JPH07199446A

JPH07199446A - マスク及びマスクブランクの製造方法

Info

Publication number: JPH07199446A
Application number: JP33618693A
Authority: JP
Inventors: Hideo Kobayashi; 英雄小林
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 1993-12-28
Filing date: 1993-12-28
Publication date: 1995-08-04

Abstract

(57)【要約】【目的】（１）その素材であるマスクブランクの製造
に際して、煩雑な条件の設定をする必要がなく、マスク
ブランクの製造を単純化できる、（２）シースルーマス
ク及びハーフトーンマスク等のように、検査光に対する
透過率が比較的高い薄膜を有するマスクにおいても、正
確な欠陥検査を行うことができる、（３）薄膜パターン
形成のためのエッチング条件も、薄膜の材質を単一化で
きるので、単一化できる等の利点を有するマスクブラン
クの製造方法を提供する。【構成】透明基板上に、クロムを主成分とする薄膜パ
ターンを有するマスクの製造方法において、透明基板上
に予め形成されたクロムを主成分とする薄膜パターン
を、酸素を含む雰囲気中で加熱処理する工程を含むこと
を特徴とするマスクの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳ
Ｉ等の半導体集積回路素子の製造に用いられるマスク及
びその素材であるマスクブランクの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の半導体集積
回路素子は、シリコンウェハ等の被加工基板上にレジス
トを塗布し、マスクを用いて縮小投影露光装置等により
所望のパターンを形成した後、現像、エッチングを行う
パターン形成工程（いわゆるリソグラフィー工程）を繰
り返すことにより製造される。

【０００３】このようなリソグラフィー工程に使用され
るマスクは、半導体集積回路素子等の高性能化と高集積
度化に伴い、ますます高い精度あるいは多様な機能を要
求される傾向にあり、リソグラフィー工程に於ける使途
に応じて種々のマスクが製作されている。また製作され
るマスクの種類またはマスクの製作方法に応じて、その
素材であるマスクブランクも種々製造されている。

【０００４】この種の従来のマスクブランクとしては、
例えば石英等の透光性基板の一主表面にクロムからなる
遮光膜を設けたマスクブランクや、酸素を含むクロムを
遮光膜として可視光領域には選択的に透光性を示すシー
スルーマスクブランク（特公昭５２−３５５１３号公
報）が知られている。また近年においては、例えば石英
等の透光性基板の一主表面上に酸化クロムを半透明膜兼
位相制御膜として形成したハーフトーン型位相シフトマ
スクブランク（特開平５−１２７３６１号公報）が提案
されている。

【０００５】図３は、上記の従来のマスクブランクの構
成を示す概略図である。これらのマスクブランクの製造
方法について、図３を参照しながら説明する。

【０００６】まず、図３（ａ）のマスクブランクは、次
のようにして製造される。すなわち、透光性基板１１と
して例えば適宜表面研磨処理した石英基板を用意する。
次にクロムからなるスパッタリングターゲットを用いた
反応性スパッタリング法により、アルゴンガス雰囲気中
にて、透光性基板１１の一主表面にクロム遮光膜１２
（露光光波長に於ける光学濃度２以上、表面反射率４０
％以上）を所定の膜厚に形成した後、洗浄し、検査し
て、表面高反射率の単層構造の遮光膜を備えたマスクブ
ランク１０１を得る。

【０００７】図３（ｂ）に示すシースルーマスクブラン
クは次のようにして製造される。すなわち、特公昭５２
−３５５１３号公報では酸化性雰囲気中における真空蒸
着にて透光性基板１１上に酸化クロムからなるシースル
ー膜１３を形成しているが、一般的にはクロムからなる
スパッタリングターゲットを用いた反応性スパッタリン
グ法により、アルゴンガスと酸素ガスあるいは一酸化窒
素ガス等からなる混合雰囲気中にて、透光性基板１１の
一主表面にクロムからなるシースルー膜１３を所定の膜
厚に形成した後、洗浄し、検査して、シースルーマスク
ブランク１０２［露光光波長における光学濃度２以上、
可視光中心波長６００ｎｍと露光光波長に於ける透過率
比が２以上（光学濃度比０．８５未満）］を得る。

【０００８】また図３（ｃ）に示すハーフトーン型位相
シフトマスクブランクは次のようにして製造される。す
なわち、クロムからなるスパッタリングターゲットを用
いた反応性スパッタリング法により、アルゴンガスと酸
素ガスからなる混合雰囲気中にて、透光性基板１１の一
主表面にクロムハーフトーン型位相シフト膜１４を所定
の膜厚に形成するか、あるいは、酸化クロムをターゲッ
トに用いた反応性スパッタリング法により、アルゴンガ
ス雰囲気中にて、クロムハーフトーン型位相シフト膜１
４を所定の膜厚に形成した後、洗浄し、検査して、ハー
フトーン型位相シフトマスクブランク１０３［露光光波
長における透過率３〜２０％、膜厚はその膜の露光波長
（λ）に於ける屈折率（ｎ）より式［λ／（２（Ｎ−
１））］で求められる値の奇数倍］を得る。

【０００９】次に、上記のようにして得られた、図３
（ａ）の遮光膜付きマスクブランク、図３（ｂ）のシー
スルーマスクブランクおよび図３（ｃ）のハーフトーン
型位相シフトマスクブランクを用い、レジストの塗布、
電子線露光、レジスト現像、クロム薄膜のエッチング、
レジストパターンの剥離、洗浄、検査、修正の各工程を
行なうことにより、遮光膜パターン付きマスク、シース
ルーマスクおよびハーフトーン型位相シフトマスクが得
られている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように、マスクブランクを反応性スパッタリングを用い
て製造する場合には、以下のような問題点があった。

【００１１】すなわち、図３（ａ）に示すマスクブラン
ク、図３（ｂ）に示すシースルー膜を有するマスクブラ
ンク、図３（ｃ）に示すハーフトーン型位相シフトマス
ク用の光半透過膜を有するマスクブランク等のように、
それぞれ用途が異なるマスクブランクを製造するには、
それぞれのマスクブランクに所望される特性を有するク
ロム薄膜を形成する必要があり、そのためには成膜条件
をそれぞれ設定する必要がある。例えば反応性スパッタ
リングによりクロム系薄膜を成膜する場合の条件として
は、ガスの組成、ガス流量、ガス圧力、スパッタ速度等
の多数の条件があり、各条件について個別の設定が必要
であるため、マスクブランクの製造が複雑になるという
問題点があった。

【００１２】また上記のようにして得られたマスクブラ
ンクからマスクを得ようとする場合に、マスクブランク
の、透明基板上に設けられた薄膜が、マスクブランクの
種類によって異なると、薄膜パターン形成のためのエッ
チング条件等の各種の条件もそれぞれについて変化させ
なければならず、マスクの製造が複雑になるという問題
点があった。

【００１３】また、マスクブランク及びマスクのピンホ
ール等の欠陥検査の際に、透過光を利用した欠陥検査が
一般的に行われているが、特にシースルーマスクブラン
ク及びシ−スル−マスク並びにハーフトーンマスクブラ
ンク及びハ−フト−ンマスク等のように、検査光（例え
ば波長６３３ｎｍの光（Ｈｅ−Ｎｅレーザ）及び緑色光
等）に対する透過率が比較的高い膜を有するマスクブラ
ンク及びマスクに関しては、検出感度が非常に低く、正
確な欠陥検査を行うことが困難であるという問題点があ
った。

【００１４】従って、本発明の第１の目的は、（１）そ
の素材であるマスクブランクの製造に際して煩雑な条件
を設定する必要がなく、マスクブランクの製造を単純化
できる、（２ａ）シースルーマスク及びハーフトーンマ
スク等のように、検査光に対する透過率が比較的高い薄
膜パターンを有するマスクにおいても、正確な欠陥検査
を行うことができる、（３）薄膜パターン形成のための
エッチング条件も、薄膜の材質を単一化できるので、単
一化できる等の利点を有するマスクの製造方法を提供す
ることにある。

【００１５】また本発明の第２の目的は、（１）それぞ
れのマスクブランクの製造において、煩雑な条件の設定
をする必要がなく、マスクブランクの製造を単純化でき
る、（２ｂ）シースルーマスクブランク及びハーフトー
ンマスクブランク等のように、検査光に対する透過率が
比較的高い薄膜を有するマスクブランクにおいても、正
確な欠陥検査を行うことができる等の利点を有するマス
クブランクの製造方法を提供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の上記第１の目的
を達成するマスクの製造方法は、透明基板上に、クロム
を主成分とする薄膜パターンを有するマスクの製造方法
であって、透明基板上に予め形成されたクロムを主成分
とする薄膜パターンを、酸素を含む雰囲気中で加熱処理
する工程を含むことを特徴とする。

【００１７】また本発明の上記第２の目的を達成するマ
スクブランクの製造方法は、透明基板上に、クロムを主
成分とする薄膜を有するマスクブランクの製造方法であ
って、透明基板上に予め形成されたクロムを主成分とす
る薄膜を、酸素を含む雰囲気中で加熱処理する工程を含
むことを特徴とする。

【００１８】両者の方法において加熱処理は４５０〜９
００℃で行なうのが好ましい。

【００１９】

【作用】本発明のマスクの製造方法によれば、その素材
であるマスクブランクを、製造しようとする各種のマス
ク（遮光膜付きマスク、ハーフトーン型位相シフトマス
ク、シースルーマスク）の種類によらず、基本的に１種
類用意すれば良い。また１種類のマスクブランクを用い
るので、クロム薄膜パターン形成のためのエッチング条
件等の各種条件も単一化できる。

【００２０】また本発明のマスクの製造方法によれば、
薄膜パターンを酸素を含む雰囲気で加熱処理する際に、
用意した１種類のマスクに対して、製造しようとするマ
スクの種類に応じて加熱処理温度等の処理条件を適宜設
定することにより、薄膜パターンの酸化の度合いを比較
的簡単な方法で制御することができ、それぞれ所望の透
過率特性を有するマスクを得ることができる。

【００２１】さらに、本発明のマスクの製造方法によれ
ば、マスクの欠陥検査を加熱処理前の検査光に対する透
過率が低い段階で行なうことができるので、ピンホール
等の欠陥検査を正確に行うことができる。

【００２２】一方、本発明のマスクブランクの製造方法
によれば、透明基板上に予め形成されたクロムを主成分
とする薄膜を有するマスクブランクを酸素を含む雰囲気
中で加熱処理することにより、所望の透過率特性を有す
るクロム薄膜を透明基板上に有するマスクブランクを製
造することができる。従って加熱処理を施す前における
マスクブランクとしては、製造しようとする各種のマス
クブランク（遮光膜付きマスクブランク、ハーフトーン
型位相シフトマスクブランク、シースルーマスクブラン
ク）の種類によらず、基本的に１種類のマスクブランク
を用意すれば良く、種々のマスクブランクを得るため
に、煩雑な成膜条件を設定する必要がない。

【００２３】また本発明のマスクブランクの製造方法に
よれば、酸素を含む雰囲気で加熱処理する際に、製造し
ようとするマスクブランクの種類に応じて加熱処理温度
等の処理条件を適宜設定することにより、薄膜の酸化の
度合いを比較的簡単な方法で制御することができ、それ
ぞれ所望の透過率特性を有するマスクブランクを得るこ
とができる。

【００２４】さらに、本発明のマスクブランクの製造方
法によれば、マスクブランクの欠陥検査を加熱処理前
の、検査光に対する透過率が低い段階で行なうことがで
きるので、ピンホール等の欠陥検査を正確に行うことが
できる。

【００２５】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づていて詳細に説
明する。

【００２６】（実施例１）本実施例は、従来法でマスク
ブランクを製作した後、得られたマスクブランクを用い
て従来法でマスクを製作し、次いで、このマスクを酸素
を含む雰囲気中で加熱処理して本発明のマスクを製造し
た例を示す。

【００２７】従来法によりマスクブランク及びマスクを
以下の手順で製作した。

【００２８】まず、透光性基板として、厚さ０．０９イ
ンチ、５インチ×５インチの適宜表面研磨処理した石英
板を用意した。次に、クロムからなるスパッタリングタ
ーゲットを用いた反応性スパッタリング法により、アル
ゴンガス雰囲気中（圧力：２×１０^-3Ｔｏｒｒ）にて、
石英板の一主表面上にクロムからなる遮光膜（膜厚約７
００オングストローム）を形成した後、洗浄した。さら
に、検査光Ｈｅ−Ｎｅレーザー（波長６３３ｎｍ）をマ
スクブランク上に照射することにより、ピンホール等の
欠陥を検出する、パターン欠陥検査を行い、マスクブラ
ンク（波長４３６ｎｍ（ｇ線露光光波長）での表面反射
率５０％、光学濃度３．０以上）を複数枚製作した。

【００２９】次に、マスクブランクのそれぞれに、ポリ
アクリレート系電子線レジスト（日本ゼオン製ＺＥＰ８
１０Ｓ）を回転塗布し、その後、ホットプレートによ
り、各基板を１８０℃で１０分間焼成処理した後、清浄
な大気中で自然放冷し、室温まで冷却した。こうして得
られたレジスト付きマスクブランクに、電子線描画装置
を用いてパターン描画し、その後、メチルエチルケトン
と酢酸ジエチルの９対１の混合物からなる現像液で現像
し、次いで、メチルイソブチルケトンとイソプロピルア
ルコールの９対１混合物でリンスを行い、レジストパタ
ーンを得た。次に、レジストパターンの開口部より露出
するクロム遮光膜をエッチング液として硝酸第２セリウ
ムアンモニウム１６５ｇと過塩素酸（７０％）４２ｍｌ
とに純水を加えて１０００ｍｌとして得た溶液を用い、
約６０秒間エッチング処理し、所望のクロムパターンを
得た。その後、レジストパターンを熱濃硫酸によりクロ
ムパターンから溶解剥離除去し、純水によるリンス、イ
ソプロピルアルコールによる洗浄、イソプロピルアルコ
ールによる蒸気乾燥を行った。さらに、検査光Ｈｅ−Ｎ
ｅレーザー（波長６３３ｎｍ）をマスク上に照射するこ
とにより、ピンホール等の欠陥を検出する、パターン欠
陥検査を行い、複数枚のマスクを製作した。

【００３０】次に、従来法により上記の通りに製作した
マスクの１枚を電気炉に入れ、清浄な大気（酸素約２０
％）中、５５０℃で１２０分間加熱処理し、その後、自
然放冷して室温まで冷却した。その後、上記の通りに加
熱処理したマスクの遮光膜パターンの光学濃度を測定し
たところ、波長４０５ｎｍ（ｈ線）で２．０５、波長６
００ｎｍで１．４２（透過率約４％）であり、両者の光
学濃度比は約０．６９であった。上記の特性は、本実
施例により得られたマスクが水銀アークランプを光源と
する密着露光装置あるいは近接露光装置に使用される従
来のシースルーマスクに相当する機能を十分に満たすも
のであることを示す。従って、従来法によりマスクブラ
ンク及びマスクを順次製作し、次いで、得られたマスク
を酸素雰囲気下、加熱処理することにより、所望のシー
スルーマスクが得られた。

【００３１】別に、従来法により上記の通りに製作した
マスクのもう１枚を、電気炉に入れ、清浄な大気中、６
２５℃で１２０分間加熱処理し、その後自然放冷して室
温まで冷却した。その後、上記の通りに製作したマスク
の遮光部の透過率を測定したところ、波長３６５ｎｍ
（ｉ線露光光波長）において約５％であった。また、遮
光膜の膜厚を測定したところ、約１１５０オングストロ
ームであった。また、その透過率、反射率から計算して
求めた波長３６５ｎｍ（ｉ線露光光波長）における遮光
膜の屈折率は約２．６であった。

【００３２】上記の特性は、本実施例により得られたマ
スクが波長３６５ｎｍ（ｉ線露光）用のハーフトーン型
位相シフトマスクとしての機能を十分に満たすものであ
ることを示す。従って従来法によりマスクブランク、マ
スクを順次製作し、次いで得られたマスクを酸素雰囲気
下、加熱処理することにより、所望のハーフトーン型位
相シフトマスクが得られた。

【００３３】本実施例の方法によれば、石英板の一主表
面上にクロムからなる遮光膜を形成した後、及びクロム
パターンを形成した後、即ち、加熱処理によって膜の検
査光に対する透過率が低下する前の段階で欠陥検査を行
うことができるので、欠陥の検出感度が高く、正確な欠
陥検査が可能である。

【００３４】（実施例２）本実施例は、従来法で製作し
たマスクブランクを、酸素を含む雰囲気中で加熱処理し
て本発明のマスクブランクを製造した例およびこのマス
クブランクを用いてマスクを製造した例を示す。

【００３５】従来法によりマスクブランクを以下の手順
で製作した。

【００３６】まず、透光性基板として、厚さ０．０９イ
ンチ、５インチ×５インチの適宜表面研磨処理した石英
板を用意した。次に、クロムからなるスパッタリングタ
ーゲットを用いた反応性スパッタリング法により、アル
ゴンガス雰囲気中（圧力：２×１０^-3Ｔｏｒｒ）にて、
石英板の一主表面上にクロムからなる遮光膜（膜厚約７
００オングストローム）を形成した後、洗浄した。さら
に、検査光Ｈｅ−Ｎｅレーザー（波長６３３ｎｍ）をマ
スクブランク上に照射することにより、ピンホール等の
欠陥を検出する、パターン欠陥検査を行い、表面高反射
率の単層構造のマスクブランク（波長４３６ｎｍ（ｇ線
露光光波長）での表面反射率５０％、光学濃度３．０）
を複数枚製作した。

【００３７】次に、従来法により上記の通り製作したマ
スクブランクの１枚を、電気炉に入れ、清浄な大気中、
５５０℃で１２０分間加熱処理し、その後、自然放冷し
て室温まで冷却した。

【００３８】その後、上記の通りに加熱処理したマスク
ブランクの遮光膜の光学濃度を測定したところ、波長４
０５ｎｍ（ｈ線）で２．０５、波長６００ｎｍで１．４
２であり、両者の光学濃度比は約０．６９であった。

【００３９】上記の特性は、本実施例で得られたマスク
ブランクが水銀アークランプを光源とする密着露光装置
あるいは近接露光装置に使用される従来のシースルーマ
スクブランクに相当する機能を十分に満たすものである
ことを示す。従って、本実施例によれば、従来法により
製作された、波長４３６ｎｍ（ｇ線露光光長）に対して
表面高反射率の単層構造のマスクブランクを酸素雰囲気
下、加熱処理することにより、所望のシースルーマスク
ブランクが得られた。

【００４０】次に、このマスクブランクに、ｉ線レジス
ト（長瀬製ＮＰＲ−８９５ｉ）を回転塗布し、その後、
ホットプレートにより、各基板を１００℃で６分間焼成
した後、清浄な大気中で自然放冷し、室温まで冷却し
た。こうして得られたレジスト付きマスクブランクに、
アルゴンレーザー描画装置（露光波長３６３．８ｎｍ）
を用いてパターン描画し、その後、現像液ＡＺ−デベロ
ッパ−（ヘキスト社製）１：１希釈液により６０秒間現
像し、次いで、純水でリンスを行い、レジストパターン
を得た。次に、レジストパターンの開口部より露出する
クロム遮光膜をエッチング液として硝酸第２セリウムア
ンモニウム１６５ｇと過塩素酸（７０％）４２ｍｌとに
純水を加えて１０００ｍｌとして得た溶液を用い、約１
３５秒間エッチング処理し、所望のクロムパターンを得
た。その後、レジストパターンを熱濃硫酸によりクロム
パターンから溶解剥離除去し、純水によるリンス、イソ
プロピルアルコールによる洗浄、イソプロピルアルコー
ルによる蒸気乾燥を経て、シースルーマスクを得た。

【００４１】別に、従来法により上記の通りに製作した
マスクブランクのもう１枚を電気炉に入れ、清浄な大気
中、６２５で１２０分間加熱処理し、その後自然放冷し
て室温まで冷却した。その後、上記の通りに製作したマ
スクブランクの遮光膜の透過率を測定したところ、波長
３６５ｎｍ（ｉ線露光光波長）に於いて約５％であっ
た。また、遮光膜の膜厚を測定したところ、約１１５０
オングストロームであった。また、その透過率、反射率
から計算して求めた波長３６５ｎｍ（ｉ線露光光波長）
に於ける遮光膜の屈折率は約２．６であった。

【００４２】上記の特性は、本実施例で得られたマスク
ブランクが波長３６５ｎｍ（ｉ線露光）用のハーフトー
ン型位相シフトマスクブランクとしての機能を十分に満
たすものであることを示す。従って、従来法により得ら
れた、波長４３６ｎｍ（ｇ線露光光長）に対して表面高
反射率の単層構造のマスクブランクを酸素雰囲気下、加
熱処理することにより、波長３６５ｎｍ（ｉ線露光）用
のハーフトーン型位相シフトマスクブランクが得られ
た。

【００４３】次に、このマスクブランクに、ｉ線レジス
ト（長瀬製ＮＰＲ−８９５ｉ）を回転塗布し、その後、
ホットプレートにより、各基板を１００℃で６分間焼成
した後、清浄な大気中で自然放冷し、室温まで冷却し
た。こうして得られたレジスト付きマスクブランクに、
アルゴンレーザー描画装置（露光波長３６３．８ｎｍ）
を用いてパターン描画し、その後、現像液ＡＺ−デベロ
ッパ−（ヘキスト社製）１：１希釈液により６０秒間現
像し、次いで、純水でリンスを行い、レジストパターン
を得た。次に、レジストパターンの開口部より露出する
クロム遮光膜をエッチング液として硝酸第２セリウムア
ンモニウム１６５ｇと過塩素酸（７０％）４２ｍｌとに
純水を加えて１０００ｍｌとして得た溶液を用い、約１
５０秒間エッチング処理し、所望のクロムパターンを得
た。その後、レジストパターンを熱濃硫酸によりクロム
パターンから溶解剥離除去し、純水によるリンス、イソ
プロピルアルコールによる洗浄、イソプロピルアルコー
ルによる蒸気乾燥を経て、所望のハーフトーン型位相シ
フトマスクを得た。

【００４４】本実施例の方法によれば、石英板の一主表
面上にクロムからなる遮光膜を形成した後、即ち、加熱
処理によって膜の検査光に対する透過率が低下する前の
段階で欠陥検査を行うことができるので、欠陥の検出感
度が高く、正確な欠陥検査が可能である。

【００４５】尚、本発明は上記実施例に限らず、加熱処
理条件、初期膜厚等を制御することにより、所望のハー
フトーン型位相シフトマスク及びシースルーマスクを得
ることができる。この場合、加熱処理温度は４５０℃〜
９００℃が好ましい。その理由は、４５０℃よりも低い
場合は、所望の透過率の変化が得られにくく、また９０
０℃よりも高い温度で加熱すると、基板の変形が生ずる
可能性があるからである。

【００４６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、（１）そ
の素材であるマスクブランクの製造に際して煩雑な条件
を設定する必要がなく、マスクブランクの製造を単純化
できる、（２ａ）シースルーマスク及びハーフトーンマ
スク等のように、検査光に対する透過率が比較的高い薄
膜パターンを有するマスクにおいても、正確な欠陥検査
を行うことができる、（３）薄膜パターン形成のための
エッチング条件も、薄膜の材質を単一化できるので、単
一化できる等の利点を有するマスクの製造方法が提供さ
れた。

【００４７】また本発明によれば、（１）それぞれのマ
スクブランクの製造において、煩雑な条件の設定をする
必要がなく、マスクブランクの製造を単純化できる、
（２ｂ）シースルーマスクブランク及びハーフトーンマ
スクブランク等のように、検査光に対する透過率が比較
的高い薄膜を有するマスクブランクにおいても、正確な
欠陥検査を行うことができる等の利点を有するマスクブ
ランクの製造方法が提供された。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のマスクおよびマスクブランクの透過率
と加熱温度の関係を示すグラフ。

【図２】本発明のマスクおよびマスクブランクの透過率
と波長の関係を示すグラフ。

【図３】遮光膜付きマスクブランク、シースルーマスク
ブランクおよびハーフトーン型位相シフトマスクブラン
クの断面図。

【符号の説明】

１１透光性基板１２遮光膜１０１遮光膜付きマスクブランク１３シースルー膜１０２シースルーマスクブランク１４ハーフトーン型位相シフト膜１０４ハーフトーン型位相シフトマスクブランク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板上に、クロムを主成分とする薄
膜パターンを有するマスクの製造方法において、透明基板上に予め形成されたクロムを主成分とする薄膜
パターンを、酸素を含む雰囲気中で加熱処理する工程を
含むことを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項２】透明基板上に予め形成されたクロムを主
成分とする薄膜パターンを、酸素を含む雰囲気中で加熱
処理する工程の前に、欠陥検査する工程を含むことを特
徴とする請求項１に記載のマスクの製造方法。
【請求項３】加熱処理を、４５０〜９００℃で行な
う、請求項１に記載のマスクの製造方法。
【請求項４】酸素を含む雰囲気中での加熱処理後の薄
膜パターンが、実質的に露光に寄与しない強度の光を透
過させ、かつ通過する露光光の位相を変化させる光半透
過膜パターンである、請求項１又は２に記載のマスクの
製造方法。
【請求項５】酸素を含む雰囲気中での加熱処理後の薄
膜パターンが、可視光を実質的に透過し、露光光を実質
的に遮光するシースルー薄膜パターンである、請求項１
に記載のマスクの製造方法。
【請求項６】透明基板上に、クロムを主成分とする薄
膜を有するマスクブランクの製造方法において、透明基板上に予め形成されたクロムを主成分とする薄膜
を、酸素を含む雰囲気中で加熱処理する工程を含むこと
を特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項７】透明基板上に予め形成されたクロムを主
成分とする薄膜を、酸素を含む雰囲気中で加熱処理する
工程の前に、欠陥検査する工程を含むことを特徴とする
請求項６に記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項８】加熱処理を、４５０〜９００℃で行な
う、請求項６に記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項９】酸素を含む雰囲気中での加熱処理後の薄
膜が、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させ、
かつ通過する露光光の位相を変化させる光半透過膜であ
る、請求項６に記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項１０】酸素を含む雰囲気中での加熱処理後の
薄膜が、可視光を実質的に透過し、露光光を実質的に遮
光するシースルー薄膜である、請求項６に記載のマスク
ブランクの製造方法。