JPS6087327A - クロムマスクの製造方法 - Google Patents
クロムマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS6087327A JPS6087327A JP58195818A JP19581883A JPS6087327A JP S6087327 A JPS6087327 A JP S6087327A JP 58195818 A JP58195818 A JP 58195818A JP 19581883 A JP19581883 A JP 19581883A JP S6087327 A JPS6087327 A JP S6087327A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- mask
- protective film
- chromium
- desired pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、マスク寿命を向上させるためなされたクロム
マスクの製造方法に関するものである。
マスクの製造方法に関するものである。
半導体素子や各種電子部品の製造工程において各種基板
あるいは薄膜を微細加工するためにフォトリソグラフィ
ー技術が利用されているが、このフォトリソグラフィー
技術の実施に当ってはクロムマスクを欠かすことができ
ない。
あるいは薄膜を微細加工するためにフォトリソグラフィ
ー技術が利用されているが、このフォトリソグラフィー
技術の実施に当ってはクロムマスクを欠かすことができ
ない。
このクロムマスクは従来においてはガラス等の透明な基
板表面にスパッター法等により全面にクロム膜を形成し
た後、レジスト膜をスピンナー法によって塗布し次いで
露光、現象、エツチング処理を行って所望のパターンの
クロム膜が残されるようにして製造され又いる。
板表面にスパッター法等により全面にクロム膜を形成し
た後、レジスト膜をスピンナー法によって塗布し次いで
露光、現象、エツチング処理を行って所望のパターンの
クロム膜が残されるようにして製造され又いる。
しかしこのようにして製造されたクロムマスクはガラス
基板表面から約1,000大の厚さのクロムパターンが
突出された構造になっているために。
基板表面から約1,000大の厚さのクロムパターンが
突出された構造になっているために。
被処理体表面に密着露光されて使用される時クロムパタ
ーンが傷付き易くなりマスクとしての寿命が短くなる欠
点があった。
ーンが傷付き易くなりマスクとしての寿命が短くなる欠
点があった。
本発明は以上の問題に対処してなされたもので。
マスク基板表面にクロム膜を覆うように保護膜を形成し
次いでこの保護膜表面を平坦化処理づるように構成して
従来欠点を除去するようにしたクロムマスクの製造方法
を提供することを目的とするものである。以下図面を参
照して本発明実施例を説明する。
次いでこの保護膜表面を平坦化処理づるように構成して
従来欠点を除去するようにしたクロムマスクの製造方法
を提供することを目的とするものである。以下図面を参
照して本発明実施例を説明する。
第1図乃至第4図は本発明実施力によるクロムマスクの
製造方法を示す断面図で、以下工程順に説gA″f、る
。
製造方法を示す断面図で、以下工程順に説gA″f、る
。
工程A:第1図のように、ガラス等のような透明なマス
ク基板1を用意しその一表面にクロム膜2をスパッター
法等により全面に約1,000^の厚さに形成する。
ク基板1を用意しその一表面にクロム膜2をスパッター
法等により全面に約1,000^の厚さに形成する。
工程B:第2図のように、周知のフォトリソグラフィー
技術を適用してクロム#2の不要部を除去し、所望パタ
ーンのクロム膜2′ヲ形成する。
技術を適用してクロム#2の不要部を除去し、所望パタ
ーンのクロム膜2′ヲ形成する。
工程C:第3図のように、マスク基板1の一表面に上記
クロム膜2′を榎うよ5 K 5iOz (酸化シリコ
ン膜)等の保護膜3をスパッター法等により全面に約5
,000〜10.0001の厚さに形成する。
クロム膜2′を榎うよ5 K 5iOz (酸化シリコ
ン膜)等の保護膜3をスパッター法等により全面に約5
,000〜10.0001の厚さに形成する。
この時クロム膜2′の上部は突出して形成される。
工程D=第4図のように、保5rIAaに対し研磨法等
により平坦化処理を施こし上記突出部を除去する。以上
によりクロムマスクが製造される。
により平坦化処理を施こし上記突出部を除去する。以上
によりクロムマスクが製造される。
このようにして得られたクロムマスクは所望パターンの
クロム族2′はマヌク基板六面から突出していす保醤膜
3によって榎われた構造になっている。したかつて密着
露光に使用される時傷を付けられるおそれはなく、マス
クとしての寿命を向上させることができる。またマスク
の洗浄処理を容易に行うことができる。さらに保護膜3
表面は平坦化されているので’s’lr元の際散乱され
る元素を減少させる利点も得られる。
クロム族2′はマヌク基板六面から突出していす保醤膜
3によって榎われた構造になっている。したかつて密着
露光に使用される時傷を付けられるおそれはなく、マス
クとしての寿命を向上させることができる。またマスク
の洗浄処理を容易に行うことができる。さらに保護膜3
表面は平坦化されているので’s’lr元の際散乱され
る元素を減少させる利点も得られる。
保護膜としては露光の際の紫外線、赤外線、X線等の九
の通過に対し悪影響を与えるものでなければ任意の材料
を選択することができる。また保護膜を平坦化処理する
手段としては研磨性以外の手段を用いてもよい。
の通過に対し悪影響を与えるものでなければ任意の材料
を選択することができる。また保護膜を平坦化処理する
手段としては研磨性以外の手段を用いてもよい。
以上述べて明らかなように本発明によれば−マスク基板
表面にクロム膜な徨うように保護膜ン形成し次いでこの
保護膜表面を平坦化処理するように構成したものである
から、従来欠点を除去することができる。
表面にクロム膜な徨うように保護膜ン形成し次いでこの
保護膜表面を平坦化処理するように構成したものである
から、従来欠点を除去することができる。
第1図乃至第4図は本発明実施列を工程順に示す断面図
である。 l・・・マスク基板、2.2′・・・クロム膜、3−・
・保護膜。 特許出願人 赤井電機株式会社
である。 l・・・マスク基板、2.2′・・・クロム膜、3−・
・保護膜。 特許出願人 赤井電機株式会社
Claims (1)
- マスク基板の一表面に所望パターンのクロム膜を形成し
、上記マスク基板−表面に上記りnム膜を覆うように保
護膜を形成した後この保護膜表面を平坦化処理すること
を特徴とするクロムマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58195818A JPS6087327A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | クロムマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58195818A JPS6087327A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | クロムマスクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6087327A true JPS6087327A (ja) | 1985-05-17 |
Family
ID=16347500
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58195818A Pending JPS6087327A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | クロムマスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6087327A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0310412A2 (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Improvements in photo-masks |
EP0422614A2 (en) * | 1989-10-13 | 1991-04-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aperture pattern-printing plate for shadow mask and method for manufacturing the same |
US5079113A (en) * | 1988-09-29 | 1992-01-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photo-mask |
US5260150A (en) * | 1987-09-30 | 1993-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photo-mask with light shielding film buried in substrate |
FR2839560A1 (fr) * | 2002-05-07 | 2003-11-14 | Commissariat Energie Atomique | Masque pour photolithographie a elements absorbeurs/dephaseurs inclus |
JP2007503621A (ja) * | 2003-08-25 | 2007-02-22 | トッパン、フォウタマスクス、インク | フォトマスクおよびその光学的特性を保守する方法 |
JP2011070068A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクおよびフォトマスクの製造方法 |
KR20220093115A (ko) | 2019-11-01 | 2022-07-05 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 및 반사형 마스크의 제조 방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51139267A (en) * | 1975-05-28 | 1976-12-01 | Hitachi Ltd | Photo-mask |
JPS52139503A (en) * | 1976-05-14 | 1977-11-21 | Nippon Electric Co | Optical mask |
JPS57167025A (en) * | 1981-04-08 | 1982-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | Photo mask |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP58195818A patent/JPS6087327A/ja active Pending
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