JPS5833253A - 露光用マスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体素子製造工程等で使われる露光用マス
クの構造に関する。

従来、牛導体素千ｍｉ工程において素子パターンや電極
あるいは配線パターンを形成するために写真食刻技術が
使用されている。この技術は、マスクパターンとして形
成された酸化り９人層等を付着させたガラス板（又は石
英板）をマスクとしてフォトレジスト層を付着した半導
体基板に光を当てることＫより、マスクパターンと対向
していないフォトレジスト層を変質させ、その変質層あ
るいは被変質層を溶剤に溶解させることによりフォトレ
ジスト層をパターニングする方法である。

しかし、ガラスのマスクパターンと半導体基板の７オト
レジスト層とを密着させて露光する、いわゆる密着露光
方式において、酸化クロム層と半導体基板とは互いに接
触しているため、ＷｋＦｊｉＩの露光のうちに酸化クロ
ム層が僅ついてしまい、その結果、パターン変形又は異
常パターンの発生が少かった。

また、長時間使用のうちに半導体基板上の７オトレジス
トや大気中の汚れや有機無機不純物がガラスマスクに付
着してしまう。その為、ある程度使用すると必ずガラス
マスクを洗浄し、かつ綿花等で汚れを拭きとらなければ
ならなかった。そして、この時やはりパターン層たる酸
化クロムノーが傷付き、異常パターン発生の原因となっ
ていた。

このような変形又はパターン異常は、最近の置網パター
ン化と共に重要な問題となってきた。

本発明の目的は、これらの問題を解決し、マスクパター
ン層を傷付けることのない露光マスクを提供することで
ある。

以下に、本発明の一実施例を回向を参照しながら説明す
る。

第１図は、従来より使用されているガラスを用いたマス
ク材で、１はガラス層又は石英ガラス層、２はパターン
層たる酸化クロム層な示す。

この場合、酸化りｐム層はその表面が線用されたまま、
牛導体基板上の７オトレジストと接触するので、汚れが
付着したり一部が傷ついたりしてしまう。

第２図は本発明の一実施例を示すマスクの断面図で、第
１図に示したマスクの上に表面コーチ゛イング用として
、例えばＣｖＤ成長法又はスパッタ法によりシリコン酸
化膜３を付着したものである。

この場合、シリコン酸化膜の膜厚としては、ビンホール
の発生しない厚さを必要とし、成長方法により適宜選択
してよい。例えば、スパッタ法１１Ｃよれば、−７ｏｏ
ｏＸの膜厚を必％とする。

かかるシリコン酸化膜で被覆したガラスマスクは、無機
洗浄処理にも十分耐えられるので、付着したほとんどす
べての有機物を洗浄除未することが出来る。更に、牛導
体基板の７オトレジスシと接触させた時、それによって
酸化クロム層が変形したり、傷付いたりすることもなく
なり、マスクの信頼性が非常に向上する。従って、微細
なバターｙであっても正確に露光して形成することがで
きる。

以上述べたように、バターニングされた酸化り費ム層を
シリコン酸化膜で保護被覆することにより、パターンそ
のものが変形したり傷をうけたりするという不都合は全
く無くなり、マスクの信頼性が大きく向上し、フォトレ
ジスト−パターンの再現性も極めてよくなった。

なお、コーティング材料としてここで述べたシリコン酸
化膜の他にシリコン窒化膜等も使用することが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のマスク断面図、第２図は本発明の一実施
例によるマスクの断面図である。 １、ガラス（又は石英）基板 ２、パターニングされた酸化クロム層 ３、スパッタ・酸化膜層 ＼ 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. パターンが形成された面がシリコン酸化膜又はシリコン
   窒化膜で覆われていることを特徴とする露光用マスク。