JP4883278B2 - フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 - Google Patents
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Description
遮光膜の上に反射防止膜、特に、遷移金属とケイ素と窒素とを含有する反射防止膜と、この反射防止膜上にエッチングマスク膜、特に、クロムを含有し、かつケイ素を含有しないエッチングマスク膜、若しくはタンタルを含有し、かつケイ素を含有しないエッチングマスク膜を形成したフォトマスクブランク、又は
遮光膜の上にエッチングマスク膜、特に、クロムを含有し、該クロムの含有率が50原子%以上であるエッチングマスク膜と、このエッチングマスク膜上に反射防止膜、特に、クロムと酸素とを含有し、該クロムの含有率が50原子%未満である反射防止膜を形成したフォトマスクブランクが、遮光膜をパターンの粗密にかかわらず高精度に加工できること、更に、遮光膜のパターン形成を行った後、位相シフト膜や基板をエッチング加工する場合であっても、位相シフト膜や基板に高精度にパターンを転写できることを見出し、本発明をなすに至った。
請求項1:
透明基板上に露光光に対して透明な領域と実効的に不透明な領域とを有するマスクパターンを設けたフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであって、
上記フォトマスクが、250nm以下の露光波長の光を用いて0.1μm以下のレジストパターンを形成するフォトリソグラフィーにおいて用いるフォトマスクであり、
上記フォトマスクブランクが、
透明基板上に他の膜を介して又は介さずに積層されたフッ素系ドライエッチングでエッチング可能な金属又は金属化合物からなる遮光膜と、
該遮光膜上に形成された反射防止膜と、
該反射防止膜上に形成されたフッ素系ドライエッチングに耐性を有する金属又は金属化合物からなるエッチングマスク膜とを有し、
上記反射防止膜が、遷移金属と、ケイ素と、酸素、窒素及び炭素から選ばれる1種以上とを含有する遷移金属ケイ素化合物からなり、
上記エッチングマスク膜が、クロム単体、クロム酸化物、クロム窒化物、クロム酸窒化物、クロム酸化炭化物、クロム窒化炭化物、クロム酸窒化炭化物、タンタル単体、タンタルを含有し、かつケイ素を含有しないタンタル化合物、又はクロムを含有し、かつケイ素を含有しないクロム化合物からなり、
上記エッチングマスク膜の膜厚が2〜30nmであることを特徴とするフォトマスクブランク。
請求項2:
上記遮光膜が遷移金属とケイ素とを含有し、遷移金属とケイ素の比(原子比)が遷移金属:ケイ素=1:4〜1:15であり、かつ遷移金属含有率が1原子%以上20原子%以下であることを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランク。
請求項3:
上記遮光膜が遷移金属とケイ素と窒素とを含有し、窒素含有率が5原子%以上40原子%以下の遷移金属ケイ素化合物であることを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランク。
請求項4:
上記遷移金属ケイ素化合物が、遷移金属とケイ素の比(原子比)が遷移金属:ケイ素=1:1〜1:10であり、かつ遷移金属含有率が1原子%以上20原子%以下であることを特徴とする請求項3記載のフォトマスクブランク。
請求項5:
上記遮光膜を構成する遷移金属ケイ素化合物が、遷移金属ケイ素窒化物、遷移金属ケイ素酸窒化物、遷移金属ケイ素窒化炭化物及び遷移金属ケイ素酸窒化炭化物から選ばれることを特徴とする請求項3又は4記載のフォトマスクブランク。
請求項6:
上記遮光膜の膜厚が10〜80nmであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
請求項7:
上記反射防止膜が上記遮光膜に含まれる金属と同一の金属を含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
請求項8:
上記反射防止膜を構成する遷移金属ケイ素化合物の組成が、ケイ素が10原子%以上50原子%以下、酸素が0原子%以上60原子%以下、窒素が20原子%以上50原子%以下、炭素が0原子%以上20原子%以下、遷移金属が1原子%以上35原子%以下であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
請求項9:
上記エッチングマスク膜に対する上記遮光膜のフッ素系ドライエッチング選択比が2以上であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
請求項10:
上記エッチングマスク膜に対する上記透明基板のフッ素系ドライエッチング選択比が10以上であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
請求項11:
上記クロム化合物のクロム含有率が50原子%以上であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
請求項12:
上記遷移金属がチタン、バナジウム、コバルト、ニッケル、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ハフニウム、タンタル及びタングステンから選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
請求項13:
上記遷移金属がモリブデンであることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
請求項14:
上記他の膜として位相シフト膜を介して積層されていることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
請求項15:
上記位相シフト膜がハーフトーン位相シフト膜であることを特徴とする請求項14記載のフォトマスクブランク。
請求項16:
請求項1乃至15のいずれか1項記載のフォトマスクブランクをパターニングすることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
請求項17:
上記エッチングマスク膜をエッチングマスクとして上記遮光膜をフッ素系ドライエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項16記載のフォトマスクの製造方法。
請求項18:
上記エッチングマスク膜をエッチングマスクとして上記透明基板をフッ素系ドライエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項16又は17記載のフォトマスクの製造方法。
請求項19:
上記フォトマスクがレベンソン型マスクであることを特徴とする請求項16乃至18のいずれか1項記載のフォトマスクの製造方法。
本発明のフォトマスクブランクは、透明基板上に露光光に対して透明な領域と実効的に不透明な領域とを有するマスクパターンを設けたフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであり、透明基板上に他の膜を介して又は介さずに積層されたフッ素系ドライエッチングでエッチング可能な金属又は金属化合物からなる遮光膜と、遮光膜上に形成されたフッ素系ドライエッチングに耐性を有する金属又は金属化合物からなるエッチングマスク膜とを有する。
第1の態様のフォトマスクブランクとしては、特に、透明基板上に他の膜を介して又は介さずに積層されたフッ素系ドライエッチングでエッチング可能な遷移金属とケイ素とを含有する遮光膜と、遮光膜に接して積層された遷移金属とケイ素と窒素とを含有する反射防止膜と、反射防止膜に接して積層されたクロムを含有し、かつケイ素を含有しないエッチングマスク膜、又はタンタルを含有し、かつケイ素を含有しないエッチングマスク膜とを有するフォトマスクブランクが好適である。
(1)フォトマスク製造過程においてエッチングマスク膜を除去する場合(バイナリーマスク)
透明基板1の上に、遮光膜2、反射防止膜3、エッチングマスク膜4の順に形成した第1の態様のフォトマスクブランク(図3(A))に、レジスト5を塗布し、その後、レジスト5をパターニングした後(図3(B))に塩素系のドライエッチングを施してエッチングマスク膜4をパターニングする(図3(C))。次にレジスト5とエッチングマスク膜4とをマスクとして、反射防止膜3と遮光膜2とにフッ素系のドライエッチングを施してパターニングする(図3(D))。その後にレジスト5を剥離し(図3(E))、エッチングマスク膜4を塩素系ドライエッチングで除去することにより、フォトマスクの表面に反射防止膜3が現われ、フォトマスク(図3(F))が完成する。
透明基板2の上に、遮光膜2、エッチングマスク膜4、反射防止膜3の順に形成した第2の態様のフォトマスクブランク(図4(A))に、レジスト5を塗布し、その後、レジスト5をパターニングし(図4(B))、塩素系のドライエッチングを施し、反射防止膜3とエッチングマスク膜4とをパターニングする(図4(C))。次にレジスト5と反射防止膜3とエッチングマスク膜4とをマスクとして、遮光膜2にフッ素系のドライエッチングを施す(図4(D))。その後にレジスト5を剥離し、フォトマスク(図4(E))が完成する。
透明基板1の上に、ハーフトーン位相シフト膜8を形成し、更に、遮光膜2、反射防止膜3、エッチングマスク膜4の順に形成した第1の態様のフォトマスクブランク(図5(A))に、第1のレジスト6を塗布し、その後、第1のレジスト6をパターニングした後(図5(B))に塩素系のドライエッチングを施してエッチングマスク膜4をパターニングする(図5(C))。次に第1のレジスト6とエッチングマスク膜4とをマスクとして、反射防止膜3と遮光膜2とハーフトーン位相シフト膜8とにフッ素系のドライエッチングを施してパターニングする(図5(D))。その後に第1のレジスト6を剥離し(図5(E))、エッチングマスク膜4を塩素系ドライエッチングで除去する(図5(F))。次に、第2のレジスト7を塗布し、遮光膜2を残す部分のみレジストを残して(図5(G))、第2のレジスト7をマスクとして、酸素を含まない塩素ガスによるドライエッチングにて反射防止膜3と遮光膜2を除去する(図5(H))。その後に第2のレジスト7を除去することによりフォトマスク(図5(I))が完成する。
透明基板2の上に、ハーフトーン位相シフト膜8を形成し、更に、遮光膜2、エッチングマスク膜4、反射防止膜3の順に形成した第2の態様のフォトマスクブランク(図6(A))に、第1のレジスト6を塗布し、その後、第1のレジスト6をパターニングし(図6(B))、塩素系のドライエッチングを施し、反射防止膜3とエッチングマスク膜4とをパターニングする(図6(C))。次に第1のレジスト6と反射防止膜3とエッチングマスク膜4とをマスクとして、遮光膜2とハーフトーン位相シフト膜8とにフッ素系のドライエッチングを施す(図6(D))。その後に第1のレジスト6を剥離する(図6(E))。次に、第2のレジスト7を塗布し、遮光膜2を残す部分のみレジストを残して(図6(F))、第2のレジスト7をマスクとして、塩素系ドライエッチングで反射防止膜3とエッチングマスク膜4を除去し(図6(G))、次に、酸素を含まない塩素ガスによるドライエッチングにて遮光膜2を除去する(図6(H))。その後に第2のレジスト7を除去することによりフォトマスク(図6(I))が完成する。
フォトマスク(図6(E))が完成する。
透明基板1の上に、必要に応じて位相シフト膜を形成し(図7は位相シフト膜を設けない場合を示す)、遮光膜2、反射防止膜3、エッチングマスク膜4の順に形成した第1の態様のフォトマスクブランク(図7(A))に、第1のレジスト6を塗布し、その後、第1のレジスト6をパターニングした後(図7(B))に塩素系のドライエッチングを施し、エッチングマスク膜4をパターニング(図7(C))する。次に第1のレジスト6とエッチングマスク膜4とをマスクとして、反射防止膜3と遮光膜2とに(位相シフト膜を設けた場合は、これらと共に位相シフト膜も併せて)フッ素系のドライエッチングを施してパターニングする(図7(D))。その後に第1のレジスト6を剥離する(図7(E))。次に第2のレジスト7を塗布し、第2のレジスト7を、透明基板1をエッチングする部分が取り除かれたパターンにパターニングする(図7(F))。その次に第2のレジスト7とエッチングマスク膜4とをマスクとして、透明基板1にフッ素系のドライエッチングを施し、パターニングする(図7(G))。その後に第2のレジスト7を除去し(図7(H))、次にエッチングマスク膜4を塩素系ドライエッチングで除去することにより、フォトマスクの表面に反射防止膜3が現われ、フォトマスク(図7(I))が完成する。
透明基板1の上に、必要に応じて位相シフト膜を形成し(図8は位相シフト膜を設けない場合を示す)、遮光膜2、エッチングマスク4、反射防止膜3の順に形成した第2の態様のフォトマスクブランク(図8(A))に、第1のレジスト6を塗布し、その後、第1のレジスト6をパターニングした後(図8(B))に塩素系のドライエッチングを施し、反射防止膜3とエッチングマスク膜4とをパターニングする(図8(C))。次に第1のレジスト6と反射防止膜3とエッチングマスク膜4とをマスクとして、遮光膜2に(位相シフト膜を設けた場合は、これらと共に位相シフト膜も併せて)フッ素系のドライエッチングを施してパターニングする(図8(D))。その後に第1のレジスト6を剥離する(図8(E))。次に第2のレジスト7を塗布し、第2のレジスト7を、透明基板1をエッチングする部分が取り除かれたパターンにパターニングする(図8(F))。その次に第2のレジスト7と反射防止膜3とエッチングマスク膜4とをマスクとして、透明基板1にフッ素系のドライエッチングを施し、パターニングする(図8(G))。その後に第2のレジスト7を除去し、フォトマスク(図8(H))が完成する。
透明基板1の上に、遮光膜2、反射防止膜3、エッチングマスク膜4の順に形成した第1の態様のフォトマスクブランク(図9(A))に、第1のレジスト6を塗布し、その後、第1のレジスト6をパターニングした後(図9(B))に塩素系のドライエッチングを施し、エッチングマスク膜4をパターニング(図9(C))する。次に第1のレジスト6とエッチングマスク膜4とをマスクとして、反射防止膜3と遮光膜2とにフッ素系のドライエッチングを施してパターニングし(図9(D))、更に透明基板1をフッ素系のドライエッチングでエッチングする(図9(E))。その後に第1のレジスト6を剥離し(図9(F))、エッチングマスク膜4を塩素系ドライエッチングで除去する(図9(G))。次に、第2のレジスト7を塗布し、遮光膜2を残す部分のみレジストを残して(図9(H))、第2のレジスト7をマスクとして、酸素を含まない塩素ガスによるドライエッチングにて反射防止膜3と遮光膜2を除去する(図9(I))。その後に第2のレジスト7を除去することによりフォトマスク(図9(J))が完成する。
透明基板1の上に、必要に応じて位相シフト膜を形成し、遮光膜2、エッチングマスク4、反射防止膜3の順に形成した第2の態様のフォトマスクブランク(図10(A))に、第1のレジスト6を塗布し、その後、第1のレジスト6をパターニングした後(図10(B))に塩素系のドライエッチングを施し、反射防止膜3とエッチングマスク膜4とをパターニングする(図10(C))。次に第1のレジスト6と反射防止膜3とエッチングマスク膜4とをマスクとして、遮光膜2にフッ素系のドライエッチングを施してパターニングし(図10(D))、更に透明基板1をフッ素系のドライエッチングでエッチングする(図10(E))。その後に第1のレジスト6を剥離する(図10(F))。次に、第2のレジスト7を塗布し、遮光膜2を残す部分のみレジストを残して(図10(G))、第2のレジスト7をマスクとして、塩素系ドライエッチングで反射防止膜3とエッチングマスク膜4を除去し(図10(H))、次に、酸素を含まない塩素ガスによるドライエッチングにて遮光膜2を除去する(図10(I))。その後に第2のレジスト7を除去することによりフォトマスク(図10(J))が完成する。
典型的なArF露光マスク用フォトマスクブランクモデルとして、透明基板上に膜厚26nmのCrN遮光膜(Cr:N=9:1(原子比))、膜厚20nmのCrON反射防止膜(Cr:O:N=4:5:1(原子比))を形成したフォトマスクブランクを用意し、このフォトマスクブランク上に1.6μmから0.1μmおきに0.2μmまでのライン幅をもつパターンを粗密のモデルとして、1:9のラインアンドスペース(アイソパターンモデル)と9:1のラインアンドスペース(アイソスペースモデル)とを塩素と酸素によるドライエッチング(エッチング条件:Cl2=20sccm、O2=9sccm、He=80sccm、チャンバ内圧力=2Pa)にて形成した。
クロム系材料のエッチング耐性を調べるためにターゲットに金属クロムを用い、スパッタガスにアルゴンと窒素と酸素ガスとを用いて窒素ガスと酸素ガスの流量を変えることで、クロムと酸素と窒素の比を変えたクロム系材料膜を基板上に形成した。このクロム系材料膜を塩素ガスでドライエッチングすることによって、膜中のクロム量とエッチング速度の関係を調べたところ、図11に示される結果となった。これより、クロム系材料膜中のクロム量が50原子%以上であれば、エッチング耐性がよいことがわかった。
石英基板の上に2つのターゲットを設けた直流スパッタ装置を用いて、モリブデンとケイ素と窒素とからなる遮光膜(膜厚41nm)を成膜した。スパッタガスとしてはArと窒素を用い、チャンバ内のガス圧が0.05Paになるように調整した。ターゲットとしては、遷移金属源としてMoターゲット、ケイ素源としてSi(単結晶)ターゲットの2種を用い、基板を30rpmで回転させながら成膜した。この遮光膜の組成をESCAで調べたところMo:Si:N=1:3:1.5(原子比)であった。
石英基板の上に2つのターゲットを設けた直流スパッタ装置を用いて、モリブデンとケイ素と窒素とからなる遮光膜(膜厚30nm)を成膜した。スパッタガスとしてはArと窒素を用い、チャンバ内のガス圧が0.05Paになるように調整した。ターゲットとしては、遷移金属源としてMoターゲット、ケイ素源としてSi(単結晶)ターゲットの2種を用い、基板を30rpmで回転させながら成膜した。この遮光膜の組成をESCAで調べたところMo:Si:N=1:3:1.5(原子比)であった。
石英基板の上に2つのターゲットを設けた直流スパッタ装置を用いて、モリブデンとケイ素と窒素とからなる遮光膜(膜厚41nm)を成膜した。スパッタガスとしてはArと窒素を用い、チャンバ内のガス圧が0.05Paになるように調整した。ターゲットとしては、遷移金属源としてMoターゲット、ケイ素源としてSi(単結晶)ターゲットの2種を用い、基板を30rpmで回転させながら成膜した。この遮光膜の組成をESCAで調べたところMo:Si:N=1:3:1.5(原子比)であった。
石英基板の上に2つのターゲットを設けた直流スパッタ装置を用いて、モリブデンとケイ素と窒素とからなる遮光膜(膜厚41nm)を成膜した。スパッタガスとしてはArと窒素を用い、チャンバ内のガス圧が0.05Paになるように調整した。ターゲットとしては、遷移金属源としてMoターゲット、ケイ素源としてSi(単結晶)ターゲットの2種を用い、基板を30rpmで回転させながら成膜した。この遮光膜の組成をESCAで調べたところMo:Si:N=1:3:1.5(原子比)であった。
実施例2と同様にして、石英基板の上にMoSiNからなる遮光膜、CrNからなるエッチングマスク膜、CrONからなる反射防止膜が積層されたフォトマスクブランクを得た。
石英基板の上に2つのターゲットを設けた直流スパッタ装置を用いて、モリブデンとケイ素と窒素とからなる遮光膜(膜厚41nm)を成膜した。スパッタガスとしてはArと窒素を用い、チャンバ内のガス圧が0.05Paになるように調整した。ターゲットとしては、遷移金属源としてMoターゲット、ケイ素源としてSi(単結晶)ターゲットの2種を用い、基板を30rpmで回転させながら成膜した。この遮光膜の組成をESCAで調べたところMo:Si:N=1:3:1.5(原子比)であった。
石英基板の上に2つのターゲットを設けた直流スパッタ装置を用いて、モリブデンとケイ素と酸素と窒素とからなるハーフトーン位相シフト膜(膜厚75nm)を形成した。スパッタガスとしてはArと酸素と窒素を用い、チャンバ内のガス圧が0.05Paになるように調整した。ターゲットとしては、遷移金属源としてMoターゲット、ケイ素源としてSi(単結晶)ターゲットの2種を用い、基板を30rpmで回転させながら成膜した。このハーフトーン位相シフト膜の組成をESCAで調べたところMo:Si:O:N=1:4:1:4(原子比)であった。
2 遮光膜
3 反射防止膜
4 エッチングマスク膜
5 レジスト
6 第1のレジスト
7 第2のレジスト
8 位相シフト膜
Claims (19)
- 透明基板上に露光光に対して透明な領域と実効的に不透明な領域とを有するマスクパターンを設けたフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであって、
上記フォトマスクが、250nm以下の露光波長の光を用いて0.1μm以下のレジストパターンを形成するフォトリソグラフィーにおいて用いるフォトマスクであり、
上記フォトマスクブランクが、
透明基板上に他の膜を介して又は介さずに積層されたフッ素系ドライエッチングでエッチング可能な金属又は金属化合物からなる遮光膜と、
該遮光膜上に形成された反射防止膜と、
該反射防止膜上に形成されたフッ素系ドライエッチングに耐性を有する金属又は金属化合物からなるエッチングマスク膜とを有し、
上記反射防止膜が、遷移金属と、ケイ素と、酸素、窒素及び炭素から選ばれる1種以上とを含有する遷移金属ケイ素化合物からなり、
上記エッチングマスク膜が、クロム単体、クロム酸化物、クロム窒化物、クロム酸窒化物、クロム酸化炭化物、クロム窒化炭化物、クロム酸窒化炭化物、タンタル単体、タンタルを含有し、かつケイ素を含有しないタンタル化合物、又はクロムを含有し、かつケイ素を含有しないクロム化合物からなり、
上記エッチングマスク膜の膜厚が2〜30nmであることを特徴とするフォトマスクブランク。 - 上記遮光膜が遷移金属とケイ素とを含有し、遷移金属とケイ素の比(原子比)が遷移金属:ケイ素=1:4〜1:15であり、かつ遷移金属含有率が1原子%以上20原子%以下であることを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランク。
- 上記遮光膜が遷移金属とケイ素と窒素とを含有し、窒素含有率が5原子%以上40原子%以下の遷移金属ケイ素化合物であることを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランク。
- 上記遷移金属ケイ素化合物が、遷移金属とケイ素の比(原子比)が遷移金属:ケイ素=1:1〜1:10であり、かつ遷移金属含有率が1原子%以上20原子%以下であることを特徴とする請求項3記載のフォトマスクブランク。
- 上記遮光膜を構成する遷移金属ケイ素化合物が、遷移金属ケイ素窒化物、遷移金属ケイ素酸窒化物、遷移金属ケイ素窒化炭化物及び遷移金属ケイ素酸窒化炭化物から選ばれることを特徴とする請求項3又は4記載のフォトマスクブランク。
- 上記遮光膜の膜厚が10〜80nmであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- 上記反射防止膜が上記遮光膜に含まれる金属と同一の金属を含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- 上記反射防止膜を構成する遷移金属ケイ素化合物の組成が、ケイ素が10原子%以上50原子%以下、酸素が0原子%以上60原子%以下、窒素が20原子%以上50原子%以下、炭素が0原子%以上20原子%以下、遷移金属が1原子%以上35原子%以下であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- 上記エッチングマスク膜に対する上記遮光膜のフッ素系ドライエッチング選択比が2以上であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- 上記エッチングマスク膜に対する上記透明基板のフッ素系ドライエッチング選択比が10以上であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- 上記クロム化合物のクロム含有率が50原子%以上であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- 上記遷移金属がチタン、バナジウム、コバルト、ニッケル、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ハフニウム、タンタル及びタングステンから選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- 上記遷移金属がモリブデンであることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- 上記他の膜として位相シフト膜を介して積層されていることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- 上記位相シフト膜がハーフトーン位相シフト膜であることを特徴とする請求項14記載のフォトマスクブランク。
- 請求項1乃至15のいずれか1項記載のフォトマスクブランクをパターニングすることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
- 上記エッチングマスク膜をエッチングマスクとして上記遮光膜をフッ素系ドライエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項16記載のフォトマスクの製造方法。
- 上記エッチングマスク膜をエッチングマスクとして上記透明基板をフッ素系ドライエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項16又は17記載のフォトマスクの製造方法。
- 上記フォトマスクがレベンソン型マスクであることを特徴とする請求項16乃至18のいずれか1項記載のフォトマスクの製造方法。
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