JP6292581B2 - マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
しかし、クロム系遮光膜で組成に含まれるクロム元素の割合が多ければ、エッチングレートが遅いため、下面におけるスペース形成を確実に行うにはオーバーエッチングを長く行う必要が生じる。しかし、オーバーエッチングを長く行うと、その下の層である金属シリサイド系の転写用マスク膜の表面にダメージを与えてしまうため、オーバーエッチングをあまり掛けられないという問題もある。
また、クロム系遮光膜のドライエッチングに用いる塩素と酸素の混合ガスは等方性エッチングの性質を有するため、クロム成分が少なくエッチングレートが速くて膜厚が厚ければパターンの側壁もエッチングガスによって侵食されてしまい、上層のハードマスク膜パターンよりも遮光膜パターンが細くなり、この遮光膜パターンをマスクとしてパターニングして形成される転写用マスク膜のパターン精度が劣化する。
この対策として、遮光膜パターンの細りを考慮してレジストパターンのライン部分の寸法を広く、スペース部分の寸法を狭く設定する方法がある。しかし、レジストパターンのスペース幅寸法が狭いと、スペースの形成に係る現像が困難になるという問題もある。
すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
透光性基板上に、光半透過膜、遮光膜及びハードマスク膜が順に積層された構造を有するマスクブランクであって、前記光半透過膜は、少なくともケイ素を含有しており、前記ハードマスク膜は、前記遮光膜上の表面に接して形成され、ケイ素とタンタルのいずれか一方または両方を含有しており、前記遮光膜は、下層及び上層の積層構造であって、少なくともクロムを含有しており、前記上層は、クロムの含有量が65原子%以上であり、かつ、酸素の含有量が20原子%未満であり、前記下層は、クロムの含有量が60原子%未満であり、かつ、酸素の含有量が20原子%以上である、ことを特徴とするマスクブランク。
構成1の光半透過膜に採用されているケイ素系化合物は加熱処理等による膜の損傷が少ないことから、300℃以上に加熱する処理を行うことができる。スパッタリングによって成膜された金属シリサイド系の薄膜は、前述の加熱処理により膜応力を無視できる程度に軽減することができる。その一方、クロム系薄膜は、成膜後に高温処理を行うと膜質が大きく変化するため、積極的に高温処理されない。このため、クロム系薄膜はスパッタリング成膜後に熱処理等の後処理によって膜応力を軽減することが難しい。さらに、クロム薄膜を形成した後にケイ素系薄膜やタンタル系薄膜のハードマスク膜を形成した場合には、ケイ素系薄膜やタンタル系薄膜を形成後に加熱することができないため、それらの膜応力を軽減させることが困難となる。
クロム系薄膜の膜応力は、クロム元素の割合が少なければ弱い圧縮応力傾向を示し、クロム元素の割合が増えるにつれて圧縮応力が徐々に弱まり、そしてさらにクロム元素の割合が増えると強い引張応力傾向になる。構成1は、クロム元素の割合が低く圧縮応力傾向の下層の上に、クロム元素の割合が多く引張応力傾向の応力の傾向である上層が形成されるマスクブランクである。従って、構成1によれば、圧縮応力傾向のクロム元素の割合が少ないクロム系薄膜を薄くすることができることから、遮光膜の総合的な膜応力の不均衡を軽減することができる。さらに、ケイ素系薄膜はアニール処理を行わないと圧縮応力を示すことから、遮光膜に引張応力傾向を付与するクロム元素の割合が高い層を含ませることで、基板上に形成された薄膜の総合的な膜応力を軽減することができる。結果、マスクブランク表面の変形も効果的に抑制することができ、位置精度に優れたパターンを形成することができる。
以上のように、構成1によれば、微細な転写パターンであっても、本発明のマスクブランクの転写用マスク膜となる光半透過膜に高精度で形成することができ、結果、パターン精度に優れた転写用マスクを製造することができる。
前記下層は、クロムの含有量が40原子%以上であることを特徴とする構成1に記載のマスクブランク。
上記構成1によると、遮光膜の下層におけるクロム含有量は60原子%未満であるが、クロム含有量が少なすぎると、例えばArFエキシマレーザー光(波長193nm)における消衰係数kが低くなるため、所定の光学濃度を得るためには、遮光膜(特に下層)の膜厚を厚くする必要が生じる。そこで、構成2にあるように、下層のクロム含有量を40原子%以上とすることで、上記消衰係数kが高くなるため、遮光膜を薄膜化することができ、該遮光膜のパターンをマスクとする光半透過膜のパターニング精度を高められる。
前記下層は、酸素の含有量が30原子%以下であることを特徴とする構成1又は2に記載のマスクブランク。
構成1によると、遮光膜の下層における酸素の含有量は20原子%以上であるが、構成3のように、下層の酸素含有量は30原子%以下であることが好ましい。下層の酸素含有量が30原子%よりも高くなると、下層のエッチングレートが速くなるものの、下層部分のサイドエッチの進行も速くなり、パターン断面における上層と下層の境界に明らかな段差が生じることがある。このような段差が生じると、より微細なパターンを形成する場合に、遮光膜パターンが倒れることが懸念される。
本構成のように、下層の酸素含有量が上記の範囲であれば、下層のエッチングレートが速く保たれ、結果、遮光膜全体のエッチングレートも速く保つことができ、かつ、下層部分のサイドエッチによる影響を抑制することができる。
また、下層に含まれる酸素含有量が上記の範囲であれば、遮光膜パターンと光半透過膜との密着性をより高める効果も得られる。遮光膜と光半透過膜の界面で、酸素元素の移動が生じ、化学結合をもって接合するからである。
前記下層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートは、前記上層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートの3倍以上であることを特徴とする構成1乃至3のいずれかに記載のマスクブランク。
構成4にあるように、遮光膜の下層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートが、上層におけるエッチングレートの3倍以上であることにより、上層から下層にエッチングが移行するときに深さ方向のエッチングレートが速まり、上層でのサイドエッチの進行を抑制しつつ下層の深さ方向のエッチングを完結することができる。
前記下層は、前記光半透過膜側から最下層及び中間層が順に積層された構造からなることを特徴とする構成1乃至4のいずれかに記載のマスクブランク。
構成5のように、下層を、光半透過膜側から最下層及び中間層が順に積層された構造とすることにより、遮光膜の上層と最下層との間に中間層が形成され、三層構造の遮光膜となるので、たとえば各層のクロム含有量を調整して遮光膜のエッチングレートを三段階にコントロールすることで、遮光膜のパターン側壁にサイドエッチの進行度の相違による段差の形成を抑制し、遮光膜のパターンの断面形状を二層構造の遮光膜よりも向上させることができる。
前記最下層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートは、前記上層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートの3倍以上であることを特徴とする構成5に記載のマスクブランク。
構成6にあるように、3層積層構成の遮光膜の最下層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートが、上層におけるエッチングレートの3倍以上であることにより、最下層をエッチングしているときに上層のパターンの側壁部がエッチングされにくいので、上層でのサイドエッチの進行を抑制しつつ最下層の深さ方向のエッチングを完結することができる。
前記最下層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートは、前記中間層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートよりも大きくて且つ2倍以下であることを特徴とする構成5又は6に記載のマスクブランク。
最下層におけるエッチングレートが中間層よりも相対的に速い場合には、中間層から最下層にエッチングが移行するときに深さ方向のエッチングレートが速くなる。構成7にあるように、最下層におけるエッチングレートが中間層におけるエッチングレートの2倍以下であることにより、最下層のエッチング時に、中間層のサイドエッチがより進行する前に最下層のエッチング及びパターンのスペース部分を確実に形成するために必要なオーバーエッチングが完了するため、とくにパターン側壁の中間層と最下層との境界での段差形成を抑制することができる。
また、最下層のエッチングレートが速いとオーバーエッチングの時間を短縮することができるため好ましい。その一方で、最下層のエッチングレートが速すぎると最下層部分でパターン側壁部分のエッチングガスによる侵食が深くなり、光半透過膜と遮光膜パターンの接触領域が狭くなることが懸念される。上記範囲であれば、オーバーエッチングの時間を短縮しつつ、最下層におけるパターン側壁の侵食も抑制することができる。
前記上層は、厚さが1.5nm以上8nm以下であることを特徴とする構成1乃至7のいずれかに記載のマスクブランク。
構成8のように、遮光膜の上層の厚さを1.5nm以上8nm以下の範囲とすることにより、上層のエッチング時間を好適に抑制しつつ、上層でのパターニング精度を良好に維持することができる。なお、上層の好ましい厚さは、3nm以上8nm以下である。
前記遮光膜は、厚さが35nm以上55nm以下であることを特徴とする構成1乃至8のいずれかに記載のマスクブランク。
構成9のように、遮光膜の厚さが35nm以上55nm以下であることにより、遮光膜の全体の厚さを薄膜化して、該遮光膜のパターンをマスクとする光半透過膜のパターニング精度を高めることができる。
前記ハードマスク膜は、酸素を含有することを特徴とする構成1乃至9のいずれかに記載のマスクブランク。
ハードマスク膜は、直下の遮光膜とエッチング選択性の高い素材であることが必要であるが、構成10にあるように、ハードマスク膜にケイ素やタンタルのほかに酸素を含有する素材を選択することにより、クロム系の素材からなる遮光膜との高いエッチング選択性を確保することができ、レジストの薄膜化のみならずハードマスク膜の膜厚も薄くすることが可能である。したがって、マスクブランク表面に形成されたレジストパターンの転写精度が向上し、遮光膜にパターン精度に優れたパターンを形成することができる。
前記光半透過膜は、ケイ素と窒素を含有することを特徴とする構成1乃至10のいずれかに記載のマスクブランク。
構成11にあるように、光半透過膜にケイ素と窒素を含有する素材を適用することで、クロム系の遮光膜とのエッチング選択性を確保することができる。また、ケイ素と窒素を含有する素材であれば、エッチングガスとして異方性のフッ素系ガスを使用したパターニングを適用することができる。したがって、ハードマスク膜のパターン形状がほぼ正確に転写された遮光膜パターンをマスクとすることによって光半透過膜にもパターン精度に優れたパターンを形成することができる。
前記光半透過膜と前記遮光膜の積層構造におけるArFエキシマレーザー光(波長193nm)に対する透過率が0.2%以下であることを特徴とする構成1乃至11のいずれかに記載のマスクブランク。
構成12にあるように、光半透過膜と遮光膜の積層構造におけるArFエキシマレーザー光(波長193nm)に対する透過率が0.2%以下であることによって、露光光のArFエキシマレーザーに対する良好な遮光性(光学濃度で2.7以上)を備えることが可能となるため好ましい。
前記光半透過膜と前記遮光膜の積層構造における800〜900nmの波長領域の少なくとも一部の波長における光の透過率が50%以下であることを特徴とする構成1乃至12のいずれかに記載のマスクブランク。
波長800〜900nmの近赤外領域の光はレジストを感光しないため、露光機にマスクブランクを配置する場合の位置決めに使用される光である。構成13にあるように、光半透過膜と遮光膜の積層構造における800〜900nmの波長領域の少なくとも一部の波長における光の透過率が50%以下であることによって、露光機へのマスクブランクの配置が容易になるため好ましい。
前記ハードマスク膜および光半透過膜は、フッ素系ガスを用いたドライエッチングによってパターニングされることを特徴とする構成1乃至13のいずれかに記載のマスクブランク。
構成14によれば、ハードマスク膜および光半透過膜は、異方性のフッ素系ガスを用いたドライエッチングによってパターニングされるので、遮光膜の上層に直上のハードマスク膜のパターン形状がほぼ正確に転写されることと相俟って、該遮光膜をマスクとするパターニングにより光半透過膜にパターン形状精度に優れた転写パターンを形成することができる。
構成1乃至14のいずれかに記載のマスクブランクを用いる転写用マスクの製造方法であって、前記ハードマスク膜上に形成された光半透過膜のパターンを有するレジスト膜をマスクとし、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記ハードマスク膜に光半透過膜のパターンを形成する工程と、前記光半透過膜のパターンが形成されたハードマスク膜をマスクとし、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングにより、前記遮光膜に光半透過膜のパターンを形成する工程と、前記光半透過膜のパターンが形成された遮光膜をマスクとし、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記光半透過膜に光半透過膜のパターンを形成する工程と、前記遮光膜上に形成された遮光パターンを有するレジスト膜をマスクとし、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングにより、前記遮光膜に遮光パターンを形成する工程と、を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
構成15にあるように、本発明に係るマスクブランクを用いて上記製造工程により転写用マスクを製造することによって、例えば80nm未満の微細パターンが高精度で形成された転写用マスクを得ることができる。
構成15に記載の転写用マスクの製造方法により製造された転写用マスクを用い、リソグラフィー法により前記転写用マスクの転写パターンを半導体基板上にパターン転写する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
構成16にあるように、上記の微細パターンが高精度で形成された転写用マスクを用いて、パターン精度の優れた高品質の半導体装置を得ることができる。
また、このような本発明のマスクブランクを用いることにより、微細パターンが高精度で形成された転写用マスクを製造することができる。
さらに、かかる転写用マスクを用いて、パターン精度の優れた高品質の半導体装置を製造することができる。
前述のように、本発明者は、透光性基板上に、光半透過膜、遮光膜及びハードマスク膜が順に積層された構造を有するマスクブランクにおいて、上記遮光膜を所定の積層構造とし、遮光膜の各層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチング時のサイドエッチ量に着目して鋭意検討した結果、以下の構成を有する本発明によって前記の課題を解決できることを見出したものである。
図1にあるとおり、本発明の第1の実施の形態に係るマスクブランク10は、透光性基板1上に、光半透過膜2、遮光膜3、及びハードマスク膜4が順に積層された構造を有する。また、上記遮光膜3は、下層31及び上層33の積層構造である。
この圧縮応力傾向は比較的強く、例えばマスクブランク用合成石英ガラス基板(152mm×152mm、厚さ6mm)の表面に反応性スパッタリングによって1.5nmのSiON膜を直接形成した場合に、基板の表面形状は約30nmの変形量で凸形状になるほどの引張応力を有する。ハードマスク膜4は、厚さが少なくとも1.5nmであるので、厚みが増せば増すほど変形量が大きくなる。
本実施形態においてハードマスク膜4にケイ素(Si)系の材料を使用する場合、ハードマスク膜4と遮光膜3のそれぞれの膜構成、組成及び膜厚等を調整することにより、ハードマスク膜4と遮光膜3の間でそれぞれの応力を相殺することができる。その結果、マスクブランク上の薄膜の総合的な膜応力を最小限に抑えることができる。つまり、ケイ素(Si)系の材料からなるハードマスク膜4を適用することで、表面形状がより平坦なマスクブランクを得ることができる。このような表面形状のマスクブランクを使用することで、位置精度に優れたパターンを形成することができる。
上記ハードマスク膜4の膜厚は特に制約される必要はないが、少なくとも直下の遮光膜3のエッチングが完了する前に消失しない程度の膜厚が必要である。一方、ハードマスク膜4の膜厚が厚いと、直上のレジストパターンを薄膜化することが困難である。このような観点から、本実施の形態においては、上記ハードマスク膜4の膜厚は、1.5nm以上20nm以下の範囲であることが好ましく、特に2.5nm以上6nm以下であることが好適である。
このような光半透過膜2の例としては、例えば遷移金属及びケイ素からなる金属シリサイド、あるいは遷移金属とケイ素に、酸素、窒素及び炭素から選ばれる1以上の元素を含有させた材料からなる金属シリサイド系の光半透過膜、ケイ素に酸素、窒素、炭素、ホウ素等を含有させた材料からなるケイ素系の光半透過膜が好ましく挙げられる。上記金属シリサイド系の光半透過膜に含まれる遷移金属としては、例えばモリブデン、タンタル、タングステン、チタン、クロム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム等が挙げられる。この中でも特にモリブデンが好適である。
上記光半透過膜2の好ましい膜厚は、材質によっても異なるが、特に位相シフト機能、光透過率の観点から適宜調整されることが望ましい。通常は、100nm以下、さらに好ましくは80nm以下の範囲であることが好適である。
上記クロムを含有する材料としては、例えばCr単体、あるいはCrX(ここでXはN、C、O等から選ばれる少なくとも一種)などのCr化合物(例えばCrN,CrC,CrO,CrON,CrCN,CrOC,CrOCNなど)が挙げられる。
なお、上記下層31は、その膜厚方向で、クロム含有量や酸素含有量の異なる組成傾斜としてもよい。
上記構成1によると、遮光膜3の下層31におけるクロム含有量は60原子%未満であるが、下層31においてクロム含有量が少なすぎると、例えばArFエキシマレーザー光(波長193nm)における消衰係数kが低くなるため、所定の光学濃度を得るためには、遮光膜3(特に下層31)の膜厚を厚くする必要が生じる。そこで、下層31のクロム含有量を40原子%以上とすることで、上記消衰係数kが高くなるため、遮光膜3全体を薄膜化することができ、その結果、遮光膜3のパターンをマスクとする光半透過膜2のパターニング精度を高められる。
以上のことから、遮光膜3の下層31におけるクロム含有量は、40原子%以上60原子%未満であることが好ましく、特に好ましくは、45原子%以上57原子%未満である。
構成1によると、遮光膜3の下層31における酸素の含有量は20原子%以上であるが、下層31において酸素含有量が多すぎると、エッチングレートが速くなりすぎてしまい、パターン側壁における上層33と下層31の境界に段差が生じてしまうという問題が生じる。従って、下層31の酸素含有量は30原子%以下であることが好ましい。下層31の酸素含有量が上記の範囲であれば、下層31のエッチングレートがより速くなるため、遮光膜3全体のエッチングレートを速く保つことができる。また、下層31に含まれる酸素含有量が上記の範囲であれば、下層31のクロムの結合サイトに空き(正孔)が相対的に多くなり、このクロムの空きサイトと光半透過膜2の酸素が化学的結合を持って接合するため、遮光膜パターンと光半透過膜2との密着性を高める効果も得られる。このように、遮光膜パターンと光半透過膜2との密着性が良いと、例えば、パターン寸法が80nm未満の微細パターンを形成する場合であっても遮光膜パターンの倒れをより効果的に抑制することができる。
以上のことから、遮光膜3の下層31における酸素の含有量は、20原子%以上30原子%未満であることが好ましい。
このように、下層31におけるエッチングレートが、上層33におけるエッチングレートの3倍以上であることにより、上層33から下層31にエッチングが移行するときに深さ方向のエッチングレートが速まり、上層33でのサイドエッチの進行を抑制しつつ下層31の深さ方向のエッチングを完結することができるので好ましい。
また、上層33にもスズを添加すると、エッチングにかかる時間はさらに短縮することができるが、過度に添加すると上層33のサイドエッチングの進行も早めるため好ましくない。上層33にスズを添加する場合は、クロムとスズの総和原子数に対するスズの割合が下層31のほうが多くなるように添加することで、上層のサイドエッチングを効果的に抑制でき、かつ、遮光膜パターン形成にかかるエッチング時間を短縮することができる。
一方、スズの添加量は少量でも適切な効果を発揮するが、明確な効果が発現されるのは、前記スズの割合が0.01以上であり、好ましくは0.1以上である。
図2は、このような本発明に係るマスクブランクの第2の実施の形態を示す断面概略図である。
図2に示されるとおり、本発明の第2の実施の形態に係るマスクブランク20は、上述の第1の実施の形態と同様、透光性基板1上に、光半透過膜2、遮光膜3、及びハードマスク膜4が順に積層された構造を有し、上記遮光膜3は、最下層31、中間層32及び上層33の積層構造である。
三層構造の遮光膜3において、最下層31におけるエッチングレートが、上層33におけるエッチングレートの3倍以上であることにより、最下層31をエッチングしているときに上層33のパターンの側壁部がエッチングされにくいので、上層33でのサイドエッチの進行を抑制しつつ最下層31の深さ方向のエッチングを完結することができる。
たとえば、最下層31におけるエッチングレートが中間層32よりも相対的に速い場合に、中間層32から最下層31にエッチングが移行するときに深さ方向のエッチングレートが速くなるが、上記構成のように最下層31におけるエッチングレートが中間層32におけるエッチングレートの2倍以下であることにより、最下層31のエッチング時に、中間層32のサイドエッチが進行する前に最下層31のエッチング及び必要なオーバーエッチングが完了するため、とくにパターン側壁の中間層32と最下層31との界面での段差形成を抑制することができる。
なお、三層構造の遮光膜の各層のエッチングレートの調整方法は前述の二層構造の遮光膜の場合と同様である。
上層33の厚さが1.5nmを下回ると、ドライエッチング時の上層33のパターン側壁の侵食のリスクが高くなる。また、上層33の厚さが8nmを超えると、上層33のエッチング時間が長くなる恐れが生じる。したがって、遮光膜3の上層33の厚さを、上記の1.5nm以上8nm以下の範囲とすることにより、上層33のエッチング時間を好適に抑制しつつ、上層33でのパターニング精度を良好に維持することができる。なお、上層33の好ましい厚さは、3nm以上8nm以下である。
遮光膜3が3層構造の場合、上層33の厚さは上述と同様に1.5nm以上8nm以下であることが好ましい。また、中間層32の膜厚は、3nm以上50nm以下が好ましく、3nm以上40nm以下の範囲が特に好ましい。最下層31の膜厚は、10nm以上50nm以下が好ましく、20nm以上40nm以下の範囲が特に好ましい。このような膜厚の構成であれば、パターン側壁の段差を抑制できるとともに、オーバーエッチングにかかる時間を短縮し、クロム系遮光膜のサイドエッチに係る寸法精度の劣化を抑制することができる。
遮光膜3の厚さが35nm以上55nm以下であることにより、遮光膜3の全体の厚さを薄膜化して、該遮光膜3のパターンをマスクとする光半透過膜2のパターニング精度を高めることができる。
上記ハードマスク膜4は、直下の遮光膜3とエッチング選択性の高い素材であることが必要であるが、とくにハードマスク膜4にケイ素やタンタルに加え酸素を含有する素材を選択することにより、クロム系の素材からなる遮光膜3との高いエッチング選択性を確保することができるため、レジスト膜の薄膜化のみならずハードマスク膜4の膜厚も薄くすることが可能である。したがって、マスクブランク表面に形成された転写パターンを有するレジストパターンのハードマスク膜4への転写精度が向上する。
このようなハードマスク膜4を構成する材料の具体例としては、酸化シリコン(SiO2)、酸化窒化シリコン(SiON)、酸化タンタル(TaO)、酸化窒化タンタル(TaON)、ホウ化酸化タンタル(TaBO)及びホウ化酸化窒化タンタル(TaBON)が挙げられる。
なお、ケイ素と酸素を含有する材料で形成されたハードマスク膜4は、有機系材料のレジスト膜との密着性が低い傾向があるため、ハードマスク膜4の表面をHMDS(Hexamethyldisilazane)処理を施し、表面の密着性を向上させることが好ましい。
上記光半透過膜2にケイ素と窒素を含有する素材を適用することで、クロム系の遮光膜3とのエッチング選択性を確保することができる。また、ケイ素と窒素を含有する素材であれば、エッチングガスとして異方性のフッ素系ガスを使用したパターニングを適用することができる。したがって、ハードマスク膜4のパターン形状がほぼ正確に転写された遮光膜3のパターンをマスクとする異方性エッチングによって光半透過膜2にもパターン精度に優れた転写パターンを形成することができる。
このように、光半透過膜2と遮光膜3の積層構造におけるArFエキシマレーザー光(波長193nm)に対する透過率が0.2%以下であることによって、たとえば遮光帯に要求される露光光のArFエキシマレーザーに対する良好な遮光性(光学濃度2.7以上)を備えるため好ましい。
波長800〜900nmの近赤外領域の光はレジストを感光しないため、露光機にマスクブランクを配置する場合の位置決めに使用される光である。本構成のように、光半透過膜2と遮光膜3の積層構造における800〜900nmの波長領域の少なくとも一部の波長における光の透過率が50%以下であることによって、露光機へのマスクブランクの配置が容易になるため好ましい。
図3は、本発明の第1の実施形態に係るマスクブランク10または第2の実施形態に係るマスクブランク20を用いた転写用マスクの製造工程を示すマスクブランク等の断面概略図である。なお、図3は製造工程の理解を容易にするためのものであり、図3に示すパターンの断面形状は実際に形成される断面形状を正確に現したものではない。
次に、マスクブランク10のハードマスク膜4上に形成された上記の光半透過膜のパターンを有するレジストパターン5をマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、ハードマスク膜4に光半透過膜のパターンに対応するハードマスク膜パターン4aを形成する(図3(b)参照)。
次に、上記のように形成された遮光膜パターン3aをマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、光半透過膜2に光半透過膜パターン2aを形成する(図3(d)参照)。なお、この光半透過膜2のエッチング工程において、表面に露出しているハードマスク膜パターン4aは除去される。
以上のとおり、微細なパターンを形成しても、遮光膜パターンの倒れなどの不具合はなく、光半透過膜2のパターンも高いパターン精度で形成することができ、微細パターンが高いパターン精度で形成された転写用マスクが得られる。
(実施例1)
本実施例は、波長193nmのArFエキシマレーザーを露光光として用いるハーフトーン型位相シフトマスクの製造に使用するマスクブランクに関するもので、前述の第1の実施の形態に対応する実施例である。
本実施例に使用するマスクブランクは、図1に示すような、透光性基板(ガラス基板)1上に、光半透過膜2、二層積層構造の遮光膜3、ハードマスク膜4を順に積層した構造のものである。このマスクブランクは、以下のようにして作製した。
次に、枚葉式DCスパッタリング装置内に上記合成石英基板を設置し、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)との混合焼結ターゲット(Mo:Si=12原子%:88原子%)を用い、アルゴン(Ar)、窒素(N2)およびヘリウム(He)の混合ガス(流量比 Ar:N2:He=8:72:100,圧力=0.2Pa)をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、合成石英基板上に、モリブデン、シリコンおよび窒素からなるMoSiN光半透過膜(位相シフト膜)を69nmの厚さで形成した。形成したMoSiN膜の組成は、Mo:Si:N=4.1:35.6:60.3(原子%比)であった。この組成はXPSにより測定した。
以上のようにして本実施例のマスクブランクを作製した。
まず、上記マスクブランク10の上面にHMDS処理を行い、スピン塗布法によって、電子線描画用の化学増幅型レジスト(富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製 PRL009)を塗布し、所定のベーク処理を行って、膜厚150nmのレジスト膜を形成した。
上記レジストパターン5を除去した後、上記ハードマスク膜パターン4aをマスクとして、上層及び下層の積層膜からなる遮光膜3のドライエッチングを連続して行い、遮光膜パターン3aを形成した(図3(c)参照)。ドライエッチングガスとしてはCl2とO2の混合ガス(Cl2:O2=8:1(流量比))を用いた。なお、遮光膜3のエッチングレートは、上層が2.9Å/秒、下層が5.1Å/秒であった。
最後に、残存するレジストパターンを除去し、ハーフトーン型位相シフトマスク30を作製した(図3(e)参照)。
上記の光半透過膜2のエッチング工程(図3(d)の工程)終了後の遮光膜パターンの断面形状を確認したところ、図4に示されるような断面形状であった。すなわち遮光膜の上層側壁はハードマスク膜のパターンからわずかに侵食されるものの、ハードマスク膜パターンによって画定された形状が得られ、ハードマスク膜パターンが精度良く転写されていた。なお、この時点でハードマスク膜パターン4aは除去されているため、図4ではその前の状態を破線で示している。
また、上記レジスト膜に形成するラインアンドスペースパターンのライン幅を、200nmから10nmずつ減少させて遮光膜パターンの形成状態を確認した結果、50nm幅までのパターン形成を行うことができた。
上記遮光膜パターンをマスクとしたドライエッチングにより形成された光半透過膜パターンについて評価したところ、図4からも明らかなように、遮光膜上層パターンによって画定された形状が得られ、CD特性に優れた光半透過膜パターンを形成することができた。すなわち、微細パターンであっても、ハードマスク膜パターンとの寸法の乖離も少ないパターン精度の優れた転写パターンを形成することができた。
本実施例は、波長193nmのArFエキシマレーザーを露光光として用いるハーフトーン型位相シフトマスクの製造に使用するマスクブランクに関するもので、前述の第2の実施の形態に対応する実施例である。
本実施例に使用するマスクブランクは、図2に示すような、透光性基板(ガラス基板)1上に、光半透過膜2、三層積層構造の遮光膜3、ハードマスク膜4を順に積層した構造のものである。このマスクブランクは、以下のようにして作製した。
次に、枚葉式DCスパッタリング装置内に上記合成石英基板を設置し、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)との混合焼結ターゲット(Mo:Si=12原子%:88原子%)を用い、アルゴン(Ar)、窒素(N2)およびヘリウム(He)の混合ガス(流量比 Ar:N2:He=8:72:100,圧力=0.2Pa)をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、合成石英基板上に、モリブデン、シリコンおよび窒素からなるMoSiN光半透過膜(位相シフト膜)を69nmの厚さで形成した。形成したMoSiN膜の組成は、Mo:Si:N=4.1:35.6:60.3(原子%比)であった。この組成はXPSにより測定した。
以上のようにして本実施例のマスクブランク20を作製した。
まず、上記マスクブランク20の上面にHMDS処理を行い、スピン塗布法によって、電子線描画用の化学増幅型レジスト(富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製 PRL009)を塗布し、所定のベーク処理を行って、膜厚150nmのレジスト膜を形成した。
上記レジストパターン5を除去した後、上記ハードマスク膜パターン4aをマスクとして、上層、中間層及び下層の積層膜からなる遮光膜3のドライエッチングを連続して行い、遮光膜パターン3aを形成した(図3(c)参照)。ドライエッチングガスとしてはCl2とO2の混合ガス(Cl2:O2=8:1(流量比))を用いた。なお、遮光膜3のエッチングレートは、上層が2.9Å/秒、中間層が5.1Å/秒、下層が9.1Å/秒であった。
最後に、残存するレジストパターンを除去し、ハーフトーン型位相シフトマスク20を作製した(図3(e)参照)。
上記の光半透過膜2のエッチング工程(図3(d)の工程)終了後の遮光膜パターンの断面形状を確認したところ、図5に示されるような断面形状であった。すなわち遮光膜の上層側壁はハードマスク膜のパターンからほんのわずかに侵食されるものの(実施例1よりも少ない)、ハードマスク膜パターンによって画定された形状がほぼ正確に得られ、ハードマスク膜パターンが精度良く転写されていた。これは、下層のエッチングレートが速いものの、その上の中間層のエッチングレートが遅いため、結果的にエッチングガスによるパターン側壁の侵食を効果的に抑制することができたためである。遮光膜パターンの断面形状は実施例1よりも良好であった。なお、この時点でハードマスク膜パターン4aは除去されているため、図5ではその前の状態を破線で示している。
また、上記レジスト膜に形成するラインアンドスペースパターンのライン幅を、200nmから10nmずつ減少させて遮光膜パターンの形成状態を確認した結果、40nm幅までのパターン形成を行うことができた。
上記遮光膜パターンをマスクとしたドライエッチングにより形成された光半透過膜パターンについて評価したところ、図5からも明らかなように、遮光膜上層パターンによって画定された形状が得られ、CD特性に優れた光半透過膜パターンを形成することができた。すなわち、微細パターンであっても、ハードマスク膜パターンとの寸法の乖離も少ないパターン精度の優れた転写パターンを形成することができた。
光半透過膜とハードマスク膜は実施例1と同様の膜で、遮光膜の構成のみ異なるマスクブランクを作製した。すなわち、本比較例の遮光膜は、単層構造の遮光膜で、実施例1の遮光膜における下層の組成と同じ組成で、光学濃度が3.0以上で、膜厚100nmの薄膜である。
この比較例のマスクブランクを用いて、実施例1と同様の方法でハーフトーン型位相シフトマスクを作製した。
遮光膜3のパターニング工程(図3(c)の工程)終了後の遮光膜パターンの断面形状を確認したところ、図6に示されるような断面形状であった。すなわち遮光膜はパターンの壁面にエッチングの侵食によって大きくえぐれた形状になっていた。また、ハードマスク膜のパターンよりもライン幅が細くなっており、ハードマスク膜パターンとの寸法の乖離が大きい傾向となった。
また、実施例1と同様に、上記レジスト膜に形成するラインアンドスペースパターンのライン幅を、200nmから10nmずつ減少させて遮光膜パターンの形成状態を確認した結果、80nm幅で遮光膜パターンの倒れが生じた。
したがって、本比較例のマスクブランクを用いて、例えばラインアンドスペース80nm以下の微細パターンを形成しようとしても、遮光膜パターンの倒れが生じてしまい、最終的な転写パターンとなる光半透過膜のパターニングは困難である。
2 光半透過膜
3 遮光膜
31 遮光膜の下層(最下層)
32 遮光膜の中間層
33 遮光膜の上層
4 ハードマスク膜
5 レジストパターン
10,20 マスクブランク
30 転写用マスク
Claims (18)
- 透光性基板上に、光半透過膜、遮光膜及びハードマスク膜が順に積層された構造を有するマスクブランクであって、
前記光半透過膜は、少なくともケイ素を含有しており、
前記遮光膜は、前記光半透過膜側から下層及び上層が順に積層された構造からなり、少なくともクロムを含有しており、
前記上層は、クロムの含有量が65原子%以上であり、かつ、酸素の含有量が20原子%未満であり、
前記下層は、クロムの含有量が60原子%未満であり、かつ、酸素の含有量が20原子%以上であり、
前記下層は、遮光膜の厚さに対して、70%以上97%以下の厚さを有し、
前記ハードマスク膜は、前記上層の表面に接して形成され、少なくともケイ素とタンタルのいずれか一方または両方を含有している
ことを特徴とするマスクブランク。 - 前記下層は、クロムの含有量が40原子%以上であることを特徴とする請求項1に記載のマスクブランク。
- 前記下層は、酸素の含有量が30原子%以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のマスクブランク。
- 前記下層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートは、前記上層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートの3倍以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記下層は、前記光半透過膜側から最下層及び中間層が順に積層された構造からなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記最下層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートは、前記上層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートの3倍以上であることを特徴とする請求項5に記載のマスクブランク。
- 前記最下層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートは、前記中間層における塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチングレートよりも大きくて且つ2倍以下であることを特徴とする請求項5又は6に記載のマスクブランク。
- 前記上層は、厚さが1.5nm以上8nm以下であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記遮光膜は、厚さが35nm以上55nm以下であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記下層は、炭素を含有し、前記上層は、炭素を含有しないことを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記ハードマスク膜は、酸素を含有することを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記ハードマスク膜は、厚さが1.5nm以上20nm以下であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記光半透過膜は、ケイ素と窒素を含有することを特徴とする請求項1乃至12のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記光半透過膜と前記遮光膜の積層構造におけるArFエキシマレーザー光(波長193nm)に対する透過率が0.2%以下であることを特徴とする請求項1乃至13のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記光半透過膜と前記遮光膜の積層構造における800〜900nmの波長領域の少なくとも一部の波長における光の透過率が50%以下であることを特徴とする請求項1乃至14のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記ハードマスク膜および光半透過膜は、フッ素系ガスを用いたドライエッチングによってパターニングされることを特徴とする請求項1乃至15のいずれかに記載のマスクブランク。
- 請求項1乃至16のいずれかに記載のマスクブランクを用いる転写用マスクの製造方法であって、
前記ハードマスク膜上に形成された光半透過膜のパターンを有するレジスト膜をマスクとし、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記ハードマスク膜に光半透過膜のパターンを形成する工程と、
前記光半透過膜のパターンが形成されたハードマスク膜をマスクとし、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングにより、前記遮光膜に光半透過膜のパターンを形成する工程と、
前記光半透過膜のパターンが形成された遮光膜をマスクとし、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記光半透過膜に光半透過膜のパターンを形成する工程と、
前記遮光膜上に形成された遮光パターンを有するレジスト膜をマスクとし、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングにより、前記遮光膜に遮光パターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。 - 請求項17に記載の転写用マスクの製造方法により製造された転写用マスクを用い、リソグラフィー法により前記転写用マスクの転写パターンを半導体基板上にパターン転写する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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