JPH07281411A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
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- JPH07281411A JPH07281411A JP6595194A JP6595194A JPH07281411A JP H07281411 A JPH07281411 A JP H07281411A JP 6595194 A JP6595194 A JP 6595194A JP 6595194 A JP6595194 A JP 6595194A JP H07281411 A JPH07281411 A JP H07281411A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 品質を低下させることなく反射防止膜を形成
することが可能なフォトマスクの製造方法を提供する。 【構成】 遮光金属膜パターン２２ａを形成する工程
と、遮光金属膜パターン２２ａの表面を酸化処理して所
望の厚さの反射防止膜２５を形成する工程とを包含す
る。
することが可能なフォトマスクの製造方法を提供する。 【構成】 遮光金属膜パターン２２ａを形成する工程
と、遮光金属膜パターン２２ａの表面を酸化処理して所
望の厚さの反射防止膜２５を形成する工程とを包含す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハ上に回
路パターンを転写するために使用されるフォトマスクの
製造方法に係り、特にフォトマスクのパターン表面に反
射防止膜を形成する方法に関するものである。
路パターンを転写するために使用されるフォトマスクの
製造方法に係り、特にフォトマスクのパターン表面に反
射防止膜を形成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体集積回路の製造は、複数枚
のフォトマスクを使って、工程ごとにパターンをシリコ
ンウエハ上に転写することで行われる。したがって、フ
ォトマスク上に形成された微細パターンがそのままシリ
コンウエハに転写されるので、フォトマスクの品質はシ
リコンウエハ上のパターンの品質に直接影響し、素子の
電気特性あるいは製造歩留まりを左右することになる。
のフォトマスクを使って、工程ごとにパターンをシリコ
ンウエハ上に転写することで行われる。したがって、フ
ォトマスク上に形成された微細パターンがそのままシリ
コンウエハに転写されるので、フォトマスクの品質はシ
リコンウエハ上のパターンの品質に直接影響し、素子の
電気特性あるいは製造歩留まりを左右することになる。
【０００３】そして、フォトマスクを使用したシリコン
ウエハ上へのパターンの転写は、図４に示すような縮小
露光装置によって行われ、まず、水銀ランプ１により３
６５ｎｍの波長の光２を発生させ、この光２をレンズ３
を介してフォトマスク４に照射し、フォトマスク４上に
形成された微細パターン４ａを通過させた後、レンズ
５、６によって縮小しシリコンウエハ７上に照射してそ
の表面に塗布されたレジスト８を感光させることによっ
て行われる。
ウエハ上へのパターンの転写は、図４に示すような縮小
露光装置によって行われ、まず、水銀ランプ１により３
６５ｎｍの波長の光２を発生させ、この光２をレンズ３
を介してフォトマスク４に照射し、フォトマスク４上に
形成された微細パターン４ａを通過させた後、レンズ
５、６によって縮小しシリコンウエハ７上に照射してそ
の表面に塗布されたレジスト８を感光させることによっ
て行われる。
【０００４】ところで、上記のようにしてシリコンウエ
ハ７上に照射された光２は、レジスト８を感光させるば
かりではなく、その一部が反射されてフォトマスク４の
位置まで戻され、これがフォトマスク４の表面で反射し
て再度シリコンウエハ上に照射されてレジスト８を感光
させる所謂「かぶり現象」が発生し、光２の入射した所
だけが除去されるポジ型のレジストを使用する場合は、
本来光２が当たらずにレジストパターンが残らなければ
ならない所が露光され、膜厚が薄くなってレジストとし
ての機能を果たすことができなくなり、又、光２の入射
した所だけが残るネガ型のレジストを使用する場合は、
本来光２が当たらずにレジストが除去されなければなら
ない所が露光され、薄くレジストが残ってパターンが解
像できなくなる等の問題が起こる。
ハ７上に照射された光２は、レジスト８を感光させるば
かりではなく、その一部が反射されてフォトマスク４の
位置まで戻され、これがフォトマスク４の表面で反射し
て再度シリコンウエハ上に照射されてレジスト８を感光
させる所謂「かぶり現象」が発生し、光２の入射した所
だけが除去されるポジ型のレジストを使用する場合は、
本来光２が当たらずにレジストパターンが残らなければ
ならない所が露光され、膜厚が薄くなってレジストとし
ての機能を果たすことができなくなり、又、光２の入射
した所だけが残るネガ型のレジストを使用する場合は、
本来光２が当たらずにレジストが除去されなければなら
ない所が露光され、薄くレジストが残ってパターンが解
像できなくなる等の問題が起こる。
【０００５】このため、シリコンウエハ７側からフォト
マスク４に光２が反射されてきても、マスク表面で光２
が反射しないように、フォトマスク４の微細パターン４
ａ上に反射防止膜を設けて、上述した「かぶり現象」の
発生を防止することが一般に行われている。そして、こ
の反射防止膜は、マスクブランクス形成時に遮光金属膜
の表面にこれと同材質の金属の酸化膜を、酸化膜の屈折
率をｎ、露光に使用される光の波長をλとすると、Ｌ＝
λ／４ｎの膜厚で形成することによって得られ、このよ
うにすれば酸化膜の表面で反射する光と、酸化膜と遮光
金属膜の界面で反射する光とが干渉するため、光の強度
が減少して反射防止効果が得られる。
マスク４に光２が反射されてきても、マスク表面で光２
が反射しないように、フォトマスク４の微細パターン４
ａ上に反射防止膜を設けて、上述した「かぶり現象」の
発生を防止することが一般に行われている。そして、こ
の反射防止膜は、マスクブランクス形成時に遮光金属膜
の表面にこれと同材質の金属の酸化膜を、酸化膜の屈折
率をｎ、露光に使用される光の波長をλとすると、Ｌ＝
λ／４ｎの膜厚で形成することによって得られ、このよ
うにすれば酸化膜の表面で反射する光と、酸化膜と遮光
金属膜の界面で反射する光とが干渉するため、光の強度
が減少して反射防止効果が得られる。
【０００６】図５は上記したような反射防止膜構造を有
する従来のフォトマスクの製造方法を示す図である。以
下、従来のフォトマスクの製造方法を図に基づいて説明
する。まず、図５（ａ）に示すように、ガラス基板１１
の表面に光学濃度が３（光の透過率が１／１０００）に
なるように、遮光金属膜１２がスパッタ等により８０〜
１００ｎｍの膜厚で成膜される。なお、遮光金属膜１２
の材質は一般的にクロム（Ｃｒ）が用いられるが、光を
遮るものであれば良く、アルミニウム（Ａｌ）、モリブ
デン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル
（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）等の金属や、それらのシ
リサイド、例えばモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）等
が考えられる。
する従来のフォトマスクの製造方法を示す図である。以
下、従来のフォトマスクの製造方法を図に基づいて説明
する。まず、図５（ａ）に示すように、ガラス基板１１
の表面に光学濃度が３（光の透過率が１／１０００）に
なるように、遮光金属膜１２がスパッタ等により８０〜
１００ｎｍの膜厚で成膜される。なお、遮光金属膜１２
の材質は一般的にクロム（Ｃｒ）が用いられるが、光を
遮るものであれば良く、アルミニウム（Ａｌ）、モリブ
デン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル
（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）等の金属や、それらのシ
リサイド、例えばモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）等
が考えられる。
【０００７】次いで、上述した膜厚Ｌとなるように金属
酸化膜１３がスパッタ等により成膜される。この金属酸
化膜１３は一般的に遮光金属膜１２と同材質の金属の酸
化膜が用いられ、遮光金属膜１２がＣｒの場合はＣｒ2
Ｏ3が用いられる。さらにこの上から電子線レジスト１
４がスピンコーティングにより約５００ｎｍの膜厚に塗
布され、１００℃のソフトベークが施された後、電子線
露光装置（図示せず）により所望のパターンに電子線１
５が照射される。
酸化膜１３がスパッタ等により成膜される。この金属酸
化膜１３は一般的に遮光金属膜１２と同材質の金属の酸
化膜が用いられ、遮光金属膜１２がＣｒの場合はＣｒ2
Ｏ3が用いられる。さらにこの上から電子線レジスト１
４がスピンコーティングにより約５００ｎｍの膜厚に塗
布され、１００℃のソフトベークが施された後、電子線
露光装置（図示せず）により所望のパターンに電子線１
５が照射される。
【０００８】次に、図５（ｂ）に示すように、電子線レ
ジスト１４の露光された部分が現像等により選択的に除
去され、レジストパターン１４ａが形成される。そし
て、図５（ｃ）に示すように、このレジストパターン１
４ａを元にして、エッチング液によるウェットエッチン
グあるいはプラズマを用いたドライエッチングにより金
属酸化膜１３および遮光金属膜１２を同時にエッチング
して、金属酸化膜パターン１３ａおよび遮光金属膜パタ
ーン１２ａを形成する。そして、最後に図５（ｄ）に示
すように、レジストパターン１４ａを除去し洗浄を行っ
てフォトマスクは完成する。
ジスト１４の露光された部分が現像等により選択的に除
去され、レジストパターン１４ａが形成される。そし
て、図５（ｃ）に示すように、このレジストパターン１
４ａを元にして、エッチング液によるウェットエッチン
グあるいはプラズマを用いたドライエッチングにより金
属酸化膜１３および遮光金属膜１２を同時にエッチング
して、金属酸化膜パターン１３ａおよび遮光金属膜パタ
ーン１２ａを形成する。そして、最後に図５（ｄ）に示
すように、レジストパターン１４ａを除去し洗浄を行っ
てフォトマスクは完成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来のフォトマスクの
製造方法は以上のように成されているので、遮光金属膜
パターン１２ａおよび金属酸化膜パターン１３ａを同時
に形成する時に、遮光金属膜１２と金属酸化膜１３との
エッチング速度の相違や、両膜１２、１３界面での応力
の発生等が原因で、界面が速くエッチングされるため、
図５（ｄ）に示すようにノッチ１６が入ったり、図示は
しないが両膜１２、１３のエッヂに位置ずれが発生した
りするので、その後に行われる洗浄工程時に両パターン
１２ａ、１３ａのエッヂが欠けて段差が発生したり、ノ
ッチ１６部に異物が付着する等して、フォトマスクの品
質を低下させるという問題点があった。
製造方法は以上のように成されているので、遮光金属膜
パターン１２ａおよび金属酸化膜パターン１３ａを同時
に形成する時に、遮光金属膜１２と金属酸化膜１３との
エッチング速度の相違や、両膜１２、１３界面での応力
の発生等が原因で、界面が速くエッチングされるため、
図５（ｄ）に示すようにノッチ１６が入ったり、図示は
しないが両膜１２、１３のエッヂに位置ずれが発生した
りするので、その後に行われる洗浄工程時に両パターン
１２ａ、１３ａのエッヂが欠けて段差が発生したり、ノ
ッチ１６部に異物が付着する等して、フォトマスクの品
質を低下させるという問題点があった。
【００１０】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、品質を低下させることなく反射
防止膜を形成することが可能なフォトマスクの製造方法
を提供することを目的とするものである。
ためになされたもので、品質を低下させることなく反射
防止膜を形成することが可能なフォトマスクの製造方法
を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
るフォトマスクの製造方法は、ガラス基板上に遮光金属
膜を形成する工程と、遮光金属膜上に電子線レジスト膜
を形成する工程と、電子線レジスト膜に所望のパターン
で電子線を照射しレジストパターンを形成する工程と、
レジストパターンを介して遮光金属膜をエッチングする
ことにより遮光金属膜パターンを形成する工程と、レジ
ストパターンをエッチングにより除去する工程と、遮光
金属膜パターンの表面を酸化処理して所望の厚さの反射
防止膜を形成する工程とを包含したものである。
るフォトマスクの製造方法は、ガラス基板上に遮光金属
膜を形成する工程と、遮光金属膜上に電子線レジスト膜
を形成する工程と、電子線レジスト膜に所望のパターン
で電子線を照射しレジストパターンを形成する工程と、
レジストパターンを介して遮光金属膜をエッチングする
ことにより遮光金属膜パターンを形成する工程と、レジ
ストパターンをエッチングにより除去する工程と、遮光
金属膜パターンの表面を酸化処理して所望の厚さの反射
防止膜を形成する工程とを包含したものである。
【００１２】又、この発明の請求項２に係るフォトマス
クの製造方法は、請求項１における酸化処理を、不活性
ガスと酸化性ガスとの混合ガスを１００℃〜５００℃に
加熱した雰囲気中に遮光金属膜パターンの表面をさらし
て行うようにしたものである。
クの製造方法は、請求項１における酸化処理を、不活性
ガスと酸化性ガスとの混合ガスを１００℃〜５００℃に
加熱した雰囲気中に遮光金属膜パターンの表面をさらし
て行うようにしたものである。
【００１３】又、この発明の請求項３に係るフォトマス
クの製造方法は、請求項１における酸化処理を、不活性
ガスと酸化性ガスとこれら両ガスの量に対して１〜５％
の量の還元性ガスとの混合ガスを１００℃〜５００℃に
加熱した雰囲気中に遮光金属膜パターンの表面をさらし
て行うようにしたものである。
クの製造方法は、請求項１における酸化処理を、不活性
ガスと酸化性ガスとこれら両ガスの量に対して１〜５％
の量の還元性ガスとの混合ガスを１００℃〜５００℃に
加熱した雰囲気中に遮光金属膜パターンの表面をさらし
て行うようにしたものである。
【００１４】又、この発明の請求項４に係るフォトマス
クの製造方法は、請求項１における酸化処理を、不活性
ガスと酸化性ガスとの混合ガスを用いて生成したプラズ
マ雰囲気中に遮光金属膜パターンの表面をさらして行う
ようにしたものである。
クの製造方法は、請求項１における酸化処理を、不活性
ガスと酸化性ガスとの混合ガスを用いて生成したプラズ
マ雰囲気中に遮光金属膜パターンの表面をさらして行う
ようにしたものである。
【００１５】又、この発明の請求項５に係るフォトマス
クの製造方法は、請求項１における酸化処理を、不活性
ガスと酸化性ガスとこれら両ガスの量に対して１〜５％
の量の還元性ガスとの混合ガスを用いて生成したプラズ
マ雰囲気中に遮光金属膜パターンの表面をさらして行う
ようにしたものである。
クの製造方法は、請求項１における酸化処理を、不活性
ガスと酸化性ガスとこれら両ガスの量に対して１〜５％
の量の還元性ガスとの混合ガスを用いて生成したプラズ
マ雰囲気中に遮光金属膜パターンの表面をさらして行う
ようにしたものである。
【００１６】又、この発明の請求項６に係るフォトマス
クの製造方法は、ガラス基板上に遮光金属膜を形成する
工程と、遮光金属膜上に電子線レジスト膜を形成する工
程と、電子線レジスト膜に所望のパターンで電子線を照
射しレジストパターンを形成する工程と、レジストパタ
ーンを介して遮光金属膜をエッチングすることにより遮
光金属膜パターンを形成する工程と、レジストパターン
をエッチングにより除去する工程と、遮光金属膜パター
ンの表面を酸化処理して反射防止膜を形成するとともに
遮光金属膜パターンの表面の反射率を検出することによ
り反射防止膜の厚さを所望の値に制御する工程とを包含
したものである。
クの製造方法は、ガラス基板上に遮光金属膜を形成する
工程と、遮光金属膜上に電子線レジスト膜を形成する工
程と、電子線レジスト膜に所望のパターンで電子線を照
射しレジストパターンを形成する工程と、レジストパタ
ーンを介して遮光金属膜をエッチングすることにより遮
光金属膜パターンを形成する工程と、レジストパターン
をエッチングにより除去する工程と、遮光金属膜パター
ンの表面を酸化処理して反射防止膜を形成するとともに
遮光金属膜パターンの表面の反射率を検出することによ
り反射防止膜の厚さを所望の値に制御する工程とを包含
したものである。
【００１７】
【作用】この発明の請求項１におけるフォトマスクの製
造方法は、遮光金属膜パターンの表面を酸化処理して所
望の厚さの反射防止膜を形成するので、段差やノッチを
発生させることなく反射防止膜の形成が可能になる。
造方法は、遮光金属膜パターンの表面を酸化処理して所
望の厚さの反射防止膜を形成するので、段差やノッチを
発生させることなく反射防止膜の形成が可能になる。
【００１８】又、この発明の請求項２におけるフォトマ
スクの製造方法は、遮光金属膜パターンの表面を不活性
ガスと酸化性ガスとの混合ガスを１００℃〜５００℃に
加熱した雰囲気中にさらして酸化処理し、所望の厚さの
反射防止膜を形成するので、段差やノッチを発生させる
ことなく反射防止膜の形成が可能になる。
スクの製造方法は、遮光金属膜パターンの表面を不活性
ガスと酸化性ガスとの混合ガスを１００℃〜５００℃に
加熱した雰囲気中にさらして酸化処理し、所望の厚さの
反射防止膜を形成するので、段差やノッチを発生させる
ことなく反射防止膜の形成が可能になる。
【００１９】又、この発明の請求項３におけるフォトマ
スクの製造方法は、遮光金属膜パターンの表面を不活性
ガスと酸化性ガスとこれら両ガスの量に対して１〜５％
の量の還元性ガスとの混合ガスを１００℃〜５００℃に
加熱した雰囲気中にさらして酸化処理し、所望の厚さの
反射防止膜を形成するので、段差やノッチを発生させる
ことなく反射防止膜の形成が可能になる。
スクの製造方法は、遮光金属膜パターンの表面を不活性
ガスと酸化性ガスとこれら両ガスの量に対して１〜５％
の量の還元性ガスとの混合ガスを１００℃〜５００℃に
加熱した雰囲気中にさらして酸化処理し、所望の厚さの
反射防止膜を形成するので、段差やノッチを発生させる
ことなく反射防止膜の形成が可能になる。
【００２０】又、この発明の請求項４におけるフォトマ
スクの製造方法は、遮光金属膜パターンの表面を不活性
ガスと酸化性ガスとの混合ガスを用いて生成したプラズ
マ雰囲気中にさらして酸化処理し、所望の厚さの反射防
止膜を形成するので、段差やノッチを発生させることな
く反射防止膜の形成が可能になる。
スクの製造方法は、遮光金属膜パターンの表面を不活性
ガスと酸化性ガスとの混合ガスを用いて生成したプラズ
マ雰囲気中にさらして酸化処理し、所望の厚さの反射防
止膜を形成するので、段差やノッチを発生させることな
く反射防止膜の形成が可能になる。
【００２１】又、この発明の請求項５におけるフォトマ
スクの製造方法は、遮光金属膜パターンの表面を不活性
ガスと酸化性ガスとこれら両ガスの量に対して１〜５％
の量の還元性ガスとの混合ガスを用いて生成したプラズ
マ雰囲気中にさらして酸化処理し、所望の厚さの反射防
止膜を形成するので、段差やノッチを発生させることな
く反射防止膜の形成が可能になる。
スクの製造方法は、遮光金属膜パターンの表面を不活性
ガスと酸化性ガスとこれら両ガスの量に対して１〜５％
の量の還元性ガスとの混合ガスを用いて生成したプラズ
マ雰囲気中にさらして酸化処理し、所望の厚さの反射防
止膜を形成するので、段差やノッチを発生させることな
く反射防止膜の形成が可能になる。
【００２２】又、この発明の請求項６におけるフォトマ
スクの製造方法は、遮光金属膜パターンの表面の反射率
を検出して、反射防止膜の厚さを所望の値に制御するの
で、段差やノッチを発生させることなく所望の厚さの反
射防止膜の形成が可能になる。
スクの製造方法は、遮光金属膜パターンの表面の反射率
を検出して、反射防止膜の厚さを所望の値に制御するの
で、段差やノッチを発生させることなく所望の厚さの反
射防止膜の形成が可能になる。
【００２３】
実施例１．以下、この発明の実施例を図に基づいて説明
する。図１はこの発明の実施例１におけるフォトマスク
の製造方法を示す図である。以下、この発明の実施例１
におけるフォトマスクの製造方法を図に基づいて説明す
る。まず、図１（ａ）に示すように、従来と同様にガラ
ス基板２１の表面に光学濃度が３（光の透過率が１／１
０００）になるように、クロム（Ｃｒ）材でなる遮光金
属膜２２をスパッタ等により８０〜１００ｎｍの膜厚で
成膜する。なお、遮光金属膜２２の材質は従来の技術で
も述べたように、光を遮るものであれば良く、アルミニ
ウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、
鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）等
の金属や、それらのシリサイド、例えばモリブデンシリ
サイド（ＭｏＳｉ）等を用いる。
する。図１はこの発明の実施例１におけるフォトマスク
の製造方法を示す図である。以下、この発明の実施例１
におけるフォトマスクの製造方法を図に基づいて説明す
る。まず、図１（ａ）に示すように、従来と同様にガラ
ス基板２１の表面に光学濃度が３（光の透過率が１／１
０００）になるように、クロム（Ｃｒ）材でなる遮光金
属膜２２をスパッタ等により８０〜１００ｎｍの膜厚で
成膜する。なお、遮光金属膜２２の材質は従来の技術で
も述べたように、光を遮るものであれば良く、アルミニ
ウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、
鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）等
の金属や、それらのシリサイド、例えばモリブデンシリ
サイド（ＭｏＳｉ）等を用いる。
【００２４】次いで、この上から電子線レジストをスピ
ンコーティングにより約５００ｎｍの膜厚で塗布して電
子線レジスト膜２３を形成し、この電子線レジスト膜２
３の表面に電子線露光装置（図示せず）により所望のパ
ターンに電子線２４を照射する。次に、図１（ｂ）に示
すように、電子線レジスト膜２３の露光された部分を現
像により選択的に除去してレジストパターン２３ａを形
成する。そして、このレジストパターン２３ａを元にし
て遮光金属膜２２のエッチングを行い、図１（ｃ）に示
すように遮光金属膜パターン２２ａを形成する。
ンコーティングにより約５００ｎｍの膜厚で塗布して電
子線レジスト膜２３を形成し、この電子線レジスト膜２
３の表面に電子線露光装置（図示せず）により所望のパ
ターンに電子線２４を照射する。次に、図１（ｂ）に示
すように、電子線レジスト膜２３の露光された部分を現
像により選択的に除去してレジストパターン２３ａを形
成する。そして、このレジストパターン２３ａを元にし
て遮光金属膜２２のエッチングを行い、図１（ｃ）に示
すように遮光金属膜パターン２２ａを形成する。
【００２５】その後、レジストパターン２３ａを除去
し、露光された遮光金属膜パターン２２ａの表面を、例
えばヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａ
ｒ）等の不活性ガスと、この不活性ガスの量に対して１
０ｐｐｍ〜１０％の例えば酸素（Ｏ2）、オゾン（Ｏ3）
等の酸化性ガスとの混合ガスを、１００℃〜５００℃に
加熱した雰囲気中にさらして所望の深さだけ酸化させ、
図１（ｄ）に示すように遮光金属膜パターン２２ａの表
面を覆うように反射防止膜２５を形成し、洗浄を行って
フォトマスク２６は完成する。
し、露光された遮光金属膜パターン２２ａの表面を、例
えばヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａ
ｒ）等の不活性ガスと、この不活性ガスの量に対して１
０ｐｐｍ〜１０％の例えば酸素（Ｏ2）、オゾン（Ｏ3）
等の酸化性ガスとの混合ガスを、１００℃〜５００℃に
加熱した雰囲気中にさらして所望の深さだけ酸化させ、
図１（ｄ）に示すように遮光金属膜パターン２２ａの表
面を覆うように反射防止膜２５を形成し、洗浄を行って
フォトマスク２６は完成する。
【００２６】上記実施例１における製造方法によれば、
エッチングによる遮光金属膜パターン２２ａ形成後に、
この遮光金属膜パターン２２ａの表面を覆うように且つ
一体化された格好で反射防止膜２５を形成するようにし
ているので、ノッチや段差が発生することもなくフォト
マスク２６の品質の低下を防止することができる。
エッチングによる遮光金属膜パターン２２ａ形成後に、
この遮光金属膜パターン２２ａの表面を覆うように且つ
一体化された格好で反射防止膜２５を形成するようにし
ているので、ノッチや段差が発生することもなくフォト
マスク２６の品質の低下を防止することができる。
【００２７】実施例２．尚、上記実施例１における酸化
処理を、例えばヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、ア
ルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスと、この不活性ガスの量
に対して１０ｐｐｍ〜１０％の例えば酸素（Ｏ2）、オ
ゾン（Ｏ3）等の酸化性ガスと、１〜５％の例えば水素
（Ｈ2）等の還元性ガスとの混合ガスを、１００℃〜５
００℃に加熱した雰囲気中に、遮光金属膜パターン２２
ａの表面をさらして行うようにしても良く、上記実施例
１と同様の効果を発揮し得ることは勿論のこと、還元性
ガスを混合させたことにより、反射防止膜２５の膜厚が
均一化されフォトマスク２６の品質が向上する。
処理を、例えばヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、ア
ルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスと、この不活性ガスの量
に対して１０ｐｐｍ〜１０％の例えば酸素（Ｏ2）、オ
ゾン（Ｏ3）等の酸化性ガスと、１〜５％の例えば水素
（Ｈ2）等の還元性ガスとの混合ガスを、１００℃〜５
００℃に加熱した雰囲気中に、遮光金属膜パターン２２
ａの表面をさらして行うようにしても良く、上記実施例
１と同様の効果を発揮し得ることは勿論のこと、還元性
ガスを混合させたことにより、反射防止膜２５の膜厚が
均一化されフォトマスク２６の品質が向上する。
【００２８】実施例３．又、上記各実施例は各混合ガス
を１００℃〜５００℃に加熱した雰囲気内で酸化処理を
行う場合について説明したが、酸化処理を、不活性ガス
と、この不活性ガスの流量に対して１０ｐｐｍ〜１０％
の酸化性ガスとの混合ガスを用い、例えばｒｆ放電等で
発生させたプラズマ雰囲気中に、遮光金属膜パターン２
２ａの表面をさらして行うようにしても良く、上記実施
例１と同様の効果を発揮し得ることは勿論のこと、プラ
ズマ雰囲気中で酸化処理を行っているので、遮光金属膜
パターン２２ａに熱影響を与えることもなく、フォトマ
スク２６の品質を向上させることができる。
を１００℃〜５００℃に加熱した雰囲気内で酸化処理を
行う場合について説明したが、酸化処理を、不活性ガス
と、この不活性ガスの流量に対して１０ｐｐｍ〜１０％
の酸化性ガスとの混合ガスを用い、例えばｒｆ放電等で
発生させたプラズマ雰囲気中に、遮光金属膜パターン２
２ａの表面をさらして行うようにしても良く、上記実施
例１と同様の効果を発揮し得ることは勿論のこと、プラ
ズマ雰囲気中で酸化処理を行っているので、遮光金属膜
パターン２２ａに熱影響を与えることもなく、フォトマ
スク２６の品質を向上させることができる。
【００２９】実施例４．さらに又、酸化処理を、不活性
ガスと、この不活性ガスの流量に対して１０ｐｐｍ〜１
０％の酸化性ガスと、１〜５％の還元性ガスとの混合ガ
スを用い、例えばｒｆ放電等で発生させたプラズマ雰囲
気中に、遮光金属膜パターン２２ａの表面をさらして行
うようにしても良く、上記実施例２と同様の効果を発揮
し得ることは勿論のこと、プラズマ雰囲気中で酸化処理
を行っているので、遮光金属膜パターン２２ａに熱影響
を与えることもなく、フォトマスク２６の品質を向上さ
せることができる。
ガスと、この不活性ガスの流量に対して１０ｐｐｍ〜１
０％の酸化性ガスと、１〜５％の還元性ガスとの混合ガ
スを用い、例えばｒｆ放電等で発生させたプラズマ雰囲
気中に、遮光金属膜パターン２２ａの表面をさらして行
うようにしても良く、上記実施例２と同様の効果を発揮
し得ることは勿論のこと、プラズマ雰囲気中で酸化処理
を行っているので、遮光金属膜パターン２２ａに熱影響
を与えることもなく、フォトマスク２６の品質を向上さ
せることができる。
【００３０】実施例５．図２はこの発明の実施例５にお
けるフォトマスクの製造方法を示す図である。以下、こ
の発明の実施例５におけるフォトマスクの製造方法を図
に基づいて説明する。まず、実施例１の場合と同様の工
程を経て、ガラス基板２１上に遮光金属膜パターン２２
ａを形成した後、この遮光金属膜パターン２２ａの表面
を酸化処理して反射防止膜２５を形成する。そして、こ
の酸化処理工程と併行して、例えば３６５ｎｍというよ
うに所望の波長用のレーザ２７からレーザ光２８を発射
し、装置窓２９を通してフォトマスク２６上の遮光金属
膜パターン２２ａ表面に照射する。
けるフォトマスクの製造方法を示す図である。以下、こ
の発明の実施例５におけるフォトマスクの製造方法を図
に基づいて説明する。まず、実施例１の場合と同様の工
程を経て、ガラス基板２１上に遮光金属膜パターン２２
ａを形成した後、この遮光金属膜パターン２２ａの表面
を酸化処理して反射防止膜２５を形成する。そして、こ
の酸化処理工程と併行して、例えば３６５ｎｍというよ
うに所望の波長用のレーザ２７からレーザ光２８を発射
し、装置窓２９を通してフォトマスク２６上の遮光金属
膜パターン２２ａ表面に照射する。
【００３１】そして、表面で反射された反射レーザ光２
８ａを光強度測定子３０で受けてその強度を測定する。
図３はその時の光強度の測定結果の一例を示すものであ
る。図から明らかなように、遮光金属膜パターン２２ａ
のみの時（図中、時間０の時）に反射レーザ光２８ａの
強度は最大となり、以降、酸化処理が進行して反射防止
膜２５が形成され始めると、反射レーザ光２８ａの強度
は次第に減少し、反射防止膜２５の膜厚Ｌが前述したＬ
＝λ／４ｎの値になった時（図中、時間９の時）に最小
となる。
８ａを光強度測定子３０で受けてその強度を測定する。
図３はその時の光強度の測定結果の一例を示すものであ
る。図から明らかなように、遮光金属膜パターン２２ａ
のみの時（図中、時間０の時）に反射レーザ光２８ａの
強度は最大となり、以降、酸化処理が進行して反射防止
膜２５が形成され始めると、反射レーザ光２８ａの強度
は次第に減少し、反射防止膜２５の膜厚Ｌが前述したＬ
＝λ／４ｎの値になった時（図中、時間９の時）に最小
となる。
【００３２】したがって、予め所望の反射率となった時
の信号強度（図中、８０〜１２０の範囲）を求めてお
き、信号強度がこの範囲に入った時に酸化処理工程を終
了するようにしておけば、所望の反射率の膜厚を有する
反射防止膜２５が容易に得られる。
の信号強度（図中、８０〜１２０の範囲）を求めてお
き、信号強度がこの範囲に入った時に酸化処理工程を終
了するようにしておけば、所望の反射率の膜厚を有する
反射防止膜２５が容易に得られる。
【００３３】
【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１によ
れば、ガラス基板上に遮光金属膜を形成する工程と、遮
光金属膜上に電子線レジスト膜を形成する工程と、電子
線レジスト膜に所望のパターンで電子線を照射しレジス
トパターンを形成する工程と、レジストパターンを介し
て遮光金属膜をエッチングすることにより遮光金属膜パ
ターンを形成する工程と、レジストパターンをエッチン
グにより除去する工程と、遮光金属膜パターンの表面を
酸化処理して所望の厚さの反射防止膜を形成する工程と
を包含したので、品質を低下させることなく反射防止膜
を形成することが可能なフォトマスクの製造方法を提供
することができる。
れば、ガラス基板上に遮光金属膜を形成する工程と、遮
光金属膜上に電子線レジスト膜を形成する工程と、電子
線レジスト膜に所望のパターンで電子線を照射しレジス
トパターンを形成する工程と、レジストパターンを介し
て遮光金属膜をエッチングすることにより遮光金属膜パ
ターンを形成する工程と、レジストパターンをエッチン
グにより除去する工程と、遮光金属膜パターンの表面を
酸化処理して所望の厚さの反射防止膜を形成する工程と
を包含したので、品質を低下させることなく反射防止膜
を形成することが可能なフォトマスクの製造方法を提供
することができる。
【００３４】又、この発明の請求項２によれば、請求項
１における酸化処理を、不活性ガスと酸化性ガスとの混
合ガスを１００℃〜５００℃に加熱した雰囲気中に遮光
金属膜パターンの表面をさらして行うようにしたので、
品質を低下させることなく反射防止膜を形成することが
可能なフォトマスクの製造方法を提供することができ
る。
１における酸化処理を、不活性ガスと酸化性ガスとの混
合ガスを１００℃〜５００℃に加熱した雰囲気中に遮光
金属膜パターンの表面をさらして行うようにしたので、
品質を低下させることなく反射防止膜を形成することが
可能なフォトマスクの製造方法を提供することができ
る。
【００３５】又、この発明の請求項３によれば、請求項
１における酸化処理を、不活性ガスと酸化性ガスとこれ
ら両ガスの量に対して１〜５％の量の還元性ガスとの混
合ガスを１００℃〜５００℃に加熱した雰囲気中に遮光
金属膜パターンの表面をさらして行うようにしたので、
品質を低下させることなく反射防止膜を形成することが
可能なフォトマスクの製造方法を提供することができ
る。
１における酸化処理を、不活性ガスと酸化性ガスとこれ
ら両ガスの量に対して１〜５％の量の還元性ガスとの混
合ガスを１００℃〜５００℃に加熱した雰囲気中に遮光
金属膜パターンの表面をさらして行うようにしたので、
品質を低下させることなく反射防止膜を形成することが
可能なフォトマスクの製造方法を提供することができ
る。
【００３６】又、この発明の請求項４によれば、請求項
１における酸化処理を、不活性ガスと酸化性ガスとの混
合ガスを用いて生成したプラズマ雰囲気中に遮光金属膜
パターンの表面をさらして行うようにしたので、品質を
低下させることなく反射防止膜を形成することが可能な
フォトマスクの製造方法を提供することができる。
１における酸化処理を、不活性ガスと酸化性ガスとの混
合ガスを用いて生成したプラズマ雰囲気中に遮光金属膜
パターンの表面をさらして行うようにしたので、品質を
低下させることなく反射防止膜を形成することが可能な
フォトマスクの製造方法を提供することができる。
【００３７】又、この発明の請求項５によれば、請求項
１における酸化処理を、不活性ガスと酸化性ガスとこれ
ら両ガスの量に対して１〜５％の量の還元性ガスとの混
合ガスを用いて生成したプラズマ雰囲気中に遮光金属膜
パターンの表面をさらして行うようにしたので、品質を
低下させることなく反射防止膜を形成することが可能な
フォトマスクの製造方法を提供することができる。
１における酸化処理を、不活性ガスと酸化性ガスとこれ
ら両ガスの量に対して１〜５％の量の還元性ガスとの混
合ガスを用いて生成したプラズマ雰囲気中に遮光金属膜
パターンの表面をさらして行うようにしたので、品質を
低下させることなく反射防止膜を形成することが可能な
フォトマスクの製造方法を提供することができる。
【００３８】又、この発明の請求項６によれば、ガラス
基板上に遮光金属膜を形成する工程と、遮光金属膜上に
電子線レジスト膜を形成する工程と、電子線レジスト膜
に所望のパターンで電子線を照射しレジストパターンを
形成する工程と、レジストパターンを介して遮光金属膜
をエッチングすることにより遮光金属膜パターンを形成
する工程と、レジストパターンをエッチングにより除去
する工程と、遮光金属膜パターンの表面を酸化処理して
反射防止膜を形成するとともに遮光金属膜パターンの表
面の反射率を検出することにより反射防止膜の厚さを所
望の値に制御する工程とを包含したので、品質を低下さ
せることなく所望の反射率の膜厚を有する反射防止膜を
形成することが可能なフォトマスクの製造方法を提供す
ることができる。
基板上に遮光金属膜を形成する工程と、遮光金属膜上に
電子線レジスト膜を形成する工程と、電子線レジスト膜
に所望のパターンで電子線を照射しレジストパターンを
形成する工程と、レジストパターンを介して遮光金属膜
をエッチングすることにより遮光金属膜パターンを形成
する工程と、レジストパターンをエッチングにより除去
する工程と、遮光金属膜パターンの表面を酸化処理して
反射防止膜を形成するとともに遮光金属膜パターンの表
面の反射率を検出することにより反射防止膜の厚さを所
望の値に制御する工程とを包含したので、品質を低下さ
せることなく所望の反射率の膜厚を有する反射防止膜を
形成することが可能なフォトマスクの製造方法を提供す
ることができる。
【図１】この発明の実施例１におけるフォトマスクの製
造方法を示す図である。
造方法を示す図である。
【図２】この発明の実施例５におけるフォトマスクの製
造方法を示す図である。
造方法を示す図である。
【図３】反射レーザ光の光強度の測定結果の一例を示す
曲線図である。
曲線図である。
【図４】フォトマスクを使用したシリコンウエハ上への
パターン転写の一例を示す図である。
パターン転写の一例を示す図である。
【図５】反射防止膜構造を有する従来のフォトマスクの
製造方法を示す図である。
製造方法を示す図である。
２１ ガラス基板 ２２ 遮光金属膜 ２２ａ 遮光金属膜パターン ２３ 電子線レジスト ２３ａ レジストパターン ２４ 電子線 ２５ 反射防止膜 ２６ フォトマスク ２７ レーザ ２８ レーザ光 ２８ａ 反射レーザ光 ２９ 装置窓 ３０ 光強度測定子
Claims (6)
- 【請求項１】 ガラス基板上に遮光金属膜を形成する工
程と、上記遮光金属膜上に電子線レジスト膜を形成する
工程と、上記電子線レジスト膜に所望のパターンで電子
線を照射しレジストパターンを形成する工程と、上記レ
ジストパターンを介して上記遮光金属膜をエッチングす
ることにより遮光金属膜パターンを形成する工程と、上
記レジストパターンをエッチングにより除去する工程
と、上記遮光金属膜パターンの表面を酸化処理して所望
の厚さの反射防止膜を形成する工程とを包含したことを
特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 【請求項２】 酸化処理は、不活性ガスと酸化性ガスと
の混合ガスを１００℃〜５００℃に加熱した雰囲気中に
遮光金属膜パターンの表面をさらして行うようにしたこ
とを特徴とする請求項１記載のフォトマスクの製造方
法。 - 【請求項３】 酸化処理は、不活性ガスと酸化性ガスと
これら両ガスの量に対して１〜５％の量の還元性ガスと
の混合ガスを１００℃〜５００℃に加熱した雰囲気中に
遮光金属膜パターンの表面をさらして行うようにしたこ
とを特徴とする請求項１記載のフォトマスクの製造方
法。 - 【請求項４】 酸化処理は、不活性ガスと酸化性ガスと
の混合ガスを用いて生成したプラズマ雰囲気中に遮光金
属膜パターンの表面をさらして行うようにしたことを特
徴とする請求項１記載のフォトマスクの製造方法。 - 【請求項５】 酸化処理は、不活性ガスと酸化性ガスと
これら両ガスの量に対して１〜５％の量の還元性ガスと
の混合ガスを用いて生成したプラズマ雰囲気中に遮光金
属膜パターンの表面をさらして行うようにしたことを特
徴とする請求項１記載のフォトマスクの製造方法に関す
るものである。 - 【請求項６】 ガラス基板上に遮光金属膜を形成する工
程と、上記遮光金属膜上に電子線レジスト膜を形成する
工程と、上記電子線レジスト膜に所望のパターンで電子
線を照射しレジストパターンを形成する工程と、上記レ
ジストパターンを介して上記遮光金属膜をエッチングす
ることにより遮光金属膜パターンを形成する工程と、上
記レジストパターンをエッチングにより除去する工程
と、上記遮光金属膜パターンの表面を酸化処理して反射
防止膜を形成するとともに上記遮光金属膜パターンの表
面の反射率を検出することにより上記反射防止膜の厚さ
を所望の値に制御する工程とを包含したことを特徴とす
るフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6595194A JPH07281411A (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6595194A JPH07281411A (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07281411A true JPH07281411A (ja) | 1995-10-27 |
Family
ID=13301806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6595194A Pending JPH07281411A (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07281411A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002251000A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、位相シフトマスクブランクス及び半導体装置の製造方法 |
| KR100675875B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2007-02-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 ｂａｒｃ를 이용한 반도체소자의 미세 패턴 형성방법 |
| JP2008116583A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法 |
| WO2010092879A1 (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-19 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
| WO2012086744A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | Hoya株式会社 | マスクブランク及びその製造方法、並びに転写用マスク及びその製造方法 |
| JP2012159855A (ja) * | 2012-04-23 | 2012-08-23 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法 |
-
1994
- 1994-04-04 JP JP6595194A patent/JPH07281411A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100675875B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2007-02-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 ｂａｒｃ를 이용한 반도체소자의 미세 패턴 형성방법 |
| JP2002251000A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、位相シフトマスクブランクス及び半導体装置の製造方法 |
| JP2008116583A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法 |
| KR101373966B1 (ko) * | 2009-02-12 | 2014-03-12 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크의 제조 방법 |
| JP2010186069A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Hoya Corp | フォトマスクの製造方法 |
| US8663875B2 (en) | 2009-02-12 | 2014-03-04 | Hoya Corporation | Method of manufacturing a photomask |
| WO2010092879A1 (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-19 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
| TWI467316B (zh) * | 2009-02-12 | 2015-01-01 | Hoya Corp | 光罩之製造方法 |
| WO2012086744A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | Hoya株式会社 | マスクブランク及びその製造方法、並びに転写用マスク及びその製造方法 |
| KR20130132925A (ko) * | 2010-12-24 | 2013-12-05 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 및 전사용 마스크 및 그 제조 방법 |
| JPWO2012086744A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2014-06-05 | Hoya株式会社 | マスクブランク及びその製造方法、並びに転写用マスク及びその製造方法 |
| US9091934B2 (en) | 2010-12-24 | 2015-07-28 | Hoya Corporation | Mask blank, method of manufacturing the same, transfer mask, and method of manufacturing the same |
| JP5865263B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2016-02-17 | Hoya株式会社 | マスクブランク及びその製造方法、並びに転写用マスク及びその製造方法 |
| US9535320B2 (en) | 2010-12-24 | 2017-01-03 | Hoya Corporation | Mask blank, method of manufacturing the same, transfer mask, and method of manufacturing the same |
| JP2012159855A (ja) * | 2012-04-23 | 2012-08-23 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法 |
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