JP2016057578A - フォトマスクブランク - Google Patents
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Abstract
【効果】クロム系材料膜の単位膜厚当たりの光学濃度を高く保ちつつ、膜応力を低減させたクロム系材料の薄膜を有するフォトマスクブランクを提供することができ、これにより、高精度なクロム系材料膜のパターン作製が可能となる。
【選択図】なし
Description
請求項1:
石英基板と、該石英基板上に形成されたクロム系材料膜とを有するフォトマスクブランクであって、
前記クロム系材料膜が遮光膜であり、前記クロム系材料膜の単位膜厚当りの波長193nmの光学濃度が0.050/nm以上であり、かつ前記クロム系材料膜が、152mm角、厚さ6.35mmの石英基板上に成膜して、150℃以上で10分間以上熱処理したときの前記クロム系材料膜の反り量が50nm以下となる引張応力又は圧縮応力を有することを特徴とするフォトマスクブランク。
請求項2:
前記反り量が30nm以下であることを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランク。
請求項3:
前記光学濃度が0.054/nm以上であることを特徴とする請求項1又は2記載のフォトマスクブランク。
請求項4:
前記クロム系材料膜の膜厚が4nm以上50nm以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
請求項5:
前記熱処理の温度が300℃以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
請求項6:
前記クロム系材料膜が、窒素、酸素、炭素及び水素から選ばれる少なくとも一つを含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
請求項7:
前記クロム系材料膜が、CrN膜であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
請求項8:
前記クロム系材料膜が単層膜であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
本発明のフォトマスクブランクは、石英基板と、石英基板上に形成された遮光膜を有し、この遮光膜は、クロム系材料膜である。そして、このクロム系材料膜は、
(i)クロム系材料膜の単位膜厚当りの波長193nmの光学濃度が0.050/nm以上、好ましくは0.054/nm以上であり、かつ
(ii)クロム系材料膜が、152mm角、厚さ6.35mmの石英基板上に成膜して、150℃以上、好ましくは150℃以上300℃以下で、10分間以上熱処理したときのクロム系材料膜の反り量が50nm以下、好ましくは30nm以下となる引張応力又は圧縮応力を有する
という特徴を備える。
DCスパッタ装置を用いて、CrNからなるクロム系材料膜(厚さ44nm)を成膜した。スパッタガスとしては、アルゴンガスと窒素ガスを、流量比でAr:N2=1:1(モル比)として用い、チャンバー内のガス圧が0.04Paになるように調整した。ターゲットとしては、Crを用い、基板を30rpmで回転させながら成膜した。
DCスパッタ装置を用いて、CrNからなるクロム系材料膜(厚さ45nm)を成膜した。スパッタガスとしては、アルゴンガスと窒素ガスとを、流量比でAr:N2=1:1.5(モル比)として用い、チャンバー内のガス圧が0.05Paになるように調整した。ターゲットとしては、Crを用い、基板を30rpmで回転させながら成膜した。得られたクロム系材料膜について、実施例1と同様にして、単位膜厚当りの光学濃度と、反り量を求めた。結果を表1に示す。
DCスパッタ装置を用いて、CrNからなるクロム系材料膜(厚さ43nm)を成膜した。スパッタガスとしては、アルゴンガスと窒素ガスを、流量比でAr:N2=2.5:2(モル比)として用い、チャンバー内のガス圧が0.07Paになるように調整した。ターゲットとしては、Crを用い、基板を30rpmで回転させながら成膜した。得られたクロム系材料膜について、実施例1と同様にして、単位膜厚当りの光学濃度と、反り量を求めた。結果を表1に示す。
DCスパッタ装置を用いて、CrONからなるクロム系材料膜(厚さ44nm)を成膜した。スパッタガスとしては、アルゴンガスと窒素ガスと酸素ガスを、流量比でAr:N2:O2=2.5:7.5:4(モル比)として用い、チャンバー内のガス圧が0.13Paになるように調整した。ターゲットとしては、Crを用い、基板を30rpmで回転させながら成膜した。得られたクロム系材料膜について、実施例1と同様にして、単位膜厚当りの光学濃度と、反り量を求めた。結果を表1に示す。
Claims (8)
- 石英基板と、該石英基板上に形成されたクロム系材料膜とを有するフォトマスクブランクであって、
前記クロム系材料膜が遮光膜であり、前記クロム系材料膜の単位膜厚当りの波長193nmの光学濃度が0.050/nm以上であり、かつ前記クロム系材料膜が、152mm角、厚さ6.35mmの石英基板上に成膜して、150℃以上で10分間以上熱処理したときの前記クロム系材料膜の反り量が50nm以下となる引張応力又は圧縮応力を有することを特徴とするフォトマスクブランク。 - 前記反り量が30nm以下であることを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランク。
- 前記光学濃度が0.054/nm以上であることを特徴とする請求項1又は2記載のフォトマスクブランク。
- 前記クロム系材料膜の膜厚が4nm以上50nm以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- 前記熱処理の温度が300℃以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- 前記クロム系材料膜が、窒素、酸素、炭素及び水素から選ばれる少なくとも一つを含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- 前記クロム系材料膜が、CrN膜であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- 前記クロム系材料膜が単層膜であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
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