JPS6156349A - フオト・マスクの製造方法 - Google Patents
フオト・マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS6156349A JPS6156349A JP59178702A JP17870284A JPS6156349A JP S6156349 A JPS6156349 A JP S6156349A JP 59178702 A JP59178702 A JP 59178702A JP 17870284 A JP17870284 A JP 17870284A JP S6156349 A JPS6156349 A JP S6156349A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photomask
- shielding material
- glass substrate
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（、帝業上の利用分野） 。
本発明は半導体装置の製造に用いるフォト・マスクの製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
（従来の技術）
従来フォト・マスクはガラス基板上／／ｃ遮光材の層を
形成し、さらにその上にフォト・レジスト？塗布し、フ
ォト・リソグラフィー技術を用いてパターニングを行い
、遮光材の選択的エツチングによって作成してい比。し
かしながらこの方法によれば、７う、トな面をもつガラ
ス基板上に遮光材が部分的に付着していることになり、
遮光材パターンの端部では遮光材膜の厚さ分の段差が存
在している。この段差は半導体基板へのコンタクト露光
によるフォト・リングラフイ一工程に−おいて半導体基
板上のフォト・レジスト膜を傷付け、レジストのはがれ
、マスクの汚れ、さらにはマスクと半導体基板との密着
性不良に起因する解像度低下をも引き起こす原因となっ
てい念。
形成し、さらにその上にフォト・レジスト？塗布し、フ
ォト・リソグラフィー技術を用いてパターニングを行い
、遮光材の選択的エツチングによって作成してい比。し
かしながらこの方法によれば、７う、トな面をもつガラ
ス基板上に遮光材が部分的に付着していることになり、
遮光材パターンの端部では遮光材膜の厚さ分の段差が存
在している。この段差は半導体基板へのコンタクト露光
によるフォト・リングラフイ一工程に−おいて半導体基
板上のフォト・レジスト膜を傷付け、レジストのはがれ
、マスクの汚れ、さらにはマスクと半導体基板との密着
性不良に起因する解像度低下をも引き起こす原因となっ
てい念。
（発明が庭決しようとする問題点）
本発明の目的は遮光材パターンの端部で段差が生じない
よりな構造のフォト・マスクを得ることにある。
よりな構造のフォト・マスクを得ることにある。
（問題点を解決するｆｃめの手段）
本発明によればガラス基板上１木来遮光材の残るべき部
分を、あらかじめ所望の遮光材の厚さ分だけ堀フ下ばて
おき、その後遮光材膜を所望の厚さ以上に付け、遮光材
面を研摩することで上部上フラットな面に形成し、しか
る後遮光材のエツチングを行い、ガラス面段差上部の遮
光材がなくなる程度でエツチングを終了し、結果として
ガラス面に遮光材のパターンが埋め込まれたような形で
明部と暗部の段差が存在しないようなフォト・マスクを
形成するフォトマスクの製造方法を得る。
分を、あらかじめ所望の遮光材の厚さ分だけ堀フ下ばて
おき、その後遮光材膜を所望の厚さ以上に付け、遮光材
面を研摩することで上部上フラットな面に形成し、しか
る後遮光材のエツチングを行い、ガラス面段差上部の遮
光材がなくなる程度でエツチングを終了し、結果として
ガラス面に遮光材のパターンが埋め込まれたような形で
明部と暗部の段差が存在しないようなフォト・マスクを
形成するフォトマスクの製造方法を得る。
（実施例）
次に、図面を用いて本発明をエフ詳細に説明する。
まず、従来のフォト・マスクを示す第２図（ａ）。
（ｂ）によると、従来のフォト・マスクはガラス基板１
上に、例えばＣｒ等の遮光材２のパターンが付いている
ものである。実際にこのマスクを用いてコンタクト露光
全行った様子を同図（ｂｌに示す。ここで半導体基板４
上に塗布されたフォト・レジスト３はマスクの遮光材２
の端部５によって傷付けられている。
上に、例えばＣｒ等の遮光材２のパターンが付いている
ものである。実際にこのマスクを用いてコンタクト露光
全行った様子を同図（ｂｌに示す。ここで半導体基板４
上に塗布されたフォト・レジスト３はマスクの遮光材２
の端部５によって傷付けられている。
次に第１図（ａ）〜（ｆ） ’ｉ用いて本発明の一実施
例によるフォト・マスクの製造方法を具体的に説明する
。
例によるフォト・マスクの製造方法を具体的に説明する
。
まず、同図ｆａ）に示すように、ガラス基板１１上にフ
ォト・リソグラフィー技術によって形成されたレジスト
パターン１２ｔ−形成する。続いて同図（ｂ）に示Ｔ工
うにレジストパターン１２をマスクとしてガラス基板ｌ
ｌを所望の深さにまでエツチングし、その後同図（Ｃ）
に示すように、レジストパターン１２を除去する。さら
に同図（ｄ）に示すように。
ォト・リソグラフィー技術によって形成されたレジスト
パターン１２ｔ−形成する。続いて同図（ｂ）に示Ｔ工
うにレジストパターン１２をマスクとしてガラス基板ｌ
ｌを所望の深さにまでエツチングし、その後同図（Ｃ）
に示すように、レジストパターン１２を除去する。さら
に同図（ｄ）に示すように。
このガラス基板上１１にＣｒ等の遮ブＣ＃ｊ摸１３を。
ガラス基板１１の段差に比して厚く形成し１次いで同図
（ｅｌに示すように遮光材膜１３を研摩して平担な面を
作り出す。最後にガラス基板１１の段差上部が露出する
程度まで遮光材膜３のエツチングを行うと、同図（ｆ）
で示した様な構造のフォト・マスクができあがる。
（ｅｌに示すように遮光材膜１３を研摩して平担な面を
作り出す。最後にガラス基板１１の段差上部が露出する
程度まで遮光材膜３のエツチングを行うと、同図（ｆ）
で示した様な構造のフォト・マスクができあがる。
かかるフォトマスクによればガラス基板１１０表面と遮
光材膜３の表面との段差がなく、コンタクト露光の際に
も、半導体基板上のフォト・レジストパターンけること
がない。
光材膜３の表面との段差がなく、コンタクト露光の際に
も、半導体基板上のフォト・レジストパターンけること
がない。
（発明の効果）
本発明に工れば１表面の平担なフォトマスクを得ること
ができる。
ができる。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例による各製造
工程の断面図である。 第２図（ａ）は従来のフォトマスクの断面図、第２図（
ｂ）は従来のフォトマスクによるコンタクト露光金する
工程の断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・遮光膜、３
・・・・・・フォトレジスト、４・・・・・・半導体基
板、５・・・・・・遮光膜の端部、１１・・・・・・ガ
ラス基板、１２・・・・・・フォトレジスト、１３・・
・・・・遮光膜。 ＼〜６．′ （ｄ） Ｃｂ） ＣＣ） Ｃｄ） （ｅｌ Ｃｆ） 第１ 図
工程の断面図である。 第２図（ａ）は従来のフォトマスクの断面図、第２図（
ｂ）は従来のフォトマスクによるコンタクト露光金する
工程の断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・遮光膜、３
・・・・・・フォトレジスト、４・・・・・・半導体基
板、５・・・・・・遮光膜の端部、１１・・・・・・ガ
ラス基板、１２・・・・・・フォトレジスト、１３・・
・・・・遮光膜。 ＼〜６．′ （ｄ） Ｃｂ） ＣＣ） Ｃｄ） （ｅｌ Ｃｆ） 第１ 図
Claims (1)
- ガラス基板上にフォト・リソグラフィー技術によってフ
ォト・レジストのパターンを形成し、該フォト・レジス
トをマスクとして前記ガラス基板を所望の深さにまでエ
ッチングし、前記フォト・レジストを除去した後遮光材
の層を形成し、該遮光材の表面部を除去して前記ガラス
基板の凹部にのみ前記遮光材を残すことを特徴とするフ
ォト・マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59178702A JPS6156349A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | フオト・マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59178702A JPS6156349A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | フオト・マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6156349A true JPS6156349A (ja) | 1986-03-22 |
Family
ID=16053060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59178702A Pending JPS6156349A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | フオト・マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6156349A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0234547A2 (en) * | 1986-02-28 | 1987-09-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing photomask and photo-mask manufactured thereby |
| FR2641622A1 (fr) * | 1988-12-19 | 1990-07-13 | Weill Andre | Masque de photolithographie |
| JP2015072299A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-04-16 | 株式会社ディスコ | フォトマスクの製造方法 |
| JP2016018139A (ja) * | 2014-07-10 | 2016-02-01 | 株式会社ディスコ | 露光マスクの製造方法 |
-
1984
- 1984-08-28 JP JP59178702A patent/JPS6156349A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0234547A2 (en) * | 1986-02-28 | 1987-09-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing photomask and photo-mask manufactured thereby |
| US5087535A (en) * | 1986-02-28 | 1992-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
| US5457006A (en) * | 1986-02-28 | 1995-10-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
| FR2641622A1 (fr) * | 1988-12-19 | 1990-07-13 | Weill Andre | Masque de photolithographie |
| JP2015072299A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-04-16 | 株式会社ディスコ | フォトマスクの製造方法 |
| TWI618133B (zh) * | 2013-10-01 | 2018-03-11 | Disco Corp | 晶圓加工用光罩之製造方法 |
| JP2016018139A (ja) * | 2014-07-10 | 2016-02-01 | 株式会社ディスコ | 露光マスクの製造方法 |
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