JP2011070068A - フォトマスクおよびフォトマスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】石英基板1aの回路パターン膜1b上に、石英もしくは金属とシリコンの金属間化合物等からなる透明な保護膜1cを回路パターン膜1bの膜厚以上の高さで成膜し、保護膜成膜時に形成される表面凹凸を研磨することにより除去してフォトマスク1を製造する。
【選択図】図1
Description
フォトマスク材料は、スパッタ法によりクロムやモリブデンやケイ素、及びその酸化物や窒化物を石英板表面上に薄膜生成させたものが主流である。
前記保護膜は、成膜前後におけるフォトマスクの平坦度変化量がフォトマスク面内132mm□エリアにおいてTIR≦30nmを満たす組成であることを特徴とする。
また、請求項2記載の発明は、前記保護膜は、石英もしくは金属とシリコンの金属間化合物で形成されている請求項1記載のフォトマスクの製造方法である。
また、請求項3記載の発明は、前記平坦面からなる保護膜の表面は、平坦度変化量がフォトマスク面内132mm□エリアにおいてTIR≦30nmを満たしていることを特徴とする請求項1または2記載のフォトマスクの製造方法である。
また、請求項4記載の発明は、光透過性基板の上に設けられた遮光性の微細パターン膜と、前記光透過性基板上で前記微細パターン膜を覆うように設けられた光透過性を有する保護膜とを備え、前記保護膜の表面は、前記微細パターン膜の膜厚方向で前記回路パターン膜から離れた箇所に位置する平坦面で形成されているフォトマスクである。
また、請求項5記載の発明は、前記保護膜は、石英もしくは金属とシリコンの金属間化合物で形成されている請求項4記載のフォトマスクである。
また、請求項6記載の発明は、前記平坦面からなる保護膜の表面は、平坦度変化量がフォトマスク面内132mm□エリアにおいてTIR≦30nmを満たしていることを特徴とする請求項4または5記載のフォトマスクである。
図1は保護層付きフォトマスクを示す図である。
フォトマスク1は、光透過性基板1aと微細パターン膜1bと保護膜1cとを備えている。
光透過性基板1aは例えば石英で形成されている。
微細パターン膜1bは遮光性を有し光透過性基板1a上に設けられている。微細パターン膜1bは、本実施の形態では、所定の回路パターン形成用の回路パターン膜として形成されている。微細パターン膜1bは、例えば、クロムやモリブデンやケイ素、及びその酸化物や窒化物等からなる。
保護膜1cは光透過性を有し、石英もしくは金属とシリコンの金属間化合物等からなる。
保護膜1cは、光透過性基板1a上で微細パターン膜1bを覆うように設けられている。
保護膜1cの表面1fは、微細パターン膜1bの膜厚方向で微細パターン膜1bから離れた箇所に位置し光透過性基板1aと平行な平坦面として形成されている。
まず、光透過性基板1aの上に遮光性の微細パターン膜1bを形成する。この微細パターン膜1bの形成には従来公知の様々な方法が採用可能である。
次に、光透過性基板1a上で微細パターン膜1bを覆うように光透過性を有する保護膜1cを形成する。
この保護膜1cの形成には、例えば、スパッタリング法やCVD法、蒸着法、スピンコーティング等の薄膜形成方法が採用可能である。
保護膜1cは、微細パターン膜1bの膜厚以上の値の膜厚1eで形成する。
成膜後の保護膜1cの表面は、光透過性基板1aと微細パターン膜1bの関係と同様に凹凸が形成されている。
そのため、保護膜1cの表面を研磨することで膜表面の凹凸を除去し、微細パターン膜1bの膜厚方向で微細パターン膜1bから離れた箇所に位置する平坦面からなる表面1fを形成する。すなわち、微細パターン膜1bを露出させることのない平坦面からなる表面1fを有する保護膜1cを形成する。
保護膜1cの表面ばらつき1dは小さい程望ましい。
このようにしてフォトマスク1を得る。
また、フォトマスク面内132mm□エリアにおける平坦度変化TIR≦30nmは、位置精度への影響が無いことがわかっているため、保護膜1cを成膜することによる平坦度変化量はTIR≦30nmであることが望ましい。すなわち、保護膜1cの表面1fの平坦度変化量はTIR≦30nmであることが望ましい。
1a・・・石英基板
1b・・・回路パターン膜
1c・・・保護膜
1d・・・保護膜の表面ばらつき
1e・・・保護膜の膜厚
1f・・・保護膜の表面
Claims (6)
- 光透過性基板の上に遮光性の微細パターン膜を形成する工程と、
前記光透過性基板上で前記微細パターン膜を覆うように光透過性を有する保護膜を形成する工程と、
前記保護膜の表面を研磨し前記微細パターン膜の膜厚方向で前記微細パターン膜から離れた箇所に位置する平坦面からなる表面を形成する工程と、
を備えることを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 前記保護膜は、石英もしくは金属とシリコンの金属間化合物で形成されていること
を特徴とする請求項1記載のフォトマスクの製造方法。 - 前記平坦面からなる保護膜の表面は、平坦度変化量がフォトマスク面内132mm□エリアにおいてTIR≦30nmを満たしていること
を特徴とする請求項1または2記載のフォトマスクの製造方法。 - 光透過性基板の上に設けられた遮光性の微細パターン膜と、
前記光透過性基板上で前記微細パターン膜を覆うように設けられた光透過性を有する保護膜とを備え、
前記保護膜の表面は、前記微細パターン膜の膜厚方向で前記回路パターン膜から離れた箇所に位置する平坦面で形成されていること、
を特徴とするフォトマスク。 - 前記保護膜は、石英もしくは金属とシリコンの金属間化合物で形成されていること
を特徴とした請求項4記載のフォトマスク。 - 前記平坦面からなる保護膜の表面は、平坦度変化量がフォトマスク面内132mm□エリアにおいてTIR≦30nmを満たしていることを特徴とする請求項4または5記載のフォトマスク。
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2009
- 2009-09-28 JP JP2009222309A patent/JP2011070068A/ja active Pending
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