JP5054766B2 - フォトマスクブランク及びフォトマスク - Google Patents
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Description
近年、位相シフト技術などの超解像技術(Resolution Enhancement Technology:RET)を適用したフォトマスクが使用されている。位相シフトマスクは、位相シフターによる光の干渉作用を利用して転写パターンの解像度を向上できるようにしたフォトマスクである。
また、通常、半導体基板を微細加工する際のフォトリソグラフィーは縮小投影露光で行われるため、転写用フォトマスクに形成されるパターンサイズは、半導体基板上に形成されるパターンサイズの4倍程度の大きさとされている。しかし、半導体デザインルールにおけるDRAMハーフピッチ(hp)45nm以降でのフォトリソグラフィーにおいては、マスク上の回路パターンのサイズは露光光の波長よりも小さくなってきているため、回路パターンをデザイン通りに転写パターンが形成された転写用フォトマスクを使用して縮小投影露光すると、露光光の干渉などの影響で、転写パターン通りの形状を半導体基板上のレジスト膜に転写することができなくなる。
そこで、超解像技術を使用したフォトマスクとして、光近接効果補正(Optical Proximity Effect Correction:OPC)を行うことで、転写特性を劣化させる光近接効果の補正技術を適用したOPCマスク等が用いれられている。例えば、OPCマスクには回路パターンの1/2以下サイズのOPCパターン(例えば、100nm未満の線幅のアシストバーやハンマーヘッド等)を形成する必要がある。
特許文献1には、上記OPCパターンの高精度化に適した遮光膜として、Si:Mo=4:1〜15:1(原子比)の遮光膜が提案されている。このSi:Mo=4:1〜15:1(原子比)の遮光膜は、遮光性能がクロム系膜に比べ高いことから、遮光膜の薄膜化が可能となり、この結果、ドライエッチング時間の短縮、及びレジスト膜厚の薄膜化、により遮光性膜のパターニング精度の向上が可能となる。
液浸露光は、ウエハと露光装置の最下レンズとの間を液体で満たすことで、屈折率が1の空気の場合に比べて、液体の屈折率倍にNAを高められるため、解像度を向上できる露光方法である。開口数(NA:Numerical Aperture)は、NA=n×sinθで表される。θは露光装置の最下レンズの最も外側に入る光線と光軸とがなす角度、nはウエハと露光装置の最下レンズとの間の媒質の屈折率である。
ところで、上記特許文献1記載のSi:Mo=4:1〜15:1(原子比)の遮光膜を有するフォトマスクを、開口数がNA>1の液浸露光方法を適用し、半導体デザインルールにおけるDRAMハーフピッチ(hp)45nm以降の微細パターンの形成に適用した場合、期待したCD精度が得られない、という課題があることが判明した。
その原因としては、液浸露光装置側の影響(例えば設定条件の不適切や、最下レンズに対する液体の影響(例えば曇りなど))や、ウエハ上のレジストに対する液体の影響(例えばレジストの膨張など)、様々な要因が考えられる。
本発明は、上記課題を解決することが可能なフォトマスクブランク及びフォトマスクを提供することを目的とする。
本発明者らは、上記した様々な要因に加え、従前との違いを更に模索するなかで、高NA>1を利用する場合、露光の際のマスク基板裏面への光入射角度が大きくなる点に着目し、そのことによって従前は実質的に無視することのできた基板内での多重反射の影響を受け、このことがCD精度を低下させる主原因の一つになるのではないかと本発明者らは考えた。
具体的には、例えば、図5に示すように、露光の際のマスク基板裏面への光入射角度が大きくなる(具体的には基板裏面の垂線となす角が例えば10〜20°となる)と、遮光膜の遮光帯等で反射された光がガラス基板裏面で再反射され、その再反射された光が被転写側に入射し、この被転写側に入射した光の影響を受ける。そして、遮光帯からの反射が大きい場合、隣接ショットへ影響するフレア(Flare)や、パターンエリア内での露光量超過エラー(Dose Error)につながり、要求される厳しいCD精度を満たすことができない、主原因の一つになるのではないかと本発明者らは考えた。
そして、本発明者らは、上記の対策として、開口数がNA>1の露光方法を利用して半導体デザインルールにおけるDRAMハーフピッチ(hp)45nm以降(以下)の微細パターンの形成する際に、
マスク基板裏面への光入射角度が大きくなることに起因して、基板内で多重上反射され(特に基板内で2回反射され)被転写側に入射する光(以下、所定の光という)の影響が大きくなるが、
この所定の光の影響を低減すること(具体的には、前記遮光膜の基板側の反射率を、所定の光の影響が実質的に無視しうる程度まで低減すること、より具体的には例えば、裏面反射防止膜を、前記遮光膜と前記透明基板との間に設けること)が、上記課題の解決に効果的であることを確認し、したがって、上述した「主原因の一つではないかとの推定」が実効的に正しいことを明らかにして、本発明に至った。
また、上記の対策として、他に、マスク基板裏面へ入射する入射角度の大きな光をマスク基板裏面で反射させ、基板内に入射させないようにする対策、例えば、マスク基板裏面に反射防止膜(例えばTiO2/SiO2の多層)を設ける対策も考えられ、効果があることがわかった。しかし、この場合、表面側の遮光膜等のエッチングプロセス等の際に裏面の反射防止膜が影響を受けることがある。また、欠陥品質の点でも実現性が低い。
この理由は、以下のように考えられる。
(1)NA<1の場合、基板裏面に入射する光の入射角度は、ほぼ基板裏面に垂直(基板裏面の垂線となす角が数°)であり、ステッパの照明光学系側で反射防止対策が取られていることから、裏面反射の影響を実質的に回避可能である。
(2)NA<1の場合即ちほぼ基板裏面に垂直入射する光に限られる場合だと、マスク基板内で多重反射される光があっても、多数回(例えば4回以上)反射されて無視できる強度まで減衰されるので、マスク基板内での多重反射の影響は無視できる。
(構成1)
200nm以下の露光光波長に供されるフォトマスクの素材であり、透明基板上に遮光性膜を備えるフォトマスクブランクであって、
前記遮光性膜は、
珪素及び遷移金属を主成分として含み、膜の屈折率n1が1.0〜1.7、膜の消衰係数k1が2.5〜3.5、膜厚t1が20〜50nmである遮光膜と、
前記遮光膜の上に接して形成された表面反射防止膜と、
前記遮光膜の下に接して形成され、珪素、遷移金属、酸素及び窒素を含み、膜の屈折率n2が1.0〜3.5、膜の消衰係数k2が2.5以下、膜厚t2が5〜40nmである裏面反射防止膜とを備え、
n1<n2又はk1>k2の関係、かつt1>t2の関係を満たし、
遮光性膜全体の膜厚が62nm以下であることを特徴とするフォトマスクブランク。
(構成2)
前記遮光膜における珪素と遷移金属との原子比が珪素:金属=2超:1〜19:1であることを特徴とする構成1に記載のフォトマスクブランク。
(構成3)
前記遮光膜における珪素と遷移金属との原子比が珪素:金属=2超:1〜4未満:1であることを特徴とする構成1に記載のフォトマスクブランク。
(構成4)
前記裏面反射防止膜における珪素と遷移金属との原子比が珪素:金属=2超:1〜9:1であることを特徴とする構成1乃至3のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。
(構成5)
前記裏面反射防止膜における珪素と遷移金属との原子比が珪素:金属=2超:1〜4未満:1であることを特徴とする構成1乃至3のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。
(構成6)
前記透明基板側からの光の入射に対する裏面反射率が約30%以下であることを特徴とする構成1乃至5のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。
(構成7)
前記裏面反射防止膜は、遷移金属シリサイド酸化物、遷移金属シリサイド窒化物、遷移金属シリサイド酸窒化物、遷移金属シリサイド酸化炭化物、遷移金属シリサイド窒化炭化物又は遷移金属シリサイド酸窒化炭化物を主成分とすることを特徴とする構成1乃至6のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。
(構成8)
前記表面反射防止膜は、クロム酸化物、クロム窒化物、クロム酸窒化物、クロム酸化炭化物、クロム窒化炭化物又はクロム酸窒化炭化物を主成分とすることを特徴とする構成1乃至7のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。
(構成9)
前記表面反射防止膜は、遷移金属シリサイド酸化物、遷移金属シリサイド窒化物、遷移金属シリサイド酸窒化物、遷移金属シリサイド酸化炭化物、遷移金属シリサイド窒化炭化物又は遷移金属シリサイド酸窒化炭化物を主成分とすることを特徴とする構成1乃至7のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。
(構成10)
前記遷移金属がモリブデンであることを特徴とする構成1乃至9のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。
(構成11)
前記表面反射防止膜上に設けられ、膜厚が200nm以下であるレジスト膜を備えることを特徴とする構成1乃至10のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。
(構成12)
構成1乃至11のいずれか1項に記載のフォトマスクブランクを用いて作製されたことを特徴とする転写用フォトマスク。
(構成13)
200nm以下の露光光波長に供されるフォトマスクの素材であり、透明基板上に遮光性膜を備えるフォトマスクブランクであって、
前記遮光性膜は、
珪素及び遷移金属を主成分として含み、珪素及び遷移金属の原子比が2超:1〜19:1であり、膜厚t1が20〜50nmである遮光膜と、
前記遮光膜の上に接して形成された表面反射防止膜と、
前記遮光膜の下に接して形成され、珪素、遷移金属、酸素及び窒素を含み、膜厚t2が5〜40nmである裏面反射防止膜とを備え、
t1>t2の関係を満たし、
遮光性膜全体の膜厚が62nm以下であることを特徴とするフォトマスクブランク。
(構成14)
200nm以下の露光光波長に供されるフォトマスクの素材であり、透明基板上に遮光性膜を備えるフォトマスクブランクであって、
前記遮光性膜は、
珪素及び遷移金属を主成分として含み、珪素及び遷移金属の原子比が2超:1〜19:1である遮光膜と、
前記遮光膜の上に接して形成された表面反射防止膜と、
前記遮光膜の下に接して形成され、珪素、遷移金属、酸素及び窒素を含み、珪素及び遷移金属の原子比が2超:1〜9:1である裏面反射防止膜とを備えることを特徴とするフォトマスクブランク。
本発明のフォトマスクブランクは、200nm以下の露光光波長に供されるフォトマスクの素材であり、透明基板上に遮光性膜を備えるフォトマスクブランクであって、
前記遮光性膜は、
珪素及び遷移金属を主成分として含み、膜の屈折率n1が1.0〜1.7、膜の消衰係数k1が2.5〜3.5、膜厚t1が20〜50nmである遮光膜と、
前記遮光膜の上に接して形成された表面反射防止膜と、
前記遮光膜の下に接して形成され、珪素、遷移金属、酸素及び窒素を含み、膜の屈折率n2が1.0〜3.5、膜の消衰係数k2が2.5以下、膜厚t2が5〜40nmである裏面反射防止膜とを備え、
n1<n2又はk1>k2の関係、かつt1>t2の関係を満たし、
遮光性膜全体の膜厚が62nm以下であることを特徴とする(構成1)。
本発明のフォトマスクブランクは、前記遮光膜の基板側の反射率を、所定の光の影響が実質的に無視しうる程度(約30%以下)まで低減しうる裏面反射防止膜(裏面反射率低減膜)を、前記遮光膜と前記透明基板との間に形成したものである。
また、本発明は、遮光膜の光学特性(n1、k1、t1)と、遮光膜と透明基板との間に形成される裏面反射防止膜の光学特性(n2、k2、t2)と、の双方をそれぞれ厳密に制御することによって、遮光膜の裏面側の反射率を厳密に制御可能(例えば最小値又は極小値に制御可能)である。
したがって、マスク基板裏面への光入射角度が大きくなることに起因して、基板内で多重反射され(特に基板内で2回反射され)被転写側に入射する光(以下、所定の光という)の影響が大きくなるが、この所定の光の影響を実効的に低減すること、具体的には、前記遮光膜の基板側の反射率を、所定の光の影響が実質的に無視しうる程度まで低減すること、が可能となる。
これにより、半導体デザインルールにおけるDRAMハーフピッチ(hp)45nm以降の微細パターンの形成する際に、被転写基板上に形成される転写パターンの解像性の更なる向上に寄与すると共に、パターン精度の向上に寄与でき、期待したCD精度が得られる。
さらに、裏面反射防止膜を備える遮光性膜として、薄膜化を可能としたものである。具体的には、遮光性膜の膜厚が62nm以下の制限下で、遮光膜が珪素及び遷移金属を主成分として含み、膜の屈折率n1が1.0〜1.7、膜の消衰係数k1が2.5〜3.5、膜厚t1が20〜50nmとすると共に、裏面反射防止膜が珪素、遷移金属、酸素及び窒素を含み、膜の屈折率n2が1.0〜3.5、膜の消衰係数k2が2.5以下、膜厚t2が5〜40nmとすることによって、相対的に、遮光膜の膜厚を厚く、裏面反射防止膜の膜厚を薄い構成とすることができる。即ち、遮光膜の組成及び膜厚と、裏面反射防止膜の組成及び膜厚とを各々制御することによって、遮光性膜全体の薄膜化が可能となる。
遮光膜の膜厚t1が20nm未満、又は裏面反射防止膜の膜厚t2が40nmを超えると、遮光性膜全体として充分な光学濃度が得られない場合がある。また、遮光膜の膜厚t1が50nmを超える、又は裏面反射防止膜の膜厚t2が5nm未満であると、充分な表面反射率又は裏面反射率が得られない場合がある。
前記構成1に記載の膜厚範囲において、遮光膜の屈折率n1が1.0〜1.7の範囲外、又は裏面反射防止膜の屈折率n2が1.0〜3.5の範囲外であると、遮光膜による反射光と裏面反射防止膜による反射光とによる干渉がうまく作用せずに充分な裏面反射防止機能が得られない場合がある。また、珪素、遷移金属、酸素及び窒素を含む裏面反射防止膜において、n2が3.5を超える膜を形成することは困難である。前記構成1に記載の膜厚範囲において、遮光膜の消衰係数k1が2.5未満だと遮光性膜として充分な光学濃度が得られない場合がある。また、珪素及び遷移金属を含む遮光膜の消衰係数k1が3.5を超える膜を形成することは困難である。また裏面反射防止膜の消衰係数k2が2.5を超えると、充分な裏面反射率が得られない場合がある。
ArFエキシマレーザ用では、遮光膜のn1は1.2〜1.6、k1は2.8〜3.3であることが更に好ましく、遮光膜と透明基板との間に形成される裏面反射防止膜のn2は2.0〜2.6、k2は0.3〜1.0であることが更に好ましい。即ち、n1<n2であり、k1>k2であることが望ましい。
この理由は、珪素(Si)の原子比が2以下になると金属割合が高くても遮光性能が低くなる傾向にあるからである。一方、珪素(Si)の原子比が19を超えるとターゲットの導電性が低くなりDCスパッタでは良好な品質が得られないためである。さらに、この場合、金属割合が低くなるので、遮光膜単体の遮光性能が低く(消衰係数が小さく)なり、遮光性膜全体としての薄膜化が困難になる。また、遮光膜における珪素と遷移金属との原子比が珪素:金属=2:1(原子比)であると、遮光性能がクロム系膜に比べ高い特性が得られない。
この範囲内であると、珪素:金属=4:1〜19:1(原子比)に比べ、遮光膜単体の遮光性の向上を図ることができ、さらに遮光性膜の薄膜化が可能となる。
そのため、上記珪素と遷移金属を主成分とする遮光膜は、実質的に珪素と遷移元素とのみからなっていても、その他の成分として、更に酸素、窒素、炭素等の軽元素を含んでいてもよいが、これらの軽元素を一定量以上含有すると十分な遮光性が得られなくなる場合があるため、例えば、本発明のフォトマスクブランクが特に好ましく適用される波長193nmのArFエキシマレーザ露光用のフォトマスクブランクとしては、窒素、炭素の含有率は各々20原子%以下、酸素の含有率は10原子%以下、特に窒素、炭素及び酸素の合計が40原子%以下であることが好ましい。
なお、遮光膜に酸素、窒素、炭素等の軽元素を含有させる場合は、スパッタリングガスに反応性ガスとして、酸素を含むガス、窒素を含むガス、炭素を含むガス、これらの混合ガスを適宜導入して反応性スパッタリングにより成膜することが可能である。
この理由は、珪素(Si)の原子比が2以下になると基板との付着が悪くなる。一方、珪素(Si)の原子比が9を超えると金属割合が低くなるので、遮光性能が低くなり薄膜化が困難になる可能性がある。また、裏面反射防止膜における珪素及び遷移金属の原子比と、遮光膜における珪素及び遷移金属の原子比とを同じものとすると、スパッタリングの際に珪素と遷移金属との含有率が同じターゲットを使用することができるため、製造工程が容易となるのに加え、互いの膜のエッチングレート差が小さくなるので、遮光性膜のパターン断面形状が良好となり望ましい。
また、本発明のフォトマスクブランクにおいて、上述のとおり、パターン精度を向上させるために、裏面反射率を低減させると効果的であるが、液浸露光になるとパターン精度に対する要求も高くなるため、裏面反射率は30%以下が望ましい(構成6)。
前記遮光性膜は、
珪素及び遷移金属を主成分として含み、珪素及び遷移金属の原子比が2超:1〜19:1であり、膜厚t1が20〜50nmである遮光膜と、
前記遮光膜の上に接して形成された表面反射防止膜と、
前記遮光膜の下に接して形成され、珪素、遷移金属、酸素及び窒素を含み、膜厚t2が5〜40nmである裏面反射防止膜とを備え、
t1>t2の関係を満たし、
遮光性膜全体の膜厚が62nm以下であることを特徴とする(構成13)。
構成13に係るフォトマスクブランクは、表面反射防止膜及び裏面反射防止膜を備える遮光性膜として、遮光膜が珪素及び遷移金属を主成分として含み、珪素及び遷移金属の原子比が2超:1〜19:1であり、膜厚t1が20〜50nmとすると共に、裏面反射防止膜が珪素、遷移金属、酸素及び窒素を含み、膜厚t2が5〜40nmとし、t1>t2の関係を満たすことによって、相対的に、遮光膜の膜厚を厚く、裏面反射防止膜の膜厚を薄い構成とすることができる。即ち、遮光膜の組成及び膜厚と、裏面反射防止膜の膜厚とを各々制御することによって、遮光性膜全体の薄膜化が可能となる。
遮光膜の膜厚t1が20nm未満、又は裏面反射防止膜の膜厚t2が40nmを超えると、遮光性膜全体として充分な光学濃度が得られない場合がある。また、遮光膜の膜厚t1が50nmを超える、又は裏面反射防止膜の膜厚t2が5nm未満であると、充分な表面反射率又は裏面反射率が得られない場合がある。
前記遮光性膜は、
珪素及び遷移金属を主成分として含み、珪素及び遷移金属の原子比が2超:1〜19:1である遮光膜と、
前記遮光膜の上に接して形成された表面反射防止膜と、
前記遮光膜の下に接して形成され、珪素、遷移金属、酸素及び窒素を含み、珪素及び遷移金属の原子比が2超:1〜9:1である裏面反射防止膜とを備えることを特徴とする(構成14)。
構成14に係るフォトマスクブランクは、表面反射防止膜及び裏面反射防止膜を備える遮光性膜として、遮光膜が珪素及び遷移金属を主成分として含み、珪素及び遷移金属の原子比が2超:1〜19:1とすると共に、裏面反射防止膜が珪素、遷移金属、酸素及び窒素を含み、珪素及び遷移金属の原子比が2超:1〜9:1とすることによって、相対的に、遮光膜の膜厚を厚く、裏面反射防止膜の膜厚を薄い構成とすることができる。即ち、遮光膜の組成と、裏面反射防止膜の組成とを各々制御することによって、遮光性膜全体の薄膜化が可能となる。
遮光膜における珪素と遷移金属との原子比は、珪素:金属=2超:1〜19:1(原子比)であることが好ましい理由は、珪素(Si)の原子比が2以下になると金属割合が高くても遮光性能が低くなる傾向にあるからである。一方、珪素(Si)の原子比が19を超えるとターゲットの導電性が低くなりDCスパッタでは良好な品質が得られないためである。さらに、この場合、金属割合が低くなるので、遮光膜単体の遮光性能が低く(消衰係数が小さく)なり、遮光性膜全体としての薄膜化が困難になる。また、遮光膜における珪素と遷移金属との原子比が珪素:金属=2:1(原子比)であると、遮光性能がクロム系膜に比べ高い特性が得られない。
裏面反射防止膜における珪素と遷移金属との原子比は、珪素:金属=2超:1〜9:1であることが好ましい理由は、珪素(Si)の原子比が2以下になると基板との付着が悪くなる。一方、珪素(Si)の原子比が9を超えると金属割合が低くなるので、遮光性能が低くなり薄膜化が困難になる可能性がある。
この場合、遷移金属としては、モリブデン、タンタル、タングステン、バナジウム、チタン、ニオブ、ジルコニウム、ハフニウム、等が好適な材料として例示でき、これらの遷移金属のうちの2以上の遷移金属を含む場合も例示できるが、エッチング加工性からは、遮光膜の遷移金属と同一のものを用いることが好ましく、特に、モリブデンが最も好ましい(構成10)。また、低反射(反射防止)及び薄膜化の観点から、遷移金属シリサイド酸窒化物、特にモリブデンシリサイド酸窒化物(MoSiON)が好ましい。
この場合、裏面反射防止膜の原子組成は、遷移金属=1.7〜28原子%、Si=10〜57原子%、O=0〜60原子%、N=0〜57原子%、C=0〜30原子%の範囲で、かつ後述する膜厚とした場合、露光光に対する光学濃度ODが0.1〜0.8、好ましくは0.15〜0.4の範囲になるように設定することが好ましい。この裏面反射防止膜の膜厚は、5〜40nmの膜厚とすることにより反射防止効果が得られ、特に、ArFエキシマレーザー露光用としては7〜10nmであることが好ましい。
表面反射防止膜は、基本的には公知のものがいずれも使用可能であるが、加工性を考慮し、構成として2つの態様が挙げられる。
この場合、遷移金属としては、モリブデン、タンタル、タングステン、バナジウム、チタン、ニオブ、ジルコニウム、ハフニウム、等が好適な材料として例示できるが、エッチング加工性からは、遮光膜の遷移金属と同一のものを用いることが好ましく、特に、モリブデンが最も好ましい(構成10)。
このような表面反射防止膜は、上述した遮光膜と同様の方法によって得ることができる。
クロム化合物のエッチング条件である塩素系ドライエッチングはレジストにダメージを与えるものである。クロム化合物の表面反射防止膜の膜厚は13〜30nm程度で十分なため、レジストに問題となるようなダメージを与える前に短時間でクロム化合物の表面反射防止膜のエッチングを終了することができるためパターンローディングの低減も可能となり、100〜200nmの膜厚のレジストでも精度良く加工することが可能である。
このような表面反射防止膜は、公知の方法によって得ることができるが、常用される方法はクロムターゲットを用い、反応性ガス又は反応性ガスとアルゴン等の不活性ガスとの混合ガス気流中で反応性スパッタリングを行う方法である。
上述したように、本発明のフォトマスクブランクを加工する際、反射防止膜に遷移金属シリサイド化合物を使用した場合と、クロム化合物を使用した場合では工程が一部異なるため、まず、表面反射防止膜が遷移金属シリサイド化合物である場合から説明する。
この工程では、レジストを塗布する前に基板(フォトマスクブランク)表面上に、樹脂層を形成する。樹脂層を形成することにより、微細なレジストパターンの剥がれや、倒れという問題の発生を低減することができる。
尚、上記工程では、樹脂層の形成に替えて、レジストを塗布する前に基板(フォトマスクブランク)表面の表面エネルギーを下げるための表面処理を行うことできる。処理方法として最も好ましい方法は、半導体製造工程で常用されるHMDSやその他の有機珪素系表面処理剤で表面をアルキルシリル化する方法で、処理剤ガス中に基板を暴露する方法や、表面に直接塗布する方法が好ましく用いられる。この処理を行うことにより、微細パターンの剥がれや、倒れという問題の発生を低減することができる。
また、表面反射防止膜をエッチングした後、遮光膜を塩素系ドライエッチングでエッチングすることも可能であり、この場合、酸素を多く含む遷移金属シリサイド化合物の膜はエッチングされず、酸素含有量が少ない遷移金属シリサイド化合物の膜はエッチングされるから、表面反射防止膜の酸素含有量を遮光膜の酸素含有量より多く設定すれば、表面反射防止膜をエッチングマスクとすることもでき、より高精度な加工を行うことができる。
本発明の転写用フォトマスクは、開口数がNA>1の露光方法及び200nm以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるDRAMハーフピッチ(hp)45nm以降の微細パターンの形成するパターン転写方法において使用されるフォトマスクとして特に有用である。
図1は、本発明の第1の実施形態に係るフォトマスクブランク10の一例を示す模式図である。本例において、フォトマスクブランク10は、バイナリマスク用のフォトマスクブランクであり、透明基板12、遮光性膜13及び化学増幅型レジスト膜20を備える。
遮光性膜13は、透明基板12上に、例えば、酸窒化モリブデンシリサイド膜22及びモリブデンシリサイド膜24をこの順で有する。酸窒化モリブデンシリサイド膜22は、モリブデン、珪素、酸素、窒素を主成分とする層(MoSiON)であり、例えば5〜40nmの膜厚を有する。モリブデンシリサイド膜24は、モリブデンと珪素を主成分とする層(MoSi)であり、例えば25〜50nmの膜厚を有する。
表面反射防止膜16は、例えば、クロムに酸素及び窒素が含有されている酸化窒化クロム膜(CrON膜)であり、遮光膜24上に形成される。表面反射防止膜16の膜厚は、例えば、5〜30nmである。
(実施例1)
(フォトマスクブランクの作製)
透明基板12としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英基板を用い、透明基板12上に、遮光性膜13として、MoSiON膜(裏面反射防止膜)22、MoSi膜(遮光膜)24、CrON膜(表面反射防止膜)16、をそれぞれスパッタリング法で連続的に形成した(図1)。
詳しくは、Mo:Si=10:90(原子%比)のターゲットを用い、ArとO2とN2をスパッタリングガスとして、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜(MoSiON)を7nmの膜厚で形成し、次いで、同じターゲットを用い、Arをスパッタリングガスとして、モリブデン及びシリコンからなる膜(MoSi)を33nmの膜厚で形成し、次いで、Crターゲットを用い、ArとO2とN2をスパッタリングガスとして、クロム、酸素、窒素からなる膜(CrON)を17nmの膜厚で形成した。遮光性膜13の合計膜厚は57nmとした。また、MoSi膜のnは1.2、kは2.8であり、MoSiON膜のnは2.3、kは0.5であった。
上記により、ArFエキシマレーザー露光用の遮光性膜を形成したフォトマスクブランクを得た。
上記で得られた基板試料について、表裏面の分光反射率及び光学濃度の測定結果を図2に示す。尚、分光透過率及び光学濃度は分光光度計(日立製作所社製:U−4100)により測定した。
ArFエキシマレーザーの露光波長193.4nmにおいて、膜を形成した側(表面側)の反射率は15.8%、基板裏面側の反射率は29.6%であった。光学濃度は3.03であった。
また、遮光性膜13として、MoSi膜24を単独で石英基板上に形成し、その光学濃度を調べたところ、約40nmで約3であった。また、MoSi膜24を単独で石英基板上に形成し、基板裏面側の反射率を調べたところ、波長193.4nmにおいて67%であった。
(フォトマスクブランクの作製)
透明基板12としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英基板を用い、透明基板12上に、遮光性膜13として、MoSiON膜22(裏面反射防止膜)、MoSi膜24、酸化窒化クロム膜(表面反射防止層16)、をそれぞれスパッタリング法で連続的に形成した(図1)。
詳しくは、Mo:Si=25:75(原子%比)のターゲットを用い、ArとO2とN2をスパッタリングガスとして、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜(MoSiON)を10nmの膜厚で形成し、次いで、同じターゲットを用い、Arをスパッタリングガスとして、モリブデン及びシリコンからなる膜(MoSi)を32nmの膜厚で形成し、次いで、Crターゲットを用い、ArとO2とN2をスパッタリングガスとして、クロム、酸素、窒素からなる膜(CrON)を20nmの膜厚で形成した。遮光性膜13の合計膜厚は62nmとした。また、MoSi膜のnは1.3、kは3.0であり、MoSiON膜のnは2.3、kは0.5であった。
上記により、ArFエキシマレーザー露光用の遮光性膜を形成したフォトマスクブランクを得た。
上記で得られた基板試料について、表裏面の分光反射率及び光学濃度の測定結果を図3に示す。尚、分光透過率及び光学濃度は分光光度計(日立製作所社製:U−4100)により測定した。
ArFエキシマレーザーの露光波長193.4nmにおいて、膜を形成した側(表面側)の反射率は16.8%、基板裏面側の反射率は約23%であった。光学濃度は3.2であった。
また、遮光性膜13として、MoSi膜24を単独で石英基板上に形成し、その光学濃度を調べたところ、約30nmで約3であった。また、MoSi膜24を単独で石英基板上に形成し、基板裏面側の反射率を調べたところ、波長193.4nmにおいて66%であった。
(フォトマスクブランクの作製)
透明基板12としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英基板を用い、透明基板12上に、遮光性膜13として、MoSiON膜22(裏面反射防止膜)、MoSi膜24、酸化窒化クロム膜(表面反射防止層16)、をそれぞれスパッタリング法で連続的に形成した(図1)。
詳しくは、Mo:Si=10:90(原子%比)のターゲットを用い、ArとO2とN2をスパッタリングガスとして、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜(MoSiON)を8nmの膜厚で形成し、次いで、Mo:Si=25:75(原子%比)のターゲットを用い、Arをスパッタリングガスとして、モリブデン及びシリコンからなる膜(MoSi)を29nmの膜厚で形成し、次いで、Crターゲットを用い、ArとO2とN2をスパッタリングガスとして、クロム、酸素、窒素からなる膜(CrON)を20nmの膜厚で形成した。遮光性膜13の合計膜厚は57nmとした。また、MoSi膜のnは1.3、kは3.0であり、MoSiON膜のnは2.2、kは0.5であった。
上記により、ArFエキシマレーザー露光用の遮光性膜を形成したフォトマスクブランクを得た。
上記で得られた基板試料について、表裏面の分光反射率及び光学濃度の測定結果を図4に示す。尚、分光透過率及び光学濃度は分光光度計(日立製作所社製:U−4100)により測定した。
ArFエキシマレーザーの露光波長193.4nmにおいて、膜を形成した側(表面側)の反射率は16.9%、基板裏面側の反射率は約23%であった。光学濃度は3.2であった。
また、遮光性膜13として、MoSi膜24を単独で石英基板上に形成し、その光学濃度を調べたところ、約30nmで約3であった。また、MoSi膜24を単独で石英基板上に形成し、基板裏面側の反射率を調べたところ、波長193.4nmにおいて66%であった。
実施例1においてMoSiON膜22(裏面反射防止膜)を形成しなかったこと以外は、実施例1と同様とした。
ArFエキシマレーザーの露光波長193.4nmにおいて、膜を形成した側(表面側)の反射率は15.8%、基板裏面側の反射率は67%であった。
上記実施例1〜3及び比較例1で得られた各フォトマスクブランクにおける遮光性膜13上に、回転塗布法により化学増幅型レジスト膜20を厚さ150nmで形成した(図1)。
詳しくは、化学増幅型レジスト膜20として、電子線露光用化学増幅型ポジレジスト(FEP171:富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製)を回転塗布法で厚さ150nm塗布し、その後、ホットプレートで130℃で10分熱処理して、化学増幅型レジスト膜20を乾燥させ、ArFエキシマレーザー露光用のレジスト膜付きフォトマスクブランクスであるフォトマスクブランク10を得た(図1)。
実施例1〜3及び比較例1に係るレジスト膜付きマスクブランクについて、各フォトマスクブランクを電子線露光装置を用い50keV以上の加速電圧で加速された電子線によってパターン露光(描画)し、その後、露光後のベーク処理及び現像処理をして、化学増幅型レジストパターンを形成した。
レジストパターンをマスクとし、塩素ガスと酸素ガスとを含むエッチングガスを用いたドライエッチングにより、酸化窒化クロム膜(表面反射防止層16)をパターニングした。さらに、パターニングされた酸化窒化クロム膜(表面反射防止層16)をマスクとして、弗素系ガスを含むエッチングガスを用いたドライエッチングにより、MoSi膜24並びにMoSiON膜22(裏面反射防止膜)、をパターニングした。最後に化学増幅型レジスト膜20を除去してArFエキシマレーザー露光用のフォトマスクを作製した。
実施例1〜3で得られたフォトマスクを、開口数がNA>1の液浸露光方法を適用し、半導体デザインルールにおけるDRAMハーフピッチ(hp)45nm以降の微細パターンの形成に適用した場合、期待したCD精度が得られた。
尚、実施例1に対し実施例2,3のフォトマスクを用いた場合の方がCD精度が明らかに(格段)に良かった。
比較例1で得られたフォトマスクを、開口数がNA>1の液浸露光方法を適用し、半導体デザインルールにおけるDRAMハーフピッチ(hp)45nm以降の微細パターンの形成に適用した場合、期待したCD精度が得られなかった。露光機側での調整(例えばデフォーカス)などを行ったが結果は同様であった。
この理由については、前述した。
Claims (14)
- 200nm以下の露光光波長に供されるフォトマスクの素材であり、透明基板上に遮光性膜を備えるフォトマスクブランクであって、
前記遮光性膜は、
珪素及び遷移金属を主成分として含み、膜の屈折率n1が1.0〜1.7、膜の消衰係数k1が2.5〜3.5、膜厚t1が20〜50nmである遮光膜と、
前記遮光膜の上に接して形成された表面反射防止膜と、
前記遮光膜の下に接して形成され、珪素、遷移金属、酸素及び窒素を含み、膜の屈折率n2が1.0〜3.5、膜の消衰係数k2が2.5以下、膜厚t2が5〜40nmである裏面反射防止膜とを備え、
n1<n2又はk1>k2の関係、かつt1>t2の関係を満たし、
遮光性膜全体の膜厚が62nm以下であることを特徴とするフォトマスクブランク。 - 前記遮光膜における珪素と遷移金属との原子比が珪素:金属=2超:1〜19:1であることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光膜における珪素と遷移金属との原子比が珪素:金属=2超:1〜4未満:1であることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクブランク。
- 前記裏面反射防止膜における珪素と遷移金属との原子比が珪素:金属=2超:1〜9:1であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。
- 前記裏面反射防止膜における珪素と遷移金属との原子比が珪素:金属=2超:1〜4未満:1であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。
- 前記透明基板側からの光の入射に対する裏面反射率が約30%以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。
- 前記裏面反射防止膜は、遷移金属シリサイド酸化物、遷移金属シリサイド窒化物、遷移金属シリサイド酸窒化物、遷移金属シリサイド酸化炭化物、遷移金属シリサイド窒化炭化物又は遷移金属シリサイド酸窒化炭化物を主成分とすることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。
- 前記表面反射防止膜は、クロム酸化物、クロム窒化物、クロム酸窒化物、クロム酸化炭化物、クロム窒化炭化物又はクロム酸窒化炭化物を主成分とすることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。
- 前記表面反射防止膜は、遷移金属シリサイド酸化物、遷移金属シリサイド窒化物、遷移金属シリサイド酸窒化物、遷移金属シリサイド酸化炭化物、遷移金属シリサイド窒化炭化物又は遷移金属シリサイド酸窒化炭化物を主成分とすることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。
- 前記遷移金属がモリブデンであることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。
- 前記表面反射防止膜上に設けられ、膜厚が200nm以下であるレジスト膜を備えることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。
- 請求項1乃至11のいずれか1項に記載のフォトマスクブランクを用いて作製されたことを特徴とする転写用フォトマスク。
- 200nm以下の露光光波長に供されるフォトマスクの素材であり、透明基板上に遮光性膜を備えるフォトマスクブランクであって、
前記遮光性膜は、
珪素及び遷移金属を主成分として含み、珪素及び遷移金属の原子比が2超:1〜19:1であり、膜厚t1が20〜50nmである遮光膜と、
前記遮光膜の上に接して形成された表面反射防止膜と、
前記遮光膜の下に接して形成され、珪素、遷移金属、酸素及び窒素を含み、膜厚t2が5〜40nmである裏面反射防止膜とを備え、
t1>t2の関係を満たし、
遮光性膜全体の膜厚が62nm以下であることを特徴とするフォトマスクブランク。 - 200nm以下の露光光波長に供されるフォトマスクの素材であり、透明基板上に遮光性膜を備えるフォトマスクブランクであって、
前記遮光性膜は、
珪素及び遷移金属を主成分として含み、珪素及び遷移金属の原子比が2超:1〜19:1である遮光膜と、
前記遮光膜の上に接して形成された表面反射防止膜と、
前記遮光膜の下に接して形成され、珪素、遷移金属、酸素及び窒素を含み、珪素及び遷移金属の原子比が2超:1〜9:1である裏面反射防止膜とを備えることを特徴とするフォトマスクブランク。
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