向上層１５を同時に除去したが、レジスト剥離工程後に、塩化第２銅水溶液にて、Ｃｕ（銅）からなるエッチング精度向上層１５を除去してもパターンニング精度を損なうことはない。
【００６２】
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
【００６３】
図５は、本実施の形態に係る配線基板の製造方法を模式的に示したものである。
【００６４】
本実施の形態では、まず例えば寸法３００×３１０mmで厚さ１．１mmの両面研磨された透明なガラス基板６上に、スパッタ法によりガラス基板６との密着性のよい金属（例えばＮｉＭｏ合金）を５００Å程度の膜厚で成膜して下地層１２を形成する（図３の（ａ）参照）。
【００６５】
次に、この下地層１２の上に低抵抗なＣｕ（銅）を１μｍ程度の膜厚で成膜して低抵抗層１３を形成する（図３の（ｂ）参照）。この後、この低抵抗層１３の上に酸化防止層として金属（例えばＮｉＭｏ合金）を５００Å程度の膜厚で保護層１４を形成する（図３の（ｃ）参照）。
【００６６】
そして、この後、本実施の形態においては、保護層１４の上に、保護層１４の金属（例えばＮｉＭｏ合金）と、第１の実施の形態において述べたエッチング精度向上層１５の金属（例えばＣｕ）とを、例えばスパッタ法により同時にスパッタリングを行い、図５の（ａ）に示すように２００Å程度の膜厚でミキシング層１８を成膜する。
【００６７】
次に、このミキシング層１８上に、例えばスパッタ法によりエッチング精度向上層として図５の（ｂ）に示すように低抵抗層１３で用いた金属（例えばＣｕ）を１００〜５００Åの膜厚で成膜し、エッチング精度向上層１５を形成する。
【００６８】
その後、第１の実施の形態と同様の工程を経て、図５の（ｃ）に示すように多層金属配線パターンを形成する。ここで、この多層金属配線１０Ａの表面は、主として保護層１４の金属（例えばＮｉＭｏ）で形成されているが、ミキシング層１８を形成した効果により、エッチング精度向上層１５及びミキシング層１８が、レジスト剥離工程でそれぞれ除去された際に、表面粗さが２００Å程度に粗化された粗面化表面１９を得ることができる。
【００６９】
なお、図６は、この表面を表面形状測定器（α−ｓｔｅｐ）で測定した結果を示すものであり、この場合も、第１の実施の形態同様、保護層１４のひさし状のバリは発生せず高精度な高精細配線パターンを得ることができた。
【００７０】
次に、第１の実施の形態と同様にして、この多層金属配線１０ＡをＵＶ硬化樹脂１１で埋め込み、金属配線上に透明電極７を形成して図５の（ｄ）に示す配線基板２を得た。
【００７１】
このように、本実施の形態では、第１の実施の形態で得られる効果以外に、金属配線表面１９が２００Å程度粗面化したことにより、透明電極７との接触界面の実質的接触面積が増大する。これにより、より安定な電気的導通性を得られる効果があり、多層金属配線１０Ａと透明電極７との導通チェック工程での歩留りが大幅に向上した。
【００７２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、透光性基材の表面に順に透光性基材との接着性の良い金属からなる下地層と、低抵抗の金属からなる低抵抗層と、低抵抗層を保護する保護層と、エッチング精度向上層とを形成した後、エッチング及びエッチング精度向上層の除去を行うことにより、バリのない高精細な配線パターンを有する補助電極を形成することができる。これにより、高加工歩留りで配線基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板を用いた液晶素子の構造を示す断面図。
【図２】上記配線基板の多層金属電極の構造を示す図。
【図３】上記配線基板の製造方法の一部を説明する図。
【図４】上記配線基板の製造方法の他の一部を説明する図。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明する図。
【図６】上記第２の実施の形態に係る製造方法にて形成された配線基板の表面粗さの測定結果を示す図。
【図７】従来の配線基板の製造方法を説明する図。
【図８】従来の配線基板の多層金属電極の構造を示す図。
【図９】従来の問題点を説明する図。
【符号の説明】
１液晶素子
２配線基板
３液晶
６ガラス基板
７透明電極
１０，１０Ａ多層金属電極
１２下地層
１３，１１１低抵抗層
１４．１１２保護層
１５エッチング精度向上層
１８ミキシング層

Claims

透光性基材の表面にパターン形成された補助電極と、前記補助電極の表面に形成された主電極とを有する配線基板の製造方法において、
前記透光性基材の表面に該透光性基材との接着性の良い金属からなる下地層を形成する工程と、
前記下地層の表面に低抵抗の金属からなる低抵抗層を形成する工程と、
前記低抵抗層の表面に該低抵抗層を保護する保護層を形成する工程と、
前記保護層の表面にエッチング精度向上層を形成する工程と、
前記下地層、低抵抗層、保護層及びエッチング精度向上層を前記補助電極のパターンにエッチングする工程と、
前記エッチングの後、前記エッチング精度向上層を除去する工程と、
により前記補助電極を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
前記エッチング精度向上層を１００Å〜５００Åの厚さ範囲で形成することを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
前記下地層をＭｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれかで形成したことを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板の製造方法。
前記保護層をＭｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれかで形成したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
前記下地層及び前記保護層をＮｉＭｏ合金で形成したことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
前記低抵抗層及びエッチング精度向上層をＣｕあるいはその合金で形成したことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか記載の配線基板の製造方法。
前記エッチング精度向上層を除去する工程を、前記補助電極のパターンをパターニングしたエッチングレジストの剥離工程と同時に行うことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか記載の配線基板の製造方法。
前記保護層を形成する工程と、前記エッチング精度向上層を形成する工程との間に、該保護層及びエッチング精度向上層を形成する金属又は合金の混合材料によってミキシング層を形成する工程を設けたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか記載の配線基板の製造方法。
前記ミキシング層を１００Å〜５００Åの厚さ範囲で形成することを特徴とする請求項８記載の配線基板の製造方法。
前記補助電極相互の間隙に高分子層を形成する工程を設けたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
透光性基材と、該透光性基材上に設けられた第１電極と、該第１電極に設けられた第２電極とを有する配線基板の製造方法において、
前記透光性基材上にＭｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれかからなる第１層を形成する工程と、
前記第１層の上にＣｕあるいはその合金からなる第２層を形成する工程と、
前記第２層の上にＭｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれかからなる第３層を形成する工程と、
前記第３層の上にＣｕあるいはその合金からなる第４層を形成する工程と、
前記第１層、第２層、第３層及び第４層を前記第１電極のパターンにエッチングする工程と、
前記エッチングの後、前記第４層を除去する工程と、
により前記第１電極を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
前記第４層を１００Å〜５００Åの厚さ範囲で形成することを特徴とする請求項１１記載の配線基板の製造方法。
前記第３層を形成する工程と、前記第４層を形成する工程との間に、該第３層及び第４層を形成する金属又は合金の混合材料によってミキシング層を形成する工程を設けたことを特徴とする請求項１１又は１２記載の配線基板の製造方法。
前記ミキシング層を１００Å〜５００Åの厚さ範囲で形成することを特徴とする請求項１３記載の配線基板の製造方法。
前記第４層を除去する工程を、前記第１電極のパターンをパターニングしたエッチングレジストの剥離工程と同時に行うことを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか記載の配線基板の製造方法。
前記補助電極相互の間隙に高分子層を形成する工程を設けたことを特徴とする請求項１１乃至１５のいずれかに記載の配線基板の製造方法。