JP5201361B2 - フォトマスクブランクの加工方法 - Google Patents
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Description
請求項1:
基板上に形成された被加工層である下層と、上記被加工層上に形成されたハードマスク層である上層とで構成され、上記上層を構成する材料の窒素及び酸素の合計の含有率C 1 (モル%)と、上記下層を構成する材料の窒素及び酸素の合計の含有率C 2 (モル%)との差(C 1 −C 2 )が5以上である光学膜を、上記ハードマスク層上にレジストパターンを形成して、該レジストパターンを用いて第1のドライエッチングによりハードマスク層にレジストパターンを転写し、上記ハードマスク層に転写されたハードマスクパターンを用いて上記被加工層を第2のドライエッチングによりパターン加工するフォトマスクブランクの加工方法であって、
上記第1のドライエッチングにより上記ハードマスク層をパターン加工した後、上記第1のドライエッチングを行ったエッチング装置のチャンバーと同一のチャンバー内で、上記第1のドライエッチングのドライエッチングガスの主要成分である塩素系ガスを変更することなく、副成分である酸素ガスの濃度を変更し、塩素系ガスと酸素ガスとの比率(酸素ガス/塩素系ガス(モル比))を0.001〜1として、上記第1のドライエッチングから連続して、第2のドライエッチングによる上記被加工層のパターン加工を行うことを特徴とするフォトマスクブランクの加工方法。
請求項2:
上記ハードマスク層が、遷移金属を含有していてもよい、酸素及び/又は窒素を含有するケイ素系材料であり、
上記被加工層が、遷移金属を含有していてもよく、上記ハードマスク層よりも酸素と窒素の合計の含有率が低いケイ素系材料であることを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランクの加工方法。
請求項3:
上記光学膜が遮光膜であることを特徴とする請求項1又は2記載のフォトマスクブランクの加工方法。
請求項4:
上記上層が、反応性スパッタリングにより成膜され、成膜時の反応性ガスを制御することにより、上記下層よりも酸素と窒素の合計の含有量が高くなるように成膜されたものであることを特徴とする請求項3記載のフォトマスクブランクの加工方法。
請求項5:
上記上層が、遮光膜の表面側の一部を酸化処理することによって、残部である上記下層よりも酸素と窒素の合計の含有量が高くなるように形成されたものであることを特徴とする請求項3記載のフォトマスクブランクの加工方法。
請求項6:
上記被加工層の遷移金属を含有していてもよく、上記ハードマスク層よりも酸素と窒素の合計の含有率が低いケイ素系材料が、遷移金属を含有していてもよい、酸素及び/又は窒素を含有するケイ素系材料、又は遷移金属を含有していてもよく、酸素及び窒素を含有しないケイ素系材料であることを特徴とする請求項2記載のフォトマスクブランクの加工方法。
請求項7:
上記遷移金属が、チタン、バナジウム、コバルト、ニッケル、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ハフニウム、タンタル及びタングステンから選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項2記載のフォトマスクブランクの加工方法。
請求項8:
上記ハードマスク層及び被加工層が、いずれも遷移金属を含有し、該遷移金属がモリブデンであることを特徴とする請求項2記載のフォトマスクブランクの加工方法。
フォトマスクの製造では、透明基板上に成膜した遮光膜を加工するために、遮光膜上に芳香族骨格を備える樹脂のような、炭素含有量が比較的高い有機膜によるレジストパターンを形成し、それをエッチングマスクとして無機材料からなる遮光膜のエッチングを行う。特に現在求められているような微細パターンの遮光部を形成するためには、異方性ドライエッチングによる加工を用いる。
石英基板上に形成した膜厚75nmのMoSiON(Mo:Si:O:N=1:4:1:4(モル比)、酸素と窒素の合計含有率は50モル%)よりなるケイ素系材料の膜を用い、塩素系ドライエッチング条件でのエッチングガス中の酸素量とエッチング速度を評価するため、下記条件に従い、酸素量を0〜10.0sccmの間で変化させ、波長675nmの検査光に対する反射率変化を経時的に測定した。得られた結果を図1に示した。なお、図3に、用いたエッチング装置の概略を示した。図3中、1はチャンバー、2はアース、3は下部電極、4はアンテナコイル、5は被処理基板、RF1,RF2は高周波電源である。
RF1(RIE:リアクティブイオンエッチング):パルス 700V
RF2(ICP:誘導結合プラズマ):CW(連続放電) 400W
圧力:6mTorr
Cl2:185sccm
O2:0〜10.0sccm
He:9.25sccm
膜を、膜厚46nmのMoSiN(Mo:Si:N=1:3:1.5(モル比)、酸素と窒素の合計の含有率は27モル%)からなるケイ素系材料の膜として、実験例1と同様にして反射率変化を経時的に測定した。得られた結果を図2に示した。
石英基板上に、膜厚50nmのMoSiN(Mo:Si:N=1:3:1.5(モル比)、酸素と窒素の合計の含有率は約27%)からなる下層(被加工層)と、その上に、膜厚10nmのMoSiON(Mo:Si:O:N=1:4:1:4(モル比)、酸素と窒素の合計の含有率は約50%)からなる上層(ハードマスク層)が形成された遮光膜を有するフォトマスクブランクを準備し、その上にスピンコーターを用いて膜厚150nmのEB露光用化学増幅型レジスト膜を形成した。このレジスト膜に、EB露光装置でパターン描画後、現像し、遮光膜を残す部位を保護するレジストパターンを形成した。
〔エッチング条件1〕
RF1(RIE):パルス 700V
RF2(ICP):CW 400W
圧力:6mTorr
Cl2:185sccm
O2:0sccm
He:9.25sccm
〔エッチング条件2〕
RF1(RIE):パルス 700V
RF2(ICP):CW 400W
圧力:6mTorr
Cl2:185sccm
O2:2sccm
He:9.25sccm
2 アース
3 下部電極
4 アンテナコイル
5 被処理基板
RF1,RF2 高周波電源
Claims (8)
- 基板上に形成された被加工層である下層と、上記被加工層上に形成されたハードマスク層である上層とで構成され、上記上層を構成する材料の窒素及び酸素の合計の含有率C 1 (モル%)と、上記下層を構成する材料の窒素及び酸素の合計の含有率C 2 (モル%)との差(C 1 −C 2 )が5以上である光学膜を、上記ハードマスク層上にレジストパターンを形成して、該レジストパターンを用いて第1のドライエッチングによりハードマスク層にレジストパターンを転写し、上記ハードマスク層に転写されたハードマスクパターンを用いて上記被加工層を第2のドライエッチングによりパターン加工するフォトマスクブランクの加工方法であって、
上記第1のドライエッチングにより上記ハードマスク層をパターン加工した後、上記第1のドライエッチングを行ったエッチング装置のチャンバーと同一のチャンバー内で、上記第1のドライエッチングのドライエッチングガスの主要成分である塩素系ガスを変更することなく、副成分である酸素ガスの濃度を変更し、塩素系ガスと酸素ガスとの比率(酸素ガス/塩素系ガス(モル比))を0.001〜1として、上記第1のドライエッチングから連続して、第2のドライエッチングによる上記被加工層のパターン加工を行うことを特徴とするフォトマスクブランクの加工方法。 - 上記ハードマスク層が、遷移金属を含有していてもよい、酸素及び/又は窒素を含有するケイ素系材料であり、
上記被加工層が、遷移金属を含有していてもよく、上記ハードマスク層よりも酸素と窒素の合計の含有率が低いケイ素系材料であることを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランクの加工方法。 - 上記光学膜が遮光膜であることを特徴とする請求項1又は2記載のフォトマスクブランクの加工方法。
- 上記上層が、反応性スパッタリングにより成膜され、成膜時の反応性ガスを制御することにより、上記下層よりも酸素と窒素の合計の含有量が高くなるように成膜されたものであることを特徴とする請求項3記載のフォトマスクブランクの加工方法。
- 上記上層が、遮光膜の表面側の一部を酸化処理することによって、残部である上記下層よりも酸素と窒素の合計の含有量が高くなるように形成されたものであることを特徴とする請求項3記載のフォトマスクブランクの加工方法。
- 上記被加工層の遷移金属を含有していてもよく、上記ハードマスク層よりも酸素と窒素の合計の含有率が低いケイ素系材料が、遷移金属を含有していてもよい、酸素及び/又は窒素を含有するケイ素系材料、又は遷移金属を含有していてもよく、酸素及び窒素を含有しないケイ素系材料であることを特徴とする請求項2記載のフォトマスクブランクの加工方法。
- 上記遷移金属が、チタン、バナジウム、コバルト、ニッケル、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ハフニウム、タンタル及びタングステンから選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項2記載のフォトマスクブランクの加工方法。
- 上記ハードマスク層及び被加工層が、いずれも遷移金属を含有し、該遷移金属がモリブデンであることを特徴とする請求項2記載のフォトマスクブランクの加工方法。
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