JPS63247753A

JPS63247753A - パタ−ン形成方法

Info

Publication number: JPS63247753A
Application number: JP62081646A
Authority: JP
Inventors: Toshiro Nagase; 俊郎長瀬; Ryuichi Kawase; 川瀬　龍一; Eizaburo Watanabe; 渡辺　英三郎
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1987-04-02
Filing date: 1987-04-02
Publication date: 1988-10-14

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、ポジ型フォトレジストのパターン形成方法に
関するものであり、電子デバイス製造プロセス、液晶デ
ィスプレイ用電極基板製造プロセス等に適用されるもの
である。

（従来の技術とその問題点）電子デバイス製造プロセス、液晶ディスプレイ用電極基
板製１Ａフセス等に於いもしばしばすでに形成されたパ
ターン上にさらに同一パターンを同粍、又は、異種の材
料で形成する工程が生じる。例を示せば、電子デバイス
に於いては、異種金属の組合わせによる多層電極を製造
する工程がある。この様な多層電極は、ショットキーダ
イオード、′３膜トランジスター等の半導体デバイスに
於いてしばしば用いられる。つまり、半導体と金属との
物理的性質から半導体と直接接触する金属材料は、特定
の金属（Δｌ、　Ｔｉ、　Ｃｒ、　Ｎｉ−Ｃｒ　、等）
が主に使用されるが、八１を除き抵抗が高いなめその」
二に、　ＡＩ、　Ｃｕ、等の低抵抗金属材料を形成する
事が行われる。また、プロセス上の問題により、先に下
部の電極を形成した後に他の工程を経た後、同種金属で
上部の電極を形成する事も行われる。

近年、これらのデバイスは、ガラス基板等の絶縁基板−
Ｆに形成され、薄膜フォトダイオードを用いたイメージ
センサ、薄膜トランジスターを用いた液晶ディスプレイ
用電極基板の製造が、増大している。

さらに、液晶ディスプレイ用電極基板に於いては、液晶
駆動線に、Ｃｒ、　Ｎｉ、　ＡＩ、等の金属電極が使用
される事も多い、この場合、金属電極端子部は、リード
線をハンダ付するため、ハンダ適性の良い４　Ｃｕ等の
金属が積層される。

従来、この様な既存パターン上に同一パターンを形成す
る場合、第２図、第３図に示す様な工程がとられる。即
ち、第２図［ａｌに示す様に、金属膜等よりなる既存パ
ターン■が形成された基材■上に第２層目となる膜■を
形成する。（第２図［ｂ１参照）次に、第２図ｒｃ１に
示す様に、フォトレ次に、現像を行い第２図［ｄｌに示
す様に、レジストパターン■を形成する。さらに、エツ
チング等により第２層目となる膜■をパターン化して既
存パターン上の同一パターンのを完成する。第３図は、
第２図に於いて、エツチング等により第２層目となる膜
■をパターン化する際に、エツチング性の難易の差によ
り既存パターン■にダメージを及ぼす恐れがある場合に
とられる別法である。第３図［ｂＪ示す様に、金属膜等
よりなる既存パターン■が形成された基材■上に第２層
目となる膜■を形成する。（第３図（ｂｌ参照）次に、
第３図［Ｃ１に示す様に、フォトレジスト■を塗布した
後。

既存パターン■のネガパターンを有するフォトマスク■
を用いて露光する９次に、現像を行い第２図［ｄｌに示
す様に、レジストパターン■を形成する。その後、第３
図ｔｅｌに示す様に第２層目となる膜■を成膜し、第３
図［「１の様にレジストパターン■を用いてリフトオフ
法により第２層目となる膜■をパターン化して既存パタ
ーン上の同一パターン■を完成する。　これらの様な製
造方法に於いては、第２図、第３図［ＣＩで示される様
な既存パターンと同−又は、そのネガパターンを有する
フォトマスクを用いて既存パターンと精密な位置合せを
行い露光を行わなければならない為、工程が非常に繁雑
となり、その為、歩留りが極端に悪くコスト低減の大き
な障害であった。

（問題を解決する具体的手段）本発明は、以上の様な従来法の欠点に鑑み、フォトマス
クを用いず、従って、位置合せの必要もなく簡便に歩留
り良く、基材より高反射率材料からなる既存パターン上
に精度良く該パターンのネガパターンを複製する方法に
関するものである。

さらに、具体的に述べれば、本発明は、ポジ型フォトレ
ジストに於いて基材の反射率の差により露光条件が異な
る事に着目したものであり、詳しく述べれば高反射率基
材上のフォトレジストは、より少ない露光時間（エネル
ギー）で十分露光可能であり、従って、高低２７１の反
射率材料が混在する基板上に塗布されたフォトレジスト
に対し、高反射率基材に於ける露光条件で露光した場合
低反射率材料上のみフォトレジストが残存する現象に□
注目したものである。

（発明の詳細な説明によるパターン形成方法を第１図を用いて詳細に説
明する。

第１図１ａｌは、金属膜等の高反射率材料からなる既存
パターン■を有する基板を示すものである。

ここで述べるば反射率材料の例として、ポリ−３ｉ、Ａ
Ｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｘｌ−Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、等の金属材
料が主なものであるが、この限りではない、一方、基材
■の反射率については、既存パターンの反射率より低反
射率である必要があり、その差は大きれば大きいほど望
ましい、基材の例として、ガラス、アルミナ、シリカ、
窒化シリコン、アモルファスシリコン、等のセラミック
材料、ポリイミド、アクリル。

ポリエステル等の有機高分子材料が前述した高反射率材
料との組合わせには適当であるがこの限りではない１次
に、第１［−Ｎ［ｂＪに示す様にポジ型フォトレジスト
■を塗布する。この時、フォトレジストの膜厚は、現像
時の膜厚減少を考慮して通常より厚めに塗布しておく１
例として、１５〜２５μ■の膜厚で塗布する。また、こ
の時用いるフォトレジストとしては、フェノールノボラ
ック系のポジ型フォトレジストを用いるのが適当である
。

その後、第１図［ＣＩに示す様にフォトマスクを用いず
に全面露光する。この時の露光条件が本発明のポイント
である。即ち、高反射率材料からなる既存パターン■上
のレジストは、既存パターン上での光反射のため、基材
上のレジストに比較して速く露光が進む。従って、この
既存パターン上のレジストを露光するに必要最小限の光
エネルギーを照射し現像する事により既存パターン」二
のレジストは除去され、一方、基材上のレジストは残存
するため第１図［ｄ］に示す様に既存パターン■のネガ
レジストパターン■が得られる。露光条件の１例を示せ
ば、ガラス基材上にＡ１の既存パターンした場合、１３
〜１４１ｊ／−の光量で上記条件が達成された。その後
、第１図［１１に示す様に第２層目となる膜■を成膜し
、第１図［ｒｌの様にレジストパターン■を用いてリフ
トオフ法により第２層目となる膜■をパターン化して既
存パターン上の同一パターンを完成する。

（発明の効果）以上の様に、従来法により既存パターン上に同一パター
ンを形成する場合、フォトレジストを塗布した後既存パ
ターンを形成した時使用したフォトマスクを用いて、そ
のマスクのパターンを既存パターンに正確に位置合せを
行い露光しなければならず、工程の繁雑化、さらに、位
置合せの困難さから生じる歩留り悪化、マスクコスＩ・
の増大、等の問題を含みコストダウンの大きなＲ’ｌｆ
であった９本発明によれば、これらの工程を全く用いる
事なく、極めてＷ！Ｊ単にがっ容易に既存パターンと同
一パターンのネガレジストパターンを高精度に得られ、
大幅なコストダウンを実現するものである。

以下に本発明による実施例を示す。

（実施例　１　）石英基板上にアモルファスシリコン膜が成膜された基材
がある。この基材上には、バリヤー電極としてチタン製
の電極パターンが形成されている。

この電極パターン、Ｆにアルミニュームを第２層目の電
極として重ねる際本発明による露光方法を用いた。この
基材にマ、イクロボジット１４００ポジ型フォトレジス
γ′（米国シブレイ社製）をスピンコーターを用いて１
５μ−の膜厚に塗布した０次に、９０℃で３０分プリベ
ークした後、水銀ランプを用いて全面露光した。この時
の光量は、１３．５１ｊ／ｃＪであった。さらに、この
基材を現像液を用いて現像したところ、チタン製の電極
パターン部のレジストは完全に除去され、その他の部分
のレジストは残存しな。最後に、アルミニュームを蒸着
した後、リフトオフ法により電極パターン部以外のアル
ミニュームを除去して、チタンルアルミニュームの二層
電極基板を完成しな。

〈実施例　２　）液晶ディスプレイ用電極基板に於いて、信号線にクロム
薄膜をパターン化したものを使用し、さらに、そのトに
アルミニュームを８層し、低抵抗化分図った基板の製造
に本発明の露光方法を使用した。青板ガラス上に、クロ
ム薄膜パターンによる信号線が形成されている。この基
板上に、マイクロポジット１３５０型フオトレジスト（
米国シブレイ社製）をスピンコータ〜を用いて約２μ１
（７）膜厚に−帰しな９次に、９０℃で３０分プリベー
クした後、水銀ランプを用いて全面露光した。この時の
光景は、３２１ｊ／′ｃｄであった。さらに、この基材
を現像液を用いて現像したところ、クロム製の電極パタ
ーン部のレジストは完・全に除去され、その他の部分の
他の部分のレジストは残存した。最後に、アルミニュー
ムをスッパタリング法を用いてを成膜した後、リフトオ
フ法により電極パターン部以外のアルミニュームを除去
して、クロムルアルミニューム二層構成の信号線を有す
る液晶ディスプレイ用電極基板を完成した。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明によるパターン形成方法を用いて、既
存パターン上に同一パターンを、形成する場合の製造方
法を示す一実施例であり、第２図、第３図は、従来法に
よる既存パターン−Ｅに同一パターンを形成する場合の
製造方法を示す一例である。 ■既存パターン ■基材 ■第２層目となる膜 ■フォトレジスト ■フォトマスク ■レジストパターン ■積層された同一パターン

Claims

【特許請求の範囲】

基材より高反射率材料からなるパターンが形成された基
材上に、ポジ形フォトレジストを塗布し、露光する際に
、フォトマスク等を用いない全面露光を行い、基材とパ
ターンとの反射率の差による露光条件の差を利用して、
該パターン上に該パターンのネガパターンを複製する事
を特徴とするパターン形成方法。