JPH04324445A - 露光用マスクおよびその製造方法 - Google Patents
露光用マスクおよびその製造方法Info
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- JPH04324445A JPH04324445A JP3094610A JP9461091A JPH04324445A JP H04324445 A JPH04324445 A JP H04324445A JP 3094610 A JP3094610 A JP 3094610A JP 9461091 A JP9461091 A JP 9461091A JP H04324445 A JPH04324445 A JP H04324445A
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- Japan
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- glass substrate
- mask
- film
- chromium film
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は露光用マスクおよびその
製造方法に関し、特にマスク基板表面に遮光体膜による
段差のない露光用マスクおよびその製造方法に関する。
製造方法に関し、特にマスク基板表面に遮光体膜による
段差のない露光用マスクおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、露光用マスクは平坦に研磨された
ガラス基板とその表面に形成した遮光体膜としての金属
膜のパターンとで構成されていた。図３（ａ）〜（ｄ）
は従来の一般的な露光用マスクの製造手順を示す断面図
である。
ガラス基板とその表面に形成した遮光体膜としての金属
膜のパターンとで構成されていた。図３（ａ）〜（ｄ）
は従来の一般的な露光用マスクの製造手順を示す断面図
である。
【０００３】まず図３（ａ）に示すように、研磨された
ガラス基板１上にクロム膜３をスパッタ法等により０．
１μｍの厚さで被着する。次に図３（ｂ）に示すように
、全面に膜厚１μｍのフォトレジスト膜２を塗布し、電
子線露光装置を用いてパターニングを行なう。次に、図
３（ｃ）に示すように、このフォトレジスト膜２をマス
クにしてクロム膜３をエッチングしパターンを形成する
。最後に図３（ｄ）に示すように、クロム膜３上のフォ
トレジスト膜２を除去し、クロム膜のパターンを形成し
て露光用マスクを完成させる。
ガラス基板１上にクロム膜３をスパッタ法等により０．
１μｍの厚さで被着する。次に図３（ｂ）に示すように
、全面に膜厚１μｍのフォトレジスト膜２を塗布し、電
子線露光装置を用いてパターニングを行なう。次に、図
３（ｃ）に示すように、このフォトレジスト膜２をマス
クにしてクロム膜３をエッチングしパターンを形成する
。最後に図３（ｄ）に示すように、クロム膜３上のフォ
トレジスト膜２を除去し、クロム膜のパターンを形成し
て露光用マスクを完成させる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の露光用マス
クの製造方法では、クロム膜のパターンの部分が、その
厚みの分だけ平坦なガラス基板表面から突起した形状に
なるため、マスクの洗浄を行う場合に付着した異物が除
去されにくいという問題点がある。またブラシ洗浄によ
ってクロム膜のパターンのエッジ部分にブラシ素材の一
部が付着することがある。このようにして露光用マスク
に残った異物は、欠陥として半導体基板上に転写される
ため、半導体装置の歩留りを低下させるという問題点が
ある。
クの製造方法では、クロム膜のパターンの部分が、その
厚みの分だけ平坦なガラス基板表面から突起した形状に
なるため、マスクの洗浄を行う場合に付着した異物が除
去されにくいという問題点がある。またブラシ洗浄によ
ってクロム膜のパターンのエッジ部分にブラシ素材の一
部が付着することがある。このようにして露光用マスク
に残った異物は、欠陥として半導体基板上に転写される
ため、半導体装置の歩留りを低下させるという問題点が
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の発明の露光用マス
クは、ガラス基板とこのガラス基板上に形成された遮光
体膜からなるパターンとを有する露光用マスクにおいて
、前記パターンが前記ガラス基板に埋め込まれているも
のである。
クは、ガラス基板とこのガラス基板上に形成された遮光
体膜からなるパターンとを有する露光用マスクにおいて
、前記パターンが前記ガラス基板に埋め込まれているも
のである。
【０００６】第２の発明の露光用マスクの製造方法は、
ガラス基板の一部を選択的に食刻し溝を形成する工程と
、この溝を含む前記にガラス基板の全面に遮光体膜を形
成する工程と、この遮光体膜をパターニングし前記溝の
内部にのみ残す工程とを有するものである。
ガラス基板の一部を選択的に食刻し溝を形成する工程と
、この溝を含む前記にガラス基板の全面に遮光体膜を形
成する工程と、この遮光体膜をパターニングし前記溝の
内部にのみ残す工程とを有するものである。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を説明す
るためのマスクの断面図である。
。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を説明す
るためのマスクの断面図である。
【０００８】まず、図１（ａ）に示すように、ガラス基
板１上にフォトレジスト膜２を膜厚１μｍに塗布し、電
子線露光装置を用いてパターニングを行う。次に図１（
ｂ）に示すように、このフォトレジスト膜２をマスクと
してドライエッチング法によりガラス基板１を深さ約０
．１μｍエッチングし溝４を形成する。
板１上にフォトレジスト膜２を膜厚１μｍに塗布し、電
子線露光装置を用いてパターニングを行う。次に図１（
ｂ）に示すように、このフォトレジスト膜２をマスクと
してドライエッチング法によりガラス基板１を深さ約０
．１μｍエッチングし溝４を形成する。
【０００９】次に図１（ｃ）に示すように、全面にクロ
ム膜３をスパッタ法等により０．１５μｍを厚さに被着
する。次に図１（ｄ）に示すように、ガラス基板１上か
らフォトレジスト膜２を剥離すると同時に余分なクロム
膜３を除去する。更にクロム膜３をエッチングしてクロ
ム膜３の表面とガラス基板１表面の高さをほぼ一致させ
ることにより、段差のないマスクが完成する。
ム膜３をスパッタ法等により０．１５μｍを厚さに被着
する。次に図１（ｄ）に示すように、ガラス基板１上か
らフォトレジスト膜２を剥離すると同時に余分なクロム
膜３を除去する。更にクロム膜３をエッチングしてクロ
ム膜３の表面とガラス基板１表面の高さをほぼ一致させ
ることにより、段差のないマスクが完成する。
【００１０】図２（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施
例を説明するためのマスクの断面図である。
例を説明するためのマスクの断面図である。
【００１１】まず図２（ａ）に示すように、第１の実施
例と同様にガラス基盤１上にフォトレジスト膜２を１μ
ｍの厚さに塗布し、電子線露光装置を用いてパターニン
グする。次でこのフォトレジスト膜２をマスクとしてガ
ラス基板１を深さ約０．１μｍエッチングし溝４を形成
する。次に図２（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜
２を剥離した後、スパッタ法等によりクロム膜３を０．
１５μｍの厚さで全面に被着する。
例と同様にガラス基盤１上にフォトレジスト膜２を１μ
ｍの厚さに塗布し、電子線露光装置を用いてパターニン
グする。次でこのフォトレジスト膜２をマスクとしてガ
ラス基板１を深さ約０．１μｍエッチングし溝４を形成
する。次に図２（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜
２を剥離した後、スパッタ法等によりクロム膜３を０．
１５μｍの厚さで全面に被着する。
【００１２】次に図２（ｃ）に示すように、このクロム
膜３上にシリカ膜５を塗布法で形成し表面を滑らかにす
る。次に図２（ｄ）に示すように、ガラス基板１の上部
表面が完全に露出するまでシリカ膜５とクロム膜３のエ
ッチバックを行うことにより、クロム膜３のパターンを
有する段差のないマスクが完成する。
膜３上にシリカ膜５を塗布法で形成し表面を滑らかにす
る。次に図２（ｄ）に示すように、ガラス基板１の上部
表面が完全に露出するまでシリカ膜５とクロム膜３のエ
ッチバックを行うことにより、クロム膜３のパターンを
有する段差のないマスクが完成する。
【００１３】尚、上記実施例においては遮光体膜として
クロム膜を用いた場合について説明したが、クロムと酸
化クロムとの２層膜を用いることができる。
クロム膜を用いた場合について説明したが、クロムと酸
化クロムとの２層膜を用いることができる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、遮光体膜
のパターンをガラス基板に埋め込むことにより、マスク
の表面を平坦化できるため、マスク洗浄の際、付着異物
を容易に除去でき、かつブラシ洗浄時のブラシとマスク
の接触による異物の付着もなくなるという効果を有する
。従って半導体装置の歩留りを向上させることができる
。
のパターンをガラス基板に埋め込むことにより、マスク
の表面を平坦化できるため、マスク洗浄の際、付着異物
を容易に除去でき、かつブラシ洗浄時のブラシとマスク
の接触による異物の付着もなくなるという効果を有する
。従って半導体装置の歩留りを向上させることができる
。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するためのマスク
の断面図。
の断面図。
【図２】本発明の第２の実施例を説明するためのマスク
の断面図。
の断面図。
【図３】従来の露光用マスクの製造方法を説明するため
のマスクの断面図。
のマスクの断面図。
１ ガラス基板
２ フォトレジスト膜
３ クロム膜
４ 溝
５ シリカ膜
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラス基板とこのガラス基板上に形成
された遮光体膜からなるパターンとを有する露光用マス
クにおいて、前記パターンが前記ガラス基板に埋め込ま
れていることを特徴とする露光用マスク。 - 【請求項２】 ガラス基板の一部を選択的に食刻し溝
を形成する工程と、この溝を含む前記にガラス基板の全
面に遮光体膜を形成する工程と、この遮光体膜をパター
ニングし前記溝の内部にのみ残す工程とを有することを
特徴とする露光用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3094610A JPH04324445A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 露光用マスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3094610A JPH04324445A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 露光用マスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04324445A true JPH04324445A (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=14115019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3094610A Pending JPH04324445A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 露光用マスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04324445A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005107340A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Optrex Corp | フォトマスク版およびその作成方法 |
| JP2009145539A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクおよび露光方法 |
| JP2012517620A (ja) * | 2009-09-02 | 2012-08-02 | ダブリュアイ−エー・コーポレーション | レーザ反射型マスク及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-04-25 JP JP3094610A patent/JPH04324445A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005107340A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Optrex Corp | フォトマスク版およびその作成方法 |
| JP2009145539A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクおよび露光方法 |
| JP2012517620A (ja) * | 2009-09-02 | 2012-08-02 | ダブリュアイ−エー・コーポレーション | レーザ反射型マスク及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000208 |