JP5865263B2 - マスクブランク及びその製造方法、並びに転写用マスク及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims description 114
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 77
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 375
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 198
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 178
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 175
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 160
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 88
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 84
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 74
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 64
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 64
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 63
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 62
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 59
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 42
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 36
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 26
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 25
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 23
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 17
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 17
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 claims description 15
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 82
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 69
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 35
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 25
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 22
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 19
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 13
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 10
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 9
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 8
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 8
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 8
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 7
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001845 chromium compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 5
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 4
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 4
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 4
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 4
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- -1 molybdenum silicide) Chemical compound 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 150000003482 tantalum compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- WURFKUQACINBSI-UHFFFAOYSA-M ozonide Chemical compound [O]O[O-] WURFKUQACINBSI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910021350 transition metal silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- UYJXRRSPUVSSMN-UHFFFAOYSA-P ammonium sulfide Chemical compound [NH4+].[NH4+].[S-2] UYJXRRSPUVSSMN-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910000500 β-quartz Inorganic materials 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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Description
しかし、本発明者の検討によると、このようなオゾン洗浄は、遷移金属を含む材料からなる薄膜を溶解させ、膜減りが生じ、そのため光学特性が変化(光学濃度低下、反射率変化など)してしまうという問題が発生することが判明した。特に、遷移金属がクロムの場合には、上記問題が顕著であることが判明した。また、近年のパターンの微細化に伴い、転写用マスクの製造コストが上昇してきていることから、転写用マスクの長寿命化が図られているが、その分洗浄回数が増加することとなる。そのため、特に、光半透過膜パターン上にクロム系遮光膜パターンを有する位相シフトマスクにおいて、オゾン洗浄回数が増加することによって、遮光膜パターンの光学特性の変化の問題が顕著であることも判明した。
転写用マスクにおいて、このような光学特性の変化はマスク性能に影響を与える重要な問題であり、最終的には転写用マスクを用いて製造される半導体装置の品質を悪化させることになる。
本発明者は以上の解明事実に基づき、さらに鋭意検討を続けた結果、本発明を完成したものである。
すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
基板上に、遷移金属を含む材料からなる反射防止層が表面に形成された薄膜を有するマスクブランクの製造方法であって、濃度が50〜100体積%の高濃度オゾンガスを前記反射防止層に作用させることによって、前記反射防止層の表面に前記遷移金属の酸化物を含む強酸化膜からなる表面改質層を形成する処理を施すことを特徴とするマスクブランクの製造方法である。
(構成2)
前記処理は、前記高濃度オゾンガスと不飽和炭化水素ガスとを前記反射防止層に作用させることを特徴とする構成1に記載のマスクブランクの製造方法である。
前記不飽和炭化水素は、炭素数1〜4の低級不飽和炭化水素であることを特徴とする構成2に記載のマスクブランクの製造方法である。
(構成4)
前記処理は、前記薄膜付の基板を80℃以下で加熱しながら行うことを特徴とする構成1乃至3の何れかに記載のマスクブランクの製造方法である。
(構成5)
前記処理前後のマスクブランクの特性は維持され、該特性は、マスクブランクの平坦度、薄膜の表面粗さ、薄膜の光学特性及び薄膜の光学特性の面内均一性の少なくとも1つであることを特徴とする構成1乃至4の何れかに記載のマスクブランクの製造方法である。
(構成6)
前記処理前後のマスクブランクの平坦度の変化量は30nm以下であることを特徴とする構成1乃至5の何れかに記載のマスクブランクの製造方法である。
前記表面改質層の表面粗さは(Ra)は、0.70nm以下であることを特徴とする構成1乃至6の何れかに記載のマスクブランクの製造方法である。
(構成8)
前記遷移金属がクロム(Cr)又はタンタル(Ta)であることを特徴とする構成1乃至7の何れかに記載のマスクブランクの製造方法である。
(構成9)
構成1乃至8の何れかに記載のマスクブランクの製造方法によって製造されたマスクブランクである。
(構成10)
基板上に、遷移金属を含む材料からなる反射防止層が表面に形成された薄膜を有するマスクブランクであって、前記反射防止層は、前記遷移金属の酸化物を含む強酸化膜からなる表面改質層を有することを特徴とするマスクブランクである。
前記表面改質層の表面粗さ(Ra)は0.70nm以下であることを特徴とする構成10に記載のマスクブランクである。
(構成12)
前記遷移金属がクロム(Cr)であり、前記表面改質層の酸化物は、3価又は4価のクロム酸化物を含むことを特徴とする構成9乃至11の何れかに記載のマスクブランクである。
前記遷移金属がクロム(Cr)であり、前記表面改質層は、X線光電子分光法(XPS)によって測定されるO(酸素)1sスペクトルにおいて、結合エネルギーがそれぞれ532eV付近にある第1のピークと530eV付近にある第2のピークとに分離したときに、第2のピーク面積に対する第1のピーク面積の割合が2.0以上であることを特徴とする構成9乃至12の何れかに記載のマスクブランクである。
(構成14)
前記表面改質層の膜厚は、3nm以下であることを特徴とする構成9乃至13の何れかに記載のマスクブランクである。
(構成15)
構成9乃至14の何れかに記載のマスクブランクにおける前記薄膜をパターニングして薄膜パターンを形成してなることを特徴とする転写用マスクである。
基板上に、遷移金属を含む材料からなる薄膜をパターニングしてなる薄膜パターンを有する転写用マスクの製造方法であって、濃度が50〜100体積%の高濃度オゾンガスを前記薄膜パターンに作用させることによって、前記薄膜パターンの表層に前記遷移金属の酸化物を含む強酸化膜からなる表面改質層を形成する処理を施すことを特徴とする転写用マスクの製造方法である。
(構成17)
前記処理は、前記高濃度オゾンガスと不飽和炭化水素ガスとを前記薄膜パターンに作用させることを特徴とする構成16に記載の転写用マスクの製造方法である。
前記不飽和炭化水素は、炭素数1〜4の低級不飽和炭化水素であることを特徴とする構成17に記載の転写用マスクの製造方法である。
(構成19)
前記処理は、前記薄膜パターン付の基板を80℃以下で加熱しながら行うことを特徴とする構成16乃至18の何れかに記載の転写用マスクの製造方法である。
(構成20)
前記処理前後の転写用マスクの特性は維持され、該特性は、前記薄膜パターンの光学濃度、露光波長に対する表面反射率、検査波長に対する表面反射率及びCDの何れか1つを含むことを特徴とする構成16乃至19の何れかに記載の転写用マスクの製造方法である。
前記表面改質層の膜厚は、3nm以下であることを特徴とする構成16乃至20の何れかに記載の転写用マスクの製造方法である。
(構成22)
前記遷移金属がクロム(Cr)であり、前記表面改質層の酸化物は、3価又は4価のクロム酸化物を含むことを特徴とする構成16乃至21の何れかに記載の転写用マスクの製造方法である。
(構成23)
前記遷移金属がタンタル(Ta)であることを特徴とする構成16乃至21の何れかに記載の転写用マスクの製造方法である。
(構成24)
構成16乃至23の何れかに記載の転写用マスクの製造方法によって製造された転写用マスクである。
(構成25)
構成15又は24記載の転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法である。
また、本発明のマスクブランクを用いて製造される転写用マスクにおいて、使用時のオゾン洗浄等に対する洗浄耐性を向上でき、洗浄によるマスク性能の劣化を防止できる。
本発明の転写用マスクの製造方法によれば、基板上に形成された遷移金属を含む材料からなる薄膜をパターニングして薄膜パターンを形成後、濃度が50〜100体積%の高濃度オゾンガスを前記薄膜パターンに作用させ、前記薄膜パターンの表面に前記遷移金属の酸化物を含む強酸化膜からなる表面改質層を形成することにより、薄膜パターンの光学濃度、光学特性、CD、それらの面内均一性などを劣化させることなく、オゾン洗浄等に対する洗浄耐性を向上できる。
また、本発明の転写用マスクの製造方法によって製造される転写用マスクにおいて、使用時のオゾン洗浄等に対する洗浄耐性を向上でき、洗浄によるマスク性能の劣化を防止できる。
本発明は、構成1の発明にあるように、基板上に、遷移金属を含む材料からなる反射防止層が表面に形成された薄膜を有するマスクブランクの製造方法であって、濃度が50〜100体積%の高濃度オゾンガスを前記反射防止層に作用させることによって、前記反射防止層の表面に前記遷移金属の酸化物を含む強酸化膜からなる表面改質層を形成する処理を施すことを特徴とするマスクブランクの製造方法である。
透光性基板1上に上記薄膜2を成膜する方法としては、例えばスパッタ成膜法が好ましく挙げられるが、本発明はスパッタ成膜法に限定する必要はない。
なお、図1に示すマスクブランク10は、上記薄膜2上にレジスト膜を備えていないが、本発明は、薄膜2上に任意のレジスト膜を備えた構造のマスクブランクも含まれる。
また、仮に加熱処理によって本発明の課題であるオゾン洗浄に対する洗浄耐性を向上させるためには、遷移金属がクロムの場合には、少なくとも300℃の温度で数時間以上の高温度、長時間の加熱処理が必要である。したがって、仮に洗浄耐性をある程度向上できたとしても、このような高温度、長時間の加熱処理を行うと、薄膜の劣化や、マスクブランクの平坦度の変化、表面粗さの劣化、光学特性、光学特性の面内均一性等の変化を生じることは避けられず、マスクブランク性能、ひいてはマスク性能の劣化を引き起こす恐れがある。
上記不飽和炭化水素としては、例えば、エチレン、ブチレン等の炭素の二重結合を有する炭化水素(アルケン)や、アセチレン等の炭素の三重結合を有する炭化水素(アルキン)等が挙げられ、特にこのような炭素数1〜4程度の低級不飽和炭化水素が好ましい。
高濃度オゾンガスと不飽和炭化水素ガスとの供給比率(流量比率)は、1:1〜4:1が好ましい。この範囲内であれば、高濃度オゾンカスと不飽和炭化水素ガスとの反応が良好に行われる。
処理時間(高濃度オゾンガスを作用させる時間)については、オゾン濃度、基板の加熱温度、表面改質層の膜厚、被覆率等を考慮して適宜決定すればよい。
なお、本発明に記載する平坦度とはTIR(Total Indicated Reading)で表される表面の反り(変形量)を表す値である。本発明においては142×142mmのエリア内の測定値をもって平坦度とする。例えば、6インチ基板の中心における142×142mmのエリア内の測定値である。
表面粗さをRa=0.70nm以下、さらにはRa=0.50nm以下にすることにより、薄膜パターンのLER(Line Edge Roughness)を小さくすることができると共に、薄膜パターンの断面形状も良好にすることができるので好ましい。本発明の高濃度オゾンガス処理によって薄膜に表面改質層を形成した場合、表面改質層形成前後において、表面粗さが変化しないか、又は小さくすることができる。
また、ダブルパターニング/ダブル露光技術を用いる転写用マスクにも好適である。これらの露光技術は2枚セットの転写用マスクを用いるものであるため、2枚の転写用マスクの精度の要求が厳しいが、本発明はこのような要求を満たすことが可能となる。
なお、高濃度オゾンガス処理を施さない場合には、薄膜の表層が自然酸化し、A成分を含む酸化膜が形成される可能性があるが、本発明の洗浄耐性を向上させる均質な強酸化膜からなる表面改質層は形成されない。
なお、表面改質層の存在は、例えば薄膜の断面TEM観察により確認することが可能であり、表面改質層の膜厚についても特定することが可能である。
透光性基板1上に、上記反射防止層21を含む薄膜2を成膜し、反射防止層21の表層に表面改質層を形成したマスクブランク10を用いて、フォトリソグラフィー法により、該マスクブランクの薄膜をパターニングすることにより、薄膜パターンを形成する。すなわち、上記マスクブランク上に、例えば電子線描画用ポジ型レジスト膜3を形成し(同図(a)参照)、所望のデバイスパターンの描画を行う(同図(b)参照)。描画後、レジスト膜3を現像処理することにより、レジストパターン3aを形成する(同図(c)参照)。次に、このレジストパターン3aをマスクとして、上記反射防止層21を含む薄膜2をエッチングすることにより、反射防止層パターン21aを含む薄膜パターン2aを形成することができる(同図(d)参照)。この際のエッチング方法としては、微細パターンの形成に有効なドライエッチングを好ましく用いることができる。
残存するレジストパターンを除去して、透光性基板1上に反射防止層パターン21aを含む薄膜パターン2aを形成した転写用マスク20が出来上がる(同図(e)参照)。
本発明は、構成16の発明にあるように、基板上に、遷移金属を含む材料からなる薄膜をパターニングしてなる薄膜パターンを有する転写用マスクの製造方法であって、濃度が50〜100体積%の高濃度オゾンガスを前記薄膜パターンに作用させることによって、前記薄膜パターンの表層に前記遷移金属の酸化物を含む強酸化膜からなる表面改質層を形成する処理を施すことを特徴とする転写用マスクの製造方法である。
なお、図4に示す転写用マスク200は、ペリクルを備えていないが、本発明は、ペリクルを備えた構造の転写用マスクも含まれる。
本発明の転写用マスク200の製造方法は、上記薄膜パターン2aの表面(表層部分及び側壁)に、前記遷移金属の酸化物を含む強酸化膜からなる表面改質層4aを形成するために、薄膜パターン2aの表面に50〜100体積%の高濃度オゾンガスを作用させる。因みに、従来、大気中あるいは大気中よりも酸素含有量の多い雰囲気下で転写用マスクを加熱処理することにより、薄膜の表面に酸化膜を形成させて、耐薬性等を向上させる方法が知られているが、本発明者の検討によると、このような加熱処理では、転写用マスクの特性を維持したまま、遷移金属の酸化物を含む強酸化膜の生成は困難である。また、たとえば本発明の課題であるオゾン洗浄に対する洗浄耐性を向上させるためには、遷移金属がクロムの場合には、少なくとも300℃の温度で数時間以上の高温度、長時間の加熱処理が必要であり、仮に洗浄耐性をある程度向上できたとしても、このような高温度、長時間の加熱処理を行うと、薄膜パターンの劣化や、薄膜パターンの光学濃度、表面反射率等の光学特性、CD、それらの面内均一性等の変化を生じることは避けられず、マスク性能の劣化を引き起こす恐れがある。
上記不飽和炭化水素としては、例えば、エチレン、ブチレン等の炭素の二重結合を有する炭化水素(アルケン)や、アセチレン等の炭素の三重結合を有する炭化水素(アルキン)等が挙げられ、特にこのような炭素数1〜4程度の低級不飽和炭化水素が好ましい。
高濃度オゾンガスと不飽和炭化水素ガスとの供給比率(流量比率)は、1:1〜4:1が好ましい。この範囲内であれば、高濃度オゾンカスと不飽和炭化水素ガスとの反応が良好に行われる。
処理時間(高濃度オゾンガスを作用させる時間)については、オゾン濃度、基板の加熱温度、表面改質層の膜厚、被覆率等を考慮して適宜決定すればよい。
また、ダブルパターニング/ダブル露光技術を用いる転写用マスクにも好適である。これらの露光技術は2枚セットの転写用マスクを用いるものであるため、2枚の転写用マスクの精度の要求が厳しいが、本発明はこのような要求を満たすことが可能となる。
なお、表面改質層の存在は、例えば薄膜の断面TEM観察により確認することが可能であり、表面改質層の膜厚についても特定することが可能である。
上述した図3のマスクブランクにおける薄膜に形成される表面改質層の評価は、転写用マスクにおける薄膜パターンに形成される表面改質層の評価にも適用できる。
以上の実施の形態により説明したように、本発明は、とくに波長200nm以下の短波長の露光光を露光光源とする露光装置に用いられる転写用マスクおよびこのマスクの製造に用いるマスクブランクに好適である。本発明によれば、洗浄による光学特性変化を生じることなく、ヘイズを防止できる。例えば、以下のようなマスクブランクおよび転写用マスクに好適である。
前記薄膜パターンが遷移金属を含む材料からなる遮光膜であるバイナリマスク
かかるバイナリマスクブランクおよびバイナリマスクは、透光性基板上に遮光膜を有する形態のものであり、この遮光膜は、クロム、タンタル、ルテニウム等の遷移金属単体あるいはその化合物を含む材料からなる。例えば、クロムや、クロムに酸素、窒素、炭素などの元素から選ばれる1種以上の元素を添加したクロム化合物で構成した遮光膜が挙げられる。また、例えば、タンタルに、酸素、窒素、ホウ素などの元素から選ばれる1種以上の元素を添加したタンタル化合物で構成した遮光膜が挙げられる。また、上記遷移金属と、アルミニウム、マグネシウム、ガリウム、ゲルマニウム、スズ等の金属とを含む合金又はそれに酸素、窒素、炭素などの元素から選ばれる1種以上の元素を添加した化合物としてもよい。
また、遮光膜の膜厚方向における組成が連続的又は段階的に異なる組成傾斜膜としてもよい。
前記薄膜パターンが、光半透過膜の上に形成され、遷移金属を含む材料からなる遮光膜を含む位相シフトマスク
かかる位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクとしては、透光性基板上に光半透過膜を有する形態のものであって、該光半透過膜をパターニングしてシフタ部を設けるタイプであるハーフトーン型位相シフトマスク用やトライトーン型位相シフトマスク用のマスクブランクがある。かかる位相シフトマスクにおいては、転写領域の外周部分における多重露光を防止するために、転写領域の外周部分に遮光帯を有する形態とするものや、光半透過膜を透過した光に基づき転写領域に形成される光半透過膜パターンによる被転写基板のパターン不良を防止するために、透光性基板上に光半透過膜とその上の遮光膜とを有する形態とするものが挙げられる。また、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクやトライトーン型位相シフトマスクブランクの他に、透光性基板をエッチング等により掘り込んでシフタ部を設ける基板掘り込みタイプであるレベンソン型位相シフトマスク用やクロムレス位相シフトマスク用、エンハンサー型位相シフトマスク用のブランク及び転写用マスクが挙げられる。
また、光半透過膜上に遮光膜を有する位相シフトマスクの場合、上記光半透過膜の材料が遷移金属及びケイ素を含む場合には、遮光膜の材料としては、光半透過膜に対してエッチング選択性を有する(エッチング耐性を有する)特にクロムや、クロムに酸素、窒素、炭素などの元素を添加したクロム化合物で構成することが好ましい。また、遮光膜の膜厚方向における組成が連続的又は段階的に異なる組成傾斜膜としてもよい。
特に、光半透過膜がモリブデン及びケイ素を含む材料からなり、上記遮光膜がクロムを含む材料からなる場合、光半透過膜に比べて遮光膜のオゾン水洗浄による洗浄耐性が低いため、転写用マスクの洗浄回数が増加すると、光半透過膜パターンの光学特性は変化しなくても遮光膜パターンが膜べりして光学特性が変化してしまうという問題が発生するが、遮光膜パターンに表面改質層が形成されることによって、遮光膜パターンの光学特性の変化を抑制することができるため、位相シフトマスクの洗浄耐性を向上させることが可能となる。
前記薄膜パターンが、遮光膜の上に形成され、遷移金属を含む材料からなる材料からなるエッチングマスク膜を含むバイナリマスク
かかるバイナリマスクブランクおよびバイナリマスクは、透光性基板上に遮光膜及びエッチングマスク膜(反射防止膜)のパターンを有する形態のものである。この遮光膜は、遷移金属及びケイ素の化合物を含む材料からなり、これらの遷移金属及びケイ素と、酸素及び/又は窒素を主たる構成要素とする材料が挙げられる。また、遮光膜は、遷移金属と、酸素、窒素及び/又はホウ素を主たる構成要素とする材料が挙げられる。遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、これらを二種以上含む合金等が適用可能である。また、上記遷移金属と、アルミニウム、マグネシウム、ガリウム、ゲルマニウム、スズ等の金属とを含む合金としてもよい。
また、遮光膜の膜厚方向における組成が連続的又は段階的に異なる組成傾斜膜としてもよい。
また、(1)〜(3)において、透光性基板と遮光膜との間、又は光半透過膜と遮光膜との間に、遮光膜や光半透過膜に対してエッチング耐性を有するエッチングストッパー膜を設けてもよい。
前記薄膜パターンが、遷移金属(特に、タンタル)を含む材料からなる吸収体膜を含む反射型マスク
かかる反射型マスクブランク及び反射型マスクは、基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、該多層反射膜上にバッファ膜、さらにその上に露光光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成されたものである。バッファ膜は、吸収体膜のパターン形成工程及び修正工程における多層反射膜の保護を目的として多層反射膜と吸収体膜との間に設けられており、バッファ膜がない構成とすることもできる。
転写用マスクには、位相シフト効果を使用しないバイナリマスク、位相シフト効果を使用する位相シフトマスクの中では、ハーフトーン型位相シフトマスク、トライトーン型位相シフトマスク、レベンソン型位相シフトマスク、クロムレス位相シフトマスク、エンハンサーマスク、反射型マスクなどが含まれる。転写用マスクにはレチクルが含まれる。
(実施例1)
透光性基板としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板を用い、透光性基板上に、まず窒化されたモリブデン及びシリコンからなる光半透過膜を成膜した。
具体的には、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)との混合ターゲット(Mo:Si=10mol%:90mol%)を用い、アルゴン(Ar)と窒素(N2)とヘリウム(He)との混合ガス雰囲気(ガス流量比 Ar:N2:He=5:49:46)で、ガス圧0.3Pa、DC電源の電力を3.0kWとして、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、モリブデン、シリコン及び窒素からなるMoSiN膜を69nmの膜厚で形成した。次いで、上記MoSiN膜が形成された基板に対して、加熱炉を用いて、大気中で加熱温度を450℃、加熱時間を1時間として、加熱処理を行った。なお、このMoSiN膜は、ArFエキシマレーザーにおいて、透過率は6.16%、位相差が184.4度となっていた。
具体的には、スパッタターゲットにクロム(Cr)ターゲットを用い、アルゴン(Ar)と二酸化炭素(CO2)と窒素(N2)とヘリウム(He)との混合ガス雰囲気(ガス圧0.2Pa,ガス流量比 Ar:CO2:N2:He=20:35:10:30)とし、DC電源の電力を1.7kWとし、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、膜厚30nmのCrOCN層を成膜した。続いて、アルゴン(Ar)と窒素(N2)との混合ガス雰囲気(ガス圧0.1Pa,ガス流量比 Ar:N2=25:5)とし、DC電源の電力を1.7kWとし、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、膜厚4nmのCrN層を成膜した。最後に、アルゴン(Ar)と二酸化炭素(CO2)と窒素(N2)とヘリウム(He)との混合ガス雰囲気(ガス圧0.2Pa,ガス流量比 Ar:CO2:N2:He=20:35:5:30)とし、DC電源の電力を1.7kWとし、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、膜厚14nmのCrOCN層を成膜し、合計膜厚48nmの3層積層構造のクロム系遮光膜を形成した。
原子間力顕微鏡(AFM)を用いて、上記遮光膜の表面の表面粗さを測定したところ(測定エリア1μm×1μm)、Ra=0.56nmであった。さらに、平坦度測定装置(トロッペル社製:UltraFlat200M)を用いて、142mm×142mmにおける平坦度を測定したところ、310nmであった。
以上のようにして、ガラス基板上に光半透過膜と遮光膜の積層構造のパターン形成用薄膜を有する位相シフトマスクブランクを作製した。
また、平坦度測定装置(トロッペル社製:UltraFlat200M)を用いて、142mm×142mmにおける平坦度を測定したところ、306nmであり、平坦度変化量は4nmであり、ほとんど変化はなかった。
上記表面改質層は、XPSによって測定されるO1sスペクトルにおいて、結合エネルギーがそれぞれ532eV付近にある第1のピークと530eV付近にある第2のピークとに分離したときに、第2のピーク面積に対する第1のピーク面積の割合が2.8である。上記第1のピークは、主に酸化度の高いクロム酸化物(Cr2O3など)成分や有機系酸素成分(A成分とする)によるピークであり、上記第2のピークは、主に酸化度の低いクロム酸化物(CrOなど)成分やクロム酸窒化物成分(B成分とする)によるピークである。この分析結果から、A成分は74%、B成分は26%であり、パターン形成用の薄膜の表面に上述の高濃度オゾンガス処理による表面改質層が形成されることにより、高濃度オゾンガス処理を施す前の表面改質層が形成されていない状態(上記(b)のスペクトル)と比べると、上記A成分の割合が増加し、B成分の割合が減少していることが分かる。また、O1sスペクトルにおいて、高濃度オゾンガス処理を施す前の第1のピーク強度が約7400c/sであるのに対して、高濃度オゾンガス処理を施した後の第1のピーク強度は約9500c/sであり、高濃度オゾンガス処理によって、第1のピークが増加していることが分かる。
実施例1において、ガラス基板上に光半透過膜と遮光膜を積層したマスクブランクに対し、遮光膜の表面に高濃度オゾンガス(100体積%)とエチレンガスとを作用させる処理時間を30分としたこと以外は、実施例1と同様にして位相シフトマスクブランクを作製した。
作製した本実施例の位相シフトマスクブランクの上記積層構造の薄膜の断面をTEM(透過型電子顕微鏡)を用いて詳しく観察したところ、遮光膜における表面反射防止層の表層部分に厚さ約2nmの被膜(表面改質層)が形成されていた。さらにこの被膜の組成をX線光電子分光法で表面に対する検出器の傾きを30°として分析したところ、元素組成(原子%比)は、Cr:17.9、O:43.1、N:4.6、C:34.4であった。また、クロム原子数を基準としたときの原子数比は、O/Cr=2.41、N/Cr=0.26、C/Cr=1.92である。
また、実施例1と同様にして平坦度を測定したところ、306nmであり、平坦度変化量は4nmであり、ほとんど変化はなかった。
透光性基板としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板を用い、この透光性基板上に、実施例1と同様の光半透過膜を成膜し加熱後、以下の表面反射防止層を有する遮光膜を成膜した。
具体的には、スパッタターゲットにクロム(Cr)ターゲットを用い、アルゴン(Ar)と窒素(N2)とヘリウム(He)との混合ガス雰囲気(ガス圧0.2Pa,ガス流量比 Ar:N2:He=30:30:40)とし、DC電源の電力を0.8kWとし、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、膜厚24nmのCrN膜を成膜した。続いて、アルゴン(Ar)とメタン(CH4)と一酸化窒素(NO)とヘリウム(He)の混合ガス雰囲気(ガス圧0.3Pa,ガス流量比 Ar+CH4:NO:He=65:3:40)とし、DC電源の電力を0.3kWとし、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、膜厚24nmのCrON(C)膜を成膜し、合計膜厚48nmの2層積層構造のクロム系遮光膜を形成した。なお、この遮光膜は、インライン型スパッタ装置を用いたため、CrN膜およびCrON(C)膜は膜厚方向に組成が傾斜した傾斜膜であった。
原子間力顕微鏡(AFM)を用いて、上記遮光膜の表面の表面粗さを測定したところ(測定エリア1μm×1μm)、Ra=0.73nmであった。
以上のようにして、ガラス基板上に光半透過膜と遮光膜の積層構造のパターン形成用薄膜を有する位相シフトマスクブランクを作製した。
また、原子間力顕微鏡(AFM)を用いて、上記表面改質層の表面の表面粗さを測定したところ(測定エリア1μm×1μm)、Ra=0.64nmであった。つまり、上述の高濃度オゾンガスによる処理を施す前の遮光膜の表面の表面粗さRa=0.73nmと比べて、表面粗さは処理前後で0.09nm減少しており(減少率は0.09÷0.73×100=12%)、表面粗さの劣化はなく、表面粗さが小さくなった。また、断面TEM観察を行ったところ、処理前後で、表面粗さの低減及びグレインサイズの低減が確認された。
透光性基板としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板を用い、透光性基板上に、遮光膜として、MoSiON膜(裏面反射防止層)、MoSi膜(遮光層)をそれぞれ形成した。
具体的には、MoとSiとの混合ターゲット(Mo:Si=21mol%:79mol%)を用い、ArとO2とN2とHeをスパッタリングガス圧0.2Pa(ガス流量比 Ar:O2:N2:He=5:4:49:42)とし、DC電源の電力を3.0kWで、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜を6nmの膜厚で形成し、次いで、同じターゲットを用い、Arをスパッタリングガス圧0.1Paとし、DC電源の電力を2.0kWで、モリブデン及びシリコンからなる膜を31nmの膜厚で形成した。
具体的には、スパッタターゲットにクロム(Cr)ターゲットを用い、アルゴン(Ar)と窒素(N2)と酸素(O2)との混合ガス雰囲気(ガス圧0.2Pa,ガス流量比 Ar:N2:O2=30:35:35)とし、DC電源の電力を1.7kWとし、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、膜厚17nmのCrON層を成膜した。
以上のようにして、ガラス基板上にパターン形成用MoSi系遮光膜およびCr系エッチングマスク膜を有するバイナリマスクブランクを作製した。
また、断面TEM観察を行ったところ、処理前後で、表面粗さの低減及びグレインサイズの低減が確認された。
さらに、処理後の遮光膜とエッチングマスク膜の積層膜の光学濃度は3.0であり、処理前と変化はなかった。また、ArFエキシマレーザー露光光の波長193nmに対するエッチングマスク膜の表面反射率及び488nmの検査光の波長に対する表面反射率についても確認したが、処理前と殆ど変化は認められなかった。
実施例1において、ガラス基板上に光半透過膜と遮光膜を積層したマスクブランクに対し、遮光膜における表面反射防止層の表面に高濃度オゾンガスとエチレンガスとを作用させる処理を省いたこと以外は、実施例1と同様にして位相シフトマスクブランクを作製した。
作製した本比較例の位相シフトマスクブランクの上記遮光膜の表層部分の組成をX線光電子分光法で表面に対する検出器の傾きを30°として詳しく分析したところ、元素組成(原子%比)は、Cr:18.5、O:36.1、N:8.5、C:36.9であった。また、クロム原子数を基準としたときの原子数比は、O/Cr=1.94、N/Cr=0.46、C/Cr=1.99である。
また、原子間力顕微鏡(AFM)を用いて、上記遮光膜の表面の表面粗さを測定したところ(測定エリア1μm×1μm)、Ra=0.56nmであった。
実施例1と同様にして、ガラス基板上に光半透過膜と遮光膜積層構造のパターン形成用薄膜を有する位相シフトマスクブランクを作製した。なお、この位相シフトマスクブランクは、実施例1の高濃度オゾンガス処理は施していない。
次に、上記の位相シフトマスクブランクを用いて、ハーフトーン型位相シフトマスクを作製した。
まず、上記マスクブランク上に、レジスト膜として、電子線描画用化学増幅型ネガレジスト膜(富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製 SLV08)を形成した。レジスト膜の形成は、スピンナー(回転塗布装置)を用いて、回転塗布した。上記レジスト膜を塗布後、所定の加熱乾燥処理を行った。レジスト膜の膜厚は165nmとした。
残存するレジストパターンを剥離して、位相シフトマスクを得た。なお、光半透過膜の透過率及び位相差、光半透過膜及び遮光膜の積層膜からなる光学濃度はマスクブランク製造時と殆ど変化はなかった。
このように、高濃度オゾンガス処理前後において、薄膜パターンの光学特性、CD及びCDバラツキが変化(劣化)することなく、表面改質層を形成することが確認できた。
実施例5において、ガラス基板上に光半透過膜と遮光膜を積層した位相シフトマスクに対し、薄膜パターンの表面に高濃度オゾンガス(100体積%)とエチレンガスとを作用させる処理時間を30分としたこと以外は、実施例5と同様にして位相シフトマスクを作製した。
作製した本実施例の位相シフトマスクの上記積層構造の薄膜パターンの断面をTEM(透過型電子顕微鏡)を用いて詳しく観察したところ、遮光膜の表層部分及び側壁に厚さ約2nmの被膜(表面改質層)が均一に形成されていた。この表面改質層は、実施例2のマスクブランクにおいて、30分の高濃度オゾンガス処理をした場合に、遮光膜表面に形成された表面改質層とほぼ同じものであった。
このように、高濃度オゾンガス処理前後において、薄膜パターンの光学特性、CD及びCDバラツキが変化(劣化)することなく、表面改質層を形成することが確認できた。
実施例3と同様にして、ガラス基板上に光半透過膜と遮光膜積層構造のパターン形成用薄膜を有する位相シフトマスクブランクを作製した。なお、この位相シフトマスクブランクは、実施例3の高濃度オゾンガス処理は施していない。
次に、上記の位相シフトマスクブランクを用いて、実施例5と同様にして、ハーフトーン型位相シフトマスクを作製した。
以上のようにして、得られた位相シフトマスクに対し、高濃度オゾンガスを供給し、光半透過膜パターン及び遮光膜パターンからなる薄膜パターンの表面に高濃度オゾンガスを作用させる処理を行った。この場合のオゾンガスの濃度は100体積%とし、処理時間(オゾンガスを作用させる時間)は10分とし、基板は60℃に加熱した。
また、処理後の光半透過膜パターンと遮光膜パターンの積層膜の光学濃度は3.0であり、処理前と変化はなかった。また、光半透過膜パターン及び遮光膜パターンの検査光の波長257nmに対する表面反射率についても確認したが、処理前と殆ど変化は認められなかった。さらに、処理後の光半透過膜パターンのCD及びCDバラツキ、透過率及び位相差も、処理前と変化はなかった。
このように、高濃度オゾンガス処理前後において、薄膜パターンの光学特性、CDが変化(劣化)することなく、表面改質層を形成することが確認できた。
透光性基板としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板を用い、この透光性基板上に、以下の遮光膜を成膜した。
具体的には、スパッタターゲットにクロム(Cr)ターゲットを用い、アルゴン(Ar)と二酸化炭素(CO2)と窒素(N2)とヘリウム(He)との混合ガス雰囲気(ガス圧0.2Pa,ガス流量比 Ar:CO2:N2:He=20:35:10:30)とし、DC電源の電力を1.7kWとし、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、膜厚39nmのCrOCN層を成膜した。続いて、アルゴン(Ar)と一酸化窒素(NO)とヘリウム(He)との混合ガス雰囲気(ガス圧0.1Pa,ガス流量比 Ar:NO:He=27:18:55)とし、DC電源の電力を1.7kWとし、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、膜厚16nmのCrON層を成膜した。最後に、アルゴン(Ar)と二酸化炭素(CO2)と窒素(N2)とヘリウム(He)との混合ガス雰囲気(ガス圧0.2Pa,ガス流量比 Ar:CO2:N2:He=20:35:5:30)とし、DC電源の電力を1.7kWとし、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、膜厚14nmのCrOCN層を成膜し、合計膜厚69nmの3層積層構造のクロム系遮光膜を形成した。
この遮光膜は、光学濃度(OD)がArFエキシマレーザー露光光の波長193nmにおいて3.0となるように調整されている。
次に、上記のバイナリマスクブランクを用いて、バイナリマスクを作製した。
まず、上記マスクブランク上に、レジスト膜として、電子線描画用化学増幅型ネガレジスト膜(富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製 SLV08)を形成した。レジスト膜の形成は、スピンナー(回転塗布装置)を用いて、回転塗布した。上記レジスト膜を塗布後、所定の加熱乾燥処理を行った。レジスト膜の膜厚は200nmとした。
次に、残存するレジストパターンを剥離して、バイナリマスクを得た。なお、遮光膜の光学濃度及び表面反射率はマスクブランク製造時と殆ど変化はなかった。
このように、高濃度オゾンガス処理前後において、遮光膜パターンの光学特性、CDが変化(劣化)することなく、表面改質層を形成することが確認できた。
実施例5において、ガラス基板上に光半透過膜パターンと遮光膜パターンを積層した位相シフトマスクに対し、薄膜パターンの表面に高濃度オゾンガスとエチレンガスとを作用させる処理を省いたこと以外は、実施例5と同様にして位相シフトマスクを作製した。
作製した本比較例の位相シフトマスクの上記薄膜パターンの断面をTEM(透過型電子顕微鏡)を用いて詳しく観察したところ、遮光膜パターンの表層部分及び側壁には表面改質層は形成されていなかった。また、光半透過膜パターン及び遮光膜パターンの積層膜の光学濃度は、3.0であった。
作製した本比較例の位相シフトマスクに対して実施例5と同じ条件でオゾン洗浄を行った後、上記積層膜の光学濃度を測定したところ、2.8と非常に大きく低下していた。これにより、本比較例における位相シフトマスクは、オゾン洗浄耐性が低いことがわかった。
実施例5と同様の手順で作製された遮光帯を有するハーフトーン型位相シフトマスクを作製した。このハーフトーン型位相シフトマスクに対し、実施例5と同じ条件でオゾン洗浄を行った。この準備したハーフトーン型位相シフトマスクを用いて、転写対象物である半導体ウェハ上のレジスト膜に対して、転写パターンを露光転写する工程を行った。露光装置には、ArFエキシマレーザーを光源とする輪帯照明(Annular Illumination)が用いられた液浸方式のものが用いられた。具体的には、露光装置のマスクステージに、ハーフトーン型位相シフトマスクをセットし、半導体ウェハ上のArF液浸露光用のレジスト膜に対して、露光転写を行った。露光後のレジスト膜に対して、所定の現像処理を行い、レジストパターンを形成した。
さらに、レジストパターンを用いて、半導体ウェハ上に、DRAMハーフピッチ(hp)32nmのライン&スペース(L&S)パターンを含む回路パターンを形成した。
得られた半導体ウェハ上の回路パターンを電子顕微鏡(TEM)で確認したところ、DRAMハーフピッチ(hp)32nmのL&Sパターンの仕様を十分に満たしていた。すなわち、このハーフトーン型位相シフトマスクは、半導体ウェハ上にDRAMハーフピッチ(hp)32nmのL&Sパターンを含む回路パターンを転写することが十分に可能であることが確認できた。
2 薄膜
3 レジスト膜
10 マスクブランク
20 転写用マスク
21 反射防止層
Claims (22)
- 基板上に、遷移金属を含む材料からなる反射防止層が表面に形成された薄膜を有するマスクブランクの製造方法であって、
濃度が50〜100体積%の高濃度オゾンガスを前記反射防止層に作用させることによって、前記反射防止層の表面に前記遷移金属の酸化物を含む強酸化膜からなる表面改質層を形成する処理を施すことを特徴とするマスクブランクの製造方法。 - 前記処理は、前記高濃度オゾンガスと不飽和炭化水素ガスとを前記反射防止層に作用させることを特徴とする請求項1に記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記不飽和炭化水素は、炭素数1〜4の低級不飽和炭化水素であることを特徴とする請求項2に記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記処理は、前記薄膜付の基板を80℃以下で加熱しながら行うことを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記処理前後のマスクブランクの特性は維持され、該特性は、マスクブランクの平坦度、薄膜の表面粗さ、薄膜の光学特性及び薄膜の光学特性の面内均一性の少なくとも1つであることを特徴とする請求項1乃至4の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記処理前後のマスクブランクの平坦度の変化量は30nm以下であることを特徴とする請求項1乃至5の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記表面改質層の表面粗さ(Ra)は、0.70nm以下であることを特徴とする請求項1乃至6の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記遷移金属がクロム(Cr)又はタンタル(Ta)であることを特徴とする請求項1乃至7の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 基板上に、遷移金属を含む材料からなる反射防止層が表面に形成された薄膜を有するマスクブランクであって、
前記反射防止層は、前記遷移金属の酸化物を含む強酸化膜からなる表面改質層を有することを特徴とするマスクブランク。 - 前記表面改質層の表面粗さ(Ra)は、0.70nm以下であることを特徴とする請求項9に記載のマスクブランク。
- 前記遷移金属がクロム(Cr)であり、前記表面改質層の酸化物は、3価又は4価のクロム酸化物を含むことを特徴とする請求項9又は10に記載のマスクブランク。
- 前記遷移金属がクロム(Cr)であり、前記表面改質層は、X線光電子分光法(XPS)によって測定されるO(酸素)1sスペクトルにおいて、結合エネルギーがそれぞれ532eV付近にある第1のピークと530eV付近にある第2のピークとに分離したときに、第2のピーク面積に対する第1のピーク面積の割合が2.0以上であることを特徴とする請求項9乃至11の何れかに記載のマスクブランク。
- 前記表面改質層の膜厚は、3nm以下であることを特徴とする請求項9乃至12の何れかに記載のマスクブランク。
- 請求項9乃至13の何れかに記載のマスクブランクにおける前記薄膜をパターニングして薄膜パターンを形成してなることを特徴とする転写用マスク。
- 基板上に、遷移金属を含む材料からなる薄膜をパターニングしてなる薄膜パターンを有する転写用マスクの製造方法であって、
濃度が50〜100体積%の高濃度オゾンガスを前記薄膜パターンに作用させることによって、前記薄膜パターンの表層に前記遷移金属の酸化物を含む強酸化膜からなる表面改質層を形成する処理を施し、
前記処理は、前記高濃度オゾンガスと不飽和炭化水素ガスとを前記薄膜パターンに作用させることを特徴とする転写用マスクの製造方法。 - 前記不飽和炭化水素は、炭素数1〜4の低級不飽和炭化水素であることを特徴とする請求項15に記載の転写用マスクの製造方法。
- 前記処理は、前記薄膜パターン付の基板を80℃以下で加熱しながら行うことを特徴とする請求項15又は16に記載の転写用マスクの製造方法。
- 前記処理前後のマスクブランクの特性は維持され、該特性は、薄膜パターンの光学濃度、露光波長に対する表面反射率、検査波長に対する表面反射率及びCDの何れか1つを含むことを特徴とする請求項15乃至17の何れかに記載の転写用マスクの製造方法。
- 前記表面改質層の膜厚は、3nm以下であることを特徴とする請求項15乃至18の何れかに記載の転写用マスクの製造方法。
- 前記遷移金属がクロム(Cr)であり、前記表面改質層の酸化物は、3価又は4価のクロム酸化物を含むことを特徴とする請求項15乃至19の何れかに記載の転写用マスクの製造方法。
- 前記遷移金属がタンタル(Ta)であることを特徴とする請求項15乃至19の何れかに記載の転写用マスクの製造方法。
- 請求項14に記載の転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012549867A JP5865263B2 (ja) | 2010-12-24 | 2011-12-22 | マスクブランク及びその製造方法、並びに転写用マスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010287109 | 2010-12-24 | ||
JP2010287110 | 2010-12-24 | ||
JP2010287110 | 2010-12-24 | ||
JP2010287109 | 2010-12-24 | ||
PCT/JP2011/079779 WO2012086744A1 (ja) | 2010-12-24 | 2011-12-22 | マスクブランク及びその製造方法、並びに転写用マスク及びその製造方法 |
JP2012549867A JP5865263B2 (ja) | 2010-12-24 | 2011-12-22 | マスクブランク及びその製造方法、並びに転写用マスク及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012086744A1 JPWO2012086744A1 (ja) | 2014-06-05 |
JP5865263B2 true JP5865263B2 (ja) | 2016-02-17 |
Family
ID=46314011
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012549867A Active JP5865263B2 (ja) | 2010-12-24 | 2011-12-22 | マスクブランク及びその製造方法、並びに転写用マスク及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9091934B2 (ja) |
JP (1) | JP5865263B2 (ja) |
KR (1) | KR101883025B1 (ja) |
TW (2) | TWI553398B (ja) |
WO (1) | WO2012086744A1 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5795991B2 (ja) * | 2012-05-16 | 2015-10-14 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法、および位相シフトマスクの製造方法 |
KR101269062B1 (ko) | 2012-06-29 | 2013-05-29 | 주식회사 에스앤에스텍 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토 마스크 제조방법 |
JP6150299B2 (ja) * | 2014-03-30 | 2017-06-21 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2016057578A (ja) | 2014-09-12 | 2016-04-21 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
JP6258830B2 (ja) * | 2014-09-25 | 2018-01-10 | Hoya株式会社 | マスクブランク、マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法 |
JP6665571B2 (ja) * | 2015-02-16 | 2020-03-13 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスク、フォトマスクブランクス、およびフォトマスクの製造方法 |
JP6375269B2 (ja) * | 2015-07-01 | 2018-08-15 | 信越化学工業株式会社 | 無機材料膜、フォトマスクブランク、およびフォトマスクの製造方法 |
JP6158460B1 (ja) | 2015-11-06 | 2017-07-05 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
WO2017141605A1 (ja) * | 2016-02-15 | 2017-08-24 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
JP6743679B2 (ja) * | 2016-03-02 | 2020-08-19 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法 |
WO2019059074A1 (ja) * | 2017-09-19 | 2019-03-28 | Jsr株式会社 | レジストパターン形成方法及び基板の処理方法 |
JP6561152B2 (ja) * | 2018-01-18 | 2019-08-14 | Hoya株式会社 | マスクブランク |
US10923446B1 (en) * | 2019-09-11 | 2021-02-16 | United States Of America As Represented By The Administrator Of Nasa | Indium bump liftoff process on micro-machined silicon substrates |
JP7298556B2 (ja) * | 2020-06-30 | 2023-06-27 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法 |
CN112198757A (zh) * | 2020-10-20 | 2021-01-08 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 一种单色渐变膜及其制备方法、光罩 |
JP7329031B2 (ja) * | 2020-12-31 | 2023-08-17 | エスケー エンパルス カンパニー リミテッド | ブランクマスク及びそれを用いたフォトマスク |
CN112981316A (zh) * | 2021-02-05 | 2021-06-18 | 上海传芯半导体有限公司 | 相移反位膜掩模基版的制作方法 |
KR102402742B1 (ko) * | 2021-04-30 | 2022-05-26 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 포토마스크 블랭크 및 이를 이용한 포토마스크 |
CN113296355A (zh) * | 2021-05-17 | 2021-08-24 | 上海传芯半导体有限公司 | 一种掩模基版及其制备方法和光罩 |
KR102377406B1 (ko) * | 2021-05-21 | 2022-03-21 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
KR102503790B1 (ko) * | 2021-10-07 | 2023-02-23 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
KR102475672B1 (ko) * | 2021-11-03 | 2022-12-07 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
KR102535171B1 (ko) * | 2021-11-04 | 2023-05-26 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
WO2023112767A1 (ja) * | 2021-12-13 | 2023-06-22 | Agc株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
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-
2011
- 2011-12-22 KR KR1020137018747A patent/KR101883025B1/ko active IP Right Grant
- 2011-12-22 JP JP2012549867A patent/JP5865263B2/ja active Active
- 2011-12-22 WO PCT/JP2011/079779 patent/WO2012086744A1/ja active Application Filing
- 2011-12-22 US US13/995,751 patent/US9091934B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-23 TW TW100148437A patent/TWI553398B/zh active
- 2011-12-23 TW TW105125339A patent/TWI631417B/zh active
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2015
- 2015-06-18 US US14/743,052 patent/US9535320B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150286132A1 (en) | 2015-10-08 |
TWI553398B (zh) | 2016-10-11 |
US9535320B2 (en) | 2017-01-03 |
TW201232162A (en) | 2012-08-01 |
JPWO2012086744A1 (ja) | 2014-06-05 |
US9091934B2 (en) | 2015-07-28 |
WO2012086744A1 (ja) | 2012-06-28 |
US20130273738A1 (en) | 2013-10-17 |
KR20130132925A (ko) | 2013-12-05 |
TW201642018A (zh) | 2016-12-01 |
KR101883025B1 (ko) | 2018-07-27 |
TWI631417B (zh) | 2018-08-01 |
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