JPS59113443A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS59113443A JPS59113443A JP57223183A JP22318382A JPS59113443A JP S59113443 A JPS59113443 A JP S59113443A JP 57223183 A JP57223183 A JP 57223183A JP 22318382 A JP22318382 A JP 22318382A JP S59113443 A JPS59113443 A JP S59113443A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- photomask
- quartz glass
- pattern
- glass substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明はフォトマスク、詳しくは石英マスク上に多結晶
シリコン（ポリシリコン）膜を成長させ酸化して保護膜
を形成し、マスクの寿命を長くしたフォトマスク（マス
ターマスクまたはワーキングマスク）に関する。
シリコン（ポリシリコン）膜を成長させ酸化して保護膜
を形成し、マスクの寿命を長くしたフォトマスク（マス
ターマスクまたはワーキングマスク）に関する。
（２）技術の背景
密着プリントにおいては、マスターマスクからワーキン
グマスクを作成して用意しておき、このワーキングマス
クにウェハ等を密着させ、ワーキングマスクのパターン
をウェハ上に露光し転写することが行われる。
グマスクを作成して用意しておき、このワーキングマス
クにウェハ等を密着させ、ワーキングマスクのパターン
をウェハ上に露光し転写することが行われる。
（３）従来技術と問題点
大規模築積回路（ＬＳＩ）の集積度は最近ますます高め
られる傾向にあり、それにつれてマスク精度の向上が要
求されている。密着プリントに用いられるマスクには、
従来はソーダガラスの基板が主に使われたが、ソーダガ
ラスは熱に弱いので、耐熱性に優れた石英ガラスが用い
られるようになってきた。
られる傾向にあり、それにつれてマスク精度の向上が要
求されている。密着プリントに用いられるマスクには、
従来はソーダガラスの基板が主に使われたが、ソーダガ
ラスは熱に弱いので、耐熱性に優れた石英ガラスが用い
られるようになってきた。
石英ガラスは上記の利点に加えて、ガラスの硬度も大で
あり、短波長の光の透過率がよいので、遠紫外線を用い
る露光に適するという利点もある。
あり、短波長の光の透過率がよいので、遠紫外線を用い
る露光に適するという利点もある。
しかし、石英ガラスは静電気が帯電し易い。
そのため火花が発生することがあり、そのときにマスク
上に形成されたクロムパターンの端部分が欠けることが
経験された。
上に形成されたクロムパターンの端部分が欠けることが
経験された。
通常の使用においては、１００回程度の密着プリントを
終った後にパターンの欠陥の有無を自動検査装置を用い
て検査するが、ＮＪＳ （国産品）、ＫＬＡ （ア
メリカ製）の商品名の装置を用いる検査においてそのた
めには最低２０分程度の時間を要し、労力と時間の消費
が生産性を低下させるという問題もある。
終った後にパターンの欠陥の有無を自動検査装置を用い
て検査するが、ＮＪＳ （国産品）、ＫＬＡ （ア
メリカ製）の商品名の装置を用いる検査においてそのた
めには最低２０分程度の時間を要し、労力と時間の消費
が生産性を低下させるという問題もある。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題点に鑑み、ＬＳＩ等の製造工程
に用いられる石英フォトマスクにおいて、その上に形成
されたクロムパターンの損傷を防止し、寿命が長く延ば
されたフォトマスクを提供することを目的とする。
に用いられる石英フォトマスクにおいて、その上に形成
されたクロムパターンの損傷を防止し、寿命が長く延ば
されたフォトマスクを提供することを目的とする。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、石英ガラス基板上に
遮光パターンを形成した後に前記石英ガラス基板全面上
に二酸化シリコンの保護膜を形成してなることを特徴と
するフォトマスクを提供することによって達成される。
遮光パターンを形成した後に前記石英ガラス基板全面上
に二酸化シリコンの保護膜を形成してなることを特徴と
するフォトマスクを提供することによって達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳説する。
第１図以下には本発明の１実施例を作る工程におけるフ
ォトマスクが断面図で示される。先ず、第１図に示され
る如く、石英ガラス基板１の上に、従来技術の場合と同
様に、クロム／酸化クロムの２層構造のクロムパターン
２を形成する。従来のフォトマスクにおいては、符号２
ａで示す）ｉターン２の端部分が静電気により発生する
火花で損傷を受けたのである。
ォトマスクが断面図で示される。先ず、第１図に示され
る如く、石英ガラス基板１の上に、従来技術の場合と同
様に、クロム／酸化クロムの２層構造のクロムパターン
２を形成する。従来のフォトマスクにおいては、符号２
ａで示す）ｉターン２の端部分が静電気により発生する
火花で損傷を受けたのである。
次いで、全面に、２０００人〜１００００人の厚さに、
ポリシリコンを例えば化学気相成長法で成長し、ポリシ
リコン膜３を形成する。ポリシリコンは半透明であるの
で、第２図に示したものはマスクとしては使用できない
。なお図において、ポリシリコン膜３は砂地を付して示
す。
ポリシリコンを例えば化学気相成長法で成長し、ポリシ
リコン膜３を形成する。ポリシリコンは半透明であるの
で、第２図に示したものはマスクとしては使用できない
。なお図において、ポリシリコン膜３は砂地を付して示
す。
次に、ポリシリコン膜３を酸化して、ポリシリコンを二
酸化シリコン（５ｉ０２）に変える。かかる酸化は、１
１００°Ｃ程度の高温の炉の内で従来の熱酸化法で容易
になしうる。第３図にｔよポリシリコンがＳｉＯ２に変
化してできた５ｉ０２膜４が白地で示される。 ５ｉ０
２は石英ガラスと同じ物質であるから、ＳｉＯ２膜４は
石英フォトマスクの機能になんら支障を与えない。
酸化シリコン（５ｉ０２）に変える。かかる酸化は、１
１００°Ｃ程度の高温の炉の内で従来の熱酸化法で容易
になしうる。第３図にｔよポリシリコンがＳｉＯ２に変
化してできた５ｉ０２膜４が白地で示される。 ５ｉ０
２は石英ガラスと同じ物質であるから、ＳｉＯ２膜４は
石英フォトマスクの機能になんら支障を与えない。
なお５ｉ０２膜４は、前記した火花に対してのみでなく
、外部からの物理力に対してもクロムパターンを保護す
ることになる。事実、ＳｉＯ２１％４を設けることによ
り、フォトマスクの寿命は従来例に比べ少なくとも１０
倍延長された。そのことは、また従来は１００回程度の
使用の後にマスクパターン欠陥の有無を検査していたも
のが、より多くの回数使用した後に検査すればよいとい
う結果をもたらす。
、外部からの物理力に対してもクロムパターンを保護す
ることになる。事実、ＳｉＯ２１％４を設けることによ
り、フォトマスクの寿命は従来例に比べ少なくとも１０
倍延長された。そのことは、また従来は１００回程度の
使用の後にマスクパターン欠陥の有無を検査していたも
のが、より多くの回数使用した後に検査すればよいとい
う結果をもたらす。
（７）発明の効果
以上詳細に説明したように、本発明によれば、石英ガラ
スのフォトマスクに、ポリシリコン膜を成長し、それを
酸化することによって、マスクの機能にはなんらの障害
も与えない保護膜が形成され、それによってクロムパタ
ーンの損傷が回避され、フォトマスクの寿命が大幅に延
長するだけでなく、パターン欠陥を検査するに要する時
間間隔も従来の場合に比べ著しく延長されるので、作業
性向上に効果大である。
スのフォトマスクに、ポリシリコン膜を成長し、それを
酸化することによって、マスクの機能にはなんらの障害
も与えない保護膜が形成され、それによってクロムパタ
ーンの損傷が回避され、フォトマスクの寿命が大幅に延
長するだけでなく、パターン欠陥を検査するに要する時
間間隔も従来の場合に比べ著しく延長されるので、作業
性向上に効果大である。
第１図ないし第３図は、本発明にかかるフォトマスクを
製造する工程における同マスクの断面図である。 １−石英ガラス基板、２−クロムパターン、３− ポリ
シリコン膜、４−３ｉ０２膜第１図 第２図 第３図
製造する工程における同マスクの断面図である。 １−石英ガラス基板、２−クロムパターン、３− ポリ
シリコン膜、４−３ｉ０２膜第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 石英ガラス基板上に遮光パターンを形成した後に前記石
英ガラス基板全面上に二酸化シリコンの保護膜を形成し
てなることを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57223183A JPS59113443A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57223183A JPS59113443A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59113443A true JPS59113443A (ja) | 1984-06-30 |
Family
ID=16794101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57223183A Pending JPS59113443A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59113443A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008175999A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Sk Electronics:Kk | 表面に保護膜を形成したフォトマスク及びその製造方法 |
| JP2011070068A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクおよびフォトマスクの製造方法 |
| JP2018092145A (ja) * | 2016-12-01 | 2018-06-14 | ツィンファ ユニバーシティ | フォトマスク及びその製造方法 |
| JP2018092144A (ja) * | 2016-12-01 | 2018-06-14 | ツィンファ ユニバーシティ | フォトマスク及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-12-20 JP JP57223183A patent/JPS59113443A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008175999A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Sk Electronics:Kk | 表面に保護膜を形成したフォトマスク及びその製造方法 |
| JP2011070068A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクおよびフォトマスクの製造方法 |
| JP2018092145A (ja) * | 2016-12-01 | 2018-06-14 | ツィンファ ユニバーシティ | フォトマスク及びその製造方法 |
| JP2018092144A (ja) * | 2016-12-01 | 2018-06-14 | ツィンファ ユニバーシティ | フォトマスク及びその製造方法 |
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