KR101780068B1 - 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법 - Google Patents

마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101780068B1
KR101780068B1 KR1020110003903A KR20110003903A KR101780068B1 KR 101780068 B1 KR101780068 B1 KR 101780068B1 KR 1020110003903 A KR1020110003903 A KR 1020110003903A KR 20110003903 A KR20110003903 A KR 20110003903A KR 101780068 B1 KR101780068 B1 KR 101780068B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
mask
etching
light
resist
Prior art date
Application number
KR1020110003903A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110084374A (ko
Inventor
마사히로 하시모또
히로유끼 이와시따
다까히로 히로마쯔
Original Assignee
호야 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 호야 가부시키가이샤 filed Critical 호야 가부시키가이샤
Publication of KR20110084374A publication Critical patent/KR20110084374A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101780068B1 publication Critical patent/KR101780068B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

투광성 기판 상에, 염소계 가스로 드라이 에칭 가능한 금속을 주성분으로 하는 재료로 형성되는 차광막을 구비하고, 그 차광막에 전사 패턴을 형성할 때에 레지스트막을 이용하는 마스크 블랭크이다. 차광막의 상면에는, 천이 금속 및 규소에, 질소 및 산소 중 적어도 한쪽의 원소를 더 함유하는 재료로 형성되는 에칭 마스크막이 형성되고, 그 에칭 마스크막 중의 천이 금속과 규소와의 사이에서의 천이 금속의 함유 비율이 9％ 미만이다.

Description

마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법{MASK BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING TRANSFER MASK}
본 발명은, 레지스트 박막화를 가능하게 하는 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 장치의 제조 공정에서는, 포토리소그래피법을 이용하여 미세 패턴의 형성이 행해지고 있다. 또한, 이 미세 패턴의 형성에는 통상 몇매의 전사용 마스크라고 불리고 있는 기판이 사용된다. 이 전사용 마스크는, 일반적으로 투광성의 글래스 기판 상에, 금속 박막 등으로 이루어지는 미세 패턴을 형성한 것이며, 이 전사용 마스크의 제조에서도 포토리소그래피법이 이용되고 있다.
포토리소그래피법에 의한 전사용 마스크의 제조에는, 글래스 기판 등의 투광성 기판 상에 전사 패턴(마스크 패턴)을 형성하기 위한 박막(예를 들면 차광막 등)을 갖는 마스크 블랭크가 이용된다. 이 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 제조는, 마스크 블랭크 상에 형성된 레지스트막에 대하여, 원하는 패턴 묘화를 실시하는 노광 공정과, 원하는 패턴 묘화에 따라서 상기 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정과, 레지스트 패턴에 따라서 상기 박막을 에칭하는 에칭 공정과, 잔존한 레지스트 패턴을 박리 제거하는 공정을 갖고 행해지고 있다. 상기 현상 공정에서는, 마스크 블랭크 상에 형성된 레지스트막에 대하여 원하는 패턴 묘화를 실시한 후에 현상액을 공급하여, 현상액에 가용한 레지스트막의 부위를 용해하여, 레지스트 패턴을 형성한다. 또한, 상기 에칭 공정에서는, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 드라이 에칭 또는 웨트 에칭에 의해, 레지스트 패턴이 형성되어 있지 않은 박막이 노출된 부위를 제거하고, 이에 의해 원하는 마스크 패턴을 투광성 기판 상에 형성한다. 이렇게 하여, 전사용 마스크가 완성된다.
반도체 장치의 패턴을 미세화할 때에는, 전사용 마스크에 형성되는 마스크 패턴의 미세화 외에, 포토리소그래피에서 사용되는 노광 광원 파장의 단파장화가 필요로 된다. 반도체 장치 제조 시의 노광 광원으로서는, 최근에는 KrF 엑시머 레이저(파장 248㎚)로부터, ArF 엑시머 레이저(파장 193㎚)로 단파장화가 진행되고 있다.
또한, 전사용 마스크의 종류로서는, 종래의 투광성 기판 상에 크롬계 재료 등으로 이루어지는 차광막 패턴을 갖는 바이너리 마스크 외에, 하프톤형 위상 시프트 마스크가 알려져 있다. 이 하프톤형 위상 시프트 마스크는, 투광성 기판 상에 위상 시프트막을 갖는 구조의 것이고, 이 위상 시프트막은, 실질적으로 노광에 기여하지 않는 강도의 광(예를 들면, 노광 파장에 대하여 1％∼20％)을 투과시켜, 소정의 위상차를 발생시키는 것이며, 예를 들면 몰리브덴 실리사이드 화합물을 함유하는 재료 등이 이용된다. 이 하프톤형 위상 시프트 마스크는, 위상 시프트막을 패터닝한 광 반투과부와, 위상 시프트막이 형성되어 있지 않은 실질적으로 노광에 기여하는 강도의 광을 투과시키는 광 투과부에 의해, 광 반투과부를 투과한 광의 위상이 광 투과부를 투과한 광의 위상에 대하여 실질적으로 반전된 관계로 되도록 함으로써, 광 반투과부와 광 투과부와의 경계부 근방을 통과하여 회절 현상에 의해 서로 상대의 영역으로 감돌아 들어간 광이 서로 상쇄되도록 하여, 경계부에서의 광 강도를 거의 제로로 하여 경계부의 콘트라스트 즉 해상도를 향상시키는 것이다.
전사용 마스크나 마스크 블랭크에서는, 전사용 마스크에 형성되는 마스크 패턴을 미세화할 때에는, 마스크 블랭크에서의 레지스트막의 박막화와, 전사용 마스크 제조 시의 패터닝 방법으로서, 드라이 에칭 가공이 필요하다.
그러나, 레지스트막의 박막화와 드라이 에칭 가공에는, 이하에 기재하는 기술적인 문제가 생겼다.
하나는, 마스크 블랭크의 레지스트막의 박막화를 진행시킬 때, 예를 들면 차광막의 가공 시간이 하나의 큰 제한 사항으로 되어 있는 것이다. 차광막의 재료로서는, 일반적으로 크롬이 이용되고, 크롬의 드라이 에칭 가공에서는, 에칭 가스에 염소 가스와 산소 가스의 혼합 가스가 이용되고 있다. 레지스트 패턴을 마스크로 하여 차광막을 드라이 에칭으로 패터닝할 때, 레지스트는 유기막이고 그 주성분은 탄소이므로, 드라이 에칭 환경인 산소 플라즈마에 대해서는 매우 약하다. 차광막을 드라이 에칭으로 패터닝하는 동안, 그 차광막 상에 형성되어 있는 레지스트 패턴은 충분한 막 두께로 남아 있지 않으면 안된다. 하나의 지표로서, 마스크 패턴의 단면 형상을 양호하게 하기 위해서, 저스트 에칭 타임의 2배(100％ 오버에칭) 정도를 행해도 잔존하도록 하는 레지스트막 두께로 해야 한다. 예를 들면, 일반적으로는, 차광막의 재료인 크롬과, 레지스트막과의 에칭 선택비는 1 이하로 되어 있으므로, 레지스트막의 막 두께로서는, 차광막의 막 두께의 2배 이상의 막 두께가 필요로 되게 된다. 따라서, 레지스트막을 박막화하기 위해서는, 차광막의 가공 시간을 짧게 할 필요가 있지만, 그를 위해서는 차광막의 박막화가 중요한 과제이다. 그러나, 차광막을 박막화한다고 해도, 차광성을 확보하기 위해서는 소정의 광학 농도(통상적으로, 마스크를 사용하는 노광광의 파장에서 3.0 이상)가 필요하여, 차광막의 박막화에는 자연히 한계가 있다.
따라서, 레지스트막의 막 두께를 박막화하는 방법으로서, 종래는, 차광막 상에, 차광막과는 에칭 선택성이 있는 재료로 형성되는 에칭 마스크막을 형성하고, 우선, 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 에칭 마스크막을 에칭하여, 에칭 마스크막 패턴을 형성하고, 다음으로, 이 에칭 마스크막 패턴을 마스크로 하여, 상기 차광막을 에칭하여, 차광막 패턴을 형성하는 방법이 제안되어 있다(일본 특개 2006-146152호 공보(특허 문헌 1) 참조). 이 에칭 마스크막의 재료로서는, 규소의 산질화물 등이 제안되어 있다.
상기 규소의 산질화물(예를 들면 SiON)의 에칭 마스크막의 경우, Si 타깃을 이용하여 스퍼터링법에 의해 성막을 행하지만, 타깃의 도전성이 낮고, 결함이 발생하기 쉽다고 하는 결점이 있다. 특히, DC 스퍼터링법에 의한 성막에서는 결함이 발생하기 쉽다. 또한, 예를 들면 SiON막은, 불소계 가스를 이용한 드라이 에칭에서도 에칭 레이트가 약간 낮다.
또한, 레지스트막에 레지스트 패턴을 형성하는 경우, 레지스트와의 밀착성이 높은 크롬계 차광막의 표면에 형성한 경우라도, 레지스트 패턴의 선폭이 레지스트막 두께의 1/3보다도 커지면, 레지스트 패턴의 쓰러짐이나 결함 등이 발생하기 때문에, 레지스트도 막 두께는 그 이하로 할 필요가 있다. DRAM 하프 피치 45㎚의 세대에서는, 이들 점을 고려하면, 레지스트막 두께는 180㎚ 이하로 할 필요가 있고, 또한 DRAM 하프 피치 32㎚의 세대에서는, 레지스트막 두께는 100㎚ 이하로 할 필요가 있다. 그러나, 규소의 산질화물을 재료로 하는 에칭 마스크막의 경우, 레지스트와의 에칭 선택성이 낮기 때문에, 레지스트막의 박막화를 충분히 달성할 수 없다고 하는 문제가 있다.
한편, 레지스트막의 박막화에 의해 에칭 마스크막의 에칭 시에 소비되는 레지스트막 두께에 여유가 없어져, 에칭의 종점 검출 정밀도가 CD(Critical Dimension) 안정성의 관점에서 매우 중요시되고 있다. 그러나, 규소의 산질화물로 이루어지는 에칭 마스크막은, 종점 검출에서 주로 이용되고 있는 적색 레이저광에 대한 반사율이 낮아, 종점 검출이 곤란하다고 하는 문제가 있다.
따라서 본 발명은, 이와 같은 종래의 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 첫째로, 레지스트막의 박막화를 충분히 달성할 수 있는 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법을 제공하는 것이고, 둘째로, 제조 안정성이 높은 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명자는, 에칭 마스크막의 재료로서, 규소의 산질화물에 천이 금속을 함유시키는 것을 검토하였다. 막 중의 천이 금속의 함유 비율을 높게 해 감에 따라서, 반응성이 향상되고, 불소계 가스에 대한 에칭 레이트도 상승하는 것을 알 수 있었다. 그러나, 에칭 마스크막 중의 천이 금속과 규소와의 사이에서의 천이 금속의 함유 비율(즉, 에칭 마스크막 중의 천이 금속과 규소의 합계 함유량[원자％]을 100으로 하였을 때의 천이 금속의 함유량[원자％]의 비율을 백분율[％]로 나타낸 것. 이하, 마찬가지임)을 9％ 이상으로 한 경우, 새로운 문제가 발생하는 것이 판명되었다.
규소의 산질화물이나 그것에 천이 금속을 함유시킨 재료의 경우, 레지스트에 대한 밀착성이 크롬계의 재료에 비해 낮아, 레지스트 패턴의 폭에 대한 막 두께가 1/3 미만이라도, 레지스트 패턴의 쓰러짐이나 결함이 발생하기 쉽다. 이 때문에, 에칭 마스크막에, 레지스트와의 밀착성을 확보하기 위한 HMDS(헥사메틸디실라잔 : Hexamethyldisilazane) 등의 실란계 커플링제에 의한 표면 처리를 실시한 후, 레지스트를 도포할 필요가 있다. 그러나, 에칭 마스크막 중의 천이 금속과 규소와의 사이에서의 천이 금속의 함유 비율이 9％ 이상인 경우, 실란계 커플링제에 의한 표면 처리 후, 레지스트막을 도포하면, 도 5에 도시한 바와 같이, 레지스트막에 원 형상의 도포 얼룩 결함이 발생하여, 레지스트 도포성에 큰 문제가 있는 것이 판명되었다. 이 현상은, 천이 금속의 종류를 바꾸어도 경향은 변하지 않았다. 본 발명자는, 더욱 예의 검토한 결과, 천이 금속의 함유량을 최적화함으로써, 레지스트 도포성의 문제를 해결할 수 있는 것을 발견하였다.
본 발명자는, 이상의 해명 사실, 고찰에 기초하여, 더욱 예의 연구를 계속한 결과, 본 발명을 완성한 것이다.
즉, 상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 이하의 구성을 갖는다.
(구성 1)
투광성 기판 상에, 염소계 가스로 드라이 에칭 가능한 금속을 주성분으로 하는 재료로 형성되는 차광막을 구비하고, 그 차광막에 전사 패턴을 형성할 때에 레지스트막을 이용하는 마스크 블랭크로서, 상기 차광막의 상면에는, 천이 금속 및 규소에, 질소 및 산소 중 적어도 한쪽의 원소를 더 함유하는 재료로 형성되는 에칭 마스크막이 형성되고, 그 에칭 마스크막 중의 천이 금속과 규소와의 사이에서의 천이 금속의 함유 비율이 9％ 미만인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
(구성 2)
상기 에칭 마스크막의 표면에, 실란계 커플링제에 의한 표면 처리가 실시되어 있는 것을 특징으로 하는 구성 1에 기재된 마스크 블랭크.
(구성 3)
상기 실란계 커플링제는, 헥사메틸디실라잔(Hexamethyldisilazane)인 것을 특징으로 하는 구성 2에 기재된 마스크 블랭크.
(구성 4)
상기 에칭 마스크막의 표면에 접하여 레지스트막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 구성 2 또는 3에 기재된 마스크 블랭크.
(구성 5)
상기 에칭 마스크막 중의 천이 금속은, 몰리브덴(Mo)인 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 4 중 어느 한 항에 기재된 마스크 블랭크.
(구성 6)
상기 에칭 마스크막은, 막 두께가 5㎚∼20㎚인 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 5 중 어느 한 항에 기재된 마스크 블랭크.
(구성 7)
상기 레지스트막은, 막 두께가 50㎚∼180㎚인 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 6 중 어느 한 항에 기재된 마스크 블랭크.
(구성 8)
상기 차광막을 형성하는 염소계 가스로 드라이 에칭 가능한 금속은 크롬인 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 7 중 어느 한 항에 기재된 마스크 블랭크.
(구성 9)
상기 투광성 기판과 상기 차광막과의 사이에 위상 시프트막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 8 중 어느 한 항에 기재된 마스크 블랭크.
(구성 10)
상기 위상 시프트막은, 천이 금속 및 규소에, 질소 및 산소 중 적어도 한쪽의 원소를 더 함유하는 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 구성 9에 기재된 마스크 블랭크.
(구성 11)
상기 위상 시프트막 중의 천이 금속은, 몰리브덴(Mo)인 것을 특징으로 하는 구성 10에 기재된 마스크 블랭크.
(구성 12)
구성 1에 기재된 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 제조 방법으로서, 상기 에칭 마스크막의 표면에, 실란계 커플링제에 의한 표면 처리를 실시하는 공정과, 상기 표면 처리 후의 에칭 마스크막의 표면에 접하여 레지스트막을 형성하는 공정과, 상기 레지스트막에 전사 패턴을 노광하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 에칭 마스크막을 불소계 가스로 드라이 에칭하여, 에칭 마스크막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 에칭 마스크막 패턴을 마스크로 하여, 상기 차광막을 염소계 가스로 드라이 에칭하여, 차광막 패턴을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크의 제조 방법.
(구성 13)
구성 9에 기재된 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 제조 방법으로서, 상기 에칭 마스크막의 표면에, 실란계 커플링제에 의한 표면 처리를 실시하는 공정과, 상기 표면 처리 후의 에칭 마스크막의 표면에 접하여 레지스트막을 형성하는 공정과, 상기 레지스트막에 전사 패턴을 노광하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 에칭 마스크막을 불소계 가스로 드라이 에칭하여, 에칭 마스크막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 에칭 마스크막 패턴을 마스크로 하여, 상기 차광막을 염소계 가스로 드라이 에칭하여, 차광막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 차광막 패턴을 마스크로 하여, 상기 위상 시프트막을 불소계 가스로 드라이 에칭하여, 위상 시프트막 패턴을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크의 제조 방법.
본 발명에 따르면, 투광성 기판 상의 차광막의 상면에, 천이 금속 및 규소에, 질소 및 산소 중 적어도 한쪽의 원소를 더 함유하는 재료로 형성되는 에칭 마스크막을 형성하고, 그 에칭 마스크막 중의 천이 금속과 규소와의 사이에서의 천이 금속의 함유 비율을 9％ 미만으로 함으로써, 레지스트와의 사이에서 높은 에칭 선택성이 얻어져, 에칭 마스크막을 이용하는 것에 의한 레지스트막의 박막화를 충분히 달성할 수 있는 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 마스크 블랭크의 표면에 실란계 커플링제에 의한 처리를 실시해도 종래와 같은 원 형상의 도포 결함의 발생은 없어, 양호한 레지스트 도포성이 얻어져, 제조 안정성이 높은 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1의 (a)는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 마스크 블랭크의 구조를 도시하는 단면도.
도 1의 (b)는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 다른 마스크 블랭크의 구조를 도시하는 단면도.
도 2의 (a)는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 일 제조 공정을 도시하는 단면도.
도 2의 (b)는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 일 제조 공정을 도시하는 단면도.
도 2의 (c)는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 일 제조 공정을 도시하는 단면도.
도 2의 (d)는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 일 제조 공정을 도시하는 단면도.
도 3의 (a)는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 일 제조 공정을 도시하는 단면도.
도 3의 (b)는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 일 제조 공정을 도시하는 단면도.
도 3의 (c)는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 일 제조 공정을 도시하는 단면도.
도 3의 (d)는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 일 제조 공정을 도시하는 단면도.
도 3의 (e)는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 일 제조 공정을 도시하는 단면도.
도 3의 (f)는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 일 제조 공정을 도시하는 단면도.
도 3의 (g)는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 일 제조 공정을 도시하는 단면도.
도 4는 본 발명의 실시예 1에 따른 마스크 블랭크의 레지스트막에 대한 결함 검사의 결과를 도시하는 단면도.
도 5는 본 발명의 비교예에 따른 마스크 블랭크의 레지스트막에 대한 결함 검사의 결과를 도시하는 단면도.
도 6의 (a)는 에칭 마스크막을 드라이 에칭할 때에서의 광학적 에칭 종점 검출 장치로부터 얻어지는 전기 신호의 변화를 도시하는 도면으로, 실시예 1의 에칭 마스크막에 관한 도면.
도 6의 (b)는 에칭 마스크막을 드라이 에칭할 때에서의 광학적 에칭 종점 검출 장치로부터 얻어지는 전기 신호의 변화를 도시하는 도면으로, 실시예 2의 에칭 마스크막에 관한 도면.
도 6의 (c)는 에칭 마스크막을 드라이 에칭할 때에서의 광학적 에칭 종점 검출 장치로부터 얻어지는 전기 신호의 변화를 도시하는 도면으로, 참고예의 에칭 마스크막에 관한 도면.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 형태를 상술한다.
[제1 실시 형태]
본 발명의 제1 실시 형태는, 투광성 기판 상에, 염소계 가스로 드라이 에칭 가능한 금속을 주성분으로 하는 재료로 형성되는 차광막을 구비하고, 그 차광막에 전사 패턴을 형성할 때에 레지스트막을 이용하는 마스크 블랭크로서, 상기 차광막의 상면에는, 천이 금속 및 규소에, 질소 및 산소 중 적어도 한쪽의 원소를 더 함유하는 재료로 형성되는 에칭 마스크막이 형성되고, 그 에칭 마스크막 중의 천이 금속과 규소와의 사이에서의 천이 금속의 함유 비율이 9％ 미만인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크이다.
도 1의 (a) 및 도 1의 (b)는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 마스크 블랭크의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 1의 (a)는, 투광성 기판(1) 상에, 차광막(2)과 에칭 마스크막(3)을 구비한 구조의 마스크 블랭크(10A)를 도시하고, 도 1의 (b)는, 투광성 기판(1) 상에, 차광막(2)과 에칭 마스크막(3)을 구비하고, 이 에칭 마스크막(3)의 표면에는 실란계 커플링제의 하나인 HMDS에 의한 처리가 실시되어, 에칭 마스크막(3)의 표면에 접하여 레지스트막(4)이 형성되어 있는 구조의 마스크 블랭크(10B)를 도시하고 있다. 즉, 본 발명에 따른 마스크 블랭크는, 이와 같이 투광성 기판(1) 상에 차광막(2)과 에칭 마스크막(3)을 구비한 구조의 것뿐만 아니라, 또한 레지스트막(4)을 형성한 구조의 것도 포함된다.
상기 투광성 기판(1)은, 사용하는 노광 파장에 대하여 투명성을 갖는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 본 발명에서는, 석영 기판, 그 밖의 각종 글래스 기판(예를 들면, 소다 라임 글래스, 알루미노 실리케이트 글래스 등)을 이용할 수 있지만, 이 중에서도 석영 기판은, ArF 엑시머 레이저 또는 그것보다도 단파장의 영역에서 투명성이 높으므로, 본 발명에는 특히 바람직하다.
또한, 상기 차광막(2)은, 염소계 가스로 드라이 에칭 가능한 금속을 주성분으로 하는 재료로 이루어진다. 여기서의 염소계 가스로 드라이 에칭 가능한 금속이란, 염소계 가스(Cl2, SiCl2, CHCl3, CCl4, BCl3 등)만으로 드라이 에칭 가능한 금속에 한하지 않고, 이들 염소계 가스와 산소 가스와의 혼합 가스로 드라이 에칭 가능한 금속도 포함된다. 또한, 차광막(2)을 형성하는 재료는 불소계 가스에 의한 드라이 에칭에 대하여 내성을 가질 필요가 있다. 이 조건도 동시에 만족시키는 것으로서는, 염소계 가스만으로 드라이 에칭 가능한 금속 중에서는, 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 탄탈―하프늄(Ta-Hf), 탄탈-지르코늄(Ta-Zr) 등이 있고, 염소계 가스와 산소 가스의 혼합 가스로 드라이 에칭 가능한 금속 중에서는, 크롬(Cr), 루테늄(Ru) 등이 있다. 특히, 크롬은, 불소계 가스에 의한 드라이 에칭에 대한 내성이 높고, 산화 안정성도 양호하여 바람직하다.
차광막(2)을 형성하는 재료에는, 염소계 가스로 드라이 에칭 가능한 금속 외에, 산소, 질소, 탄소, 붕소 등을 포함해도 된다. 또한, 이 차광막은, 단층으로 해도 복수층(예를 들면 차광층과 반사 방지층과의 적층 구조)으로 해도 된다. 차광막을 차광층과 반사 방지층과의 적층으로 하는 경우, 반사 방지층은, 상층의 에칭 마스크막과의 높은 에칭 선택성을 얻기 위해서, 크롬계로 하는 것이 바람직하다. 또한, 주성분이란, 재료의 전체 금속 성분 중의 염소계 가스로 드라이 에칭 가능한 금속의 함유율이 50％ 이상인 것을 말하는 것으로 한다.
상기 에칭 마스크막(3)은, 천이 금속 및 규소에, 질소 및 산소 중 적어도 1개의 원소를 더 함유하는 재료로 형성된다.
구체적으로는, 천이 금속 및 규소의 질화물, 산화물, 혹은 산질화물을 함유하는 재료가 바람직하다. 천이 금속에는, 몰리브덴, 탄탈, 텅스텐, 티탄, 크롬, 하프늄, 니켈, 바나듐, 지르코늄, 루테늄, 로듐 등이 적용 가능하다.
본 발명에서는, 상기 에칭 마스크막(3) 중의 천이 금속과 규소와의 사이에서의 천이 금속의 함유 비율은 9％ 미만이다. 천이 금속의 함유 비율이 9％ 이상이면, 도 5에 도시한 바와 같이 HMDS에 의한 표면 처리를 실시한 경우의 레지스트 도포성이 불량하여, 원 형상의 도포 얼룩 결함이 발생한다. 또한, 천이 금속의 함유 비율의 상한을 8％ 이하로 하면 바람직하고, 또한 7％ 이하로 하면 더욱 바람직하고, 5％ 이하로 하면 최적이다. 천이 금속의 함유 비율의 하한값으로서는, 1％ 이상인 것이 바람직하다. 천이 금속의 함유 비율이 1％를 하회하면, 타깃의 도전성, 불소계 가스에 대한 에칭 레이트, 에칭 종점 검출 정밀도 모두, 천이 금속을 첨가하지 않은 경우와의 차가 얻어지기 어렵게 된다. 따라서, 그 하한은, 1원자％ 이상으로 할 필요가 있고, 2％ 이상으로 하면 바람직하다.
본 발명에서, 특히, 에칭 마스크막(3)을 몰리브덴(Mo)과 규소(Si)의 질화물, 혹은 산질화물로 형성하는 경우, 몰리브덴과 규소 사이에서의 Mo의 함유 비율(즉, 에칭 마스크막 중의 몰리브덴과 규소의 합계 함유량[원자％]을 100으로 하였을 때의 몰리브덴의 함유량[원자％]의 비율을 백분율[％]로 나타낸 것. 이하, 마찬가지임)은, 그 상한을 9％ 미만으로 할 필요가 있고, 8％ 이하로 하면 바람직하고, 또한 7％ 이하로 하면 더욱 바람직하고, 5％ 이하로 하면 최적이다. 또한, 그 하한은, 1％ 이상으로 할 필요가 있고, 2％ 이상으로 하면 바람직하다.
상기 에칭 마스크막(3)은, 막 두께가 5㎚∼20㎚인 것이 바람직하다. 막 두께가 5㎚ 미만이면, 차광막(2)을 드라이 에칭할 때의 에칭 마스크로서 기능하는 데에 필요한 두께를 확보할 수 없다. 한편, 막 두께가 20㎚를 초과하면, 이것을 에칭하기 위한 레지스트 패턴의 막 두께를 두껍게 할 필요가 생겨, DRAM 하프 피치 45㎚ 세대에서도 대응 가능한 레지스트막의 박막화를 달성할 수 없다. 특히, DRAM 하프 피치 32㎚ 세대에 이용하는 마스크 블랭크의 경우에서는, 에칭 마스크막(3)의 막 두께를 15㎚ 이하, 바람직하게는 10㎚ 이하로 하는 것이 바람직하다. 투광성 기판(1) 상에, 상기 차광막(2) 및 에칭 마스크막(3)을 형성할 때에는, 특히 스퍼터링 성막법이 바람직하다. 또한, 본원 발명은, 에칭 마스크막(3)의 형성에 DC 스퍼터링법을 적용한 경우, 특히 유효하다.
본 실시 형태에 따른 마스크 블랭크에 의하면, 에칭 마스크막은, 불소계 가스에서의 높은 드라이 에칭 레이트가 얻어져, 레지스트와의 사이에서 높은 에칭 선택성이 얻어지기 때문에, 에칭 마스크막을 이용하는 것에 의한 레지스트막의 박막화를 충분히 달성할 수 있다. 구체적으로는, 레지스트막은, 막 두께를 예를 들면 50㎚∼180㎚의 범위로 박막화할 수 있다. 또한, 특히 에칭 마스크막(3)의 막 두께를 15㎚ 이하로 한 경우에서는, 레지스트막의 막 두께를 50㎚∼100㎚의 범위로 박막화할 수 있다.
또한, 마스크 블랭크의 표면에 실란계 커플링제(특히 HMDS)에 의한 표면 처리를 실시해도 종래와 같은 원 형상의 도포 결함의 발생은 없어, 양호한 레지스트 도포성이 얻어져, 제조 안정성이 높은 마스크 블랭크가 얻어진다.
다음으로, 도 2의 (a)∼도 2의 (d)에 따라서, 본 실시 형태에 따른 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 제조 공정을 설명한다.
여기서는, 본 실시 형태의 마스크 블랭크(10B)(도 1의 (b) 참조)를 이용하여 설명한다. 우선, 그 레지스트막(4)에 대하여, 전자선 묘화 장치를 이용하여 원하는 패턴 묘화를 행한 후, 소정의 현상액으로 현상하여 레지스트 패턴(4a)을 형성한다(도 2의 (b) 참조).
다음으로, 상기 레지스트 패턴(4a)을 마스크로 하여, 에칭 마스크막(3)을 드라이 에칭하여, 에칭 마스크막 패턴(3a)을 형성한다(도 2의 (b) 참조). 드라이 에칭 가스로서는, 불소계 가스를 이용할 수 있다.
다음으로, 잔존하는 레지스트 패턴(4a)을 제거한 후(도 2의 (c) 참조), 에칭 마스크막 패턴(3a)을 마스크로 하여, 차광막(2)을 드라이 에칭하여, 차광막 패턴(2a)을 형성한다. 드라이 에칭 가스로서는, 염소계 가스(염소와 산소의 혼합 가스를 포함함)를 이용할 수 있다.
이렇게 하여, 바이너리 전사용 마스크(20)가 얻어진다(도 2의 (d) 참조).
[제2 실시 형태]
도 3의 (a)∼도 3의 (g)를 참조하여, 본 발명의 제2 실시 형태를 설명한다.
본 실시 형태에 따른 마스크 블랭크는, 전술한 제1 실시 형태에 따른 마스크 블랭크에서의, 투광성 기판(1)과 차광막(2) 사이에 위상 시프트막(5)이 형성되어 있는 구조의 위상 시프트 마스크 블랭크(11)이다(도 3의 (a) 참조).
본 실시 형태에서의, 투광성 기판(1), 차광막(2), 및 에칭 마스크막(3)에 대해서는 제1 실시 형태와 마찬가지이므로, 여기서는 중복된 설명은 생략한다.
상기 위상 시프트막(5)은, 실질적으로 노광에 기여하지 않는 강도의 광(예를 들면, 노광 파장에 대하여 1％∼20％)을 투과시키는 것으로서, 소정의 위상차(예를 들면 180도)를 발생시키는 것이고, 이 위상 시프트막을 패터닝한 광 반투과부와, 위상 시프트막이 형성되어 있지 않은 실질적으로 노광에 기여하는 강도의 광을 투과시키는 광 투과부에 의해, 광 반투과부를 투과한 광의 위상이 광 투과부를 투과한 광의 위상에 대하여 실질적으로 반전된 관계로 되도록 함으로써, 광 반투과부와 광 투과부와의 경계부 근방을 통과하여 회절 현상에 의해 서로 상대의 영역으로 감돌아 들어간 광이 서로 상쇄되도록 하여, 경계부에서의 광 강도를 거의 제로로 하여 경계부의 콘트라스트 즉 해상도를 향상시키는 것이다.
이 위상 시프트막(5)으로서는, 바람직하게는, 천이 금속 및 규소에, 질소 및 산소 중 적어도 1개의 원소를 더 함유하는 재료를 들 수 있지만, 예를 들면 천이 금속 실리사이드의 질화물, 산화물 또는 산질화물을 함유하는 재료가 바람직하다. 천이 금속에는, 몰리브덴, 탄탈, 텅스텐, 티탄, 크롬, 하프늄, 니켈, 바나듐, 지르코늄, 루테늄, 로듐 등이 적용 가능하다. 또한, 위상 시프트막(5)은, 단층이어도 복수층이어도 무방하다.
본 실시 형태에 따른 마스크 블랭크(위상 시프트 마스크 블랭크)에서도, 에칭 마스크막은, 불소계 가스에서의 높은 드라이 에칭 레이트가 얻어져, 레지스트와의 사이에서 높은 에칭 선택성이 얻어지기 때문에, 에칭 마스크막을 이용하는 것에 의한 레지스트막의 박막화를 충분히 달성할 수 있다. 구체적으로는, 레지스트막은, 막 두께를 예를 들면 50㎚∼180㎚의 범위로 박막화할 수 있다.
또한, 마스크 블랭크의 표면에 실란계 커플링제(특히 HMDS)에 의한 표면 처리를 실시해도 종래와 같은 원 형상의 도포 결함의 발생은 없어, 양호한 레지스트 도포성이 얻어져, 제조 안정성이 높은 마스크 블랭크가 얻어진다.
다음으로, 도 3의 (a)∼도 3의 (g)에 따라서, 본 실시 형태에 따른 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 제조 공정을 설명한다.
본 실시 형태의 마스크 블랭크(11)(도 3의 (a) 참조)는, 투광성 기판(1) 상에, 위상 시프트막(5)과 차광막(2)과 에칭 마스크막(3)을 구비하고, 이 에칭 마스크막(3)의 표면에는 실란계 커플링제에 의한 표면 처리가 실시되어, 에칭 마스크막(3)의 표면에 접하여 레지스트막(4)이 형성되어 있는 구조의 것이다.
우선, 그 레지스트막(4)에 대하여, 전자선 묘화 장치를 이용하여 원하는 패턴 묘화를 행한 후, 소정의 현상액으로 현상하여 레지스트 패턴(4a)을 형성한다(도 3의 (b) 참조).
다음으로, 상기 레지스트 패턴(4a)을 마스크로 하여, 에칭 마스크막(3)을 드라이 에칭하여, 에칭 마스크막 패턴(3a)을 형성한다(도 3의 (c) 참조). 드라이 에칭 가스로서는, 불소계 가스를 이용할 수 있다.
다음으로, 잔존하는 레지스트 패턴(4a)을 제거한 후(도 3의 (d) 참조), 에칭 마스크막 패턴(3a)을 마스크로 하여, 차광막(2)을 드라이 에칭하여, 차광막 패턴(2a)을 형성한다(도 3의 (e) 참조). 드라이 에칭 가스로서는, 염소계 가스(염소와 산소의 혼합 가스를 포함함)를 이용할 수 있다.
다음으로, 차광막 패턴(2a)을 마스크로 하여, 위상 시프트막(5)을 드라이 에칭하여, 위상 시프트막 패턴(5a)을 형성한다(도 3의 (f) 참조). 이 경우의 드라이 에칭 가스로서는, 불소계 가스를 이용할 수 있다. 또한, 이 단계에서, 불소계 가스에 의해 에칭 마스크막 패턴(3a)은 거의 제거된다.
이렇게 해서, 위상 시프트 마스크(전사용 마스크)(21)가 얻어지지만, 위상 시프트 마스크의 구조에 따라서는, 상기 차광막 패턴(2a)을 더 제거해도 되고, 혹은, 도 3의 (g)에 도시한 바와 같이, 상기 차광막 패턴(2a)을 포토리소그래피 공정에 의해 패터닝하여, 차광대(2b)를 형성한 위상 시프트 마스크(22)로 해도 된다.
[실시예]
이하, 실시예에 의해, 본 발명의 실시 형태를 더욱 구체적으로 설명한다. 아울러, 실시예에 대한 비교예에 대해서도 설명한다.
(실시예 1)
석영 글래스로 이루어지는 투광성 기판 상에, 매엽식 DC 스퍼터 장치를 이용하여, 스퍼터 타깃에 크롬 타깃을 사용하여, 아르곤과 이산화탄소와 질소와 헬륨의 혼합 가스 분위기(가스압 0.2㎩, 가스 유량비 Ar : CO2 : N2 : He=24 : 29 : 12 : 35) 속에서, DC 전원의 전력을 1.7㎾로 하여, 반응성 스퍼터링을 행함으로써, 막 두께 39㎚의 CrOCN층을 형성하였다. 다음으로, 크롬 타깃을 사용하여, 아르곤과 일산화질소와 헬륨의 혼합 가스 분위기(가스압 0.2㎩, 가스 유량비 Ar : NO : He=27 : 18 : 55) 속에서, DC 전원의 전력을 1.7㎾로 하여, 반응성 스퍼터링을 행함으로써, 막 두께 17㎚의 CrON층을 형성하였다. 마지막으로, 크롬 타깃을 사용하여, 아르곤과 이산화탄소와 질소와 헬륨의 혼합 가스 분위기(가스압 0.2㎩, 가스 유량비 Ar : CO2 : N2 : He=21 : 37 : 11 : 31) 속에서, DC 전원의 전력을 1.8㎾로 하여, 반응성 스퍼터링을 행함으로써, 막 두께 14㎚의 CrOCN층을 형성하였다. 이상의 공정에 의해, 총 막 두께가 70㎚인 차광막이 형성되었다. 또한, 이 차광막은, 파장 193㎚에서 광학 농도(O.D.)가 3.1이었다.
다음으로, 스퍼터 타깃에 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)과의 혼합 타깃(원자％비 Mo : Si=4 : 96)을 이용하여, 아르곤(Ar)과 산소와 질소와 헬륨과의 혼합 가스 분위기(가스압 0.1㎩, 가스 유량비 Ar : O2 : N2 : He=6 : 5 : 11 : 16)에서, DC 전원의 전력을 3.0㎾로 하여, MoSiON막(에칭 마스크막, Mo : 2.5원자％, Si : 62.7원자％, O : 12.4원자％, N : 22.4원자％)을 막 두께 15㎚로 성막하였다.
다음으로, 상기한 바와 같이 하여 제작된 마스크 블랭크를 이용하여 바이너리 전사용 마스크를 제작하였다. 우선, 마스크 블랭크의 표면에 HMDS 처리를 소정의 조건에서 실시한 후, 전자선 묘화용 화학 증폭형 포지티브 레지스트막(후지 필름 일렉트로닉스 머테리얼즈사제 PRL009)을 형성하였다. 레지스트막의 형성은, 스피너(회전 도포 장치)를 이용하여, 회전 도포하였다. 상기 레지스트막을 도포한 후, 가열 건조 장치를 이용하여 소정의 가열 건조 처리를 행하였다. 레지스트막의 막 두께는 100㎚로 하였다. 형성한 레지스트막에 대하여, 결함 검사 장치(레이저테크사제 M2350)로 결함 검사를 행하였다. 결함 검사는, 전사 패턴을 형성하는 영역인 마스크 블랭크의 중심으로부터 132㎜×132㎜ 내의 영역에 대하여, 고감도 모드에서 행하였다. 그 결과를 도 4에 도시한다. 레지스트막에 원 형상의 도포 얼룩 결함은 발생하지 않고, 검출한 결함도 DRAM 하프 피치 45㎚ 세대의 마스크 블랭크로서는 허용 범위 내로, 레지스트 도포성은 양호하였다.
다음으로 상기 마스크 블랭크 상에 형성된 레지스트막에 대하여, 전자선 묘화 장치를 이용하여 원하는 패턴 묘화를 행한 후, 소정의 현상액으로 현상하여 레지스트 패턴을 형성하였다. 이 때, 레지스트 패턴의 쓰러짐이나 결함은 발생하지 않았다.
다음으로, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여, MoSiON막으로 이루어지는 에칭 마스크막의 드라이 에칭을 행하여 에칭 마스크막 패턴을 형성하였다. 드라이 에칭 가스로서, SF6와 He의 혼합 가스를 이용하였다.
다음으로, 잔존하는 레지스트 패턴을 박리한 후, 상기 에칭 마스크막을 마스크로 하여, 차광층과 반사 방지층으로 이루어지는 차광막의 드라이 에칭을 행하여 차광막 패턴을 형성하였다. 드라이 에칭 가스로서, Cl2와 O2의 혼합 가스(Cl2 : O2=4 : 1)를 이용하였다.
이상과 같이 하여 바이너리 전사용 마스크를 얻었다. 차광막 패턴의 CD 변화량은 2㎚ 이하로, 양호한 패턴 정밀도로 형성되어 있었다.
본 실시예와 같이, Mo 함유 비율(Mo와 Si의 합계 함유량[원자％]을 100으로 하였을 때의 Mo의 함유량[원자％]의 비율을 백분율[％]로 나타낸 것. 이하, 마찬가지임)이 9％ 미만인 MoSiON으로 이루어지는 에칭 마스크막을 이용함으로써, 레지스트막 두께를 박막화할 수 있고, 레지스트와의 밀착성을 향상시키기 위해서 HMDS 처리를 실시한 경우에도 양호한 레지스트 도포성을 갖는다.
(실시예 2)
석영 글래스로 이루어지는 투광성 기판 상에, 매엽식 DC 스퍼터 장치를 이용하여, 스퍼터 타깃에 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)과의 혼합 타깃(원자％비 Mo : Si=10 : 90)을 이용하여, 아르곤(Ar)과 질소(N2)와 헬륨(He)의 혼합 가스 분위기(가스압 0.3㎩, 가스 유량비 Ar : N2 : He=5 : 49 : 46)에서, DC 전원의 전력을 2.8㎾로 하여, 반응성 스퍼터링(DC 스퍼터링)에 의해, 막 두께 69㎚의 MoSiN막을 형성하였다. 다음으로, 위상 시프트막이 형성된 기판을 250℃에서 5분간 가열 처리(어닐링 처리)하여, 몰리브덴, 실리콘, 및 질소를 주된 구성 요소로 하는 단층으로 구성된 ArF 엑시머 레이저(파장 193㎚)용 위상 시프트막을 형성하였다. 또한, 이 위상 시프트막은, ArF 엑시머 레이저(파장 193㎚)에서, 투과율은 5.24％, 위상차가 173.85도로 되어 있었다.
다음으로, 매엽식 DC 스퍼터 장치를 이용하여, 스퍼터 타깃에 크롬 타깃을 사용하여, 아르곤과 이산화탄소와 질소와 헬륨의 혼합 가스 분위기(가스압 0.2㎩, 가스 유량비 Ar : CO2 : N2 : He=22 : 39 : 6 : 33) 속에서, DC 전원의 전력을 1.7㎾로 하여, 반응성 스퍼터링을 행함으로써, 막 두께 30㎚의 CrOCN층을 형성하였다. 다음으로, 크롬 타깃을 사용하여, 아르곤과 질소의 혼합 가스 분위기(가스압 0.1㎩, 가스 유량비 Ar : N2=83 : 17) 속에서, DC 전원의 전력을 1.7㎾로 하여, 반응성 스퍼터링을 행함으로써, 막 두께 4㎚의 CrN층을 형성하였다. 마지막으로, 크롬 타깃을 사용하여, 아르곤과 이산화탄소와 질소와 헬륨의 혼합 가스 분위기(가스압 0.2㎩, 가스 유량비 Ar : CO2 : N2 : He=21 : 37 : 11 : 31) 속에서, DC 전원의 전력을 1.8㎾로 하여, 반응성 스퍼터링을 행함으로써, 막 두께 14㎚의 CrOCN층을 형성하였다. 이상의 공정에 의해, 총 막 두께가 48㎚인 차광막이 형성되었다. 또한, 이 차광막은, 위상 시프트막과의 적층 구조에서 파장 193㎚에서의 광학 농도(O.D.)가 3.1이었다.
다음으로, 스퍼터 타깃에 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)과의 혼합 타깃(원자％비 Mo : Si=4 : 96)을 이용하여, 아르곤(Ar)과 질소(N2)와 헬륨(He)과의 혼합 가스 분위기(가스압 0.1㎩, 가스 유량비 Ar : N2 : He=6 : 11 : 16)에서, DC 전원의 전력을 3.0㎾로 하여, MoSiN막(에칭 마스크막, Mo : 2.3원자％, Si : 56.6원자％, N : 41.1원자％)을 막 두께 10㎚로 성막하였다.
다음으로, 상기한 바와 같이 하여 제작된 위상 시프트 마스크 블랭크를 이용하여 위상 시프트 마스크를 제작하였다. 우선, 마스크 블랭크의 표면에 HMDS 처리를 소정의 조건에서 실시한 후, 전자선 묘화용 화학 증폭형 포지티브 레지스트막(후지 필름 일렉트로닉스 머테리얼즈사제 PRL009)을 형성하였다. 레지스트막의 형성은, 스피너(회전 도포 장치)를 이용하여, 회전 도포하였다. 상기 레지스트막을 도포한 후, 가열 건조 장치를 이용하여 소정의 가열 건조 처리를 행하였다. 레지스트막의 막 두께는 90㎚로 하였다. 형성한 레지스트막에 대하여, 결함 검사 장치(레이저테크사제 M2350)로 결함 검사를 행하였다. 결함 검사는, 전사 패턴을 형성하는 영역인 마스크 블랭크의 중심으로부터 132㎜×132㎜ 내의 영역에 대하여, 고감도 모드에서 행한 바, 실시예 1의 경우와 동일하게 레지스트막에 원 형상의 도포 얼룩 결함은 발생하고 있지 않고, 검출한 결함도 DRAM 하프 피치 32㎚ 세대의 마스크 블랭크로서는 허용 범위 내로, 레지스트 도포성은 양호하였다.
다음으로 상기 마스크 블랭크 상에 형성된 레지스트막에 대하여, 전자선 묘화 장치를 이용하여 원하는 패턴 묘화를 행한 후, 소정의 현상액으로 현상하여 레지스트 패턴을 형성하였다.
다음으로, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여, MoSiN막으로 이루어지는 에칭 마스크막의 드라이 에칭을 행하여 에칭 마스크막 패턴을 형성하였다. 드라이 에칭 가스로서, SF6와 He의 혼합 가스를 이용하였다.
다음으로, 잔존하는 레지스트 패턴을 박리한 후, 상기 에칭 마스크막을 마스크로 하여, 차광층과 반사 방지층으로 이루어지는 차광막의 드라이 에칭을 행하여 차광막 패턴을 형성하였다. 드라이 에칭 가스로서, Cl2와 O2의 혼합 가스(Cl2 : O2=4 : 1)를 이용하였다.
다음으로, 상기 차광막 패턴을 마스크로 하여, MoSiN막으로 이루어지는 위상 시프트막의 드라이 에칭을 행하여 위상 시프트막 패턴을 형성하였다. 드라이 에칭 가스로서, SF6와 He의 혼합 가스를 이용하였다. 또한, 이 위상 시프트막의 드라이 에칭 시에, 상기 에칭 마스크막 패턴은 제거되었다.
다음으로, 재차 상기와 동일한 레지스트막을 전체면에 도포하고, 전사 영역 내의 불필요한 차광막 패턴을 제거하기 위한 패턴 노광을 행한 후, 그 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하였다. 다음으로, 드라이 에칭을 이용하여 불필요한 차광막 패턴을 제거하고, 잔존하는 레지스트 패턴을 박리하여, 위상 시프트 마스크를 얻었다.
이상과 같이 하여 위상 시프트 마스크를 제작하였다. 위상 시프트막 패턴의 CD 변화량은 2㎚ 미만으로, 양호한 패턴 정밀도로 형성되어 있었다.
본 실시예와 같이, Mo 함유 비율 9％ 미만의 MoSiN으로 이루어지는 에칭 마스크막을 이용함으로써, 레지스트막 두께를 박막화할 수 있고, 레지스트와의 밀착성을 향상시키기 위해서 HMDS 처리를 실시한 경우에도 양호한 레지스트 도포성을 갖는다.
(실시예 3)
석영 글래스로 이루어지는 투광성 기판 상에, 실시예 2와 마찬가지의 프로세스에서, ArF 엑시머 레이저(파장 193㎚)용 위상 시프트막과 크롬을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 차광막을 순서대로 형성하였다.
다음으로, 스퍼터 타깃에 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)과의 혼합 타깃(원자％비 Mo : Si=4 : 96)을 이용하여, 아르곤(Ar)과 산소와 질소와 헬륨과의 혼합 가스 분위기에서, MoSiON막(에칭 마스크막, Mo : 1.8원자％, Si : 37.2원자％, O : 12.9원자％, N : 48.1원자％)을 막 두께 10㎚로 성막하였다.
다음으로, 상기한 바와 같이 하여 제작된 위상 시프트 마스크 블랭크를 이용하여 위상 시프트 마스크를 제작하였다. 우선, 마스크 블랭크의 표면에 HMDS 처리를 소정의 조건에서 실시한 후, 전자선 묘화용 화학 증폭형 포지티브 레지스트막(후지 필름 일렉트로닉스 머테리얼즈사제 PRL009)을 형성하였다. 레지스트막의 형성은, 스피너(회전 도포 장치)를 이용하여, 회전 도포하였다. 상기 레지스트막을 도포한 후, 가열 건조 장치를 이용하여 소정의 가열 건조 처리를 행하였다. 레지스트막의 막 두께는 90㎚로 하였다. 형성한 레지스트막에 대하여, 결함 검사 장치(레이저테크사제 M2350)로 결함 검사를 행하였다. 결함 검사는, 전사 패턴을 형성하는 영역인 마스크 블랭크의 중심으로부터 132㎜×132㎜ 내의 영역에 대하여, 고감도 모드에서 행한 바, 실시예 1의 경우와 동일하게 레지스트막에 원 형상의 도포 얼룩 결함은 발생하지 않고, 검출한 결함도 DRAM 하프 피치 32㎚ 세대의 마스크 블랭크로서는 허용 범위 내로, 레지스트 도포성은 양호하였다.
다음으로 상기 마스크 블랭크 상에 형성된 레지스트막에 대하여, 실시예 2와 마찬가지의 프로세스에서 위상 시프트 마스크를 제작하였다. 위상 시프트막 패턴의 CD 변화량은 2㎚ 미만으로, 양호한 패턴 정밀도로 형성되어 있었다.
본 실시예와 같이, Mo 함유 비율 9％ 미만의 MoSiON으로 이루어지는 에칭 마스크막을 이용함으로써, 레지스트막 두께를 박막화할 수 있고, 레지스트와의 밀착성을 향상시키기 위해서 HMDS 처리를 실시한 경우에도 양호한 레지스트 도포성을 갖는다.
(비교예)
석영 글래스로 이루어지는 투광성 기판 상에, 매엽식 스퍼터 장치를 이용하여, 스퍼터 타깃에 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)과의 혼합 타깃(원자％비 Mo : Si=10 : 90)을 이용하여, 아르곤(Ar)과 질소(N2)와 헬륨(He)의 혼합 가스 분위기(가스압 0.3㎩, 가스 유량비 Ar : N2 : He=5 : 49 : 46)에서, DC 전원의 전력을 2.8㎾로 하여, 반응성 스퍼터링(DC 스퍼터링)에 의해, 막 두께 69㎚의 MoSiN막을 형성하였다. 다음으로, 위상 시프트막이 형성된 기판을 250℃에서 5분간 가열 처리(어닐링 처리)하여, 몰리브덴, 실리콘, 및 질소를 주된 구성 요소로 하는 단층으로 구성된 ArF 엑시머 레이저(파장 193㎚)용 위상 시프트막을 형성하였다. 또한, 이 위상 시프트막은, ArF 엑시머 레이저(파장 193㎚)에서, 투과율은 5.24％, 위상차가 173.85도로 되어 있었다.
다음으로, 매엽식 DC 스퍼터 장치를 이용하여, 스퍼터 타깃에 크롬 타깃을 사용하여, 아르곤과 이산화탄소와 질소와 헬륨의 혼합 가스 분위기(가스압 0.2㎩, 가스 유량비 Ar : CO2 : N2 : He=22 : 39 : 6:33) 속에서, DC 전원의 전력을 1.7㎾로 하여, 반응성 스퍼터링을 행함으로써, 막 두께 30㎚의 CrOCN층을 형성하였다. 다음으로, 크롬 타깃을 사용하여, 아르곤과 질소의 혼합 가스 분위기(가스압 0.1㎩, 가스 유량비 Ar : N2=83 : 17) 속에서, DC 전원의 전력을 1.7㎾로 하여, 반응성 스퍼터링을 행함으로써, 막 두께 4㎚의 CrN층을 형성하였다. 마지막으로, 크롬 타깃을 사용하여, 아르곤과 이산화탄소와 질소와 헬륨의 혼합 가스 분위기(가스압 0.2㎩, 가스 유량비 Ar : CO2 : N2 : He=21 : 37 : 11 : 31) 속에서, DC 전원의 전력을 1.8㎾로 하여, 반응성 스퍼터링을 행함으로써, 막 두께 14㎚의 CrOCN층을 형성하였다. 이상의 공정에 의해, 총 막 두께가 48㎚인 차광막이 형성되었다. 또한, 이 차광막은, 위상 시프트막과의 적층 구조에서 파장 193㎚에서의 광학 농도(O.D.)가 3.1이었다.
다음으로, 스퍼터 타깃에 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)과의 혼합 타깃(원자％비 Mo : Si=9.5 : 90.5)을 이용하여, 아르곤(Ar)과 질소와 헬륨과의 혼합 가스 분위기(가스압 0.1㎩, 가스 유량비 Ar : N2 : He=5 : 49 : 46)에서, DC 전원의 전력을 3.0㎾로 하여, MoSiN막(에칭 마스크막, Mo : 5.1원자％, Si : 47.1원자％, N : 47.8원자％)을 막 두께 10㎚로 성막하였다.
다음으로, 상기한 바와 같이 하여 제작된 위상 시프트 마스크 블랭크를 이용하여 위상 시프트 마스크를 제작하였다. 우선, 마스크 블랭크의 표면에 HMDS 처리를 소정의 조건에서 실시한 후, 전자선 묘화용 화학 증폭형 포지티브 레지스트막(후지 필름 일렉트로닉스 머테리얼즈사제 PRL009)을 형성하였다. 레지스트막의 형성은, 스피너(회전 도포 장치)를 이용하여, 회전 도포하였다. 상기 레지스트막을 도포한 후, 가열 건조 장치를 이용하여 소정의 가열 건조 처리를 행하였다. 레지스트막의 막 두께는 90㎚로 하였다. 형성한 레지스트막에 대하여, 결함 검사 장치(레이저테크사제 M2350)로 결함 검사를 행하였다. 결함 검사는, 전사 패턴을 형성하는 영역인 마스크 블랭크의 중심으로부터 132㎜×132㎜ 내의 영역에 대하여, 저감도 모드에서 행하였다. 그 결과를 도 5에 도시한다. 결함 검출 감도가 낮은 저감도 모드에서 검사를 행하였음에도 불구하고, 레지스트막에 원 형상의 도포 얼룩 결함이 현저하게 발생해 있다. DRAM 하프 피치 32㎚ 세대는 물론 45㎚ 세대의 마스크 블랭크로서도 허용할 수 없는 결함이었다.
이 이후는, 실시예 2와 마찬가지로 하여, 위상 시프트 마스크를 제작하였다.
얻어진 위상 시프트 마스크에서의 위상 시프트막 패턴은, 레지스트막의 결함에 기인하여, 전사 패턴에 백 결함이나 흑 결함이 다발하고 있고, CD 변화량도, 레지스트막의 도포 결함이 원인으로, 10㎚ 이상으로 커서, 이미 반도체 디자인 룰hp45 세대 이후의 전사용 마스크로서는 사용할 수 없다.
(참고예)
참고예는, 투광성 기판에 위상 시프트막과 차광막을 형성하는 부분까지는, 실시예 2와 마찬가지의 프로세스에서 행하였다. 다음으로, 스퍼터 타깃에 실리콘(Si) 타깃을 이용하여, 아르곤과 질소와 산소의 혼합 가스 분위기에서, SiON막(에칭 마스크막 Si : O : N=35 : 45 : 10[원자％])을 막 두께 10㎚로 성막하여, 위상 시프트 마스크 블랭크를 제작하였다.
다음으로, 실시예 1, 실시예 2 및 참고예의 각 마스크 블랭크에 대하여, 에칭 마스크막을 드라이 에칭할 때의 종점 검출에, 광학적 에칭 종점 검출을 적용하였을 때의 특성의 차이에 대하여 검증을 행하였다. 사용한 광학적 에칭 종점 검출 장치는, 파장 600∼700㎚의 광(적색 레이저광)을 에칭 마스크막의 표면에 조사하였을 때의 표면 반사광을 광전 변환기에 수광하여 반사광의 증감을 전기 신호로 취득하고, 그 전기 신호의 변화(반사광의 변화)로 에칭 종점을 검출하는 것이다. 도 6에, 실시예 1[도 6의 (a)], 실시예 2[도 6의 (b)] 및 참고예 1[도 6의 (c)]의 각 마스크 블랭크에 대하여, SF6와 He의 혼합 가스를 에칭 가스로 한 드라이 에칭을 행하고 있는 동안에서의 광학적 에칭 종점 검출 장치의 광전 변환기로부터 얻어지는 전기 신호 강도의 변화에 대하여, 각각 나타낸다.
실시예 1의 MoSiON막에서는, 전기 신호 강도(게인)의 변화가 커서, 에칭 종점의 검출을 용이하게 할 수 있다. 또한, 실시예 2의 MoSiN막에서는, 전기 신호 강도(게인)의 변화가 비교적 커서, 에칭 종점의 검출이 충분히 가능하다. 이에 대하여, 참고예의 SiON막의 경우, 적색 레이저광에 대한 투과성이 높기(반사율이 낮기) 때문에, 전기 신호 강도(게인)의 변화가 작아, 에칭 종점의 검출이 어렵다. SiON막의 경우는, 다른 에칭 종점 검출 방법을 사용하는 것이 바람직하다.
이상, 본 발명에 대하여 실시 형태를 이용하여 설명하였지만, 본 발명의 기술적 범위는 상기 실시 형태에 기재된 범위에는 한정되지 않는다. 상기 실시 형태에, 다양한 변경 또는 개량을 가하는 것이 가능한 것이 당업자에게 명백하다. 그와 같은 변경 또는 개량을 가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있는 것이, 특허 청구 범위의 기재로부터 명백하다.

Claims (15)

  1. 투광성 기판 상에, 염소계 가스로 드라이 에칭 가능한 금속인 크롬을 함유하는 재료로 형성되는 차광막을 구비하는 마스크 블랭크로서,
    상기 차광막의 상면에 접하고, 천이 금속 및 규소에, 질소 및 산소 중 적어도 한쪽의 원소를 더 함유하는 재료로 형성되는 에칭 마스크막이 형성되고, 그 에칭 마스크막 중의 천이 금속과 규소의 합계 함유량[원자 %]에 대한 천이 금속의 함유량[원자 %]의 비율의 백분율이 1％ 이상 5％ 이하인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 에칭 마스크막의 표면에, 실란계 커플링제에 의한 표면 처리가 실시되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 실란계 커플링제는, 헥사메틸디실라잔(Hexamethyldisilazane)인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  4. 제2항에 있어서,
    실란계 커플링제에 의한 표면 처리가 실시된 상기 에칭 마스크막의 표면에 접하여 레지스트막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 에칭 마스크막 중의 천이 금속은, 몰리브덴(Mo)인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 에칭 마스크막은, 막 두께가 5㎚∼20㎚인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 레지스트막은, 막 두께가 50㎚∼180㎚인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제1항에 있어서,
    상기 투광성 기판과 상기 차광막과의 사이에 위상 시프트막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 위상 시프트막은, 천이 금속 및 규소에, 질소 및 산소 중 적어도 한쪽의 원소를 더 함유하는 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 위상 시프트막 중의 천이 금속은, 몰리브덴(Mo)인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  14. 제1항에 기재된 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 제조 방법으로서,
    상기 에칭 마스크막의 표면에, 실란계 커플링제에 의한 표면 처리를 실시하는 공정과,
    상기 표면 처리 후의 에칭 마스크막의 표면에 접하여 레지스트막을 형성하는 공정과,
    상기 레지스트막에 전사 패턴을 노광하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정과,
    상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 에칭 마스크막을 불소계 가스로 드라이 에칭하여, 에칭 마스크막 패턴을 형성하는 공정과,
    상기 에칭 마스크막 패턴을 마스크로 하여, 상기 차광막을 염소계 가스로 드라이 에칭하여, 차광막 패턴을 형성하는 공정
    을 갖는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크의 제조 방법.
  15. 제11항에 기재된 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 제조 방법으로서,
    상기 에칭 마스크막의 표면에, 실란계 커플링제에 의한 표면 처리를 실시하는 공정과,
    상기 표면 처리 후의 에칭 마스크막의 표면에 접하여 레지스트막을 형성하는 공정과,
    상기 레지스트막에 전사 패턴을 노광하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정과,
    상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 에칭 마스크막을 불소계 가스로 드라이 에칭하여, 에칭 마스크막 패턴을 형성하는 공정과,
    상기 에칭 마스크막 패턴을 마스크로 하여, 상기 차광막을 염소계 가스로 드라이 에칭하여, 차광막 패턴을 형성하는 공정과,
    상기 차광막 패턴을 마스크로 하여, 상기 위상 시프트막을 불소계 가스로 드라이 에칭하여, 위상 시프트막 패턴을 형성하는 공정
    을 갖는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크의 제조 방법.
KR1020110003903A 2010-01-16 2011-01-14 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법 KR101780068B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2010-007590 2010-01-16
JP2010007590 2010-01-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110084374A KR20110084374A (ko) 2011-07-22
KR101780068B1 true KR101780068B1 (ko) 2017-09-21

Family

ID=44277824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110003903A KR101780068B1 (ko) 2010-01-16 2011-01-14 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8409772B2 (ko)
JP (1) JP5704754B2 (ko)
KR (1) KR101780068B1 (ko)
TW (1) TWI519887B (ko)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5939662B2 (ja) * 2011-09-21 2016-06-22 Hoya株式会社 マスクブランクの製造方法
KR101921759B1 (ko) * 2011-09-21 2018-11-23 호야 가부시키가이샤 전사용 마스크의 제조 방법
JP5795991B2 (ja) * 2012-05-16 2015-10-14 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法、および位相シフトマスクの製造方法
JP5739375B2 (ja) * 2012-05-16 2015-06-24 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスクの製造方法
JP6118038B2 (ja) * 2012-05-22 2017-04-19 Hoya株式会社 マスクブランクの欠陥検査方法、マスクブランクの製造方法、及び転写用マスクの製造方法
JP5906143B2 (ja) * 2012-06-27 2016-04-20 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
JP6111059B2 (ja) * 2012-12-07 2017-04-05 Hoya株式会社 基板冷却装置及びマスクブランクの製造方法
JP6266919B2 (ja) * 2013-08-19 2018-01-24 Hoya株式会社 転写用マスクの製造方法
JP6258151B2 (ja) * 2013-09-25 2018-01-10 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクおよびその製造方法
JP6234898B2 (ja) * 2013-09-25 2017-11-22 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法
JP6292581B2 (ja) 2014-03-30 2018-03-14 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP6612326B2 (ja) * 2015-03-19 2019-11-27 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
JP6523873B2 (ja) * 2015-08-27 2019-06-05 Hoya株式会社 マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、およびマスクブランク
KR102368405B1 (ko) * 2015-11-06 2022-02-28 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
JP6713336B2 (ja) * 2016-04-21 2020-06-24 Hoya株式会社 マスクブランクの製造方法、および転写用マスクの製造方法
CN105842981B (zh) * 2016-05-03 2020-01-07 岭南师范学院 一种低成本精密芯片模具光刻掩膜的制备方法
JP6753375B2 (ja) * 2017-07-28 2020-09-09 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法
JP7491681B2 (ja) 2019-02-05 2024-05-28 株式会社トッパンフォトマスク クロムブランクス、フォトマスクの製造方法、およびインプリントモールドの製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006146151A (ja) * 2004-10-22 2006-06-08 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4319920B2 (ja) * 2004-02-04 2009-08-26 ミサワホーム株式会社 浴室周辺構造
JP2006078825A (ja) * 2004-09-10 2006-03-23 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法
TWI375114B (en) 2004-10-22 2012-10-21 Shinetsu Chemical Co Photomask-blank, photomask and fabrication method thereof
JP4413828B2 (ja) * 2004-10-22 2010-02-10 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法
JP2007116073A (ja) * 2005-09-21 2007-05-10 Nikon Corp 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP4509050B2 (ja) * 2006-03-10 2010-07-21 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP4737426B2 (ja) * 2006-04-21 2011-08-03 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク
JP5393972B2 (ja) 2007-11-05 2014-01-22 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク及び転写用マスクの製造方法
JP5323526B2 (ja) 2008-04-02 2013-10-23 Ｈｏｙａ株式会社 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法
JP4702905B2 (ja) * 2009-05-29 2011-06-15 Ｈｏｙａ株式会社 位相シフトマスクの製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006146151A (ja) * 2004-10-22 2006-06-08 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8409772B2 (en) 2013-04-02
JP2011164598A (ja) 2011-08-25
JP5704754B2 (ja) 2015-04-22
US20110177436A1 (en) 2011-07-21
TW201214020A (en) 2012-04-01
TWI519887B (zh) 2016-02-01
KR20110084374A (ko) 2011-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101780068B1 (ko) 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법
JP5820557B2 (ja) フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
TWI481949B (zh) 光罩基底、光罩及此等之製造方法
KR101511926B1 (ko) 포토 마스크의 제조방법 및 포토 마스크 블랭크
JP5374599B2 (ja) フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
TWI651583B (zh) 光罩基底、光罩基底之製造方法、相移光罩、相移光罩之製造方法、及半導體裝置之製造方法
TWI461830B (zh) 相位偏移光罩母模、相位偏移光罩及相位偏移光罩母模之製造方法
TWI467316B (zh) 光罩之製造方法
TWI463249B (zh) 光罩基底、光罩及其等之製造方法
WO2004070472A1 (ja) フォトマスクブランク及びフォトマスク、並びにフォトマスクを用いたパターン転写方法
KR20170122181A (ko) 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조방법 및 반도체 디바이스의 제조방법
KR20180026766A (ko) 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
WO2010113787A1 (ja) マスクブランク及び転写用マスクの製造方法
TW201635008A (zh) 光罩基底、相移光罩、相移光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法
TW201841045A (zh) 顯示裝置製造用之相移光罩基底、顯示裝置製造用之相移光罩之製造方法、及顯示裝置之製造方法
JP4614877B2 (ja) フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法
WO2019230312A1 (ja) マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
TWI750341B (zh) 遮罩基底、轉印用遮罩及半導體元件之製造方法
WO2018221201A1 (ja) マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
JP2010044275A (ja) グレートーンマスクブランク及びグレートーンマスク
JP2014160273A (ja) フォトマスクブランクの製造方法およびフォトマスクの製造方法
TW202305498A (zh) 光罩基底、相位偏移光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法
KR20230114714A (ko) 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법
JP2019012184A (ja) マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant