JPH11125896A - フォトマスクブランクス及びフォトマスク - Google Patents
フォトマスクブランクス及びフォトマスクInfo
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- JPH11125896A JPH11125896A JP21877898A JP21877898A JPH11125896A JP H11125896 A JPH11125896 A JP H11125896A JP 21877898 A JP21877898 A JP 21877898A JP 21877898 A JP21877898 A JP 21877898A JP H11125896 A JPH11125896 A JP H11125896A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光光であるＫｒＦエキシマレーザ光（波長
２４８ｎｍ）及びＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３
ｎｍ）での遮光パターン表裏の反射率を低く抑え、且つ
ドライエッチング適正を有するフォトマスクブランクス
及び高品質なフォトマスクを提供することにある。 【解決手段】 透明基板１１上に、ＺｒＳｉ2 ターゲッ
トなどを蒸発源としたスパッタリングや真空蒸着法など
により、ＺｒＳｉ酸化膜からなる反射防止層１２、Ｚｒ
Ｓｉ金属膜からなる遮光層１３、ＺｒＳｉ酸化膜からな
る反射防止層１４を順次成膜して両面低反射フォトマス
クブランクス３０を作製する。この両面低反射フォトマ
スクブランクス３０の両面低反射遮光膜１５上にレジス
トパターン１６を形成し、レジストパターン１６をマス
クにして両面低反射遮光膜１５をドライエッチング処理
して両面低反射フォトマスク４０を得る。
２４８ｎｍ）及びＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３
ｎｍ）での遮光パターン表裏の反射率を低く抑え、且つ
ドライエッチング適正を有するフォトマスクブランクス
及び高品質なフォトマスクを提供することにある。 【解決手段】 透明基板１１上に、ＺｒＳｉ2 ターゲッ
トなどを蒸発源としたスパッタリングや真空蒸着法など
により、ＺｒＳｉ酸化膜からなる反射防止層１２、Ｚｒ
Ｓｉ金属膜からなる遮光層１３、ＺｒＳｉ酸化膜からな
る反射防止層１４を順次成膜して両面低反射フォトマス
クブランクス３０を作製する。この両面低反射フォトマ
スクブランクス３０の両面低反射遮光膜１５上にレジス
トパターン１６を形成し、レジストパターン１６をマス
クにして両面低反射遮光膜１５をドライエッチング処理
して両面低反射フォトマスク４０を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩやＶ
ＬＳＩ等に代表される半導体集積回路の製造の際のリソ
グラフィ用として使用されるフォトマスクに関する。
ＬＳＩ等に代表される半導体集積回路の製造の際のリソ
グラフィ用として使用されるフォトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の製造を初めとして、広
範囲な分野に使用されるリソグラフィ法で必要となる露
光転写用原板（以下、フォトマスクと称す）について概
略の説明をすると、その最も一般的なものは、リソグラ
フィの際に用いる露光光に対して透明な基板上に、単に
遮光膜或いは反射防止膜付きの遮光膜を形成したフォト
マスク用ブランクス（以下、フォトマスクブランクスと
称す）を用意しておき、これに紫外線や電子線等を用い
たリソグラフィ法によって所定の露光転写用原画パター
ンを形成することにより得られるものである。
範囲な分野に使用されるリソグラフィ法で必要となる露
光転写用原板（以下、フォトマスクと称す）について概
略の説明をすると、その最も一般的なものは、リソグラ
フィの際に用いる露光光に対して透明な基板上に、単に
遮光膜或いは反射防止膜付きの遮光膜を形成したフォト
マスク用ブランクス（以下、フォトマスクブランクスと
称す）を用意しておき、これに紫外線や電子線等を用い
たリソグラフィ法によって所定の露光転写用原画パター
ンを形成することにより得られるものである。
【０００３】このフォトマスクは、紫外線に感光する樹
脂（以下、フォトレジストと称す）がシリコンウェーハ
等の上に塗膜として形成されたフォトレジスト層上に水
銀ランプから発せられるｇ線（波長４３６ｎｍ）やｉ線
（波長３６５ｎｍ）といった紫外線を光源とする露光装
置を用いて所定パターンを露光・焼き付けするのに用い
られる。
脂（以下、フォトレジストと称す）がシリコンウェーハ
等の上に塗膜として形成されたフォトレジスト層上に水
銀ランプから発せられるｇ線（波長４３６ｎｍ）やｉ線
（波長３６５ｎｍ）といった紫外線を光源とする露光装
置を用いて所定パターンを露光・焼き付けするのに用い
られる。
【０００４】最近は、ほとんど反射防止層付きの遮光膜
でパターンを形成した低反射フォトマスクが使用されて
いる。その理由として、露光光でのフォトマスクの反射
率が高いと、露光の際にフォトマスクパターンの遮光膜
部分とシリコンウェーハ等の表面との間に多重反射を生
じ、露光転写されるパターンの精度が低下してしまうか
らである。
でパターンを形成した低反射フォトマスクが使用されて
いる。その理由として、露光光でのフォトマスクの反射
率が高いと、露光の際にフォトマスクパターンの遮光膜
部分とシリコンウェーハ等の表面との間に多重反射を生
じ、露光転写されるパターンの精度が低下してしまうか
らである。
【０００５】一般的に低反射フォトマスクの反射率は、
露光光の波長で５〜１０％程度である。また、フォトマ
スク基板側の反射率も低くした両面低反射フォトマスク
は、フォトマスクパターンの遮光部分から露光装置の光
源側への反射率を低くしたもので、露光装置の光源側に
あるレンズ等の光学部品との多重反射等を防止するため
のものである。この両面低反射フォトマスクの場合の基
板側の反射率は基板表面からの反射率も含めて１０％程
度である。
露光光の波長で５〜１０％程度である。また、フォトマ
スク基板側の反射率も低くした両面低反射フォトマスク
は、フォトマスクパターンの遮光部分から露光装置の光
源側への反射率を低くしたもので、露光装置の光源側に
あるレンズ等の光学部品との多重反射等を防止するため
のものである。この両面低反射フォトマスクの場合の基
板側の反射率は基板表面からの反射率も含めて１０％程
度である。
【０００６】このようなフォトマスクの遮光膜や反射防
止膜には、それぞれ従来から金属クロム（Ｃｒ）を主成
分とする薄膜やＣｒ酸化物やＣｒ窒化酸化物等からなる
薄膜が用いられている。その理由として、フォトマスク
の製造段階やその後表面に付着したゴミを除去するため
の洗浄処理において、機械的強度、酸・アルカリ薬品へ
の耐性などの特性が要求されるが、これらのＣｒ薄膜は
それら特性を充分満足する一方で、硝酸セリウムアンモ
ニウムと過塩素酸との混合水溶液にて容易にウェットエ
ッチング法にて加工できる点にある。
止膜には、それぞれ従来から金属クロム（Ｃｒ）を主成
分とする薄膜やＣｒ酸化物やＣｒ窒化酸化物等からなる
薄膜が用いられている。その理由として、フォトマスク
の製造段階やその後表面に付着したゴミを除去するため
の洗浄処理において、機械的強度、酸・アルカリ薬品へ
の耐性などの特性が要求されるが、これらのＣｒ薄膜は
それら特性を充分満足する一方で、硝酸セリウムアンモ
ニウムと過塩素酸との混合水溶液にて容易にウェットエ
ッチング法にて加工できる点にある。
【０００７】一方、半導体集積回路の高集積化に伴っ
て、フォトマスクパターンの微細化と寸法精度の飛躍的
な向上が要求されている。そのために、被エッチング物
が等方的にエッチングされるウェットエッチング法に代
わって、異方性エッチングが可能なドライエッチング法
が盛んになっている。ドライエッチング法はウェットエ
ッチング法に比べて、サイドエッチング量が少なく、過
剰のエッチング時間に対するパターンの寸法変化も少な
いために、安定したエッチングプロセスであり、寸法精
度の高い、微細パターンを有するフォトマスクの製造に
適している。
て、フォトマスクパターンの微細化と寸法精度の飛躍的
な向上が要求されている。そのために、被エッチング物
が等方的にエッチングされるウェットエッチング法に代
わって、異方性エッチングが可能なドライエッチング法
が盛んになっている。ドライエッチング法はウェットエ
ッチング法に比べて、サイドエッチング量が少なく、過
剰のエッチング時間に対するパターンの寸法変化も少な
いために、安定したエッチングプロセスであり、寸法精
度の高い、微細パターンを有するフォトマスクの製造に
適している。
【０００８】然しながら、従来のフォトマスクに使用さ
れているＣｒ薄膜はドライエッチングの際のエッチング
速度が遅い上に、併用されるレジストとの選択比が悪い
という問題がある。また、それらの問題を少しでも改善
するためにはエッチングガス圧力を高めに設定しなけれ
ばならず、そのためにサイドエッチングが生じるという
問題がある。
れているＣｒ薄膜はドライエッチングの際のエッチング
速度が遅い上に、併用されるレジストとの選択比が悪い
という問題がある。また、それらの問題を少しでも改善
するためにはエッチングガス圧力を高めに設定しなけれ
ばならず、そのためにサイドエッチングが生じるという
問題がある。
【０００９】これらの問題を解決する手段として、例え
ば、特開昭６０−２０２４４１号公報には、モリブデン
（Ｍｏ）又はタンタル（Ｔａ）或いはタングステン
（Ｗ）のシリサイド化した膜を使用することが記述され
ている。また、例えば、特開昭６１−９５３５６号公報
にはシリサイド化したＭｏ、Ｗなどの遷移金属膜の上に
酸化モリブデン（ＭｏＯ2 ）、酸化タングステン（ＷＯ
2 ）、酸化チタン（ＴｉＯ 2 ）などの金属酸化膜からな
る低反射膜を備えたものを使用することが記載されてい
る。
ば、特開昭６０−２０２４４１号公報には、モリブデン
（Ｍｏ）又はタンタル（Ｔａ）或いはタングステン
（Ｗ）のシリサイド化した膜を使用することが記述され
ている。また、例えば、特開昭６１−９５３５６号公報
にはシリサイド化したＭｏ、Ｗなどの遷移金属膜の上に
酸化モリブデン（ＭｏＯ2 ）、酸化タングステン（ＷＯ
2 ）、酸化チタン（ＴｉＯ 2 ）などの金属酸化膜からな
る低反射膜を備えたものを使用することが記載されてい
る。
【００１０】一方、最近シリコンウェーハ等の上に塗布
されたフォトレジスト層に微細なパターンを露光転写す
るための露光装置の光源もこれまでの水銀ランプから更
に波長の短いクリプトンフロライド（以下、ＫｒＦと称
す）エキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）が、更にはア
ルゴンフロライド（以下、ＡｒＦと称す）エキシマレー
ザ光（波長１９３ｎｍ）が用いられるようになってい
る。
されたフォトレジスト層に微細なパターンを露光転写す
るための露光装置の光源もこれまでの水銀ランプから更
に波長の短いクリプトンフロライド（以下、ＫｒＦと称
す）エキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）が、更にはア
ルゴンフロライド（以下、ＡｒＦと称す）エキシマレー
ザ光（波長１９３ｎｍ）が用いられるようになってい
る。
【００１１】然しながら、従来のフォトマスクではｇ線
（波長４３６ｎｍ）やｉ線（３６５ｎｍ）の波長で反射
率が１０％未満になるように設計されているが、ＫｒＦ
エキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）或いはＡｒＦエキ
シマレーザ光（波長１９３ｎｍ）での反射率は１５％以
上になるという問題がある。また、従来の材料では、Ｋ
ｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）或いはＡｒＦ
エキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）で反射率の低い多
層膜を、例えばマグネトロンスパッタリング法にて製造
しようとする場合には反射防止層のスパッタガス条件の
制御が困難であったり、膜の形成速度が極端に遅くなっ
たりする問題があり量産性の点で不向きであった。
（波長４３６ｎｍ）やｉ線（３６５ｎｍ）の波長で反射
率が１０％未満になるように設計されているが、ＫｒＦ
エキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）或いはＡｒＦエキ
シマレーザ光（波長１９３ｎｍ）での反射率は１５％以
上になるという問題がある。また、従来の材料では、Ｋ
ｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）或いはＡｒＦ
エキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）で反射率の低い多
層膜を、例えばマグネトロンスパッタリング法にて製造
しようとする場合には反射防止層のスパッタガス条件の
制御が困難であったり、膜の形成速度が極端に遅くなっ
たりする問題があり量産性の点で不向きであった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
を解決するためになされたものであり、その目的とする
ところは、露光光であるＫｒＦエキシマレーザ光（波長
２４８ｎｍ）或いはＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９
３ｎｍ）での遮光膜或いは遮光パターン表裏の反射率を
低く抑え、且つドライエッチング適正を有するフォトマ
スクブランクス及び高品質なフォトマスクを提供するこ
とにある。
を解決するためになされたものであり、その目的とする
ところは、露光光であるＫｒＦエキシマレーザ光（波長
２４８ｎｍ）或いはＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９
３ｎｍ）での遮光膜或いは遮光パターン表裏の反射率を
低く抑え、且つドライエッチング適正を有するフォトマ
スクブランクス及び高品質なフォトマスクを提供するこ
とにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明において上記課題
を解決するために、まず請求項１においては、露光光に
対して透明な基板上に低反射遮光膜が形成されてなる低
反射フォトマスクブランクスにおいて、前記低反射遮光
膜がジルコニウムシリサイド金属膜とジルコニウムシリ
サイド酸化膜を順次積層して形成されていることを特徴
とする低反射フォトマスクブランクスとしたものであ
る。
を解決するために、まず請求項１においては、露光光に
対して透明な基板上に低反射遮光膜が形成されてなる低
反射フォトマスクブランクスにおいて、前記低反射遮光
膜がジルコニウムシリサイド金属膜とジルコニウムシリ
サイド酸化膜を順次積層して形成されていることを特徴
とする低反射フォトマスクブランクスとしたものであ
る。
【００１４】また、請求項２においては、露光光に対し
て透明な基板上に両面低反射遮光膜が形成されてなる両
面低反射フォトマスクブランクスにおいて、前記両面低
反射遮光膜がジルコニウムシリサイド酸化膜、ジルコニ
ウムシリサイド金属膜及びジルコニウムシリサイド酸化
膜を順次積層して形成されていることを特徴とする両面
低反射フォトマスクブランクスとしたものである。
て透明な基板上に両面低反射遮光膜が形成されてなる両
面低反射フォトマスクブランクスにおいて、前記両面低
反射遮光膜がジルコニウムシリサイド酸化膜、ジルコニ
ウムシリサイド金属膜及びジルコニウムシリサイド酸化
膜を順次積層して形成されていることを特徴とする両面
低反射フォトマスクブランクスとしたものである。
【００１５】また、請求項３においては、露光光に対し
て透明な基板上に形成された低反射遮光膜をパターン化
してなる低反射フォトマスクにおいて、前記低反射遮光
膜がジルコニウムシリサイド金属膜とジルコニウムシリ
サイド酸化膜を順次積層して形成されていることを特徴
とする低反射フォトマスクとしたものである。
て透明な基板上に形成された低反射遮光膜をパターン化
してなる低反射フォトマスクにおいて、前記低反射遮光
膜がジルコニウムシリサイド金属膜とジルコニウムシリ
サイド酸化膜を順次積層して形成されていることを特徴
とする低反射フォトマスクとしたものである。
【００１６】さらにまた、請求項４においては、露光光
に対して透明な基板上に形成された両面低反射遮光膜を
パターン化してなる両面低反射フォトマスクにおいて、
前記両面低反射遮光膜がジルコニウムシリサイド酸化
膜、ジルコニウムシリサイド金属膜及びジルコニウムシ
リサイド酸化膜を順次積層して形成されていることを特
徴とする両面低反射フォトマスクとしたものである。
に対して透明な基板上に形成された両面低反射遮光膜を
パターン化してなる両面低反射フォトマスクにおいて、
前記両面低反射遮光膜がジルコニウムシリサイド酸化
膜、ジルコニウムシリサイド金属膜及びジルコニウムシ
リサイド酸化膜を順次積層して形成されていることを特
徴とする両面低反射フォトマスクとしたものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき図
面を用いて説明する。図１（ａ）は本発明に係わる低反
射フォトマスクブランクスの一実施例の構成を示す断面
図である。図１（ｂ）は本発明に係わる低反射フォトマ
スクの一実施例の構成を示す断面図である。図２（ａ）
は本発明に係わる両面低反射フォトマスクブランクスの
一実施例の構成を示す断面図である。図２（ｂ）は本発
明に係わる両面低反射フォトマスクの一実施例の構成を
示す断面図である。図３（ａ）〜（ｄ）は低反射フォト
マスクの一実施例の製造工程を、図４（ａ）〜（ｄ）は
両面低反射フォトマスクの一実施例の製造工程を示す構
成断面図である。
面を用いて説明する。図１（ａ）は本発明に係わる低反
射フォトマスクブランクスの一実施例の構成を示す断面
図である。図１（ｂ）は本発明に係わる低反射フォトマ
スクの一実施例の構成を示す断面図である。図２（ａ）
は本発明に係わる両面低反射フォトマスクブランクスの
一実施例の構成を示す断面図である。図２（ｂ）は本発
明に係わる両面低反射フォトマスクの一実施例の構成を
示す断面図である。図３（ａ）〜（ｄ）は低反射フォト
マスクの一実施例の製造工程を、図４（ａ）〜（ｄ）は
両面低反射フォトマスクの一実施例の製造工程を示す構
成断面図である。
【００１８】本発明のフォトマスクは、露光光に対して
透明な透明基板１上にジルコニウムシリサイド（以下、
ＺｒＳｉと称す）金属膜からなる遮光層２とＺｒＳｉ酸
化膜からなる反射防止層３を順次積層して低反射遮光膜
４を形成した低反射フォトマスクブランクス１０（図１
（ａ）参照）を、或いは透明基板１１上にＺｒＳｉ酸化
膜からなる反射防止層１２、ＺｒＳｉ金属膜からなる遮
光層１３及びＺｒＳｉ酸化膜からなる反射防止層１４を
順次積層して両面低反射遮光膜１５を形成した両面低反
射フォトマスクブランクス３０（図２（ａ）参照）を使
用しているため、露光光であるＫｒＦエキシマレーザ光
（波長２４８ｎｍ）或いはＡｒＦエキシマレーザ光（波
長１９３ｎｍ）での反射率を低く抑えることができ、且
つ塩素系ガス等を用いたドライエッチング法にてパター
ニングする際微細且つ高精度のパターンを形成すること
ができ、露光転写時のパターンの解像度とその寸法精度
の向上が計れるようにしたものである。
透明な透明基板１上にジルコニウムシリサイド（以下、
ＺｒＳｉと称す）金属膜からなる遮光層２とＺｒＳｉ酸
化膜からなる反射防止層３を順次積層して低反射遮光膜
４を形成した低反射フォトマスクブランクス１０（図１
（ａ）参照）を、或いは透明基板１１上にＺｒＳｉ酸化
膜からなる反射防止層１２、ＺｒＳｉ金属膜からなる遮
光層１３及びＺｒＳｉ酸化膜からなる反射防止層１４を
順次積層して両面低反射遮光膜１５を形成した両面低反
射フォトマスクブランクス３０（図２（ａ）参照）を使
用しているため、露光光であるＫｒＦエキシマレーザ光
（波長２４８ｎｍ）或いはＡｒＦエキシマレーザ光（波
長１９３ｎｍ）での反射率を低く抑えることができ、且
つ塩素系ガス等を用いたドライエッチング法にてパター
ニングする際微細且つ高精度のパターンを形成すること
ができ、露光転写時のパターンの解像度とその寸法精度
の向上が計れるようにしたものである。
【００１９】以下、低反射フォトマスクブランクス及び
低反射フォトマスクの作製法について述べる。先ず、露
光光に対して透明な透明基板１上に、ＺｒＳｉ2 ターゲ
ットなどを蒸発源としたスパッタリングや真空蒸着法な
どにより、ＺｒＳｉ金属膜からなる遮光層２及びＺｒＳ
ｉ酸化膜からなる反射防止層３を順次成膜して低反射遮
光膜４を形成した低反射フォトマスクブランクス１０
（図１（ａ）参照）を作製する。又は、露光光に対して
透明な透明基板１１上に、ＺｒＳｉ2 ターゲットなどを
蒸発源としたスパッタリングや真空蒸着法などにより、
ＺｒＳｉ酸化膜からなる反射防止層１２、ＺｒＳｉ金属
膜からなる遮光層１３、ＺｒＳｉ酸化膜からなる反射防
止層１４を順次成膜して両面低反射遮光膜１５を形成し
た両面低反射フォトマスクブランクス３０（図２（ａ）
参照）を作製する。
低反射フォトマスクの作製法について述べる。先ず、露
光光に対して透明な透明基板１上に、ＺｒＳｉ2 ターゲ
ットなどを蒸発源としたスパッタリングや真空蒸着法な
どにより、ＺｒＳｉ金属膜からなる遮光層２及びＺｒＳ
ｉ酸化膜からなる反射防止層３を順次成膜して低反射遮
光膜４を形成した低反射フォトマスクブランクス１０
（図１（ａ）参照）を作製する。又は、露光光に対して
透明な透明基板１１上に、ＺｒＳｉ2 ターゲットなどを
蒸発源としたスパッタリングや真空蒸着法などにより、
ＺｒＳｉ酸化膜からなる反射防止層１２、ＺｒＳｉ金属
膜からなる遮光層１３、ＺｒＳｉ酸化膜からなる反射防
止層１４を順次成膜して両面低反射遮光膜１５を形成し
た両面低反射フォトマスクブランクス３０（図２（ａ）
参照）を作製する。
【００２０】ここで、フォトマスクに用いる透明基板１
及び１１の材質としては、露光光であるＫｒＦエキシマ
レーザ光（波長２４８ｎｍ）或いはＡｒＦエキシマレー
ザ光（波長１９３ｎｍ）を良く透過し、加工性に優れて
いる合成石英ガラスが最も好ましく用いられるが、フォ
トマスクに要求される特性に応じてその他の材質を使用
しても良い。その他の材質としては、フッ化マグネシウ
ムやフッ化カルシウム、アルミナ（サファイヤ）等があ
る。
及び１１の材質としては、露光光であるＫｒＦエキシマ
レーザ光（波長２４８ｎｍ）或いはＡｒＦエキシマレー
ザ光（波長１９３ｎｍ）を良く透過し、加工性に優れて
いる合成石英ガラスが最も好ましく用いられるが、フォ
トマスクに要求される特性に応じてその他の材質を使用
しても良い。その他の材質としては、フッ化マグネシウ
ムやフッ化カルシウム、アルミナ（サファイヤ）等があ
る。
【００２１】また、ＺｒＳｉ酸化膜からなる反射防止層
３、１２及び１４は適量の酸素（Ｏ 2 ）ガスをスパッタ
リング装置や真空蒸着装置のチャンバ内に導入し、反応
性スパッタや反応性蒸着等で成膜する。これら反射防止
層３、１２及び１４は反射防止効果が得られるように膜
の光学定数である屈折率（ｎ）と消衰係数（ｋ）を制御
すると同時に膜厚の最適化を計る。
３、１２及び１４は適量の酸素（Ｏ 2 ）ガスをスパッタ
リング装置や真空蒸着装置のチャンバ内に導入し、反応
性スパッタや反応性蒸着等で成膜する。これら反射防止
層３、１２及び１４は反射防止効果が得られるように膜
の光学定数である屈折率（ｎ）と消衰係数（ｋ）を制御
すると同時に膜厚の最適化を計る。
【００２２】また、遮光層２及び１３に要求される遮光
性（吸光度や光学濃度で表される）は、スパッタリング
法や真空蒸着法等を用いて成膜する際に反射防止層３、
１２及び１４よりも酸素ガスの導入量を少なくし、光学
定数と膜厚により制御する。
性（吸光度や光学濃度で表される）は、スパッタリング
法や真空蒸着法等を用いて成膜する際に反射防止層３、
１２及び１４よりも酸素ガスの導入量を少なくし、光学
定数と膜厚により制御する。
【００２３】具体的には、波長１９３ｎｍ或いは２４８
ｎｍに於ける遮光層２及び１３の屈折率をｎａ、消衰係
数をｋａ、反射防止層３、１２及び１４の屈折率をｎ
ｂ、消衰係数をｋｂとすると、ｎａ＜ｎｂ、ｋａ＞ｋｂ
となるように制御する。また、各層の膜厚は、反射防止
効果や光学濃度へ影響を及ぼすために、各層の光学定数
に従い設定される。遮光層２及び１３の膜厚は、パター
ニング性及び製造コスト等の点でなるべく薄い方が好ま
しいが、１０００Å（０．１μｍ）程度であれば充分許
容できる。
ｎｍに於ける遮光層２及び１３の屈折率をｎａ、消衰係
数をｋａ、反射防止層３、１２及び１４の屈折率をｎ
ｂ、消衰係数をｋｂとすると、ｎａ＜ｎｂ、ｋａ＞ｋｂ
となるように制御する。また、各層の膜厚は、反射防止
効果や光学濃度へ影響を及ぼすために、各層の光学定数
に従い設定される。遮光層２及び１３の膜厚は、パター
ニング性及び製造コスト等の点でなるべく薄い方が好ま
しいが、１０００Å（０．１μｍ）程度であれば充分許
容できる。
【００２４】尚、本発明のフォトマスクブランクス及び
フォトマスクに用いるＺｒＳｉ金属膜やＺｒＳｉ酸化膜
の各膜中には他の元素が混ざっていても構わない。その
種類と量は、材料中に存在する不純物である場合はもち
ろんであるが、膜の光学定数を制御する目的で、またそ
れ以外にドライエッチング速度やエッチングされたパタ
ーン形状、膜応力、膜硬度及び薬品耐性などの改善の目
的でも、膜形成の際に、ガス或いはスパッタリングター
ゲットなどの蒸発源に、特定の材料を一種類に限らず適
量添加する場合があっても構わない。
フォトマスクに用いるＺｒＳｉ金属膜やＺｒＳｉ酸化膜
の各膜中には他の元素が混ざっていても構わない。その
種類と量は、材料中に存在する不純物である場合はもち
ろんであるが、膜の光学定数を制御する目的で、またそ
れ以外にドライエッチング速度やエッチングされたパタ
ーン形状、膜応力、膜硬度及び薬品耐性などの改善の目
的でも、膜形成の際に、ガス或いはスパッタリングター
ゲットなどの蒸発源に、特定の材料を一種類に限らず適
量添加する場合があっても構わない。
【００２５】次に、低反射フォトマスクブランクス１０
又は両面低反射フォトマスクブランクス３０の低反射遮
光膜４又は両面低反射遮光膜１５上に感光層を形成し、
一般的な電子線（ＥＢ）リソグラフィやフォトリソグラ
フィの方法によって、所定のパターンを有するレジスト
パターン５又は１６を形成し（図３（ｂ）、図４（ｂ）
参照）、このレジストパターン５又は１６をマスクにし
て低反射遮光膜４又は両面低反射遮光膜１５をドライエ
ッチング処理する（図３（ｃ）、図４（ｃ）参照）。こ
こで、このレジストパターン５又は１６をマスクにして
低反射遮光膜４又は両面低反射遮光膜１５をエッチング
する際には、四塩化珪素（ＳｉＣｌ4 ）等の塩素系ガス
を用いたドライエッチング法を用いるのが好ましい。そ
の後、レジストパターン５又は１６を剥離して本発明の
低反射フォトマスク２０又は両面低反射フォトマスク４
０を作製する（図３（ｄ）、図４（ｄ）参照）。
又は両面低反射フォトマスクブランクス３０の低反射遮
光膜４又は両面低反射遮光膜１５上に感光層を形成し、
一般的な電子線（ＥＢ）リソグラフィやフォトリソグラ
フィの方法によって、所定のパターンを有するレジスト
パターン５又は１６を形成し（図３（ｂ）、図４（ｂ）
参照）、このレジストパターン５又は１６をマスクにし
て低反射遮光膜４又は両面低反射遮光膜１５をドライエ
ッチング処理する（図３（ｃ）、図４（ｃ）参照）。こ
こで、このレジストパターン５又は１６をマスクにして
低反射遮光膜４又は両面低反射遮光膜１５をエッチング
する際には、四塩化珪素（ＳｉＣｌ4 ）等の塩素系ガス
を用いたドライエッチング法を用いるのが好ましい。そ
の後、レジストパターン５又は１６を剥離して本発明の
低反射フォトマスク２０又は両面低反射フォトマスク４
０を作製する（図３（ｄ）、図４（ｄ）参照）。
【００２６】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。 ＜実施例１＞先ず、フォトマスク用の合成石英ガラスか
らなる透明基板１上に、直流（ＤＣ）マグネトロンスパ
ッタリング装置にてＺｒＳｉ2 ターゲットを用いて、ア
ルゴン（Ａｒ）ガス流量を３０ｓｃｃｍ、ガス圧力０．
５Ｐａに制御し、ＤＣ電力４００Ｗでスパッタリングを
行い、ＺｒＳｉ金属膜からなる遮光層２を７００Åの膜
厚で形成した。続いて、遮光層２上に、Ａｒガス、酸素
（Ｏ2 ）ガスの流量をそれぞれ２６ｓｃｃｍ、４ｓｃｃ
ｍに制御して、ガス圧力０．５Ｐａ、ＤＣ電力４００Ｗ
で反応性スパッタリングを行い、ＺｒＳｉ酸化膜からな
る反射防止層３を２１５Åの膜厚で形成し、図５（ａ）
に示すような分光反射率を有する低反射遮光膜４を形成
した本発明の低反射フォトマスクブランクス１０を作製
した。これは、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎ
ｍ）対応の低反射フォトマスクブランクスとして使用で
きるものである。
らなる透明基板１上に、直流（ＤＣ）マグネトロンスパ
ッタリング装置にてＺｒＳｉ2 ターゲットを用いて、ア
ルゴン（Ａｒ）ガス流量を３０ｓｃｃｍ、ガス圧力０．
５Ｐａに制御し、ＤＣ電力４００Ｗでスパッタリングを
行い、ＺｒＳｉ金属膜からなる遮光層２を７００Åの膜
厚で形成した。続いて、遮光層２上に、Ａｒガス、酸素
（Ｏ2 ）ガスの流量をそれぞれ２６ｓｃｃｍ、４ｓｃｃ
ｍに制御して、ガス圧力０．５Ｐａ、ＤＣ電力４００Ｗ
で反応性スパッタリングを行い、ＺｒＳｉ酸化膜からな
る反射防止層３を２１５Åの膜厚で形成し、図５（ａ）
に示すような分光反射率を有する低反射遮光膜４を形成
した本発明の低反射フォトマスクブランクス１０を作製
した。これは、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎ
ｍ）対応の低反射フォトマスクブランクスとして使用で
きるものである。
【００２７】次に、この低反射フォトマスクブランクス
１０の低反射遮光膜４上に、市販のポジ型ＥＢレジスト
（ＥＢＲ９００：東レ（株）製）を回転塗布法にて塗布
し、プリベークした後、ＥＢ描画装置（ＭＥＢＥＳ、米
国ＥＴＥＣ社製）を用いて所望のパターンを描画し、所
定の現像液（ＥＢＲ９００専用現像液：東レ（株）製）
を用いて現像し、レジストパターン５を形成した。
１０の低反射遮光膜４上に、市販のポジ型ＥＢレジスト
（ＥＢＲ９００：東レ（株）製）を回転塗布法にて塗布
し、プリベークした後、ＥＢ描画装置（ＭＥＢＥＳ、米
国ＥＴＥＣ社製）を用いて所望のパターンを描画し、所
定の現像液（ＥＢＲ９００専用現像液：東レ（株）製）
を用いて現像し、レジストパターン５を形成した。
【００２８】次に、このレジストパターン５をマスクに
して、低反射遮光膜４をドライエッチングし、低反射遮
光パターン４ａを形成した。このドライエッチングは平
行平板型の反応性イオンエッチング装置を用いて、Ｓｉ
Ｃｌ4 ガス流量５０ｓｃｃｍ、ＲＦ電力３００Ｗの条件
にて行った。
して、低反射遮光膜４をドライエッチングし、低反射遮
光パターン４ａを形成した。このドライエッチングは平
行平板型の反応性イオンエッチング装置を用いて、Ｓｉ
Ｃｌ4 ガス流量５０ｓｃｃｍ、ＲＦ電力３００Ｗの条件
にて行った。
【００２９】最後に、レジストパターン５をＯ2 プラズ
マにて灰化することにより剥離・除去して、本発明の低
反射フォトマスク２０を得た。
マにて灰化することにより剥離・除去して、本発明の低
反射フォトマスク２０を得た。
【００３０】この低反射フォトマスク２０は、このフォ
トマスクが使用される露光光がＫｒＦエキシマレーザ光
（波長２４８ｎｍ）であることを前提に作製している。
すなはち、ＺｒＳｉ金属膜からなる遮光層２の膜厚７０
０Å及びＺｒＳｉ酸化膜からなる反射防止層３の膜厚２
１５Åは、波長２４８ｎｍにおけるｎ、ｋに基づき設定
された値である。
トマスクが使用される露光光がＫｒＦエキシマレーザ光
（波長２４８ｎｍ）であることを前提に作製している。
すなはち、ＺｒＳｉ金属膜からなる遮光層２の膜厚７０
０Å及びＺｒＳｉ酸化膜からなる反射防止層３の膜厚２
１５Åは、波長２４８ｎｍにおけるｎ、ｋに基づき設定
された値である。
【００３１】尚、本実施例の低反射フォトマスク２０
は、波長２４８ｎｍにおいて、遮光層２のｎ、ｋはそれ
ぞれ１．６０、２．６６であり、反射防止層３のｎ、ｋ
はそれぞれ２．０９、０．４８であった。さらに、低反
射遮光膜４及び低反射遮光パターン４ａの反射率は１．
８％、吸光度は４であった。これは、ＫｒＦエキシマレ
ーザ光（波長２４８ｎｍ）対応の低反射フォトマスクと
して使用できるものである。
は、波長２４８ｎｍにおいて、遮光層２のｎ、ｋはそれ
ぞれ１．６０、２．６６であり、反射防止層３のｎ、ｋ
はそれぞれ２．０９、０．４８であった。さらに、低反
射遮光膜４及び低反射遮光パターン４ａの反射率は１．
８％、吸光度は４であった。これは、ＫｒＦエキシマレ
ーザ光（波長２４８ｎｍ）対応の低反射フォトマスクと
して使用できるものである。
【００３２】＜実施例２＞先ず、実施例１と同様に、フ
ォトマスク用の合成石英ガラス基板からなる透明基板１
上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置にてＺｒＳ
ｉ2 ターゲットを用いて、Ａｒガス、窒素（Ｎ2 ）ガス
及びＯ2 ガスの流量を、それぞれ２７ｓｃｃｍ、２ｓｃ
ｃｍ及び１ｓｃｃｍに制御し、ガス圧力０．５Ｐａ、Ｄ
Ｃ電力４００Ｗで反応性スパッタリングを行い、ＺｒＳ
ｉ金属膜からなる遮光層２を７５０Åの膜厚で形成し
た。続いて、遮光膜２上に、Ａｒガス、Ｏ2 ガスの流量
をそれぞれ２６ｓｃｃｍ、４ｓｃｃｍに制御して、ガス
圧力０．５Ｐａ、ＤＣ電力４００Ｗで反応性スパッタリ
ングを行い、ＺｒＳｉ酸化膜からなる反射防止層３を２
１０Åの膜厚で形成し、図５（ｂ）に示すような分光反
射率を有する低反射遮光膜４を形成した本発明の低反射
フォトマスクブランクス１０を作製した。これは、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）及びｉ線（波長
３６５ｎｍ）対応の低反射フォトマスクブランクスとし
て使用できるものである。
ォトマスク用の合成石英ガラス基板からなる透明基板１
上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置にてＺｒＳ
ｉ2 ターゲットを用いて、Ａｒガス、窒素（Ｎ2 ）ガス
及びＯ2 ガスの流量を、それぞれ２７ｓｃｃｍ、２ｓｃ
ｃｍ及び１ｓｃｃｍに制御し、ガス圧力０．５Ｐａ、Ｄ
Ｃ電力４００Ｗで反応性スパッタリングを行い、ＺｒＳ
ｉ金属膜からなる遮光層２を７５０Åの膜厚で形成し
た。続いて、遮光膜２上に、Ａｒガス、Ｏ2 ガスの流量
をそれぞれ２６ｓｃｃｍ、４ｓｃｃｍに制御して、ガス
圧力０．５Ｐａ、ＤＣ電力４００Ｗで反応性スパッタリ
ングを行い、ＺｒＳｉ酸化膜からなる反射防止層３を２
１０Åの膜厚で形成し、図５（ｂ）に示すような分光反
射率を有する低反射遮光膜４を形成した本発明の低反射
フォトマスクブランクス１０を作製した。これは、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）及びｉ線（波長
３６５ｎｍ）対応の低反射フォトマスクブランクスとし
て使用できるものである。
【００３３】以下、実施例１と同様の工程でパターニン
グ処理を行い本発明の低反射フォトマスク２０を得た。
グ処理を行い本発明の低反射フォトマスク２０を得た。
【００３４】尚、本実施例の低反射フォトマスク２０
は、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）におけ
る遮光層２のｎ、ｋがそれぞれ１．５０、１．８８、ま
た同じく反射防止層３のｎ、ｋがそれぞれ２．０９、
０．４８であった。さらに、低反射フォトマスクブラン
クス１０及び低反射フォトマスク２０の反射率は波長２
４８ｎｍにおいて３．９％、吸光度は３．２であった。
は、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）におけ
る遮光層２のｎ、ｋがそれぞれ１．５０、１．８８、ま
た同じく反射防止層３のｎ、ｋがそれぞれ２．０９、
０．４８であった。さらに、低反射フォトマスクブラン
クス１０及び低反射フォトマスク２０の反射率は波長２
４８ｎｍにおいて３．９％、吸光度は３．２であった。
【００３５】さらに、本実施例の低反射フォトマスク２
０は、図５（ｂ）に示す分光反射率特性からも分かるよ
うに、露光装置の光源が水銀ランプのｉ線（波長３６５
ｎｍ）の場合であっても、充分に反射率が低くなっって
いる。これは、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎ
ｍ）及びｉ線（波長３６５ｎｍ）対応の低反射フォトマ
スクとして使用できるものである。
０は、図５（ｂ）に示す分光反射率特性からも分かるよ
うに、露光装置の光源が水銀ランプのｉ線（波長３６５
ｎｍ）の場合であっても、充分に反射率が低くなっって
いる。これは、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎ
ｍ）及びｉ線（波長３６５ｎｍ）対応の低反射フォトマ
スクとして使用できるものである。
【００３６】＜実施例３＞先ず、フォトマスク用の合成
石英ガラス基板からなる透明基板１１上に、ＤＣマグネ
トロンスパッタリング装置にてＺｒＳｉ2 ターゲットを
用いて、Ａｒガス及びＯ2 ガスの流量を、それぞれ２６
ｓｃｃｍ、４ｓｃｃｍに制御し、ガス圧力０．５Ｐａ、
ＤＣ電力４００Ｗで反応性スパッタリングを行い、Ｚｒ
Ｓｉ酸化膜からなる反射防止層１２を２２０Åの膜厚で
形成した。続いて、反射防止層１２上に、Ａｒガス、Ｎ
2 ガス及びＯ2 ガスの流量をそれぞれ２７ｓｃｃｍ、２
ｓｃｃｍ及び１ｓｃｃｍに制御して、ガス圧力０．５Ｐ
ａ、ＤＣ電力４００Ｗで反応性スパッタリングを行い、
ＺｒＳｉ金属膜からなる遮光層１３を６８０Åの膜厚で
形成した。続いて、この遮光層１３上に、Ａｒガス、Ｏ
2 ガスの流量をそれぞれ２６ｓｃｃｍ、４ｓｃｃｍに制
御して、ガス圧力０．５Ｐａ、ＤＣ電力４００Ｗで反応
性スパッタリングを行い、ＺｒＳｉ酸化膜からなる反射
防止層１４を２１０Åの膜厚で形成し、透明基板１１側
の分光反射率が図６に、膜表面の分光反射率が図５
（ｂ）に示すような特性を有する両面低反射遮光膜１５
を形成した両面低反射フォトマスクブランクス３０を作
製した。これは、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８
ｎｍ）及びｉ線（波長３６５ｎｍ）対応の両面低反射フ
ォトマスクブランクスとして使用できるものである。
石英ガラス基板からなる透明基板１１上に、ＤＣマグネ
トロンスパッタリング装置にてＺｒＳｉ2 ターゲットを
用いて、Ａｒガス及びＯ2 ガスの流量を、それぞれ２６
ｓｃｃｍ、４ｓｃｃｍに制御し、ガス圧力０．５Ｐａ、
ＤＣ電力４００Ｗで反応性スパッタリングを行い、Ｚｒ
Ｓｉ酸化膜からなる反射防止層１２を２２０Åの膜厚で
形成した。続いて、反射防止層１２上に、Ａｒガス、Ｎ
2 ガス及びＯ2 ガスの流量をそれぞれ２７ｓｃｃｍ、２
ｓｃｃｍ及び１ｓｃｃｍに制御して、ガス圧力０．５Ｐ
ａ、ＤＣ電力４００Ｗで反応性スパッタリングを行い、
ＺｒＳｉ金属膜からなる遮光層１３を６８０Åの膜厚で
形成した。続いて、この遮光層１３上に、Ａｒガス、Ｏ
2 ガスの流量をそれぞれ２６ｓｃｃｍ、４ｓｃｃｍに制
御して、ガス圧力０．５Ｐａ、ＤＣ電力４００Ｗで反応
性スパッタリングを行い、ＺｒＳｉ酸化膜からなる反射
防止層１４を２１０Åの膜厚で形成し、透明基板１１側
の分光反射率が図６に、膜表面の分光反射率が図５
（ｂ）に示すような特性を有する両面低反射遮光膜１５
を形成した両面低反射フォトマスクブランクス３０を作
製した。これは、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８
ｎｍ）及びｉ線（波長３６５ｎｍ）対応の両面低反射フ
ォトマスクブランクスとして使用できるものである。
【００３７】次に、実施例１と同様に、両面低反射遮光
膜１５上に市販のポジ型ＥＢレジストを塗布し、プリベ
ークした後、ＥＢ描画装置を用いて所望のパターンを描
画し、所定の現像液にて現像し、レジストパターン１６
を形成した。
膜１５上に市販のポジ型ＥＢレジストを塗布し、プリベ
ークした後、ＥＢ描画装置を用いて所望のパターンを描
画し、所定の現像液にて現像し、レジストパターン１６
を形成した。
【００３８】次に、このレジストパターン１６をマスク
にして、平行平板型の反応性イオンエッチング装置を用
いて、ＳｉＣｌ4 ガス流量５０ｓｃｃｍ、ＲＦ電力３０
０Ｗの条件にて、両面低反射遮光膜１５をドライエッチ
ングし、両面低反射遮光パターン１５ａを形成した。
にして、平行平板型の反応性イオンエッチング装置を用
いて、ＳｉＣｌ4 ガス流量５０ｓｃｃｍ、ＲＦ電力３０
０Ｗの条件にて、両面低反射遮光膜１５をドライエッチ
ングし、両面低反射遮光パターン１５ａを形成した。
【００３９】最後に、レジストパターン１６をＯ2 プラ
ズマ灰化にて剥離・除去し、本発明の両面低反射フォト
マスク４０を得た。
ズマ灰化にて剥離・除去し、本発明の両面低反射フォト
マスク４０を得た。
【００４０】尚、本実施例の両面低反射フォトマスク４
０は、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）及び
ｉ線（波長３６５ｎｍ）における両面低反射遮光膜１５
及び両面低反射遮光パターン１５ａの反射率は、反射防
止層１２及び１２ａ側では透明基板１１表面の反射を含
んでそれぞれ８．１％及び８．９％であり、反射防止層
１４及び１４ａ側では３．９％及び２．０％であった。
さらに、吸光度は３．０及び２．５であった。これは、
ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）及びｉ線
（波長３６５ｎｍ）対応の両面低反射フォトマスクとし
て使用できるものである。
０は、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）及び
ｉ線（波長３６５ｎｍ）における両面低反射遮光膜１５
及び両面低反射遮光パターン１５ａの反射率は、反射防
止層１２及び１２ａ側では透明基板１１表面の反射を含
んでそれぞれ８．１％及び８．９％であり、反射防止層
１４及び１４ａ側では３．９％及び２．０％であった。
さらに、吸光度は３．０及び２．５であった。これは、
ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）及びｉ線
（波長３６５ｎｍ）対応の両面低反射フォトマスクとし
て使用できるものである。
【００４１】＜実施例４＞先ず、フォトマスク用の合成
石英ガラス基板からなる透明基板１上に、ＤＣ／交流
（ＲＦ）可変のマグネトロンスパッタリング装置にてＺ
ｒＳｉ2 ターゲットを用いて、Ａｒガス、Ｏ2 ガスの流
量を、それぞれ２９ｓｃｃｍ、１ｓｃｃｍに制御し、ガ
ス圧力０．２５Ｐａ、ＤＣ電力４００Ｗで反応性スパッ
タリングを行い、ＺｒＳｉ金属膜からなる遮光層２を７
７０Åの膜厚で形成した。続いて、遮光層２上にＡｒガ
ス、Ｏ2 ガスの流量をそれぞれ２４ｓｃｃｍ、６ｓｃｃ
ｍに制御して、ガス圧力０．２５Ｐａ、ＲＦ電力４００
Ｗで反応性スパッタリングを行い、ＺｒＳｉ酸化膜から
なる反射防止層３を１３０Åの膜厚で形成し、図７
（ａ）に示すような分光反射率を有する低反射遮光膜４
を形成した本発明の低反射フォトマスクブランクス１０
を作製した。これは、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１
９３ｎｍ）対応の低反射フォトマスクブランクスとして
使用できるものである。
石英ガラス基板からなる透明基板１上に、ＤＣ／交流
（ＲＦ）可変のマグネトロンスパッタリング装置にてＺ
ｒＳｉ2 ターゲットを用いて、Ａｒガス、Ｏ2 ガスの流
量を、それぞれ２９ｓｃｃｍ、１ｓｃｃｍに制御し、ガ
ス圧力０．２５Ｐａ、ＤＣ電力４００Ｗで反応性スパッ
タリングを行い、ＺｒＳｉ金属膜からなる遮光層２を７
７０Åの膜厚で形成した。続いて、遮光層２上にＡｒガ
ス、Ｏ2 ガスの流量をそれぞれ２４ｓｃｃｍ、６ｓｃｃ
ｍに制御して、ガス圧力０．２５Ｐａ、ＲＦ電力４００
Ｗで反応性スパッタリングを行い、ＺｒＳｉ酸化膜から
なる反射防止層３を１３０Åの膜厚で形成し、図７
（ａ）に示すような分光反射率を有する低反射遮光膜４
を形成した本発明の低反射フォトマスクブランクス１０
を作製した。これは、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１
９３ｎｍ）対応の低反射フォトマスクブランクスとして
使用できるものである。
【００４２】以下、実施例１と同様の工程でパターニン
グ処理を行い、本発明の低反射フォトマスク２０を得
た。
グ処理を行い、本発明の低反射フォトマスク２０を得
た。
【００４３】尚、本実施例の低反射フォトマスク２０は
ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）に於ける遮
光層２のｎ、ｋがそれぞれ１．１０、１．４９また同じ
く反射防止層３のｎ、ｋがそれぞれ１．８９、０．０８
であった。さらに、低反射フォトマスク２０の反射率
は、波長１９３ｎｍに於いて２．１％、吸光度は３．０
であった。これは、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９
３ｎｍ）対応の低反射フォトマスクとして使用できるも
のである。
ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）に於ける遮
光層２のｎ、ｋがそれぞれ１．１０、１．４９また同じ
く反射防止層３のｎ、ｋがそれぞれ１．８９、０．０８
であった。さらに、低反射フォトマスク２０の反射率
は、波長１９３ｎｍに於いて２．１％、吸光度は３．０
であった。これは、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９
３ｎｍ）対応の低反射フォトマスクとして使用できるも
のである。
【００４４】＜実施例５＞先ず、実施例４と同様に、フ
ォトマスク用の合成石英ガラス基板からなる透明基板１
上に、ＤＣ／ＲＦ可変のマグネトロンスパッタリング装
置にてＺｒＳｉ2ターゲットを用いて、Ａｒガス、Ｏ2
ガスの流量を、それぞれ２９ｓｃｃｍ、１ｓｃｃｍに制
御し、ガス圧力０．２５Ｐａ、ＤＣ電力４００Ｗで反応
性スパッタリングを行い、ＺｒＳｉ金属膜からなる遮光
層２を７５０Åの膜厚で形成した。続いて、遮光層２上
に、Ａｒガス、Ｏ2 ガスの流量をそれぞれ２７ｓｃｃ
ｍ、３ｓｃｃｍに制御して、ガス圧力０．２５Ｐａ、Ｒ
Ｆ電力４００Ｗで反応性スパッタリングを行い、ＺｒＳ
ｉ酸化膜からなる第１反射防止層を５０Åの膜厚で形成
し、さらにその第１反射防止層の上に、Ａｒガス、Ｏ2
ガスの流量をそれぞれ２４ｓｃｃｍ、６ｓｃｃｍに制御
して、ガス圧力０．２５Ｐａ、ＲＦ電力４００Ｗで反応
性スパッタリングを行い、ＺｒＳｉ酸化膜からなる第２
反射防止層を１００Åの膜厚で形成して全膜厚１５０Å
の２層からなる反射防止層３を形成し、図７（ｂ）に示
すような分光反射率を有する低反射遮光膜４を形成した
本発明の低反射フォトマスクブランクス１０を作製し
た。これは、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎ
ｍ）対応の低反射フォトマスクブランクスとして使用で
きるものである。
ォトマスク用の合成石英ガラス基板からなる透明基板１
上に、ＤＣ／ＲＦ可変のマグネトロンスパッタリング装
置にてＺｒＳｉ2ターゲットを用いて、Ａｒガス、Ｏ2
ガスの流量を、それぞれ２９ｓｃｃｍ、１ｓｃｃｍに制
御し、ガス圧力０．２５Ｐａ、ＤＣ電力４００Ｗで反応
性スパッタリングを行い、ＺｒＳｉ金属膜からなる遮光
層２を７５０Åの膜厚で形成した。続いて、遮光層２上
に、Ａｒガス、Ｏ2 ガスの流量をそれぞれ２７ｓｃｃ
ｍ、３ｓｃｃｍに制御して、ガス圧力０．２５Ｐａ、Ｒ
Ｆ電力４００Ｗで反応性スパッタリングを行い、ＺｒＳ
ｉ酸化膜からなる第１反射防止層を５０Åの膜厚で形成
し、さらにその第１反射防止層の上に、Ａｒガス、Ｏ2
ガスの流量をそれぞれ２４ｓｃｃｍ、６ｓｃｃｍに制御
して、ガス圧力０．２５Ｐａ、ＲＦ電力４００Ｗで反応
性スパッタリングを行い、ＺｒＳｉ酸化膜からなる第２
反射防止層を１００Åの膜厚で形成して全膜厚１５０Å
の２層からなる反射防止層３を形成し、図７（ｂ）に示
すような分光反射率を有する低反射遮光膜４を形成した
本発明の低反射フォトマスクブランクス１０を作製し
た。これは、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎ
ｍ）対応の低反射フォトマスクブランクスとして使用で
きるものである。
【００４５】以下、実施例１と同様の工程でパターニン
グ処理を行い、本発明の低反射フォトマスク２０を得
た。
グ処理を行い、本発明の低反射フォトマスク２０を得
た。
【００４６】尚、本実施例の低反射フォトマスク２０
は、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）に於け
る遮光層２のｎ、ｋがそれぞれ１．１０、１．４９、ま
た同じく反射防止層３については、第１の反射防止層及
び第２の反射防止層のｎ、ｋがそれぞれ１．９４、０．
５７及び１．８９、０．０８であった。さらに、低反射
フォトマスク２０の反射率は、波長１９３ｎｍに於いて
１．０％、吸光度は３．０であった。これは、ＡｒＦエ
キシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）対応の低反射フォト
マスクとして使用できるものである。
は、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）に於け
る遮光層２のｎ、ｋがそれぞれ１．１０、１．４９、ま
た同じく反射防止層３については、第１の反射防止層及
び第２の反射防止層のｎ、ｋがそれぞれ１．９４、０．
５７及び１．８９、０．０８であった。さらに、低反射
フォトマスク２０の反射率は、波長１９３ｎｍに於いて
１．０％、吸光度は３．０であった。これは、ＡｒＦエ
キシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）対応の低反射フォト
マスクとして使用できるものである。
【００４７】＜実施例６＞先ず、フォトマスク用の合成
石英ガラス基板からなる透明基板１１上に、ＤＣ／ＲＦ
可変のマグネトロンスパッタリング装置にてＺｒＳｉ2
ターゲットを用いて、Ａｒガス、Ｏ2 ガスの流量を、そ
れぞれ２４ｓｃｃｍ、６ｓｃｃｍに制御し、ガス圧力
０．２５Ｐａ、ＲＦ電力４００Ｗで反応性スパッタリン
グを行い、ＺｒＳｉ酸化膜からなる第１反射防止層を１
５０Åの膜厚で形成し、続いて、第１反射防止層の上に
Ａｒガス、Ｏ2 ガスの流量をそれぞれ２７．５ｓｃｃ
ｍ、２．５ｓｃｃｍに制御し、ガス圧力０．２５Ｐａ、
ＲＦ電力４００Ｗで反応性スパッタリングを行い、Ｚｒ
Ｓｉ酸化膜からなる第２反射防止層を１００Åの膜厚で
形成し、全膜厚２５０Åの２層からなる反射防止層１２
を形成した。次に、反射防止層１２の上に、Ａｒガス、
Ｏ2 ガスの流量をそれぞれ２９ｓｃｃｍ、１ｓｃｃｍに
制御して、ガス圧力０．２５Ｐａ、ＤＣ電力４００Ｗで
反応性スパッタリングを行い、ＺｒＳｉ金属膜からなる
遮光層１３を６５０Åの膜厚で形成した。続いて、この
遮光層１３上に、Ａｒガス、Ｏ2 ガスの流量をそれぞれ
２７．５ｓｃｃｍ、２．５４ｓｃｃｍに制御して、ガス
圧力０．２５Ｐａ、ＲＦ電力４００Ｗで反応性スパッタ
リングを行い、ＺｒＳｉ酸化膜からなる第３反射防止層
を１００Åの膜厚で形成し、続いて、この第３反射防止
層の上に、Ａｒガス、Ｏ2 ガスの流量を、それぞれ２４
ｓｃｃｍ、６ｓｃｃｍに制御し、ガス圧力０．２５Ｐ
ａ、ＲＦ電力４００Ｗで反応性スパッタリングを行い、
ＺｒＳｉ酸化膜からなる第４反射防止層を１５０Åの膜
厚で形成して、全膜厚２５０Åの２層からなる反射防止
層１４を形成し、反射防止層１２側の分光反射率が透明
基板１１の反射を含む図８（ａ）に示すような分光反射
率と、反射防止膜１４側の分光反射率が図８（ｂ）に示
すような分光反射率とを共に有する両面低反射遮光膜１
５を形成した本発明の両面低反射フォトマスクブランク
ス３０を作製した。これは、ＡｒＦエキシマレーザ光
（波長１９３ｎｍ）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長
２４８ｎｍ）対応の両面低反射フォトマスクブランクス
として使用できるものである。
石英ガラス基板からなる透明基板１１上に、ＤＣ／ＲＦ
可変のマグネトロンスパッタリング装置にてＺｒＳｉ2
ターゲットを用いて、Ａｒガス、Ｏ2 ガスの流量を、そ
れぞれ２４ｓｃｃｍ、６ｓｃｃｍに制御し、ガス圧力
０．２５Ｐａ、ＲＦ電力４００Ｗで反応性スパッタリン
グを行い、ＺｒＳｉ酸化膜からなる第１反射防止層を１
５０Åの膜厚で形成し、続いて、第１反射防止層の上に
Ａｒガス、Ｏ2 ガスの流量をそれぞれ２７．５ｓｃｃ
ｍ、２．５ｓｃｃｍに制御し、ガス圧力０．２５Ｐａ、
ＲＦ電力４００Ｗで反応性スパッタリングを行い、Ｚｒ
Ｓｉ酸化膜からなる第２反射防止層を１００Åの膜厚で
形成し、全膜厚２５０Åの２層からなる反射防止層１２
を形成した。次に、反射防止層１２の上に、Ａｒガス、
Ｏ2 ガスの流量をそれぞれ２９ｓｃｃｍ、１ｓｃｃｍに
制御して、ガス圧力０．２５Ｐａ、ＤＣ電力４００Ｗで
反応性スパッタリングを行い、ＺｒＳｉ金属膜からなる
遮光層１３を６５０Åの膜厚で形成した。続いて、この
遮光層１３上に、Ａｒガス、Ｏ2 ガスの流量をそれぞれ
２７．５ｓｃｃｍ、２．５４ｓｃｃｍに制御して、ガス
圧力０．２５Ｐａ、ＲＦ電力４００Ｗで反応性スパッタ
リングを行い、ＺｒＳｉ酸化膜からなる第３反射防止層
を１００Åの膜厚で形成し、続いて、この第３反射防止
層の上に、Ａｒガス、Ｏ2 ガスの流量を、それぞれ２４
ｓｃｃｍ、６ｓｃｃｍに制御し、ガス圧力０．２５Ｐ
ａ、ＲＦ電力４００Ｗで反応性スパッタリングを行い、
ＺｒＳｉ酸化膜からなる第４反射防止層を１５０Åの膜
厚で形成して、全膜厚２５０Åの２層からなる反射防止
層１４を形成し、反射防止層１２側の分光反射率が透明
基板１１の反射を含む図８（ａ）に示すような分光反射
率と、反射防止膜１４側の分光反射率が図８（ｂ）に示
すような分光反射率とを共に有する両面低反射遮光膜１
５を形成した本発明の両面低反射フォトマスクブランク
ス３０を作製した。これは、ＡｒＦエキシマレーザ光
（波長１９３ｎｍ）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長
２４８ｎｍ）対応の両面低反射フォトマスクブランクス
として使用できるものである。
【００４８】以下、実施例１と同様の工程でパターニン
グ処理を行い、本発明の両面低反射フォトマスク４０を
得た。
グ処理を行い、本発明の両面低反射フォトマスク４０を
得た。
【００４９】尚、本実施例の両面低反射フォトマスクブ
ランクス３０及び両面低反射フォトマスク４０のＡｒＦ
エキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＫｒＦエキシ
マレーザ光（波長２４８ｎｍ）での反射率は、反射防止
層１２及び１２ａ側では透明基板１１表面の反射率を含
んでそれぞれ１３．０％及び９．８％であり、反射防止
層１４及び１４ａ側では４．９％及び０．５％であっ
た。さらに、吸光度は２．８及び２．５であった。これ
は、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＫ
ｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）対応の両面低
反射フォトマスクとして使用できるものである。
ランクス３０及び両面低反射フォトマスク４０のＡｒＦ
エキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＫｒＦエキシ
マレーザ光（波長２４８ｎｍ）での反射率は、反射防止
層１２及び１２ａ側では透明基板１１表面の反射率を含
んでそれぞれ１３．０％及び９．８％であり、反射防止
層１４及び１４ａ側では４．９％及び０．５％であっ
た。さらに、吸光度は２．８及び２．５であった。これ
は、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＫ
ｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）対応の両面低
反射フォトマスクとして使用できるものである。
【００５０】
【発明の効果】本発明のフォトマスクブランクス及びフ
ォトマスクは上記の構成であるから、下記に示す如き効
果がある。露光光であるＫｒＦエキシマレーザ光（波長
２４８ｎｍ）及びＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３
ｎｍ）での反射率を低くすることができ、更にはＳｉＣ
ｌ 4 等の塩素系ガスを用いたドライエッチング法にてエ
ッチングすることにより、微細且つ高精度なパターンを
有する低反射フォトマスク及び両面低反射フォトマスク
を得ることができる。更に、本発明の低反射フォトマス
ク及び両面低反射フォトマスクを使ってウェーハ等へ露
光転写した場合パターンの解像度とその寸法精度の向上
を計ることができる。更には、反射防止層の光学定数
ｎ、ｋ及び膜厚を調整することにより、ＫｒＦエキシマ
レーザ光及びＡｒＦエキシマレーザ光に限らず、ｉ線を
光源とする露光用の低反射フォトマスクとしても使用で
きる。
ォトマスクは上記の構成であるから、下記に示す如き効
果がある。露光光であるＫｒＦエキシマレーザ光（波長
２４８ｎｍ）及びＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３
ｎｍ）での反射率を低くすることができ、更にはＳｉＣ
ｌ 4 等の塩素系ガスを用いたドライエッチング法にてエ
ッチングすることにより、微細且つ高精度なパターンを
有する低反射フォトマスク及び両面低反射フォトマスク
を得ることができる。更に、本発明の低反射フォトマス
ク及び両面低反射フォトマスクを使ってウェーハ等へ露
光転写した場合パターンの解像度とその寸法精度の向上
を計ることができる。更には、反射防止層の光学定数
ｎ、ｋ及び膜厚を調整することにより、ＫｒＦエキシマ
レーザ光及びＡｒＦエキシマレーザ光に限らず、ｉ線を
光源とする露光用の低反射フォトマスクとしても使用で
きる。
【図１】（ａ）は、本発明の低反射フォトマスクブラン
クスの一実施例の構成を示す断面図である。（ｂ）は、
本発明の低反射フォトマスクの一実施例の構成を示す断
面図である。
クスの一実施例の構成を示す断面図である。（ｂ）は、
本発明の低反射フォトマスクの一実施例の構成を示す断
面図である。
【図２】（ａ）は、本発明の両面低反射フォトマスクブ
ランクスの一実施例の構成を示す断面図である。（ｂ）
は、本発明の両面低反射フォトマスクの一実施例の構成
を示す断面図である。
ランクスの一実施例の構成を示す断面図である。（ｂ）
は、本発明の両面低反射フォトマスクの一実施例の構成
を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の低反射フォトマス
クの一実施例の製造工程を示す構成断面図である。
クの一実施例の製造工程を示す構成断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の両面低反射フォト
マスクの一実施例の製造工程を工程順に示す構成断面図
である。
マスクの一実施例の製造工程を工程順に示す構成断面図
である。
【図５】（ａ）は、本発明の低反射フォトマスクブラン
クス及び低反射フォトマスクの実施例１の低反射遮光膜
４及び低反射遮光パターン４ａの分光反射率を示す説明
図である。（ｂ）は、本発明の低反射フォトマスクブラ
ンクス及び低反射フォトマスクの実施例２の低反射遮光
膜４及び低反射遮光パターン４ａの分光反射率を示す説
明図である。
クス及び低反射フォトマスクの実施例１の低反射遮光膜
４及び低反射遮光パターン４ａの分光反射率を示す説明
図である。（ｂ）は、本発明の低反射フォトマスクブラ
ンクス及び低反射フォトマスクの実施例２の低反射遮光
膜４及び低反射遮光パターン４ａの分光反射率を示す説
明図である。
【図６】本発明の両面低反射フォトマスクブランクス及
び両面低反射フォトマスクの実施例３の両面低反射遮光
膜１５及び両面低反射遮光パターン１５ａの透明基板側
の分光反射率を示す説明図である。
び両面低反射フォトマスクの実施例３の両面低反射遮光
膜１５及び両面低反射遮光パターン１５ａの透明基板側
の分光反射率を示す説明図である。
【図７】本発明の低反射フォトマスクの実施例４、実施
例５の低反射遮光膜４及び低反射遮光膜パターン４ａの
分光反射率を示す説明図である。
例５の低反射遮光膜４及び低反射遮光膜パターン４ａの
分光反射率を示す説明図である。
【図８】本発明の両面低反射フォトマスクの実施例６両
面低反射遮光膜１５及び両面低反射遮光膜パターン１５
ａの分光反射率を示す説明図である。
面低反射遮光膜１５及び両面低反射遮光膜パターン１５
ａの分光反射率を示す説明図である。
１、１１……透明基板 ２、１３……遮光層 ２ａ、１３ａ……パターン化された遮光層 ３、１２、１４……反射防止層 ３ａ、１２ａ、１４ａ……パターン化された反射防止層 ４……低反射遮光膜 ４ａ……低反射遮光パターン ５、１６……レジストパターン １０……低反射フォトマスクブランクス １５……両面低反射遮光膜 １５ａ……両面低反射遮光パターン ２０……低反射フォトマスク ３０……両面低反射フォトマスクブランクス ４０……両面低反射フォトマスク
Claims (4)
- 【請求項１】露光光に対して透明な基板上に低反射遮光
膜が形成されてなる低反射フォトマスクブランクスにお
いて、前記低反射遮光膜がジルコニウムシリサイド金属
膜とジルコニウムシリサイド酸化膜を順次積層して形成
されていることを特徴とする低反射フォトマスクブラン
クス。 - 【請求項２】露光光に対して透明な基板上に両面低反射
遮光膜が形成されてなる両面低反射フォトマスクブラン
クスにおいて、前記両面低反射遮光膜がジルコニウムシ
リサイド酸化膜、ジルコニウムシリサイド金属膜及びジ
ルコニウムシリサイド酸化膜を順次積層して形成されて
いることを特徴とする両面低反射フォトマスクブランク
ス。 - 【請求項３】露光光に対して透明な基板上に形成された
低反射遮光膜をパターン化してなる低反射フォトマスク
において、前記低反射遮光膜がジルコニウムシリサイド
金属膜とジルコニウムシリサイド酸化膜を順次積層して
形成されていることを特徴とする低反射フォトマスク。 - 【請求項４】露光光に対して透明な基板上に形成された
両面低反射遮光膜をパターン化してなる両面低反射フォ
トマスクにおいて、前記両面低反射遮光膜がジルコニウ
ムシリサイド酸化膜、ジルコニウムシリサイド金属膜及
びジルコニウムシリサイド酸化膜を順次積層して形成さ
れていることを特徴とする両面低反射フォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21877898A JPH11125896A (ja) | 1997-08-19 | 1998-08-03 | フォトマスクブランクス及びフォトマスク |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-222544 | 1997-08-19 | ||
| JP22254497 | 1997-08-19 | ||
| JP21877898A JPH11125896A (ja) | 1997-08-19 | 1998-08-03 | フォトマスクブランクス及びフォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11125896A true JPH11125896A (ja) | 1999-05-11 |
Family
ID=26522747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21877898A Pending JPH11125896A (ja) | 1997-08-19 | 1998-08-03 | フォトマスクブランクス及びフォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11125896A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007058199A1 (ja) * | 2005-11-16 | 2007-05-24 | Hoya Corporation | マスクブランク及びフォトマスク |
| JP2007164156A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-28 | Hoya Corp | マスクブランク及びフォトマスク |
| JP2007334316A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-12-27 | Hoya Corp | マスクブランク及びフォトマスク |
| WO2008139904A1 (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-20 | Hoya Corporation | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
| JP2012155334A (ja) * | 2006-05-15 | 2012-08-16 | Hoya Corp | Ｆｐｄデバイス製造用マスクブランク、フォトマスク、及びｆｐｄデバイス製造用マスクブランクの設計方法 |
| TWI417644B (zh) * | 2005-12-26 | 2013-12-01 | Hoya Corp | Mask base and mask |
| JP2014160275A (ja) * | 2008-10-29 | 2014-09-04 | Hoya Corp | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法 |
| CN109960105A (zh) * | 2017-12-26 | 2019-07-02 | Hoya株式会社 | 光掩模坯料及光掩模的制造方法、显示装置的制造方法 |
| JP2019117376A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-18 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランクおよびフォトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
| KR20200128141A (ko) * | 2018-03-15 | 2020-11-11 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 대형 포토마스크 |
-
1998
- 1998-08-03 JP JP21877898A patent/JPH11125896A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI393998B (zh) * | 2005-11-16 | 2013-04-21 | Hoya Corp | Mask base and mask |
| JP2007164156A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-28 | Hoya Corp | マスクブランク及びフォトマスク |
| JP4726010B2 (ja) * | 2005-11-16 | 2011-07-20 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク及びフォトマスク |
| WO2007058199A1 (ja) * | 2005-11-16 | 2007-05-24 | Hoya Corporation | マスクブランク及びフォトマスク |
| TWI417644B (zh) * | 2005-12-26 | 2013-12-01 | Hoya Corp | Mask base and mask |
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| JP5054766B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2012-10-24 | Ｈｏｙａ株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
| WO2008139904A1 (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-20 | Hoya Corporation | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
| JP2014160275A (ja) * | 2008-10-29 | 2014-09-04 | Hoya Corp | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法 |
| CN109960105A (zh) * | 2017-12-26 | 2019-07-02 | Hoya株式会社 | 光掩模坯料及光掩模的制造方法、显示装置的制造方法 |
| JP2019117376A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-18 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランクおよびフォトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
| CN109960105B (zh) * | 2017-12-26 | 2024-06-18 | Hoya株式会社 | 光掩模坯料及光掩模的制造方法、显示装置的制造方法 |
| KR20200128141A (ko) * | 2018-03-15 | 2020-11-11 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 대형 포토마스크 |
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