JP5286455B1 - マスクブランク、転写用マスクおよびこれらの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のマスクブランクは、透光性基板の主表面上に、転写パターン形成用の薄膜を備えたマスクブランクであって、前記薄膜は、遷移金属とケイ素を含有し、さらに酸素または窒素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなり、前記薄膜は、その表層に前記表層を除く領域の薄膜よりも酸素含有量が多い酸化層を有し、前記薄膜は、主表面側における外周部の厚さよりも中央部の厚さが厚く形成されており、前記酸化層は、主表面側における外周部の厚さよりも中央部の厚さが厚く形成されていることを特徴としている。
【選択図】図1
Description
(構成1)
透光性基板の主表面上に、転写パターン形成用の薄膜を備えたマスクブランクであって、
前記薄膜は、遷移金属とケイ素を含有し、さらに酸素または窒素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなり、
前記薄膜は、その表層に前記表層を除く領域の薄膜よりも酸素含有量が多い酸化層を有し、
前記薄膜は、主表面側における外周部の厚さよりも中央部の厚さが厚く形成されており、
前記酸化層は、主表面側における外周部の厚さよりも中央部の厚さが厚く形成されていることを特徴とするマスクブランク。
前記薄膜は、露光光に対して1%以上の透過率を有する半透過膜であることを特徴とする構成1記載のマスクブランク。
(構成3)
前記薄膜は、露光光に対して1%以上の透過率を有し、かつ、前記薄膜を透過した露光光と前記薄膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を通過した露光光との間に所定の位相差を生じさせるハーフトーン位相シフト膜であることを特徴とする構成1記載のマスクブランク。
前記薄膜は、前記透過率の面内分布が0.6%の範囲内であることを特徴とする構成2または3に記載のマスクブランク。
(構成5)
前記薄膜は、前記位相差の面内分布が4度の範囲内であることを特徴とする構成3に記載のマスクブランク。
透光性基板の主表面上に、転写パターン形成用の薄膜を備えたマスクブランクの製造方法であって、
前記透光性基板の主表面上に、遷移金属とケイ素を含有するターゲットを用い、酸素または窒素のうち少なくともいずれかを含有するスパッタリングガス中でスパッタリング法により前記薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜形成工程で形成した前記薄膜に対し、酸素を含有する気体中で加熱処理および強制冷却処理を行う加熱冷却処理工程とを有し、
前記薄膜形成工程は、前記薄膜を主表面側おける外周部の厚さよりも中央部の厚さを厚くなるように形成する工程であり、
前記加熱冷却処理工程は、前記薄膜の表層にその表層を除く領域の薄膜よりも酸素含有量が多い酸化層を形成する工程であり、かつ前記酸化層を主表面側における外周部の厚さよりも中央部の厚さが厚くなるように形成する工程であることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
前記加熱冷却処理工程は、加熱冷却室内に、前記薄膜が形成された複数枚の前記透光性基板を、主表面を上下方向とし、かつ基板同士で間隔をおいて縦積みに配置し、加熱冷却室外であり、かつ透光性基板の端面側に配置された加熱器と冷却器によって、加熱処理と強制冷却処理を行う工程であることを特徴とする構成6記載のマスクブランクの製造方法。
(構成8)
前記加熱冷却処理工程は、加熱器による加熱処理を行った後であり、かつ加熱冷却室内の温度が300℃以上のときに、冷却器による強制冷却処理を行う工程であることを特徴とする構成7記載のマスクブランクの製造方法。
前記薄膜形成工程は、前記基板を主表面の中心を通る回転軸で回転させ、スパッタリングターゲットのスパッタ面を、前記基板の主表面と対向し、かつ前記主表面に対して所定の角度を有する位置であり、前記基板の回転軸と、前記スパッタ面の中心を通り前記基板の回転軸に対して平行な直線とがずれた位置に配置し、スパッタリング法によって前記薄膜を形成することを特徴とする構成6から8のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
(構成10)
前記薄膜は、露光光に対して1%以上の透過率を有する半透過膜であることを特徴とする構成6から9のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
前記薄膜は、露光光に対して1%以上の透過率を有し、かつ、前記薄膜を透過した露光光と前記薄膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を通過した露光光との間に所定の位相差を生じさせるハーフトーン位相シフト膜であることを特徴とする構成6から9のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
(構成12)
前記薄膜は、前記透過率の面内分布が0.6%の範囲内であることを特徴とする構成10または11に記載のマスクブランクの製造方法。
前記薄膜は、前記位相差の面内分布が4度の範囲内であることを特徴とする構成11記載のマスクブランクの製造方法。
(構成14)
構成1から5のいずれかに記載のマスクブランクの前記薄膜に転写パターンが形成されていることを特徴とする転写用マスク。
構成6から13のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法で製造されたマスクブランクの前記薄膜に転写パターンを形成するパターン形成工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
本発明のマスクブランクは、構成1にあるように、透光性基板の主表面上に、転写パターン形成用の薄膜を備えたマスクブランクであって、
前記薄膜は、遷移金属とケイ素を含有し、さらに酸素または窒素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなり、
前記薄膜は、その表層に前記表層を除く領域の薄膜よりも酸素含有量が多い酸化層を有し、
前記薄膜は、主表面側における外周部の厚さよりも中央部の厚さが厚く形成されており、
前記酸化層は、主表面側における外周部の厚さよりも中央部の厚さが厚く形成されていることを特徴とする。
前記透光性基板の主表面上に、遷移金属とケイ素を含有するターゲットを用い、酸素または窒素のうち少なくともいずれかを含有するスパッタリングガス中でスパッタリング法により前記薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜形成工程で形成した前記薄膜に対し、酸素を含有する気体中で加熱処理および強制冷却処理を行う加熱冷却処理工程とを有し、
前記薄膜形成工程は、前記薄膜を主表面側おける外周部の厚さよりも中央部の厚さを厚くなるように形成する工程であり、
前記加熱冷却処理工程は、前記薄膜の表層にその表層を除く領域の薄膜よりも酸素含有量が多い酸化層を形成する工程であり、かつ前記酸化層を主表面側における外周部の厚さよりも中央部の厚さが厚くなるように形成する工程であることを特徴とする。
また、半透過膜は、高透過率タイプを含む。高透過率タイプは、例えば、通常の透過率1〜10%未満に対し、相対的に高い透過率10〜30%を有するものをいう。
前記薄膜は、位相シフトマスクやエンハンサーマスクにおける半透過膜又は、バイナリマスクにおける遮光膜、とすることができる。バイナリマスクの遮光膜においても、EMFバイアスの観点で位相差の低減が要求されており、例えば、位相差の面内分布が厳密に問われる場合においては、本願発明の適用効果がある。
本発明は、電子線描画によりレジストパターンを形成する電子線描画用のマスクブランクに適用する。
透光性基板として、主表面が約152mm×約152mmの四角形であり、厚さが約6.25mmの合成石英ガラス基板を用い、その透光性基板上に、モリブデン、シリコン、および窒素からなる半透過膜(薄膜)を成膜した。半透過膜の成膜には、図2に示す、いわゆる斜入射スパッタ方式かつ枚葉処理方式のDCスパッタリング装置を使用した。具体的には、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)との混合ターゲット(Mo:Si=12at%:88at%)を用い、アルゴン(Ar)と窒素(N2)とヘリウム(He)との混合ガス雰囲気(ガス流量比 Ar:N2:He=8:72:100)で、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、透光性基板上に、モリブデン、シリコン及び窒素からなるMoSiN膜(位相シフト膜)を形成した。このとき、形成される半透過膜の平均膜厚が69nmであり、かつ中央部の膜厚が外周部の膜厚に比べて18Å程度厚くなるように、DCスパッタリング装置の成膜条件(T/S距離、オフセット距離、スパッタ電圧の諸条件)を設定した。ここで、形成される薄膜の中央部と外周部の境界は、合成石英ガラス基板の中心を基準とした一辺が132mmの四角形とした。また、その境界から内側の領域を中央部とし、その境界から外側の領域を外周部とした。なお、ここでは、酸化層形成後における位相シフト膜(マスクブランクが完成したときの位相シフト膜)が、ArFエキシマレーザーの波長193nmの露光光に対する透過率が6%であり、かつ位相シフト量が177度になるように成膜条件を設定した。
実施例1と同様に、透光性基板上に、モリブデン、シリコン、および窒素からなる半透過膜(薄膜)を成膜した。ただし、この比較例では、DCスパッタリング装置で半透過膜を成膜する際、膜厚が主表面側で出来る限り均一になるような成膜条件を適用した。このため、透光性基板上に形成されたMoSiN膜(位相シフト膜)は、外周部と中央部の膜厚差が5Å程度と、実施例1に比べると大幅に小さかった。同様の手順で比較例1のMoSiN膜(位相シフト膜)を成膜した透光性基板を5枚作成した。さらに比較例1の位相シフト膜を有する透光性基板5枚に対して、実施例1と同条件で加熱処理および強制冷却処理を行った。この加熱処理および強制冷却処理を行ったことにより、MoSiN膜(位相シフト膜)の表層に酸化層を形成されていた。
上記実施例1で製造した位相シフトマスクブランクの位相シフト膜上に、クロムを含有する材料からなる遮光膜を成膜し、遮光膜を有する位相シフトマスクブランクを作製した。成膜した遮光膜は、位相シフト膜側からCrCON膜(膜厚30nm)、CrN膜(膜厚4nm)、CrOCN膜(膜厚14nm)が順に積層した構造とした。このMoSiNからなる位相シフト膜とCr系材料からなる遮光膜の積層構造で、ArFエキシマレーザーの波長(193nm)に対する光学濃度は3.1であった。
続いて、上記レジストパターンをマスクとして、遮光膜のエッチングを行って遮光膜パターンを形成した。ドライエッチングガスとして、Cl2とO2の混合ガスを用いた。
次に、上記レジストパターンまたは遮光膜パターンをマスクとして、位相シフト膜のエッチングを行って位相シフトパターンを形成した。ドライエッチングガスとして、SF6とHeの混合ガスを用いた。
2,4 薄膜
22,42 酸化層
3,5 マスクブランク
10 石英チューブ
11,12 冷媒管
15 ヒーター(加熱器)
16 石英ボード
17 加熱冷却室
100 縦型炉
Claims (15)
- 透光性基板の主表面上に、転写パターン形成用の薄膜を備えたマスクブランクであって、
前記薄膜は、遷移金属とケイ素を含有し、さらに酸素または窒素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなり、
前記薄膜は、その表層に前記表層を除く領域の薄膜よりも酸素含有量が多い酸化層を有し、
前記薄膜は、主表面側における外周部の厚さよりも中央部の厚さが厚く形成されており、
前記酸化層は、主表面側における外周部の厚さよりも中央部の厚さが厚く形成されている
ことを特徴とするマスクブランク。 - 前記薄膜は、露光光に対して1%以上の透過率を有する半透過膜であることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク。
- 前記薄膜は、露光光に対して1%以上の透過率を有し、かつ、前記薄膜を透過した露光光と前記薄膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を通過した露光光との間に所定の位相差を生じさせるハーフトーン位相シフト膜であることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク。
- 前記薄膜は、前記透過率の面内分布が0.6%の範囲内であることを特徴とする請求項2または3に記載のマスクブランク。
- 前記薄膜は、前記位相差の面内分布が4度の範囲内であることを特徴とする請求項3に記載のマスクブランク。
- 透光性基板の主表面上に、転写パターン形成用の薄膜を備えたマスクブランクの製造方法であって、
前記透光性基板の主表面上に、遷移金属とケイ素を含有するターゲットを用い、酸素または窒素のうち少なくともいずれかを含有するスパッタリングガス中でスパッタリング法により前記薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜形成工程で形成した前記薄膜に対し、酸素を含有する気体中で加熱処理および強制冷却処理を行う加熱冷却処理工程とを有し、
前記薄膜形成工程は、前記薄膜を主表面側おける外周部の厚さよりも中央部の厚さを厚くなるように形成する工程であり、
前記加熱冷却処理工程は、前記薄膜の表層にその表層を除く領域の薄膜よりも酸素含有量が多い酸化層を形成する工程であり、かつ前記酸化層を主表面側における外周部の厚さよりも中央部の厚さが厚くなるように形成する工程であることを特徴とするマスクブランクの製造方法。 - 前記加熱冷却処理工程は、加熱冷却室内に、前記薄膜が形成された複数枚の前記透光性基板を、主表面を上下方向とし、かつ基板同士で間隔をおいて縦積みに配置し、加熱冷却室外であり、かつ透光性基板の端面側に配置された加熱器と冷却器によって、加熱処理と強制冷却処理を行う工程であることを特徴とする請求項6記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記加熱冷却処理工程は、加熱器による加熱処理を行った後であり、かつ加熱冷却室内の温度が300℃以上のときに、冷却器による強制冷却処理を行う工程であることを特徴とする請求項7記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記薄膜形成工程は、前記基板を主表面の中心を通る回転軸で回転させ、スパッタリングターゲットのスパッタ面を、前記基板の主表面と対向し、かつ前記主表面に対して所定の角度を有する位置であり、前記基板の回転軸と、前記スパッタ面の中心を通り前記基板の回転軸に対して平行な直線とがずれた位置に配置し、スパッタリング法によって前記薄膜を形成することを特徴とする請求項6から8のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記薄膜は、露光光に対して1%以上の透過率を有する半透過膜であることを特徴とする請求項6から9のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記薄膜は、露光光に対して1%以上の透過率を有し、かつ、前記薄膜を透過した露光光と前記薄膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を通過した露光光との間に所定の位相差を生じさせるハーフトーン位相シフト膜であることを特徴とする請求項6から9のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記薄膜は、前記透過率の面内分布が0.6%の範囲内であることを特徴とする請求項10または11に記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記薄膜は、前記位相差の面内分布が4度の範囲内であることを特徴とする請求項11記載のマスクブランクの製造方法。
- 請求項1から5のいずれかに記載のマスクブランクの前記薄膜に転写パターンが形成されていることを特徴とする転写用マスク。
- 請求項6から13のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法で製造されたマスクブランクの前記薄膜に転写パターンを形成するパターン形成工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
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