TWI454836B - 光罩板及光罩製造方法 - Google Patents

光罩板及光罩製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI454836B
TWI454836B TW96108312A TW96108312A TWI454836B TW I454836 B TWI454836 B TW I454836B TW 96108312 A TW96108312 A TW 96108312A TW 96108312 A TW96108312 A TW 96108312A TW I454836 B TWI454836 B TW I454836B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
reticle
etching
light
shielding film
Prior art date
Application number
TW96108312A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200745737A (en
Inventor
Hiroki Yoshikawa
Yukio Inazuki
Satoshi Okazaki
Takashi Haraguchi
Tadashi Saga
Yosuke Kojima
Kazuaki Chiba
Yuichi Fukushima
Original Assignee
Shinetsu Chemical Co
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinetsu Chemical Co, Toppan Printing Co Ltd filed Critical Shinetsu Chemical Co
Publication of TW200745737A publication Critical patent/TW200745737A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI454836B publication Critical patent/TWI454836B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/46—Antireflective coatings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31551—Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
    • Y10T428/31616—Next to polyester [e.g., alkyd]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

光罩板及光罩製造方法
本發明係相關於生產用於微製造半導體積體電路、電荷耦合裝置(CCD)、液晶顯示器(LCD)、濾色器、磁頭等的光罩之光罩板，及使用光罩板備製光罩之方法。
在近來的半導體處理技術中，挑戰整合更高的大規模積體電路已使電路圖型的微型化需求日漸增加。日漸需要進一步縮小電路構成配線圖型的尺寸和微型化用於單元構成中間層連接的接觸孔圖型。結果，在製造用於形成此種配線圖型和接觸孔圖型的照相微影術之電路圖型寫入光罩時，需要能夠準確地寫入較精密電路圖型之技術以符合微型化需求。
為了在光罩基板上形成準確性較高的光罩圖型，首先需在光罩板上形成準確性高的抗蝕圖型。因為照相微影完成實際上處理半導體基板的縮小投影，所以光罩圖型具有實際需要圖型尺寸的大約四倍之尺寸，但是並沒有因此失去準確性。充作原型的光罩相當需要具有高於曝光後的圖型準確性之準確性。
另外，在目前流行的微影術中，欲寫入的電路圖型具有大大小於所使用的光之波長的尺寸。若使用僅電路特徵的四倍放大倍數之光罩圖型，則由於諸如發生在實際照相微影操作中的光學干擾等影響，對應於光罩圖型的形狀不 被移轉到抗蝕膜。為了減輕這些影響，在某些例子中，光罩圖型必須被設計成比實際電路圖型複雜的形狀，即應用所謂光學鄰近效應修正(OPC)的形狀。於是，在目前，用以獲得光罩圖型之微影術也需要準確性較高的處理方法。有時以最大解析度表示微影的性能。關於解析度限制，包含在光罩處理步驟中的微影之最大解析度準確性需要具有等於或大於使用光罩的半導體處理步驟中所使用之照相微影術所需的解析度限制。
通常藉由在透明基板上之具有遮光膜的光罩板上形成光致抗蝕膜、使用電子束寫入圖型、及顯影以形成抗蝕圖型而形成光罩圖型。使用最後的抗蝕圖型當作蝕刻罩，遮光膜被蝕刻成遮光圖型。在試圖微型化遮光圖型時，若在微型化之前將抗蝕膜的厚度維持在與習知技術相同的位準的同時完成處理，則膜厚度對圖型之比(為寬高比)變高。結果，抗蝕圖型外形退化，阻礙有效的圖型移轉，及在某些例子中，發生有抗蝕圖型崩塌或剝落。因此，微型化必須縮減抗蝕膜的厚度。
另一方面，關於使用抗蝕劑當作蝕刻罩所蝕刻的遮光膜材料，已建議一些材料。實際上，總是使用鉻化合物膜，因為知道有關於它們的蝕刻之一些發現並且已建立標準處理。此種膜的代表物是由用於ArF準分子雷射微影的光罩板所需之鉻化合物所組成的遮光膜，其包括具有厚度50到77nm的鉻化合物膜，如JP-A 2003-195479、JP-A 2003-195483、及日本專利號碼3093632所報導的一 般。
然而，用於諸如鉻化合物膜等以鉻為主的膜之常見乾蝕刻處理的含氧氯乾蝕刻通常具有蝕刻有機膜到某種程度之能力。若經由薄的蝕刻膜完成蝕刻，則準確移轉抗蝕圖型是困難的。抗蝕劑具有高解析度和能夠高準確蝕刻之抗蝕刻二者是困難的。於是，就達成高解析度和高準確性的目的而言，必須重新審視遮光膜材料以找出從只依賴抗蝕性能的方法到也能提高遮光膜性能之方法的過渡物。
再者，關於除了以鉻為主的材料之遮光膜材料，已進行一些研究。最新研究的其中一例子是使用鉭在ArF準分子雷射微影的遮光膜。見JP-A 2001-312043。
另一方面，使用硬罩降低乾蝕刻期間的抗蝕劑負載是長久的普遍實例。例如，JP-A 63-85553揭示以SiO2 膜覆蓋的MoSi2 ，其在利用氯氣之MoSi2 的乾蝕刻期間被使用當作蝕刻罩。其說明SiO2 膜也能充作抗反射膜。
過去以來已對金屬矽化物膜進行研究，尤其是氧化矽鉬膜。例如，JP-A 63-85553、JP-A 1-142637、及JP-A 3-116147揭示它們，它們基本上全使用矽和鉬=2：1的膜。再者，JP-A 4-246649揭示金屬矽化物膜。藉由改良習知以鉻為主的遮光膜，實際製造處理照顧到微型化需求。
另一方面，就諸如半色調相移罩和雷文生(Levenson)相移罩等利用超解析度技術的罩而言，罩處理程序包括在選擇蝕刻必須可能在底膜或基板和遮光膜之間的步驟期 間去除一部分使相移能夠發光之遮光膜的步驟。因為習知以鉻為主的材料在此方面絕佳，所以廣泛使用以鉻為主的材料。
本發明人持續致力於發展以較高準確性形成較精密光罩圖型之材料和方法。我們實驗的大部分使用習知技術所普遍利用之以鉻為主的材料，及在移轉抗蝕圖型到鉻膜時的含氯和氧之選擇性乾蝕刻條件。在此方法中，首先將光致抗蝕劑塗層到具有以鉻為主的材料之遮光膜的光罩板上。抗蝕膜經過電子束曝光及隨後的顯影，藉以形成抗蝕圖型。使用抗蝕膜當作蝕刻罩，以鉻為主的材料被蝕刻以移轉抗蝕圖型到鉻膜。
然而，在此方法中，當圖型寬度變薄時，例如，當當作圖型模型之直到0.4μm的直線之抗蝕圖型被移轉到鉻遮光膜時，觀察到明顯的圖型密度相依性。在某些例子中，最後的圖型在形成於光罩板上的抗蝕圖型上具有明顯的錯誤。也就是說，留在其附近之具有較少膜圖型的隔離線和留在其附近之具有較多膜圖型的隔離空間在抗蝕圖型移轉特性上具有明顯差異，如此相當難以製作高準確性的罩。
當使用大於0.4μm的抗蝕圖型特徵時此問題不嚴重。在製造光罩時，若光罩欲用於曝光等級0.3μm的抗蝕圖型，則此問題也不是如此嚴重，但是若光罩係用於形成 0.1μm或更小的抗蝕圖型特徵，則此問題變得嚴重。
雖然可藉由避免在遮光膜中使用鉻材料解決上述問題，但是產生如何取得在透明基板的蝕刻處理中已利用之鉻遮光膜的硬罩功能和含矽相移材料之問題。
本發明的目的係設置一光罩板，其使光罩板具有形成較精密的光罩圖型之高解析度和高準確蝕刻能力，尤其是如同包含曝光到諸如ArF準分子雷射光等等於或小於250nm的波長之光的照相微影術所需的一般，即具有足夠的蝕刻處理之處理準確性以形成具有最小圖型密度相依性之圖型的光罩板；及使用光罩板備製光罩之方法。
本發明人發現與經過含氧氯乾蝕刻的以鉻為主之膜比較，能夠以氟乾蝕刻處理的膜在氟乾蝕刻期間具有降低圖型密度相依性。對能夠以氟乾蝕刻處理的膜進行研究，本發明人發現包含過渡金屬和矽的膜是適當的。也發現若以鉻為主的材料之膜被製作得夠薄，則甚至以鉻為主的材料之膜也能降低圖型密度相依性，但是在此種厚度範圍內之以鉻為主的材料之膜缺乏遮光性。
依據上述發現，本發明人已發現(I)一光罩板，包含：一遮光膜，由易受氟乾蝕刻的金屬或金屬化合物組成，尤其是包含過渡金屬和矽的材料；和一蝕刻罩膜，位在遮光膜上，及由抗氟乾蝕刻的金屬或金屬化合物組成，(II)一光罩板，包含：一遮光膜；一抗反射膜，位在遮光膜上，尤其是包含過渡金屬、矽、及氮的遮光膜；和一蝕刻罩膜，位在抗反射膜上，尤其是包含鉻但沒有矽或包含 鉭但沒有矽的蝕刻罩膜，或(III)一光罩板，包含：一遮光膜；一蝕刻罩膜，位在遮光膜上，尤其是包含具有至少50原子%的鉻含量之鉻的蝕刻罩膜；和抗反射膜，位在蝕刻罩膜上，尤其是包含具有少於50原子%的鉻含量之鉻和氧之抗反射膜；確保不管圖型密度，以高準確性處理遮光膜，及甚至當在遮光膜的圖型形成之後以蝕刻處理相移膜或基板時，仍以高準確性將圖型移轉到相移膜或基板。
因此，本發明提供一光罩板和光罩備製方法如下。
[1]一種光罩板，由此生產光罩，該光罩包含透明基板和形成在其上的光罩圖型，該光罩圖型包括透明區和有效不透明區以曝光光線，該光罩板包含：一透明基板，一遮光膜，位在基板上，而另一膜可選擇的介在其間，該遮光膜包含易受氟乾蝕刻的金屬或金屬化合物，及一蝕刻罩膜，形成在該遮光膜上，該罩膜包含抗氟乾蝕刻的另一金屬或金屬化合物。
[2]一種光罩板，由此生產光罩，該光罩包含透明基板和形成在其上的光罩圖型，該光罩圖型包括透明區和有效不透明區以曝光光線，該光罩板包含：一透明基板，一遮光膜，位在基板上，而另一膜可選擇的介在其間，該遮光膜包含易受氟乾蝕刻的金屬或金屬化合物，一抗反射膜，形成在該遮光膜上，及 一蝕刻罩膜，形成在該抗反射膜上，該罩膜包含抗氟乾蝕刻的另一金屬或金屬化合物，該抗反射膜和該蝕刻罩膜係由不同元素組成或由不同組成比例的相同元素組成。
[3]根據[2]的光罩板，其中該抗反射膜包含與該遮光膜中的金屬相同之金屬。
[4]一種光罩板，由此生產光罩，該光罩包含透明基板和形成在其上的光罩圖型，該光罩圖型包括透明區和有效不透明區以曝光光線，該光罩板包含：一透明基板，一遮光膜，位在基板上，而另一膜可選擇的介在其間，該遮光膜包含易受氟乾蝕刻的金屬或金屬化合物，一蝕刻罩膜，形成在該遮光膜上，該罩膜包含抗氟乾蝕刻的另一金屬或金屬化合物，及一抗反射膜，形成在該罩膜上，該抗反射膜和該蝕刻罩膜係由不同元素所組成或由不同組成比例的相同元素所組成。
[5]根據[4]之光罩板，其中該抗反射膜包含與該遮光膜中的金屬相同之金屬。
[6]根據[2]到[5]任一項的光罩板，其中連續疊層該遮光膜、抗反射膜、和蝕刻罩膜。
[7]根據[1]到[6]任一項的光罩板，其中在氟乾蝕刻中，該遮光膜相對於該蝕刻罩膜，具有至少2的選擇比。
[8]根據[1]到[7]任一項的光罩板，其中在氟乾蝕刻 中，該透明基板相對於該蝕刻罩膜，具有至少10的選擇比。
[9]根據[1]到[8]任一項的光罩板，其中該蝕刻罩膜係由鉻單獨組成或包含鉻及選自氧、氮、和碳的至少一元素之鉻化合物組成。
[10]根據[9]之光罩板，其中該鉻化合物包含至少50原子%的鉻。
[11]根據[1]到[8]任一項的光罩板，其中該蝕刻罩膜係由鉭單獨組成或包含鉭但沒有矽的鉭化合物組成。
[12]根據[1]到[11]任一項的光罩板，其中該遮光膜係由矽單獨組成或包含矽及選自氧、氮、和碳的至少一元素之矽化合物組成。
[13]根據[1]到[11]任一項的光罩板，其中該遮光膜係由過渡金屬與矽的合金組成或包含過渡金屬、矽、及選自氧、氮、和碳的至少一元素之過渡金屬矽化合物組成。
[14]根據[2]之光罩板，包含一透明基板，一遮光膜，形成在基板上，而另一膜可選擇的介在其間，該遮光膜包含易受氟乾蝕刻的過渡金屬和矽，一抗反射膜，位在鄰近於該遮光膜，該抗反射膜包含過渡金屬、矽、和氮，及一蝕刻罩膜，位在鄰近於該抗反射膜，該蝕刻罩膜包含鉻但沒有矽，或包含鉭但沒有矽。
[15]根據[4]之光罩板，包含 一透明基板，一遮光膜，位在基板上，而另一膜可選擇的介在其間，該遮光膜包含易受氟乾蝕刻的過渡金屬和矽，一蝕刻罩膜，位在鄰近於該遮光膜，該蝕刻罩膜包含具有至少50原子%的鉻含量之鉻，及一抗反射膜，位在鄰近於該蝕刻罩膜，該抗反射膜包含具有少於50原子%的鉻含量之鉻和氧。
[16]根據[13]到[15]任一項的光罩板，其中該過渡金屬是選自鈦、釩、鈷、鎳、鋯、鈮、鉬、鉿、鉭、和鎢的至少一元素。
[17]根據[13]到[15]任一項的光罩板，其中該過渡金屬是鉬。
[18]根據[13]到[17]任一項的光罩板，其中該遮光膜另外包含具有5原子%到50原子%的氮含量之氮。
[19]根據[1]到[18]任一項的光罩板，其中該蝕刻罩膜具有2到30nm的厚度。
[20]根據[1]到[19]任一項的光罩板，其中相移膜介於疊層膜之間當作另一膜。
[21]根據[20]之光罩板，其中該相移膜是半色調相移膜。
[22]一種備製光罩板之方法，包含圖型化根據[1]到[21]任一項的光罩板。
[23]根據[22]之方法，包含經由該蝕刻罩膜當作蝕刻罩以氟乾蝕刻該遮光膜。
[24]根據[22]或[23]之方法，包含經由該蝕刻罩膜當作蝕刻罩以氟乾蝕刻該透明基板。
[25]根據[22]到[24]任一項之方法，其中該光罩是雷文生罩。
本發明的優點
與具有習知遮光膜的光罩板比較，本發明的光罩板具有當遮光膜被乾蝕刻以形成圖型時，由於圖型密度相依性所引起的圖型特徵尺寸變化降低之優點。如此能夠以高準確性生產罩。當將本發明的光罩板應用到半色調相移罩，無鉻相移微影(CPL)罩或雷文生罩時，能夠以高準確性製造用於超解析度曝光的光罩。
根據本發明，因為能夠以最小化尺寸蝕刻和控制容易為特徵的氟乾蝕刻圖型化遮光膜，且因為可將抗蝕膜製成薄的，所以能夠以高準確性形成精密光罩圖型。在光罩板包括相移膜的實施例中，可在將蝕刻罩膜的厚度設定在蝕刻相移膜所需的最小位準同時，利用蝕刻罩膜蝕刻相移膜。再者，在藉由蝕刻圖型化透明基板之雷文生罩或CPL罩的例子中，可將蝕刻罩膜的厚度設定在最小必要位準，使得能夠以高準確性形成精密光罩圖型。
本發明旨在光罩板，由此生產光罩，該光罩包含透明基板和形成在其上的光罩圖型，該光罩圖型包括透明區和 有效不透明區以曝光光線。光罩板包含透明基板；遮光膜，位在基板上，而另一膜可選擇的介在其間，遮光膜包含易受氟乾蝕刻的金屬或金屬化合物；及蝕刻罩膜，形成在遮光膜上，罩膜包含抗氟乾蝕刻之另一金屬或金屬化合物。如本文與氟乾蝕刻連同使用一般，“易受…”一詞意謂材料可由氟乾蝕刻加以蝕刻，及“抗”一詞意謂材料禁得起氟乾蝕刻。
本發明的光罩板之較佳實施例包括下面兩實施例。
第一實施例是光罩板，包含透明基板；遮光膜，位在基板上，而另一膜可選擇的介在其間，遮光膜包含易受氟乾蝕刻的金屬或金屬化合物；抗反射膜，形成在遮光膜上；及蝕刻罩膜，形成在抗反射膜上，蝕刻罩膜包含抗氟乾蝕刻之另一金屬或金屬化合物。
尤其是，具有直接位在透明基板上(未具有另一介於中間的膜)的遮光膜之板包括一示範板，如圖1A所示，包含遮光膜2，直接位在透明基板1上；抗反射膜3和蝕刻罩膜4，依序且緊密接觸地位在遮光膜2上。具有透過另一介於中間的膜位在透明基板上之板包括具有相移膜介於疊層膜之間當作另一膜之板，尤其是如圖1B所示的一示範板，其包含遮光膜2，透過介於其間之相移膜8位在透明基板1上；抗反射膜3和蝕刻罩膜4，依序且緊密接觸地位在遮光膜2上。在第一實施例中，抗反射膜包含與遮光膜中的金屬相同之金屬較佳。
第二實施例是一光罩板，其包含透明基板；遮光膜， 位在基板上，而另一膜可選擇的介在其間，遮光膜包含易受氟乾蝕刻之金屬或金屬化合物；蝕刻罩膜，形成在遮光膜上，蝕刻罩膜包含抗氟乾蝕刻的另一金屬或金屬化合物；及抗反射膜，形成在蝕刻罩膜上。
尤其是，具有直接位在透明基板上(未具有另一介於中間的膜)的遮光膜之板包括一示範板，如圖2A所示，包含遮光膜2，直接位在透明基板1上；蝕刻罩膜4和抗反射膜3，依序且緊密接觸地位在遮光膜2上。具有透過另一介於中間的膜位在透明基板上之板包括具有相移膜介於疊層膜之間當作另一膜之板，尤其是如圖2B所示的一示範板，其包含遮光膜2，透過介於其間之相移膜8位在透明基板1上；蝕刻罩膜4和抗反射膜3，依序且緊密接觸地位在遮光膜2上。在第二實施例中，抗反射膜包含與蝕刻罩膜中的金屬相同之金屬較佳。
在任一實施例中，抗反射膜和蝕刻罩膜係由不同元素組成或由不同組成比例的相同元素組成。
蝕刻罩膜是氟乾蝕刻遮光膜等期間主要用於蝕刻罩功能之膜，遮光膜是主要用於遮蔽曝光光線的功能之膜，及抗反射膜是主要用於反反射曝光光線或檢查光線的功能之膜，也就是說，在以光罩形式使用時，降低反射比之功能。如同本文所使用一般，當未特別限制時，“金屬”一詞包括矽。
如上述構成的光罩板能夠有效控制表面反射比，能夠在乾蝕刻處理遮光膜期間能以高準確性形成精密圖型，能 夠降低由於圖型密度相依性所引起的圖型特徵尺寸之變化，及能夠生產較高準確性的光罩。
尤其是，遮光膜係由易受氟乾蝕刻的金屬或金屬化合物組成，及矽單獨，含矽當作金屬之合金，或含矽當作金屬之金屬化合物較佳(下面有時共同稱作“含矽材料”)。此遮光膜在乾蝕刻期間提高圖型密度相依性，超過一般使用的以鉻為主之遮光膜。因為矽對短波長光比對一般使用的以鉻為主之材料具有較高的吸收係數，所以含矽材料甚至在薄膜形式也能提供足夠的遮光功能，能夠降低遮光膜的厚度。
另外，當以抗蝕刻遮光膜時所使用的以氟為主的氣體之蝕刻罩膜覆蓋遮光膜時，蝕刻罩膜充作氟乾蝕刻期間的蝕刻罩。在此例中，抗蝕劑僅需要充作圖型化蝕刻罩膜時的蝕刻罩，所以抗蝕膜可製成足夠薄以幫助形成精密抗蝕圖型。而且，蝕刻罩膜防止圖型橫剖面形狀由於乾蝕刻期間抗蝕膜變薄而退化。
另一方面，抗反射膜降低表面反射比，抑制光罩表面上的曝光光線之反射。
本文所使用的“氟乾蝕刻”一詞意指使用含氟氣體的乾蝕刻。含氟氣體可以是含氟元素的任何氣體，尤其是氟氣，諸如CF4 和C2 F6 等含碳和氟的氣體，諸如SF6 等含硫和氟的氣體，或諸如氦等無氟氣體和含氟氣體的混合物。若需要的話，可添加諸如氧等其他氣體。
儘管包括半色調相移罩、無鉻罩、及雷文生罩等所有 目前使用的超解析光罩被設計成藉由利用相位差光之干擾作用增加微影術中的光對比，但是仍由形成在罩上的移相器之膜厚度和材料控制照所傳輸的光之相位。在目前廣泛使用之利用相移作用製造超解析光罩中，形成移相器的圖型的方法如下：設置具有遮光膜位在其上的光罩板，首先圖型化形成在相移膜或透明基板上的遮光膜，然後移轉圖型到相移膜或透明基板。因此，準確定義遮光膜的圖型是非常重要的。
製作相移罩中所使用的一般相移膜之材料在半色調相移罩的例子中是具有添加的氧及/或氮之過渡金屬矽化物，而在無鉻罩和雷文生罩的例子中是透明基板本身或其上的氧化矽層。在任一例子中，使用氟乾蝕刻處理這些材料。然後，習知技術使用以鉻為主的材料當作遮光膜材料。以鉻為主的材料是令人滿意的遮光膜材料，因為他們在氟乾蝕刻條件下是有抵抗力的、能夠充作氟乾蝕刻期間令人滿意的蝕刻罩、及能夠在不對含矽材料產生破壞的含氯乾蝕刻條件下被去除，例如氯乾蝕刻，典型上是含有氯和氧的蝕刻劑氣體之乾蝕刻。
然而，因為本發明所使用的遮光膜是易受氟乾蝕刻的膜，所以不充作用於欲由氟乾蝕刻加以蝕刻之相移膜或透明基板的蝕刻罩。所以對氟乾蝕刻具有抵抗力的膜被分開形成當作蝕刻罩膜，使得蝕刻罩膜可充作用於相移膜或透明基板的蝕刻罩。
另一方面，在製造欲用於曝光具有等於或小於0.1 μm的特徵尺寸之圖型的光罩時，由於圖型密度相依性所引起的習知以鉻為主的遮光膜材料之處理準確性降低的問題變得相當嚴重。所以，本發明的光罩板藉由在遮光膜的至少一部分(全部遮光膜更好)中使用像相移膜或透明基板材料一般之易受氟乾蝕刻的材料(典型上是含矽材料)以解決處理準確性問題。
光罩板的例示性膜配置通常被分成在光罩製造處理期間最後去除蝕刻罩膜之一模式，及蝕刻罩膜未去除或留下之另一模式。
第一實施例中的光罩板可被使用當作在光罩製造處理期間最後去除蝕刻罩膜的類型之光罩板。利用此膜配置，當蝕刻罩膜被剝除時，抗反射膜留在光罩的最外表面側上，使得光罩的反射比被控制成極低。在此例中，可在與蝕刻遮光膜的相同條件之條件下蝕刻抗反射膜較佳。為此，抗反射膜包含與遮光膜中的金屬相同之金屬較佳，抗反射膜由含比遮光膜更多的氧和氮之金屬化合物組成更好。
含有與遮光膜相同金屬的金屬之抗反射膜可與遮光膜一起被蝕刻。也就是說，在蝕刻罩膜充作罩的同時，能夠以單一乾蝕刻一起蝕刻遮光膜和抗反射膜。抗反射膜由含矽材料形成也較佳，因為甚至當曝光波長是ArF準分子雷射等也容易利用到低反射比。
再者，就第一實施例的光罩板或光罩製造處理而言，有當蝕刻罩膜存在於光罩板或光罩的最外表面的同時執行故障檢查的情況。若在此情況中需要調整蝕刻罩膜的反射 比，則可另外形成具有反反射功能的膜在蝕刻罩膜上。可在最後與蝕刻罩膜一起去除如此形成在蝕刻罩膜上之具有反反射功能的膜。
第一實施例的光罩板也可被用於蝕刻罩膜被留下當作罩製造之後的罩之部分的模式。此模式對應於蝕刻罩膜也有助於與抗反射膜互補的反反射功能之例子，或蝕刻罩膜充作抗用於清洗或其他目的的化學藥品之保護膜的例子。
雖然蝕刻罩膜可被建構成單一膜帶有雙重功能(蝕刻罩的功能和抗反射膜的功能)，但是若與抗反射膜的功能分開，則可將蝕刻罩膜減至最小允許厚度以充作蝕刻罩。單一膜帶有蝕刻罩功能和抗反射膜功能時，若以修改膜本質將膜設定成低光衰減，則降低蝕刻罩功能。反之，獨立形成蝕刻罩膜和抗反射膜時，低光衰減和高抗蝕性可相容。
需注意的是，抗反射膜和蝕刻罩膜係由不同元素組成或由不同組成比例的相同元素組成。在第一實施例中，抗反射膜係由易受氟乾蝕刻的金屬或金屬化合物組成較佳，例如，含矽材料。含矽材料的例子包括例如諸如單獨矽等單一金屬和含矽及選自氧、氮、和碳的至少一元素之矽化合物等含矽材料。更多矽化合物的例示性例子包括氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氧碳化矽、碳氮化矽、碳氮氧化矽。
含矽和除了矽之外的金屬當作金屬之化合物也有用，其包括過渡金屬與矽的合金，和含過渡金屬、矽、及選自 氧、氮、和碳的至少一元素之過渡金屬矽化合物。更多過渡金屬矽化合物的例示性例子包括過渡金屬矽氧化物、過渡金屬矽氮化物、過渡金屬矽氧氮化物、過渡金屬矽氧碳化物、過渡金屬矽碳氮化物、過渡金屬矽碳氮氧化物。
過渡金屬是選自鈦、釩、鈷、鎳、鋯、鈮、鉬、鉿、鉭、和鎢的至少一元素較佳。尤其，針對乾蝕刻加工性，鉬為更佳。
在第一實施例的光罩板中，製造抗反射膜的含矽材料易受氟乾蝕刻，且藉由選擇其組成可製成也易受無氧氯乾蝕刻。
抗反射膜具有主要由10原子%到80原子%，尤其是30原子%到50原子%的矽，0原子%到60原子%，尤其是0原子%到40原子%的氧，0原子%到57原子%，尤其是20原子%到50原子%的氮，0原子%到20原子%，尤其是0原子%到5原子%的碳，及0原子%到35原子%，尤其是1原子%到20原子%的過渡金屬構成之組成較佳。
在本發明中，抗反射膜可具有單層結構或多層結構。單層結構使膜構成和其上的處理反射簡化。
在一些例子中，抗反射膜和遮光膜、蝕刻罩膜等之間的黏著性足夠低到會發生圖型缺陷；及當光罩製造期間將抗蝕膜直接形成在抗反射膜上時，由於立足點和柱頸導致抗蝕圖型的橫剖面形狀退化。在前一例子中，可藉由建構鄰近於遮光膜、蝕刻罩膜等的抗反射膜之一部位，或鄰近 於抗蝕膜的抗反射膜之一部位以提高黏著性，也就是說，在單層結構例子中，在厚度方向之抗反射膜的一或兩相對表面部位，及在多層結構例子中，在厚度方向之抗反射膜的一或兩最遠層例如由含氮及/或氧材料製成，和調整氮及/或氧的含量。在後一例子中，可藉由將抗反射膜形成其組成在厚度方向逐步或連續升級以改良蝕刻圖型的橫剖面形狀之垂直性。可藉由控制反應濺鍍法的參數而容易地形成這些結構。
在第一實施例的光罩板中，在厚度方向具有組成升級的抗反射膜具有主要由0原子%到90原子%，尤其是10原子%到90原子%的矽，0原子%到67原子%，尤其是5原子%到67原子%的氧，0原子%到57原子%，尤其是5原子%到50原子%的氮，0原子%到20原子%，尤其是0原子%到5原子%的碳，及0原子%到95原子%，尤其是1原子%到20原子%的過渡金屬構成之組成較佳。
再者，在光罩製造處理中蝕刻罩膜最後未去除或留下之模式中，也可利用第二實施例的光罩板。在此例中，抗反射膜應抗遮光膜的蝕刻較佳。
在此例中，抗反射膜包含與蝕刻罩膜中的金屬相同之金屬較佳。以另一膜覆蓋抗反射膜，例如用以改良對抗蝕膜的黏著性之膜時，另一膜應包含與蝕刻罩膜中的金屬相同之金屬較佳。利用此構造，可藉由與蝕刻罩膜相同的處理去除抗反射膜，另外，也可藉由與蝕刻罩膜相同的處理 去除另一膜。抗反射膜也可被指派與蝕刻罩膜互補的罩功能。
需注意的是，抗反射膜和蝕刻罩膜係由不同元素組成或不同組成比例的相同元素組成。在第二實施例中，抗反射膜典型上係由鉻單獨組成，或包含鉻及選自氧、氮、和碳的至少一元素之鉻化合物組成，但應沒有矽較佳。更多鉻化合物的例示性例子包括氧化鉻、氮化鉻、氧氮化鉻、氧碳化鉻、碳氮化鉻、和碳氮氧化鉻。
此抗反射膜具有主要由30原子%到100原子%，尤其是30原子%到70原子%，更特別的是35原子%到50原子%的鉻，0原子%到60原子%，尤其是20原子%到60原子%的氧，0原子%到50原子%，尤其是3原子%到30原子%的氮，及0原子%到20原子%，尤其是0原子%到5原子%的碳構成之組成較佳。
在第二實施例的光罩板中，在厚度方向具有組成升級的抗反射膜具有主要由30原子%到100原子%，尤其是35原子%到90原子%的鉻，0原子%到60原子%，尤其是3原子%到60原子%的氧，0原子%到50原子%，尤其是3原子%到50原子%的氮，及0原子%到30原子%，尤其是0原子%到20原子%的碳構成之組成較佳。
此處所使用的遮光膜係由易受氟乾蝕刻的金屬或金屬化合物組成較佳，例如含矽材料。含矽材料的例子包括矽單獨、和包含矽及選自氧、氮、和碳的至少一元素之矽化合物。更多矽化合物的例示性例子包括氧化矽、氮化矽、 氧氮化矽、氧碳化矽、碳氮化矽、和碳氮氧化矽。
過渡金屬與矽的合金，及包含過渡金屬、矽、和選自氧、氮、和碳的至少一元素之過渡金屬矽化合物也不錯。更多過渡金屬矽化合物的例示性例子包括過渡金屬矽氧化物、過渡金屬矽氮化物、過渡金屬矽氧氮化物、過渡金屬矽氧碳化物、過渡金屬矽碳氧化物、和過渡金屬矽碳氮氧化物。
過渡金屬是選自鈦、釩、鈷、鎳、鋯、鈮、鉬、鉿、鉭、和鎢的至少一元素較佳。尤其，鉬更適用於針對乾蝕刻加工性，鉬為更佳。
製造遮光膜的含矽材料易受氟乾蝕刻，並且藉由其組成的選擇也可被製成易受無氧氯乾蝕刻。
遮光膜具有主要由10原子%到95原子%，尤其是30原子%到95原子%的矽，0原子%到50原子%，尤其是0原子%到30原子%的氧，0原子%到40原子%，尤其是0原子%到20原子%的氮，0原子%到20原子%，尤其是0原子%到5原子%的碳，及0原子%到35原子%，尤其是1原子%到20原子%的過渡金屬構成之組成較佳。
在本發明中，遮光膜可具有單層結構或多層結構。單層結構使膜構成和其上的處理反射簡化。
在遮光膜和蝕刻罩膜，抗反射膜、透明基板、相移膜等之間的黏著性足夠低到會發生圖型缺陷的例子中，可藉由建構鄰近於蝕刻罩膜、抗反射膜、透明基板、相移膜等 的遮光膜之一部位，也就是說，在單層結構例子中，在厚度方向之遮光膜的一或兩相對表面部位，及在多層結構例子中，在厚度方向之遮光膜的一或兩最遠層例如由含氮及/或氧材料製成，和調整氮及/或氧的含量。再者，可藉由將遮光膜形成其組成在厚度方向逐步或連續升級以改良蝕刻圖型的橫剖面形狀之垂直性。可藉由控制反應濺鍍法的參數而容易地形成這些結構。
在厚度方向具有組成升級的遮光膜具有主要由10原子%到95原子%，尤其是15原子%到95原子%的矽，0原子%到60原子%，尤其是0原子%到30原子%的氧，0原子%到57原子%，尤其是0原子%到40原子%的氮，及0原子%到30原子%，尤其是0原子%到20原子%的碳，及0原子%到35原子%，尤其是1原子%到20原子%的過渡金屬構成之組成較佳。
當含矽材料包含過渡金屬和矽時，組成比例的選擇可能性範圍大。例如，範圍從1：4到1：15(原子比)之過渡金屬對矽的組成比例之選擇有利於增加對清洗和其他目的所使用的化學藥品之惰性。甚至當過渡金屬對矽的組成比例在該範圍外時，包括氮，尤其是5原子%到40原子%的氮含量之氮給予所需的化學惰性，並且有效降低蝕刻被使用當作蝕刻罩膜的Cr膜之含氧氯乾蝕刻期間的破壞。此時，例如，過渡金屬對矽的比例可在1：1到1：10(原子比)的範圍。
遮光膜具有10到80nm的厚度較佳。具有小於10nm 的厚度之膜無法提供想要的遮光效果。當與具有厚度等於或小於250nm的薄抗蝕膜組合時，具有大於80nm的厚度之膜難以利用高準確性處理，或由於膜應力導致基板彎曲。
此處所使用的遮光膜是給予遮光效果以在使用光罩期間曝光光線之膜，但並不特別限制。當光罩板是當光罩板被處理成光罩遮光膜主要扮演光罩的遮光角色時的層構造時，例如，該光罩板是如圖1A及2A所示一般之遮光膜直接位在透明基板上之光罩板，或是如圖1B及2B所示一般之遮光膜透過相移膜位在透明基板上之光罩板，相移膜是全傳輸型，遮光膜的組成和厚度被調整成其相對於曝光光線具有1到4的光學密度較佳。在此例中，遮光膜具有20到80nm的厚度較佳。
另一方面，當光罩板是除了遮光膜之外，存在主要扮演光罩的遮光角色之另一膜的構造時，其是如圖1B及2B所示一般之遮光膜透過相移膜位在透明基板上之光罩板，相移膜是具有大約5%到大約30%的曝光光線之透射比的半色調相移膜，遮光膜的組成和厚度被調整成其相對於曝光光線具有0.2到4的光學密度較佳。在此例中，遮光膜具有10到70nm的厚度較佳。
關於此處所使用的抗反射膜之厚度，雖然通常在8到30nm範圍中的厚度獲得抗反射效果，但是精確厚度隨著製造時所需的檢查所使用之光線波長或光罩的使用和抗反射膜的組成而改變。8到25nm範圍中的厚度較適於ArF 準分子雷射微影。
在第一實施例的光罩板中，由含矽材料所製成的較佳抗反射膜具有10到30nm的適當厚度。在第二實施例的光罩板中，由鉻單獨或鉻化合物所製成的較佳抗反射膜具有8到30nm的適當厚度。
當蝕刻製成遮光膜的含矽化合物時，抗氟乾蝕刻的蝕刻罩膜充作蝕刻罩膜，並且有助於增加那膜的蝕刻處理之準確性。當以氟乾蝕刻蝕刻遮光膜下面的透明基板或相移膜時，其又充作蝕刻罩。
此處所使用的蝕刻罩膜必須抗氟乾蝕刻。當氟乾蝕刻期間蝕刻罩膜和遮光膜之間的蝕刻選擇比(即，氟乾蝕刻期間的遮光膜對蝕刻罩膜之間的選擇比)等於或大於2時，在最小化尺寸蝕刻的同時可獲得能夠形成精密圖型之有利光罩板。因此，此範圍中的蝕刻選擇比較佳。
當氟乾蝕刻期間蝕刻罩膜和透明基板之間的蝕刻選擇比(即，氟乾蝕刻期間的遮光膜對透明基板之間的選擇比)等於或大於10時，光罩板可以是光罩係由蝕刻透明基板形成之雷文生光罩板，或最適用於製造CPL光罩的光罩板。
就這些蝕刻罩膜而言，可使用以鉻為主的材料或含鉭，但無矽的材料。
以鉻為主的材料之例子包括鉻單獨，及包含鉻和選自氧、氮、和碳的至少一元素及無矽較佳之鉻化合物。更多鉻化合物的例示性例子包括氧化鉻、氮化鉻、氧氮化鉻、 氧碳化鉻、碳氮化鉻、及碳氮氧化鉻。這些材料高度抗氟乾蝕刻。
具有至少50原子%的鉻含量，尤其是至少60原子%之蝕刻罩膜較佳，因為其對氟乾蝕刻具有良好的抵抗性，且給遮光膜及/或透明基板完全蝕刻選擇，此外，其可在含氯和氧乾蝕刻條件下以乾蝕刻加以圖型化。
舉例而言，當以鉻為主的材料主要由50原子%到100原子%，尤其是60原子%到100原子%的鉻，0原子%到50原子%，尤其是0原子%到40原子%的氧，0原子%到50原子%，尤其是0原子%到40原子%的氮，及0原子%到20原子%，尤其是0原子%到10原子%的碳構成時，可由此形成提供完全蝕刻選擇給遮光膜及/或透明基板的蝕刻罩膜。
此處所使用的蝕刻罩膜可具有單層結構或多層結構。單層結構使膜構成和其上的處理反射簡化。
在一些例子中，蝕刻罩膜和遮光膜，抗反射膜等之間的黏著性足夠低到會發生圖型缺陷；及當光罩製造期間將抗蝕膜直接形成在蝕刻罩膜上時，由於立足點和柱頸導致抗蝕圖型的橫剖面形狀退化。在前一例子中，可藉由建構鄰近於遮光膜、抗反射膜等的蝕刻罩膜之一部位，或鄰近於抗蝕圖型的蝕刻罩膜之一部位以提高黏著性，也就是說，在單層結構例子中，在厚度方向之蝕刻罩膜的一或兩相對表面部位，及在多層結構例子中，在厚度方向之蝕刻罩膜的一或兩最遠層例如由含氮及/或氧材料製成，和調整 氮及/或氧的含量。在後一例子中，可藉由將蝕刻罩膜形成其組成在厚度方向逐步或連續升級以改良蝕刻圖型的橫剖面形狀之垂直性。可藉由控制反應濺鍍法的參數而容易地形成這些結構。
在厚度方向具有組成升級的抗反射膜具有主要由50原子%到100原子%，尤其是60原子%到100原子%的鉻，0原子%到60原子%，尤其是0原子%到50原子%的氧，0原子%到50原子%，尤其是0原子%到40原子%的氮，及0原子%到20原子%，尤其是0原子%到10原子%的碳構成之組成較佳。
含鉭材料若包含矽則會喪失對氟乾蝕刻的抵抗力。然而，無矽時，含鉭材料(例如鉭單獨)相對於含矽材料具有能夠選擇性蝕刻之足夠的抗蝕性。再者，諸如以鉭和鋯，或鉭和鉿為主的材料等包含鉭但沒有矽的鉭化合物相對於含矽材料提供令人滿意的蝕刻選擇比。需注意的是，不像以鉻為主的材料，可以無氧氯乾蝕刻蝕刻含鉭材料。
需注意的是，具有抗氟乾蝕刻的蝕刻罩膜應充分減少厚度，使得移轉圖型的密度相依性問題不會在乾蝕刻期間發生。此避免蝕刻罩膜遭受圖型密度相依性的問題。與使用抗氟乾蝕刻之膜當作遮光膜的習知技術光罩板比較，本發明的光罩板明顯降低移轉圖型的密度相依性。
可根據蝕刻罩膜的構造適當選擇其厚度。通常，當蝕刻罩膜具有2到55nm的厚度時，其發揮充分的蝕刻罩功能以蝕刻遮光膜的含矽材料，且與遮光膜一起蝕刻相移膜 和透明基板。為了進一步降低其圖型密度相依性，蝕刻罩膜被調整成2到30nm的厚度較佳。
在本發明的光罩板中，為了澱積在透明基板上之具有遮光特性的膜(對應於遮光膜，給予互補遮光特性的抗反射膜(某些類型的抗反射膜可給予互補的遮光特性)，當在處理成光罩之後留下蝕刻罩膜時給予互補遮光特性之蝕刻罩膜(某些類型的蝕刻罩膜可給予互補的遮光特性)，及可選擇的半色調相移膜)整體而言提供足夠的遮光特性，光罩板理想上應被處理成在使用光罩期間，膜相對於曝光光線具有1到4的總光學密度OD之光罩。
在與去除蝕刻罩膜一起使用光罩的例子中，遮光膜和抗反射膜的組合，及若一起使用半色調相移膜，則遮光膜、抗反射膜、和半色調相移膜應具有至少2.5，至少2.8更好，甚至至少3.0更好的光學密度OD較佳。
在與未去除遮光膜一起使用光罩的例子中，蝕刻罩膜、遮光膜、和抗反射膜的組合，及若一起使用半色調位移膜，則蝕刻罩膜、遮光膜、抗反射膜、和半色調相移膜的組合應具有至少2.5，至少2.8更好，甚至至少3.0更好的光學密度OD。
就包含諸如氧、氮、和碳等光元素的遮光膜而言，尤其是當光元素的含量超過特定位準時無法獲得足夠的遮光特性。當本發明的光罩板被用於曝光於具有波長等於或低於193nm的光(有利於應用本發明)，例如，曝光於具有波長193nm的ArF準分子雷射，或曝光於具有波長 153nm的F2 雷射時，遮光膜具有直到40m原子%的氮含量，直到20原子%的碳含量，直到10原子%的氧含量，及尤其是直到40原子%之氮、碳、和氧的總含量較佳。當遮光膜的至少一部位，遮光膜全部更好具有該範圍內的組成時，獲得令人滿意的遮光特性。
兩實施例尤其適合當作本發明的光罩板。
第一實施例是一光罩板，包含透明基板；遮光膜，位在基板上，而另一膜可選擇的介在其間，遮光膜包含易受氟乾蝕刻的金屬或金屬化合物；抗反射膜，位在鄰近於遮光膜，且包含過渡金屬、矽、和氮；及蝕刻罩膜，位在鄰近於抗反射膜，罩膜包含鉻但沒有矽，或包含鉭但沒有矽。
第二實施例是一光罩板，包含透明基板；遮光膜，位在基板上，而另一膜可選擇的介在其間，遮光膜包含易受氟乾蝕刻的過渡金屬和矽；蝕刻罩膜，位在鄰近於遮光膜，且包含具有至少50原子%的鉻含量之鉻，至少60原子%較佳，及抗反射膜，位在在鄰近於罩膜，且包含具有少於50原子%的鉻含量之鉻和氧，直到45原子%較佳。
透明基板選自主要係由氧化矽所組成的基板較佳，典型上是石英基板。當使用相移膜時，可以是完全傳輸相移膜或半色調相移膜，例如，具有5到30%透射比的半色調相移膜。本文所使用的相移膜是能由氟乾蝕刻蝕刻之膜較佳。製作相移膜的材料之例子包括含矽材料，包含過渡金屬、矽、和選自氧、氮、和碳的至少一元素之過渡金屬 矽化合物較佳，包含過渡金屬、矽、及氮和氧的至少其中之一的過渡金屬矽化合物較佳。含矽材料的例子如同上述用於遮光膜的含矽化合物之範例；及過渡金屬的例子如同上述用於遮光膜的過渡金屬之範例。相移膜具有被選擇成以預定量(典型上是使用光罩期間相對於曝光光線的180°)移位光的相位之厚度。
相移膜的含矽材料易受氟乾蝕刻，但可藉由適當選擇其組成而修改成抗氯氣蝕刻。若第一實施例的光罩板中之遮光膜和抗反射膜，或第二實施例的光罩板中之遮光膜係由易受無氧氯氣蝕刻的含矽材料所構成，則在無氧氯氣蝕刻期間，在第一實施例中的相移膜和遮光膜和抗反射膜之間，或在第二實施例中的相移膜和遮光膜之間可有選擇性蝕刻。
可以眾所皆知的方法澱積蝕刻罩膜、遮光膜、抗反射膜、及相移膜中的任一種。尤其是，濺鍍處理較佳，因為能夠最容易形成同質膜。濺鍍處理可以是DC濺鍍，RF濺鍍等。
根據想要的膜組成選擇靶材和濺鍍氣體。當想要澱積以鉻為主的材料之膜時，例如，可藉由如同用於習知技術以鉻為主的膜的方法完成澱積。一常用方法是使用鉻靶材和單獨氬氣，諸如單獨氮等反應氣體，或諸如氮和諸如氬等惰性氣體等的反應氣體之混合物的反應濺鍍法。例如，見JP-A 7-140635。可根據膜特性調整濺鍍氣體的流率，也就是說，可設定在澱積期間固定，或當想要改變被澱積 的膜之厚度方向中的氧或氮含量時，可根據想要的組成改變。
當欲澱積含過渡金屬和矽之膜時，所使用的靶材可以是有控制比例的含矽和過渡金屬之單一靶材。另一選擇是，可藉由從矽靶材、過渡金屬靶材、及矽和過渡金屬的靶材(過渡金屬矽化物)適當選擇，且控制選定靶材的濺鍍區域或施加到選定靶材的功率以調整矽對過渡金屬的比例。需注意的是，當膜包含諸如氧、氮、和碳等光元素時，可藉由添加含氧氣體、含氮氣體、及/或含碳氣體到濺鍍氣體當作反應氣體的反應濺鍍以澱積此種膜。
當欲澱積包含鉭但沒有矽的膜時，可藉由用於上述包含過渡金屬和矽之膜的方法，使用含鉭靶材，但非含矽靶材加以澱積。
根據本發明，藉由圖型化用以形成在透明基板上之板的各自膜有包括透明區和有效不透明區以曝光光線的光罩圖型而從上述光罩板獲得光罩。
在本發明的光罩板中，可使用蝕刻罩膜當作蝕刻罩氟乾蝕刻遮光膜，及可使用蝕刻罩膜當作蝕刻罩氟乾蝕刻透明基板。
參考圖式，詳細說明製造光罩的處理。
(1)去除蝕刻罩膜的光罩製造處理(二元罩)
處理開始於包含根據第一實施例之依序澱積在透明基板1上的遮光膜2、抗反射膜3、及蝕刻罩膜4之光罩板 (圖3A)。將抗蝕劑5塗敷於板上，然後圖型化(圖3B)，之後，執行氯乾蝕刻以圖型化蝕刻罩膜4(圖3C)。利用充作罩之抗蝕劑5和蝕刻罩膜4，然後在抗反射膜3和遮光膜2上執行氟乾蝕刻，藉以圖型化這些膜(圖3D)。然後剝除抗蝕劑5(圖3E)。最後，藉由氯乾蝕刻去除蝕刻罩膜4，完成在光罩表面上露出抗反射膜3之光罩(圖3F)。
(2)未去除蝕刻罩膜的光罩製造處理
處理開始於包含根據第二實施例之依序澱積在透明基板1上的遮光膜2、蝕刻罩膜4、及抗反射膜3之光罩板(圖4A)。將抗蝕劑5塗敷於板上，然後圖型化(圖4B)，之後，執行氯乾蝕刻以圖型化抗反射膜3和蝕刻罩膜4(圖4C)。接著，在抗蝕劑5、抗反射膜3、及蝕刻罩膜4充當罩的同時，在遮光膜2上執行氟乾蝕刻(圖4D)。最後，剝除抗蝕劑5，完成光罩(圖4E)。
(3)去除蝕刻罩膜的光罩製造處理(半色調相移罩)
處理開始於包含根據第一實施例之依序澱積在透明基板1上的半色調相移膜8、遮光膜2、抗反射膜3、及蝕刻罩膜4之光罩板(圖5A)。將第一抗蝕劑6塗敷於板上，然後圖型化(圖5B)，之後，執行氯乾蝕刻以圖型化蝕刻罩膜4(圖5C)。利用充作罩之第一抗蝕劑6和蝕刻罩膜4，然後在抗反射膜3、遮光膜2、及半色調相移 膜8上執行氟乾蝕刻，藉以圖型化這些膜(圖5D)。之後，剝除第一抗蝕劑6(圖5E)，及藉由氯乾蝕刻去除蝕刻罩膜4(圖5F)。接著，將第二抗蝕劑7塗敷和圖型化，使得欲留下遮光膜2之第二抗蝕劑的部位被留下(圖5G)。利用充作罩之第二抗蝕劑7，執行無氧氯乾蝕刻以去除抗反射膜3和遮光膜2(圖5H)。最後，去除第二抗蝕劑7，完成光罩(圖5I)。
(4)未去除蝕刻罩膜的光罩製造處理
處理開始於包含根據第二實施例之依序澱積在透明基板1上的半色調相移膜8、遮光膜2、蝕刻罩膜4、及抗反射膜3之光罩板(圖6A)。將第一抗蝕劑6塗敷於板上，然後圖型化(圖6B)，之後，執行氯乾蝕刻以圖型化抗反射膜3和蝕刻罩膜4(圖6C)。利用充作罩之第一抗蝕劑6、抗反射膜3、和蝕刻罩膜4，然後在遮光膜2和半色調相移膜8上執行氟乾蝕刻(圖6D)。之後，剝除第一抗蝕劑6(圖6E)。接著，將第二抗蝕劑7塗敷和圖型化，使得欲留下遮光膜2之第二抗蝕劑的部位被留下(圖6F)。利用充作罩之第二抗蝕劑7，執行氯乾蝕刻以去除抗反射膜3和蝕刻罩膜4(圖6G)。接著，以無氧氯乾蝕刻去除遮光膜2(圖6H)。最後，去除第二抗蝕劑7，完成光罩(圖6I)。
(5)去除蝕刻罩膜的光罩製造處理(雷文生罩)
處理開始於包含根據第一實施例之依序澱積在透明基板1上之可選擇的半色調相移膜、遮光膜2、抗反射膜3、及蝕刻罩膜4之光罩板(圖7A)(在圖7中省略相移膜)。將第一抗蝕劑6塗敷於板上，然後圖型化(圖7B)，之後，執行氯乾蝕刻以圖型化蝕刻罩膜4(圖7C)。利用充作罩之第一抗蝕劑6和蝕刻罩膜4，然後在抗反射膜3和遮光膜2(若包括的話，及相移膜)上執行氟乾蝕刻，藉以圖型化這些膜(圖7D)。之後，剝除第一抗蝕劑6(圖7E)。接著，將第二抗蝕劑7塗敷和圖型化，使得欲蝕刻透明基板1之第二抗蝕劑的部位被去除(圖7F)。利用充作罩之第二抗蝕劑7和蝕刻罩膜4，在透明基板1上執行氟乾蝕刻用以圖型化(圖7G)。之後，去除第二抗蝕劑7(圖7H)。最後，以氯乾蝕刻去除蝕刻罩膜4，完成在光罩表面上露出抗反射膜3之光罩(圖7I)。
(6)未去除蝕刻罩膜的光罩製造處理(雷文生罩)
處理開始於包含根據第二實施例之依序澱積在透明基板1上之可選擇的半色調相移膜、遮光膜2、蝕刻罩膜4、及抗反射膜3之光罩板(圖8A)(在圖8中省略相移膜)。將第一抗蝕劑6塗敷於板上，然後圖型化(圖8B)，之後，執行氯乾蝕刻以圖型化抗反射膜3和蝕刻罩膜4(圖8C)。利用充作罩之第一抗蝕劑6、抗反射膜3、和蝕刻罩膜4，然後在遮光膜2(若包括的話，及相移膜 )上執行氟乾蝕刻，藉以圖型化這些膜(圖8D)。之後，剝除第一抗蝕劑6(圖8E)。接著，將第二抗蝕劑7塗敷和圖型化，使得欲蝕刻透明基板1之第二抗蝕劑的部位被去除(圖8F)。利用充作罩之第二抗蝕劑7、抗反射膜3、和蝕刻罩膜4，在透明基板1上執行氟乾蝕刻用以圖型化(圖8G)。最後，去除第二抗蝕劑7，完成光罩(圖8H)。
(7)去除蝕刻罩膜的光罩製造處理(無鉻罩)
處理開始於包含根據第一實施例之依序澱積在透明基板1上的遮光膜2、抗反射膜3、及蝕刻罩膜4之光罩板(圖9A)。將第一抗蝕劑6塗敷於板上，然後圖型化(圖9B)，之後，執行氯乾蝕刻以圖型化蝕刻罩膜4(圖9C)。利用充作罩之第一抗蝕劑6和蝕刻罩膜4，然後在抗反射膜3和遮光膜2上執行氟乾蝕刻，藉以圖型化這些膜(圖9D)，並且持續著直到透明基板1被蝕刻(圖9E)。之後，剝除第一抗蝕劑6(圖9F)。以氯乾蝕刻去除蝕刻罩膜4(圖9G)。接著，將第二抗蝕劑7塗敷和圖型化，使得欲留下遮光膜2之第二抗蝕劑的部位被留下(圖9H)。利用充作罩之第二抗蝕劑7，執行無氧氯乾蝕刻以去除抗反射膜3和遮光膜2(圖9I)。最後，去除第二抗蝕劑7，完成光罩(圖9J)。
(8)未去除蝕刻罩膜的光罩製造處理(無鉻罩)
處理開始於包含根據第二實施例之依序澱積在透明基板1上之可選擇的相移膜、遮光膜2、蝕刻罩膜4、及抗反射膜3之光罩板(圖10A)。將第一抗蝕劑6塗敷於板上，然後圖型化(圖10B)，之後，執行氯乾蝕刻以圖型化抗反射膜3和蝕刻罩膜4(圖10C)。利用充作罩之第一抗蝕劑6、抗反射膜3、和蝕刻罩膜4，然後在遮光膜2上執行氟乾蝕刻以圖型化該膜(圖10D)，且持續著直到透明基板1被蝕刻(圖10E)。之後，剝除第一抗蝕劑6(圖10F)。接著，將第二抗蝕劑7塗敷和圖型化，使得欲留下遮光膜2之第二抗蝕劑的部位被留下(圖10G)。利用充作罩之第二抗蝕劑7，執行氯乾蝕刻以去除抗反射膜3和蝕刻罩膜4(圖10H)。接著，以無氧氯乾蝕刻去除遮光膜2(圖10I)。最後，去除第二抗蝕劑7，完成光罩(圖10J)。
例子
下面以實驗和例子進一步例示性說明本發明，但本發明並不侷限於此。
實驗1
當作用於ArF微影罩的典型光罩板模型，配置有包含依序澱積在透明基板上之26nm厚的CrN遮光膜(Cr：N=9：1(原子比))和20nm厚的CrON抗反射膜(Cr：O：N=4：5：1(原子比))之光罩板。在蝕刻條件：20 sccm的Cl2 流率，9sccm的O2 流率，80sccm的He流率，及2Pa的室內部壓力之下，藉由氯和氧乾蝕刻在此光罩板上，形成1：9的線和空間圖型(隔離圖型模型)和9：1的線和空間圖型(隔離空間模型)當作具有以0.1μm間距從1.6μm變化到0.2μm的線寬之隔離/群組線圖型模型。
結果，在隔離空間中，在最小和最大寬度之間的差方面，尺寸錯誤範圍從1.6μm到0.2μm總計共5.3nm。在隔離圖型中，寬度在範圍1.6μm到0.5μm中是3.8nm，但在範圍1.6μm到0.2μm中是13.8nm。觀察到在等於或小於0.4μm的精密隔離圖型之中，蝕刻率大體上不同(最後厚度)的現象。
在預期線密度相依性與蝕刻條件有密切關聯之下，當作在不同蝕刻條件下能夠處理之遮光膜的過渡金屬矽化物遮光膜上完成測試。
當作用於ArF微影罩的光罩板模型，配置有包含依序澱積在透明基板上之23nm厚的MoSiN遮光膜(Mo：Si：N=1：3：1.5(原子比))和18nm厚的MoSiN抗反射膜(組成在厚度方向逐步升級：從遮光膜側上的Mo：Si：N=1：3：1.5(原子比)到遠離透明基板的一側上之Mo：Si：N=1：5：5(原子比))之光罩板。在此光罩板上，以氟乾蝕刻在此光罩板上形成1：9的線和空間圖型(隔離圖型模型)和9：1的線和空間圖型(隔離空間模型)當作具有以0.1μm間距從1.6μm變化到0.2μm的線 寬之隔離/群組線圖型模型。
結果，在隔離空間中，在最小和最大寬度之間的差方面，尺寸錯誤範圍從1.6μm到0.2μm總計共2.3nm。在隔離圖型中，寬度在範圍1.6μm到0.2μm中是9.0nm，表示明顯改良線密度相依性的問題。
實驗2 抗蝕刻性對以鉻為主的材料之鉻含量
為了檢查以鉻為主的材料之抗蝕性，藉由使用金屬鉻當作靶材和氬、氮、及氧氣體當作濺鍍氣體，並且控制氮和氧氣體的流率以完成濺鍍。在此方式中，將具有鉻/氧/氮的變化比例之以鉻為主的材料之膜澱積在基板上。以氯氣乾蝕刻這些以鉻為主的材料之膜，決定該膜中的蝕刻率對鉻含量。結果描繪在圖11。該圖式顯示出只要以鉻為主的材料之膜具有等於或大於50原子%的鉻含量就能展現良好的抗蝕性。
例子1 CrN/MoSiN/MoSiN/基板
使用具有兩靶材的DC濺鍍系統將鉬、矽、及氮所構成的遮光膜(41nm厚)澱積在石英基板上。所使用的濺鍍氣體是氬和氮的混合物，並且被控制地饋送到室，以提供0.05Pa的氣壓。所使用的兩靶材包括當作過渡金屬源的Mo和當作矽源的Si(單晶體)靶材。在以30rpm旋 轉基板的同時澱積膜。以ESCA分析時，此遮光膜具有組成Mo：Si：N=1：3：1.5(原子比)。
使用具有兩靶材的DC濺鍍系統將由鉬、矽、及氮所構成(18nm厚)之厚度方向逐漸升級的組成之抗反射膜澱積在遮光膜上。所使用的濺鍍氣體是氬和氮的混合物，並且被控制地饋送到室，以提供0.05Pa的氣壓。所使用的兩靶材包括當作過渡金屬源的Mo和當作矽源的Si(單晶體)靶材。在以30rpm旋轉基板的同時澱積膜。以ESCA分析時，此抗反射膜在遮光膜側上具有組成Mo：Si：N=1：3：1.5(原子比)及在遠離基板的一側上(或應澱積蝕刻罩膜之一側)具有組成Mo：Si：N=1：5：5(原子比)。
使用DC濺鍍系統將CrN的蝕刻罩膜(10nm厚)澱積在抗反射膜上。所使用的濺鍍氣體是氬和氮的混合物，並且被控制地饋送到室，以提供0.05Pa的氣壓。所使用的靶材是鉻。在以30rpm旋轉基板的同時澱積膜。以ESCA分析時，蝕刻罩膜具有組成Cr：N=9：1(原子比)。
上述程序生產一光罩板，該光罩板包含依序澱積在石英基板上之MoSiN的遮光膜、MoSiN的抗反射膜、及CrN的蝕刻罩膜。
接著，將EB抗蝕劑塗敷在蝕刻罩膜上，曝光及顯影以圖型化抗蝕劑。利用充作罩的抗蝕劑，使用氯和氧的混合物當作蝕刻氣體執行乾蝕刻用以圖型化蝕刻罩膜。接著 ，利用充作罩的抗蝕劑和蝕刻罩膜，在抗反射膜和遮光膜上執行氟乾蝕刻以圖型化。之後，剝除抗蝕劑，及利用氯和氧的氣體混合物以乾蝕刻去除蝕刻罩膜，完成已去除蝕刻罩膜的光罩。不管圖型密度如何，最後的光罩準確地反映預先選定的特徵尺寸。此證明該光罩板具有最小的圖型密度相依性。
例子2 CrON/CrN/MoSiN/基板
使用具有兩靶材的DC濺鍍系統將鉬、矽、及氮所構成的遮光膜(30nm厚)澱積在石英基板上。所使用的濺鍍氣體是氬和氮的混合物，並且被控制地饋送到室，以提供0.05Pa的氣壓。所使用的兩靶材包括當作過渡金屬源的Mo和當作矽源的Si(單晶體)靶材。在以30rpm旋轉基板的同時澱積膜。以ESCA分析時，此遮光膜具有組成Mo：Si：N=1：3：1.5(原子比)。
使用DC濺鍍系統將CrN的蝕刻罩膜(10nm厚)澱積在遮光膜上。所使用的濺鍍氣體是氬和氮的混合物，並且被控制地饋送到室，以提供0.05Pa的氣壓。所使用的靶材是鉻。在以30rpm旋轉基板的同時澱積膜。以ESCA分析時，蝕刻罩膜具有組成Cr：N=9：1(原子比)。
使用DC濺鍍系統將CrON的抗反射膜(20nm厚)澱積在蝕刻罩膜上。所使用的濺鍍氣體是氬、氧、和氮的混合物，並且被控制地饋送到室，以提供0.05Pa的氣壓。 所使用的靶材是鉻。在以30rpm旋轉基板的同時澱積膜。以ESCA分析時，抗反射膜具有組成Cr：O：N=4：5：1(原子比)。
上述程序生產一光罩板，該光罩板包含依序澱積在石英基板上之MoSiN的遮光膜、CrN的蝕刻罩膜、及CrON的抗反射膜。
接著，將EB抗蝕劑塗敷在抗反射膜上，曝光及顯影以圖型化抗蝕劑。利用充作罩的抗蝕劑，使用氯和氧的混合物當作蝕刻氣體執行乾蝕刻用以圖型化抗反射膜和蝕刻罩膜。接著，利用充作罩的抗蝕劑、抗反射膜、和蝕刻罩膜，在遮光膜上執行氟乾蝕刻以圖型化。之後，剝除抗蝕劑，完成留下蝕刻罩膜的光罩。不管圖型密度如何，最後的光罩準確地反映預先選定的特徵尺寸。此證明該光罩板具有最小的圖型密度相依性。
例子3 CrON/MoSiN/MoSiN/基板
使用具有兩靶材的DC濺鍍系統將鉬、矽、及氮所構成的遮光膜(41nm厚)澱積在石英基板上。所使用的濺鍍氣體是氬和氮的混合物，並且被控制地饋送到室，以提供0.05Pa的氣壓。所使用的兩靶材包括當作過渡金屬源的Mo和當作矽源的Si(單晶體)靶材。在以30rpm旋轉基板的同時澱積膜。以ESCA分析時，此遮光膜具有組成Mo：Si：N=1：3：1.5(原子比)。
使用具有兩靶材的DC濺鍍系統將由鉬、矽、及氮所構成(10nm厚)的抗反射膜澱積在遮光膜上。所使用的濺鍍氣體是氬和氮的混合物，並且被控制地饋送到室，以提供0.05Pa的氣壓。所使用的兩靶材包括當作過渡金屬源的Mo和當作矽源的Si(單晶體)靶材。在以30rpm旋轉基板的同時澱積膜。以ESCA分析時，此抗反射膜具有組成Mo：Si：N=1：4：3(原子比)。
使用DC濺鍍系統將CrON的蝕刻罩膜(10nm厚)澱積在抗反射膜上。所使用的濺鍍氣體是氬、氧、和氮的混合物，並且被控制地饋送到室，以提供0.05Pa的氣壓。所使用的靶材是鉻。在以30rpm旋轉基板的同時澱積膜。以ESCA分析時，蝕刻罩膜具有組成Cr：O：N=4：5：1(原子比)。
上述程序生產一光罩板，該光罩板包含依序澱積在石英基板上之MoSiN的遮光膜、MoSiN的抗反射膜、及CrON的蝕刻罩膜。
接著，將EB抗蝕劑塗敷在蝕刻罩膜上，曝光及顯影以圖型化抗蝕劑。利用充作罩的抗蝕劑，使用氯和氧的混合物當作蝕刻氣體執行乾蝕刻用以圖型化蝕刻罩膜。接著，利用充作罩的抗蝕劑和蝕刻罩膜，在抗反射膜和遮光膜上執行氟乾蝕刻以圖型化。之後，剝除抗蝕劑，及去除蝕刻罩膜，完成已去除蝕刻罩膜的光罩。不管圖型密度如何，最後的光罩準確地反映預先選定的特徵尺寸。此證明該光罩板具有最小的圖型密度相依性。
例子4 Ta/MoSiN/MoSiN/基板
使用具有兩靶材的DC濺鍍系統將鉬、矽、及氮所構成的遮光膜(41nm厚)澱積在石英基板上。所使用的濺鍍氣體是氬和氮的混合物，並且被控制地饋送到室，以提供0.05Pa的氣壓。所使用的兩靶材包括當作過渡金屬源的Mo和當作矽源的Si(單晶體)靶材。在以30rpm旋轉基板的同時澱積膜。以ESCA分析時，此遮光膜具有組成Mo：Si：N=1：3：1.5(原子比)。
使用具有兩靶材的DC濺鍍系統將由鉬、矽、及氮所構成(18nm厚)之厚度方向逐漸升級的組成之抗反射膜澱積在遮光膜上。所使用的濺鍍氣體是氬和氮的混合物，並且被控制地饋送到室，以提供0.05Pa的氣壓。所使用的兩靶材包括當作過渡金屬源的Mo和當作矽源的Si(單晶體)靶材。在以30rpm旋轉基板的同時澱積膜。以ESCA分析時，此抗反射膜在遮光膜側上具有組成Mo：Si：N=1：3：1.5(原子比)及在遠離基板的一側上(或應澱積蝕刻罩膜之一側)具有組成Mo：Si：N=1：5：5(原子比)。
使用DC濺鍍系統將Ta蝕刻罩膜(15nm厚)澱積在抗反射膜上。所使用的濺鍍氣體是氬，並且被控制地饋送到室，以提供0.05Pa的氣壓。所使用的靶材是鉭。在以30rpm旋轉基板的同時澱積膜。
上述程序生產一光罩板，該光罩板包含依序澱積在石英基板上之MoSiN的遮光膜、MoSiN的抗反射膜、及Ta的蝕刻罩膜。
接著，將EB抗蝕劑塗敷在蝕刻罩膜上，曝光及顯影以圖型化抗蝕劑。利用充作罩的抗蝕劑，使用氯和氧的混合物當作蝕刻氣體執行乾蝕刻用以圖型化蝕刻罩膜。接著，利用充作罩的抗蝕劑和蝕刻罩膜，在抗反射膜和遮光膜上執行氟乾蝕刻以圖型化。之後，剝除抗蝕劑，及利用氯和氧的氣體混合物以乾蝕刻去除蝕刻罩膜，完成已去除蝕刻罩膜的光罩。不管圖型密度如何，最後的光罩準確地反映預先選定的特徵尺寸。此證明該光罩板具有最小的圖型密度相依性。
例子5 CrON/CrN/MoSiN/基板，雷文生罩
如同在例子2中一般，製造包含依序澱積在石英基板上的之MoSiN的遮光膜、CrN的蝕刻罩膜、及CrON的抗反射膜之光罩板。
將當作第一抗蝕劑的EB抗蝕劑塗敷在光罩板的抗反射膜上，曝光及顯影以圖型化第一抗蝕劑。利用充作罩的第一抗蝕劑，使用氯和氧的混合物當作蝕刻氣體執行乾蝕刻用以圖型化抗反射膜和蝕刻罩膜。接著，利用充作罩的第一抗蝕劑、抗反射膜、和蝕刻罩膜，在遮光膜上執行氟乾蝕刻以圖型化。之後，剝除第一抗蝕劑。當作第二抗蝕 劑的EB抗蝕劑被塗敷、曝光、及顯影，藉以形成去除欲蝕刻石英基板的第二抗蝕劑之部位的抗蝕圖型。利用充作罩之第二抗蝕劑、抗反射膜、和蝕刻罩膜，在石英基板上執行氟乾蝕刻。之後，剝除第二抗蝕劑，完成留下蝕刻罩膜的雷文生罩。不管圖型密度如何，最後的光罩準確地反映預先選定的特徵尺寸。此證明該光罩板具有最小的圖型密度相依性。
例子6 (CrON/CrN)/MoSiN/MoSiN/基板，雷文生罩
使用具有兩靶材的DC濺鍍系統將鉬、矽、及氮所構成的遮光膜(41nm厚)澱積在石英基板上。所使用的濺鍍氣體是氬和氮的混合物，並且被控制地饋送到室，以提供0.05Pa的氣壓。所使用的兩靶材包括當作過渡金屬源的Mo和當作矽源的Si(單晶體)靶材。在以30rpm旋轉基板的同時澱積膜。以ESCA分析時，此遮光膜具有組成Mo：Si：N=1：3：1.5(原子比)。
使用具有兩靶材的DC濺鍍系統將由鉬、矽、及氮所構成(18nm厚)之厚度方向逐漸升級的組成之抗反射膜澱積在遮光膜上。所使用的濺鍍氣體是氬和氮的混合物，並且被控制地饋送到室，以提供0.05Pa的氣壓。所使用的兩靶材包括當作過渡金屬源的Mo和當作矽源的Si(單晶體)靶材。在以30rpm旋轉基板的同時澱積膜。以ESCA分析時，此抗反射膜在遮光膜側上具有組成Mo：Si ：N=1：3：1.5(原子比)及在遠離基板的一側上(或應澱積蝕刻罩膜之一側)具有組成Mo：Si：N=1：5：5(原子比)。
使用DC濺鍍系統將由CrN的內層和CrON的外層構成的蝕刻罩膜(15nm厚=CrN內層10nm+CrON外層5nm)澱積在抗反射膜上。所使用的電鍍氣體在澱積內層期間是氬和氮的混合物，在澱積外層期間是氬、氧、和氮的混合物，並且被控制地饋送到室，以提供0.05Pa的氣壓。所使用的靶材是鉻。在以30rpm旋轉基板的同時澱積膜。以ESCA分析蝕刻罩膜時，內層具有組成Cr：N=9：1(原子比)及外層具有組成Cr：O：N=4：5：1(原子比)。
上述程序產生一光罩板，該光罩板包含依序澱積在石英基板上之MoSiN的遮光膜、MoSiN的抗反射膜、及CrN和CrON兩層的蝕刻罩膜。
將當作第一抗蝕劑的EB抗蝕劑塗敷在光罩板的蝕刻罩膜上，曝光及顯影以圖型化第一抗蝕劑。利用充作罩的第一抗蝕劑，使用氯和氧的混合物當作蝕刻氣體執行乾蝕刻，用以圖型化由CrON的外層和CrN的內層構成之蝕刻罩膜。接著，利用充作罩的第一抗蝕劑和蝕刻罩膜，在抗反射膜和遮光膜上執行氟乾蝕刻以圖型化。之後，剝除第一抗蝕劑。當作第二抗蝕劑的EB抗蝕劑被塗敷、曝光、及顯影，藉以形成去除欲蝕刻石英基板的第二抗蝕劑之部位的抗蝕圖型。利用充作罩之第二抗蝕劑和蝕刻罩膜，在 石英基板上執行氟乾蝕刻。之後，剝除第二抗蝕劑，及利用氯氣以乾蝕刻剝除蝕刻罩膜，完成已去除蝕刻罩膜的雷文生罩。不管圖型密度如何，最後的光罩準確地反映預先選定的特徵尺寸。此證明該光罩板具有最小的圖型密度相依性。
例子7 CrN/MoSiN/MoSi/MoSiON/基板，半色調相移罩
使用具有兩靶材的DC濺鍍系統將鉬、矽、氧、及氮所構成的半色調相移膜(75nm厚)澱積在石英基板上。所使用的濺鍍氣體是氬、氧、和氮的混合物，並且被控制地饋送到室，以提供0.05Pa的氣壓。所使用的兩靶材包括當作過渡金屬源的Mo和當作矽源的Si(單晶體)靶材。在以30rpm旋轉基板的同時澱積膜。以ESCA分析時，此半色調相移膜具有組成Mo：Si：O：N=1：4：1：4(原子比)。
使用具有兩靶材的DC濺鍍系統將鉬和矽所構成的遮光膜(23nm厚)澱積在半色調相移膜上。所使用的氣體是氬，並且被控制地饋送到室以提供0.05Pa的氣壓。所使用的兩靶材包括當作過渡金屬源的Mo和當作矽源的Si(單晶體)靶材。在以30rpm旋轉基板的同時澱積膜。以ESCA分析時，此遮光膜具有組成Mo：Si=1：5(原子比)。
使用具有兩靶材的DC濺鍍系統將由鉬、矽、及氮所 構成(13nm厚)的抗反射膜澱積在遮光膜上。所使用的濺鍍氣體是氬和氮的混合物，並且被控制地饋送到室，以提供0.05Pa的氣壓。所使用的兩靶材包括當作過渡金屬源的Mo和當作矽源的Si(單晶體)靶材。在以30rpm旋轉基板的同時澱積膜。以ESCA分析時，此抗反射膜具有組成Mo：Si：N=1：1：2(原子比)。
使用DC濺鍍系統將CrN的蝕刻罩膜(10nm厚)澱積在抗反射膜上。所使用的濺鍍氣體是氬和氮的混合物，並且被控制地饋送到室，以提供0.05Pa的氣壓。所使用的靶材是鉻。在以30rpm旋轉基板的同時澱積膜。以ESCA分析時，蝕刻罩膜具有組成Cr：N=9：1(原子比)。
上述程序生產一光罩板，該光罩板包含依序澱積在石英基板上之MoSiON的半色調相移膜、MoSi的遮光膜、MoSiN的抗反射膜、及CrN的蝕刻罩膜。
將主要包含羥基苯乙烯樹脂、交聯劑、及光酸產生物的化學加強負抗蝕劑組成塗敷在光罩板上達250nm厚度，曝光、顯影、以圖型化抗蝕劑。利用充作罩之抗蝕劑使用氯和氧的混合物當作蝕刻氣體執行乾蝕刻，用以圖型化蝕刻罩膜。接著，利用充作罩之抗蝕劑和蝕刻罩膜，在抗反射膜、遮光膜、及半色調相移膜上執行氟乾蝕刻以圖型化。之後，剝除抗蝕劑。利用氯和氧的氣體混合物藉由乾蝕刻去除蝕刻罩膜。為了去除遮光膜的不必要部位，形成用以保護欲留下的遮光膜之部位的抗蝕圖型。執行利用無氧氯氣的乾蝕刻以去除抗反射膜和遮光膜。之後，剝除抗 蝕劑，完成半色調相移罩。不管圖型密度如何，最後的光罩未經歷圖型變薄，並且準確地反映預先選定的特徵尺寸。此證明該光罩板具有最小的圖型密度相依性。
1‧‧‧透明基板
2‧‧‧遮光膜
3‧‧‧抗反射膜
4‧‧‧蝕刻罩膜
5‧‧‧抗蝕劑
6‧‧‧第一抗蝕劑
7‧‧‧第二抗蝕劑
8‧‧‧相移膜
圖1為本發明的第一實施例之一範例性光罩板的橫剖面圖，圖1A對應於直接位在透明基板上的遮光膜及圖1B為對應於透過相移膜位在透明基板上之遮光膜。
圖2為本發明的第二實施例之一範例性光罩板的橫剖面圖，圖2A對應於直接位在透明基板上的遮光膜及圖2B為對應於透過相移膜位在透明基板上之遮光膜。
圖3為根據本發明的備製光罩板之方法的步驟概要圖，該方法使用第一實施例的光罩板且以移除蝕刻罩膜生產二元罩。
圖4為根據本發明的備製光罩板之方法的步驟概要圖，該方法使用第二實施例的光罩板且以留下蝕刻罩膜生產二元罩。
圖5為根據本發明的備製光罩板之方法的步驟概要圖，該方法使用第一實施例的光罩板且以移除蝕刻罩膜生產半色調相移罩。
圖6為根據本發明的備製光罩板之方法的步驟概要圖，該方法使用第二實施例的光罩板且以留下蝕刻罩膜生產半色調相移罩。
圖7為根據本發明的備製光罩板之方法的步驟概要圖 ，該方法使用第一實施例的光罩板且以移除蝕刻罩膜生產雷文生罩。
圖8為根據本發明的備製光罩板之方法的步驟概要圖，該方法使用第二實施例的光罩板且以留下蝕刻罩膜生產雷文生罩。
圖9為根據本發明的備製光罩板之方法的步驟概要圖，該方法使用第一實施例的光罩板且以移除蝕刻罩膜生產無鉻罩。
圖10為根據本發明的備製光罩板之方法的步驟概要圖，該方法使用第二實施例的光罩板且以留下蝕刻罩膜生產無鉻罩。
圖11為如實驗2所量測之以鉻為主的材料之膜的氯氣乾蝕刻對鉻含量之比例圖。
1‧‧‧透明基板
2‧‧‧遮光膜
3‧‧‧抗反射膜
4‧‧‧蝕刻罩膜
8‧‧‧相移膜

Claims (25)

  1. 一種光罩板，由此生產光罩，該光罩包含透明基板和形成在其上的光罩圖型，該光罩圖型包括透明區和有效不透明區以曝光光線，該光罩板包含：一透明基板，一遮光膜，位在該基板上，而另一膜可選擇的介在其間，該遮光膜包含易受氟乾蝕刻的金屬或金屬化合物，及一蝕刻罩膜，形成在該遮光膜上，該蝕刻罩膜包含抗氟乾蝕刻的另一金屬或金屬化合物。
  2. 根據申請專利範圍第1項之光罩板，其中在氟乾蝕刻中，該遮光膜相對於該蝕刻罩膜，具有至少2的選擇比。
  3. 根據申請專利範圍第1項之光罩板，其中在氟乾蝕刻中，該透明基板相對於該蝕刻罩膜，具有至少10的選擇比。
  4. 根據申請專利範圍第1項之光罩板，其中該蝕刻罩膜係由鉻單獨組成或包含鉻及選自氧、氮、和碳的至少一元素之鉻化合物組成。
  5. 根據申請專利範圍第4項之光罩板，其中該鉻化合物包含至少50原子%的鉻。
  6. 根據申請專利範圍第1項之光罩板，其中該蝕刻罩膜係由鉭單獨組成或包含鉭但沒有矽的鉭化合物組成。
  7. 根據申請專利範圍第1項之光罩板，其中該遮光膜係由矽單獨組成或包含矽及選自氧、氮、和碳的至少一 元素之矽化合物組成。
  8. 根據申請專利範圍第1項之光罩板，其中該遮光膜係由過渡金屬與矽的合金組成或包含過渡金屬、矽、及選自氧、氮、和碳的至少一元素之過渡金屬矽化合物組成。
  9. 根據申請專利範圍第8項之光罩板，其中該過渡金屬是選自由鈦、釩、鈷、鎳、鋯、鈮、鉬、鉿、鉭、和鎢所構成的群組的至少一元素。
  10. 根據申請專利範圍第8項之光罩板，其中該過渡金屬是鉬。
  11. 根據申請專利範圍第8項之光罩板，其中該遮光膜另外包含具有5原子%到40原子%的氮含量之氮。
  12. 根據申請專利範圍第1項之光罩板，其中該蝕刻罩膜具有2到30nm的厚度。
  13. 根據申請專利範圍第1項之光罩板，其中相移膜介於該疊層膜之間當作該另一膜。
  14. 根據申請專利範圍第13項之光罩板，其中該相移膜是半色調相移膜。
  15. 根據申請專利範圍第1項之光罩板，該光罩板包含：一透明基板，一遮光膜，位在該基板上，而另一膜可選擇的介在其間，該遮光膜包含易受氟乾蝕刻的金屬或金屬化合物，一抗反射膜，形成在該遮光膜上，及 一蝕刻罩膜，形成在該抗反射膜上，該蝕刻罩膜包含抗氟乾蝕刻的另一金屬或金屬化合物，該抗反射膜和該蝕刻罩膜係由不同元素組成或由不同組成比例的相同元素組成。
  16. 根據申請專利範圍第15項之光罩板，其中該抗反射膜包含與該遮光膜中的金屬相同之金屬。
  17. 根據申請專利範圍第15項之光罩板，其中連續疊層該遮光膜、抗反射膜、和蝕刻罩膜。
  18. 根據申請專利範圍第15項之光罩板，該光罩板包含：一透明基板，一遮光膜，形成在該基板上，而另一膜可選擇的介在其間，該遮光膜包含易受氟乾蝕刻的過渡金屬和矽，一抗反射膜，位在鄰近於該遮光膜，該抗反射膜包含過渡金屬、矽、和氮，及一蝕刻罩膜，位在鄰近於該抗反射膜，該蝕刻罩膜包含鉻但沒有矽，或包含鉭但沒有矽。
  19. 根據申請專利範圍第1項之光罩板，該光罩板包含：一透明基板，一遮光膜，位在該基板上，而另一膜可選擇的介在其間，該遮光膜包含易受氟乾蝕刻的金屬或金屬化合物，一蝕刻罩膜，形成在該遮光膜上，該蝕刻罩膜包含抗氟乾蝕刻的另一金屬或金屬化合物，及 一抗反射膜，形成在該蝕刻罩膜上，該抗反射膜和該蝕刻罩膜係由不同元素組成或由不同組成比例的相同元素組成。
  20. 根據申請專利範圍第19項之光罩板，其中該抗反射膜包含與該遮光膜中的金屬相同之金屬。
  21. 根據申請專利範圍第19項之光罩板，該光罩板包含：一透明基板，一遮光膜，位在該基板上，而另一膜可選擇的介在其間，該遮光膜包含易受氟乾蝕刻的過渡金屬和矽，一蝕刻罩膜，位在鄰近於該遮光膜，該蝕刻罩膜包含具有至少50原子%的鉻含量之鉻，及一抗反射膜，位在鄰近於該蝕刻罩膜，該抗反射膜包含具有少於50原子%的鉻含量之鉻和氧。
  22. 一種備製光罩之方法，包含圖型化根據申請專利範圍第1項之光罩板之步驟。
  23. 根據申請專利範圍第22項之方法，包含經由該蝕刻罩膜當作蝕刻罩以氟乾蝕刻該遮光膜。
  24. 根據申請專利範圍第22項之方法，包含經由該蝕刻罩膜當作蝕刻罩以氟乾蝕刻該透明基板。
  25. 根據申請專利範圍第22項之方法，其中該光罩是雷文生(Levenson)罩。
TW96108312A 2006-03-10 2007-03-09 光罩板及光罩製造方法 TWI454836B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006065763A JP4883278B2 (ja) 2006-03-10 2006-03-10 フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200745737A TW200745737A (en) 2007-12-16
TWI454836B true TWI454836B (zh) 2014-10-01

Family

ID=38169720

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW96108312A TWI454836B (zh) 2006-03-10 2007-03-09 光罩板及光罩製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7767367B2 (zh)
EP (6) EP2328023B1 (zh)
JP (1) JP4883278B2 (zh)
KR (2) KR20070092679A (zh)
CN (4) CN102385241B (zh)
TW (1) TWI454836B (zh)

Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4883278B2 (ja) 2006-03-10 2012-02-22 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
JP4509050B2 (ja) 2006-03-10 2010-07-21 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
US8615663B2 (en) * 2006-04-17 2013-12-24 Broadcom Corporation System and method for secure remote biometric authentication
JP4737426B2 (ja) * 2006-04-21 2011-08-03 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク
JP5054766B2 (ja) * 2007-04-27 2012-10-24 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP5348866B2 (ja) * 2007-09-14 2013-11-20 Ｈｏｙａ株式会社 マスクの製造方法
US8216745B2 (en) * 2007-11-01 2012-07-10 Ulvac Coating Corporation Half-tone mask, half-tone mask blank and method for manufacturing half-tone mask
JP5393972B2 (ja) * 2007-11-05 2014-01-22 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク及び転写用マスクの製造方法
JP4845978B2 (ja) * 2008-02-27 2011-12-28 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクブランクおよびフォトマスク並びにフォトマスクの製造方法
JP5530075B2 (ja) 2008-03-31 2014-06-25 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスク及びこれらの製造方法
JP5615488B2 (ja) * 2008-06-30 2014-10-29 Hoya株式会社 位相シフトマスクの製造方法
KR20110066207A (ko) * 2008-09-30 2011-06-16 호야 가부시키가이샤 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 그 제조 방법
JP5281362B2 (ja) * 2008-10-31 2013-09-04 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法
TWI417274B (zh) * 2008-12-04 2013-12-01 Shinetsu Chemical Co 鹽、酸發生劑及使用其之抗蝕劑材料、空白光罩，及圖案形成方法
JP5290129B2 (ja) 2008-12-25 2013-09-18 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP4826842B2 (ja) * 2009-01-15 2011-11-30 信越化学工業株式会社 フォトマスクの製造方法及びフォトマスクブランク
TWI457697B (zh) 2009-01-15 2014-10-21 Shinetsu Chemical Co 光罩製造方法，空白光罩與乾式蝕刻法
JP4826843B2 (ja) * 2009-01-15 2011-11-30 信越化学工業株式会社 ドライエッチング方法
JP4833356B2 (ja) 2009-02-13 2011-12-07 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及び半導体装置の製造方法
JP4941684B2 (ja) 2009-03-27 2012-05-30 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びその加工方法
JP4853684B2 (ja) * 2009-03-31 2012-01-11 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP4853686B2 (ja) 2009-03-31 2012-01-11 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク又はその製造中間体の検査方法、高エネルギー線の照射エネルギー量の決定方法、及びフォトマスクブランクの製造方法
JP4853685B2 (ja) 2009-03-31 2012-01-11 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク又はその製造中間体の検査方法及び良否判定方法
JP5201361B2 (ja) 2009-05-15 2013-06-05 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの加工方法
JP5439030B2 (ja) 2009-05-18 2014-03-12 信越化学工業株式会社 ネガ型レジスト組成物の検査方法及び調製方法
JP5257256B2 (ja) 2009-06-11 2013-08-07 信越化学工業株式会社 フォトマスクの製造方法
JP4847629B2 (ja) * 2009-06-18 2011-12-28 Ｈｏｙａ株式会社 転写用マスクの製造方法
TWI553399B (zh) * 2009-07-16 2016-10-11 Hoya Corp Mask base and transfer mask
JP5714266B2 (ja) * 2009-08-25 2015-05-07 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクおよびこれらの製造方法
WO2011030521A1 (ja) * 2009-09-09 2011-03-17 Hoya株式会社 マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および反射型マスクの製造方法
CA2772040C (en) 2009-09-11 2015-11-10 Nissha Printing Co., Ltd. Narrow frame touch input sheet, manufacturing method of the same, and conductive sheet used in narrow frame touch input sheet
JP5606028B2 (ja) * 2009-09-11 2014-10-15 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクブランクおよびフォトマスクの製造方法
JP4739461B2 (ja) 2009-10-12 2011-08-03 Ｈｏｙａ株式会社 転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
JP4797114B2 (ja) * 2009-10-12 2011-10-19 Ｈｏｙａ株式会社 転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
JP5584573B2 (ja) 2009-12-01 2014-09-03 信越化学工業株式会社 ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法
JP5479074B2 (ja) * 2009-12-21 2014-04-23 Ｈｏｙａ株式会社 光学素子の製造方法、光学素子
US8435704B2 (en) * 2010-03-30 2013-05-07 Hoya Corporation Mask blank, transfer mask, and methods of manufacturing the same
US8524421B2 (en) 2010-03-30 2013-09-03 Hoya Corporation Mask blank, transfer mask, methods of manufacturing the same and method of manufacturing a semiconductor device
US8535855B2 (en) * 2010-05-19 2013-09-17 Hoya Corporation Mask blank manufacturing method, transfer mask manufacturing method, mask blank, and transfer mask
JP5368392B2 (ja) 2010-07-23 2013-12-18 信越化学工業株式会社 電子線用レジスト膜及び有機導電性膜が積層された被加工基板、該被加工基板の製造方法、及びレジストパターンの形成方法
JP5682493B2 (ja) 2010-08-04 2015-03-11 信越化学工業株式会社 バイナリーフォトマスクブランク及びバイナリーフォトマスクの製造方法
JP5644293B2 (ja) * 2010-09-10 2014-12-24 信越化学工業株式会社 遷移金属ケイ素系材料膜の設計方法
JP2012073326A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Toppan Printing Co Ltd フォトマスク、フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
JP5606264B2 (ja) 2010-10-22 2014-10-15 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク
JP5900773B2 (ja) 2010-11-05 2016-04-06 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
CN103229099B (zh) 2010-11-22 2015-10-07 信越化学工业株式会社 光掩模坯料、制造光掩模的方法、以及含铬材料膜
JP5653888B2 (ja) 2010-12-17 2015-01-14 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
US8399158B2 (en) * 2010-12-23 2013-03-19 Intel Corporation High resolution phase shift mask
JP5820555B2 (ja) * 2011-03-31 2015-11-24 Hoya株式会社 マスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法
JP5464186B2 (ja) 2011-09-07 2014-04-09 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法
JP6084391B2 (ja) * 2011-09-28 2017-02-22 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
KR101172698B1 (ko) * 2011-10-17 2012-09-13 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조방법
JP5541265B2 (ja) 2011-11-18 2014-07-09 信越化学工業株式会社 エッチングマスク膜の評価方法
JP5541266B2 (ja) * 2011-11-18 2014-07-09 信越化学工業株式会社 パターン形成膜のエッチング条件の評価方法
JP5879951B2 (ja) * 2011-11-21 2016-03-08 信越化学工業株式会社 光パターン照射方法、ハーフトーン位相シフトマスク及びハーフトーン位相シフトマスクブランク
JP6062195B2 (ja) * 2011-11-30 2017-01-18 Hoya株式会社 転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
JP5743920B2 (ja) * 2012-02-09 2015-07-01 Hoya株式会社 微細パターンを有するガラス構造体の製造方法
JP5795992B2 (ja) * 2012-05-16 2015-10-14 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
JP5820766B2 (ja) 2012-05-16 2015-11-24 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクブランク、フォトマスク、および、パターン転写方法
JP5739376B2 (ja) 2012-05-16 2015-06-24 信越化学工業株式会社 モールド作製用ブランクおよびモールドの製造方法
WO2014080935A1 (ja) * 2012-11-21 2014-05-30 アルバック成膜株式会社 エッチング方法、マスク、機能部品、及び機能部品の製造方法
JP2014191176A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Dainippon Printing Co Ltd フォトマスクブランクス、フォトマスク及びその製造方法
JP5686216B1 (ja) 2013-08-20 2015-03-18 大日本印刷株式会社 マスクブランクス、位相シフトマスク及びその製造方法
JP2015194673A (ja) 2013-08-21 2015-11-05 大日本印刷株式会社 マスクブランクス、ネガ型レジスト膜付きマスクブランクス、位相シフトマスク、およびそれを用いるパターン形成体の製造方法
JP6379556B2 (ja) * 2013-08-21 2018-08-29 大日本印刷株式会社 マスクブランクス、ネガ型レジスト膜付きマスクブランクス、位相シフトマスク、およびそれを用いるパターン形成体の製造方法
JP6229466B2 (ja) * 2013-12-06 2017-11-15 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク
JP5719948B2 (ja) * 2014-02-12 2015-05-20 Hoya株式会社 光学素子の製造方法
JP6292581B2 (ja) * 2014-03-30 2018-03-14 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
KR102260188B1 (ko) * 2014-04-08 2021-06-04 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 그 제조 방법
JP6524614B2 (ja) * 2014-05-27 2019-06-05 大日本印刷株式会社 マスクブランクス、ネガ型レジスト膜付きマスクブランクス、位相シフトマスク、およびそれを用いるパターン形成体の製造方法
JP6394496B2 (ja) 2014-07-15 2018-09-26 信越化学工業株式会社 バイナリフォトマスクブランク、その製造方法、及びバイナリフォトマスクの製造方法
JP2016057577A (ja) 2014-09-12 2016-04-21 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク
JP2016057578A (ja) * 2014-09-12 2016-04-21 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク
KR101624995B1 (ko) 2014-09-26 2016-05-26 주식회사 에스앤에스텍 플랫 패널 디스플레이용 위상 반전 블랭크 마스크 및 포토마스크
KR20160093166A (ko) 2015-01-28 2016-08-08 주식회사 이티에스인터내셔널 햅틱스위치를 이용한 차량의 시동 제어장치 및 그 제어방법
JP5907634B2 (ja) * 2015-03-23 2016-04-26 Hoya株式会社 光学素子の製造方法
JP6375269B2 (ja) 2015-07-01 2018-08-15 信越化学工業株式会社 無機材料膜、フォトマスクブランク、およびフォトマスクの製造方法
JP6621626B2 (ja) * 2015-09-18 2019-12-18 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
US10678125B2 (en) * 2016-03-02 2020-06-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask blank and method for preparing photomask
JP6743679B2 (ja) * 2016-03-02 2020-08-19 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法
CN107168010B (zh) * 2016-03-08 2020-06-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻掩膜版的制造方法
SG11201811413QA (en) * 2016-07-25 2019-02-27 Hoya Corp Mask blank, transfer mask, method for producing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device
KR102624985B1 (ko) 2016-07-26 2024-01-16 삼성전자주식회사 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 그 제조방법
CN114675486A (zh) * 2016-08-26 2022-06-28 Hoya株式会社 掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法
JP6632950B2 (ja) * 2016-09-21 2020-01-22 Hoya株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクブランクの製造方法、及びそれらを用いたフォトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法
JP2018098287A (ja) 2016-12-09 2018-06-21 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法
US10168612B2 (en) 2016-12-12 2019-01-01 Globalfoundries Inc. Photomask blank including a thin chromium hardmask
JP6791031B2 (ja) * 2017-06-13 2020-11-25 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びその製造方法
JP6819546B2 (ja) * 2017-11-13 2021-01-27 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法
JP6988697B2 (ja) 2018-05-31 2022-01-05 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク
US11002063B2 (en) * 2018-10-26 2021-05-11 Graffiti Shield, Inc. Anti-graffiti laminate with visual indicia
JP7214593B2 (ja) * 2019-08-13 2023-01-30 キオクシア株式会社 フォトマスクの製造方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4707218A (en) * 1986-10-28 1987-11-17 International Business Machines Corporation Lithographic image size reduction
US5523185A (en) * 1993-11-15 1996-06-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for manufacturing stencil mask
US5592317A (en) * 1994-12-22 1997-01-07 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Chromium blanks for forming black matrix-screen and color filter for liquid crystal display
US20010006754A1 (en) * 2000-01-05 2001-07-05 Satoshi Okazaki Phase shift mask blank, phase shift mask and method of manufacture
US6335124B1 (en) * 1997-12-19 2002-01-01 Hoya Corporation Phase shift mask and phase shift mask blank
US6395433B1 (en) * 1998-10-08 2002-05-28 Rochester Institute Of Technology Photomask for projection lithography at or below about 160 nm and a method thereof
US20020115003A1 (en) * 2000-12-26 2002-08-22 Tetsushi Tsukamoto Photomask blank and photomask
US6472107B1 (en) * 1999-09-30 2002-10-29 Photronics, Inc. Disposable hard mask for photomask plasma etching
US20030180631A1 (en) * 2002-02-22 2003-09-25 Hoya Corporation Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and method of producing the same
US20040072081A1 (en) * 2002-05-14 2004-04-15 Coleman Thomas P. Methods for etching photolithographic reticles
US20050019674A1 (en) * 2003-04-09 2005-01-27 Hoya Corporation Photomask producing method and photomask blank
US20050170263A1 (en) * 2004-01-07 2005-08-04 Hoya Corporation Mask blank manufacturing method and sputtering target for manufacturing the same

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61138256A (ja) * 1984-12-10 1986-06-25 Toshiba Corp マスクパタ−ンの形成方法
JPS6385553A (ja) * 1986-09-30 1988-04-16 Toshiba Corp マスク基板およびマスクパタ−ンの形成方法
JP2556534B2 (ja) 1987-11-30 1996-11-20 ホーヤ株式会社 フォトマスクブランク
JP2991444B2 (ja) 1989-09-29 1999-12-20 ホーヤ株式会社 フォトマスクブランクおよびフォトマスク
JPH0720427Y2 (ja) 1990-01-11 1995-05-15 豊生ブレーキ工業株式会社 シュー間隙自動調節機構を備えたドラムブレーキ
JPH0475059A (ja) * 1990-07-18 1992-03-10 Toppan Printing Co Ltd フォトマスクブランクおよびフォトマスクおよびフォトマスクの製造方法
JP3037763B2 (ja) * 1991-01-31 2000-05-08 ホーヤ株式会社 フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法
JPH0695363A (ja) * 1992-09-11 1994-04-08 Toppan Printing Co Ltd フォトマスクブランク及びその製造方法並びにフォトマスク
JP3228354B2 (ja) * 1992-09-11 2001-11-12 凸版印刷株式会社 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク並びに位相シフトマスクブランクの製造方法
TW505829B (en) * 1992-11-16 2002-10-11 Dupont Photomasks Inc A transmissive embedded phase shifter-photomask blank
JP3064769B2 (ja) * 1992-11-21 2000-07-12 アルバック成膜株式会社 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法
JP3453435B2 (ja) * 1993-10-08 2003-10-06 大日本印刷株式会社 位相シフトマスクおよびその製造方法
JP2966369B2 (ja) 1996-03-30 1999-10-25 ホーヤ株式会社 位相シフトマスク、及び位相シフトマスクブランク
JP3093632B2 (ja) 1996-04-25 2000-10-03 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 半導体記憶装置
US6261938B1 (en) * 1997-02-12 2001-07-17 Quantiscript, Inc. Fabrication of sub-micron etch-resistant metal/semiconductor structures using resistless electron beam lithography
EP1022614B1 (en) * 1998-07-31 2012-11-14 Hoya Corporation Photomask blank, photomask, methods of manufacturing the same, and method of forming micropattern
US6835505B2 (en) * 1998-10-08 2004-12-28 Rochester Institute Of Technology Mask for projection photolithography at or below about 160 nm and a method thereof
US6037083A (en) * 1998-12-22 2000-03-14 Hoya Corporation Halftone phase shift mask blanks, halftone phase shift masks, and fine pattern forming method
JP4686006B2 (ja) 2000-04-27 2011-05-18 大日本印刷株式会社 ハーフトーン位相シフトフォトマスクとハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス、及びハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法
JP2002072445A (ja) 2000-09-04 2002-03-12 Dainippon Printing Co Ltd ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス
JP3722029B2 (ja) * 2000-09-12 2005-11-30 Ｈｏｙａ株式会社 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクの製造方法
KR100815679B1 (ko) * 2001-11-27 2008-03-20 호야 가부시키가이샤 하프톤형 위상 시프트 마스크 블랭크, 하프톤형 위상시프트 마스크 및 그 제조방법
JP2003195479A (ja) 2001-12-28 2003-07-09 Hoya Corp ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
JP2003195483A (ja) 2001-12-28 2003-07-09 Hoya Corp フォトマスクブランク、フォトマスク、及びそれらの製造方法
JP3093632U (ja) 2002-03-01 2003-05-16 Ｈｏｙａ株式会社 ハーフトーン型位相シフトマスクブランク
US7022436B2 (en) 2003-01-14 2006-04-04 Asml Netherlands B.V. Embedded etch stop for phase shift masks and planar phase shift masks to reduce topography induced and wave guide effects
DE112004000235B4 (de) * 2003-02-03 2018-12-27 Hoya Corp. Fotomasken-Rohling, Fotomaske und Muster-Übertragungsverfahren unter Verwendung einer Fotomaske
US7264908B2 (en) * 2003-05-16 2007-09-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photo mask blank and photo mask
JP4443873B2 (ja) * 2003-08-15 2010-03-31 Ｈｏｙａ株式会社 位相シフトマスクの製造方法
KR100546365B1 (ko) * 2003-08-18 2006-01-26 삼성전자주식회사 블랭크 포토마스크 및 이를 사용한 포토마스크의 제조방법
US7222135B2 (en) * 2003-12-29 2007-05-22 Intel Corporation Method, system, and program for managing data migration
KR20050076827A (ko) 2004-01-22 2005-07-28 쇼오트 아게 초 고투과율 위상편이 마스크 블랭크
US7365014B2 (en) * 2004-01-30 2008-04-29 Applied Materials, Inc. Reticle fabrication using a removable hard mask
JP4619043B2 (ja) * 2004-06-02 2011-01-26 Ｈｏｙａ株式会社 位相シフトマスクの製造方法及びテンプレートの製造方法
US20060051681A1 (en) * 2004-09-08 2006-03-09 Phototronics, Inc. 15 Secor Road P.O. Box 5226 Brookfield, Conecticut Method of repairing a photomask having an internal etch stop layer
JP4407815B2 (ja) * 2004-09-10 2010-02-03 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP2006078825A (ja) * 2004-09-10 2006-03-23 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法
JP4883278B2 (ja) 2006-03-10 2012-02-22 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
JP4509050B2 (ja) * 2006-03-10 2010-07-21 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4707218A (en) * 1986-10-28 1987-11-17 International Business Machines Corporation Lithographic image size reduction
US5523185A (en) * 1993-11-15 1996-06-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for manufacturing stencil mask
US5592317A (en) * 1994-12-22 1997-01-07 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Chromium blanks for forming black matrix-screen and color filter for liquid crystal display
US6335124B1 (en) * 1997-12-19 2002-01-01 Hoya Corporation Phase shift mask and phase shift mask blank
US6395433B1 (en) * 1998-10-08 2002-05-28 Rochester Institute Of Technology Photomask for projection lithography at or below about 160 nm and a method thereof
US6472107B1 (en) * 1999-09-30 2002-10-29 Photronics, Inc. Disposable hard mask for photomask plasma etching
US20010006754A1 (en) * 2000-01-05 2001-07-05 Satoshi Okazaki Phase shift mask blank, phase shift mask and method of manufacture
US20020115003A1 (en) * 2000-12-26 2002-08-22 Tetsushi Tsukamoto Photomask blank and photomask
US20030180631A1 (en) * 2002-02-22 2003-09-25 Hoya Corporation Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and method of producing the same
US20040072081A1 (en) * 2002-05-14 2004-04-15 Coleman Thomas P. Methods for etching photolithographic reticles
US20050019674A1 (en) * 2003-04-09 2005-01-27 Hoya Corporation Photomask producing method and photomask blank
US20050170263A1 (en) * 2004-01-07 2005-08-04 Hoya Corporation Mask blank manufacturing method and sputtering target for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN101082768A (zh) 2007-12-05
KR20090077031A (ko) 2009-07-14
EP1832926B1 (en) 2014-12-31
EP2328025A1 (en) 2011-06-01
US20070212619A1 (en) 2007-09-13
US7767367B2 (en) 2010-08-03
US7989124B2 (en) 2011-08-02
EP2328022A1 (en) 2011-06-01
EP2328023B1 (en) 2015-03-04
EP2328023A1 (en) 2011-06-01
KR100947166B1 (ko) 2010-03-12
CN101082768B (zh) 2014-12-03
KR20070092679A (ko) 2007-09-13
US20100261099A1 (en) 2010-10-14
EP3118681B1 (en) 2018-08-29
EP2328022B1 (en) 2016-08-31
CN103324027A (zh) 2013-09-25
JP4883278B2 (ja) 2012-02-22
EP2328024A1 (en) 2011-06-01
EP3118681A1 (en) 2017-01-18
CN103324024B (zh) 2015-10-21
JP2007241060A (ja) 2007-09-20
EP1832926A3 (en) 2007-12-26
CN102385241A (zh) 2012-03-21
TW200745737A (en) 2007-12-16
CN103324024A (zh) 2013-09-25
CN102385241B (zh) 2015-05-13
CN103324027B (zh) 2016-03-09
EP1832926A2 (en) 2007-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI454836B (zh) 光罩板及光罩製造方法
TWI442170B (zh) 光罩板及光罩
US7625676B2 (en) Photomask blank, photomask and fabrication method thereof
US8323858B2 (en) Photomask blank, photomask, and methods of manufacturing the same
JP4764214B2 (ja) ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法
TWI453529B (zh) 相偏移光罩基底及相偏移光罩之製造方法
JP4930737B2 (ja) フォトマスクブランク及びバイナリーマスクの製造方法
JP4930736B2 (ja) フォトマスクの製造方法及びフォトマスク
JP4697495B2 (ja) フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法