JP6313678B2 - マスクブランクの製造方法、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
マスクブランクの製造方法、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 Download PDFInfo
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Description
(構成1)
透光性基板上に、ArF露光光を所定の透過率で透過し、かつ透過するArF露光光に対して所定の位相シフトを生じさせる機能を有する位相シフト膜を備えるマスクブランクの製造方法であって、
高透過層形成工程と低透過層形成工程を行って高透過層と低透過層を備える前記位相シフト膜を形成する位相シフト膜形成工程と、
前記位相シフト膜が形成された後の前記透光性基板に対し、180℃以上の温度での加熱処理を行う加熱処理工程とを有し、
前記高透過層形成工程は、ケイ素ターゲット、または、ケイ素と半金属元素および非金属元素から選ばれる1以上の元素とを含有する材料からなるターゲットを用い、窒素系ガス、キセノンガスおよびヘリウムガスを含むスパッタリングガス中での反応性スパッタリングによって、前記高透過層を形成する工程であり、
前記低透過層形成工程は、ケイ素ターゲット、または、ケイ素と半金属元素および非金属元素から選ばれる1以上の元素とを含有する材料からなるターゲットを用い、窒素系ガス、キセノンガスおよびヘリウムガスを含むスパッタリングガス中での反応性スパッタリングによって、前記高透過層に比べて窒素含有量が相対的に少ない前記低透過層を形成する工程である
ことを特徴とするマスクブランクの製造方法。
前記位相シフト膜形成工程は、前記低透過層および高透過層を、同じ構成元素から形成する工程である
ことを特徴とする構成1記載のマスクブランクの製造方法。
(構成3)
前記高透過層形成工程は、ケイ素ターゲットを用い、窒素ガスとキセノンガスとヘリウムガスとによるスパッタリングガス中での反応性スパッタリングによって前記高透過層を形成する工程であり、
前記低透過層形成工程は、ケイ素ターゲットを用い、窒素ガスとキセノンガスとヘリウムガスとによるスパッタリングガス中での反応性スパッタリングによって前記低透過層を形成する工程である
ことを特徴とする構成1記載のマスクブランクの製造方法。
前記高透過層形成工程は、反応モードでの反応性スパッタリングによって前記高透過層を形成する工程であり、
前記低透過層形成工程は、メタルモードでの反応性スパッタリングによって前記低透過層を形成する工程である
ことを特徴とする構成1から3のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
(構成5)
前記高透過層形成工程は、前記高透過層を、ケイ素と窒素との合計含有量に対する窒素の含有量の比率を50%以上で形成する工程であり、
前記低透過層形成工程は、前記低透過層を、ケイ素と窒素との合計含有量に対する窒素の含有量の比率を30%以上50%未満で形成する工程である
ことを特徴とする構成1から4のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
前記高透過層形成工程は、前記高透過層を、ArF露光光に対する屈折率nが2.5以上であり、消衰係数kが1.0未満に形成する工程であり、
前記低透過層形成工程は、前記低透過層を、ArF露光光に対する屈折率nが2.5未満であり、かつ消衰係数kが1.0以上に形成する工程である
ことを特徴とする構成1から5のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
(構成7)
前記位相シフト膜形成工程は、前記位相シフト膜における前記高透過層の合計の厚さを、前記低透過層の合計の厚さよりも厚く形成する工程である
ことを特徴とする構成1から6のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
前記位相シフト膜形成工程は、前記高透過層と前記低透過層との積層構造の組み合わせを2組以上備える位相シフト膜を形成する工程である
ことを特徴とする構成1から7のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
(構成9)
前記透光性基板から最も離れた位置に前記位相シフト膜の最上層を形成する最上層形成工程を有し、
前記最上層形成工程は、ケイ素ターゲット、または、ケイ素と半金属元素および非金属元素から選ばれる1以上の元素とを含有する材料からなるターゲットを用い、窒素系ガス、キセノンガスおよびヘリウムガスを含むスパッタリングガス中での反応性スパッタリングによって前記最上層を形成する工程である
ことを特徴とする構成1から8のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
前記加熱処理工程後の前記最上層は、少なくとも表層が酸化されていることを特徴とする構成9記載のマスクブランクの製造方法。
(構成11)
構成1から10のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法によって製造されたマスクブランクの前記位相シフト膜に、転写パターンを形成する工程を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
構成11記載の位相シフトマスクの製造方法により製造された位相シフトマスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
本発明者らは、マスクブランクの位相シフト膜を形成する材料にSiNxを適用した場合における好適な構成について鋭意研究を行った。一般に、位相シフト膜は、ArF露光光を所定の透過率(例えば、1%〜30%)で透過し、かつ位相シフト膜を透過するArF露光光に対し、その位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した光との間で所定の位相差(例えば、150度〜190度)を生じさせる機能を有する必要がある。
図1は、本発明の実施形態に係るマスクブランクの製造方法で製造されるマスクブランク100の構成を示す断面図である。図1に示すマスクブランク100は、透光性基板1上に、位相シフト膜2、遮光膜3およびハードマスク膜4がこの順に積層された構造を有する。
(実施例1)
[マスクブランクの製造]
主表面の寸法が約152mm×約152mmで、厚さが約6.35mmの合成石英ガラスからなる透光性基板1を準備した。この透光性基板1は、端面及び主表面が所定の表面粗さに研磨され、その後、所定の洗浄処理および乾燥処理を施されたものである。なお、この透光性基板1を形成する合成石英ガラス中の水素含有量は、3.4×1017[分子数/cm3]である。この水素含有量の透光性基板1は、その主表面上に位相シフト膜2が形成された状態で300℃以上の加熱処理を行ったときでも、その透光性基板1の主表面形状の変形は後述の表面形状解析装置の測定誤差の範囲内に収まる程度である。すなわち、位相シフト膜2の膜応力の測定結果に、透光性基板1に起因する影響は実質的にはないといえる。
次に、この実施例1のマスクブランク100を用い、上述の図2に示す製造方法を参照し、以下の手順で実施例1の位相シフトマスク200を作製した。最初に、ハードマスク膜4の表面にHMDS処理を施した。続いて、スピン塗布法によって、ハードマスク膜4の表面に接して、電子線描画用化学増幅型レジストからなるレジスト膜を膜厚80nmで形成した。次に、このレジスト膜に対して、位相シフト膜2に形成すべき位相シフトパターンである第1のパターンを電子線描画し、所定の現像処理および洗浄処理を行い、第1のパターンを有する第1のレジストパターン5aを形成した(a)。
[マスクブランクの製造]
比較例1のマスクブランクは、位相シフト膜2の高透過層22、低透過層21および最上層23のスパッタ成膜に用いるスパッタリングガスに、アルゴン(Ar)、ヘリウム(He)および窒素(N2)の混合ガスを用いること以外は、実施例1と同様の手順で製造した。
次に、この比較例1のマスクブランク100を用い、実施例1と同様の手順で比較例1の位相シフトマスク200を作製した。この比較例1のハーフトーン型位相シフトマスク200の位相シフトパターン2aに対して、ArFエキシマレーザー光を積算照射量20kJ/cm2で照射する処理を行った。この照射処理の前後における位相シフトパターン2aのCD変化量は、2nm程度であり、位相シフトマスクとして使用可能な範囲のCD変化量であった。
[マスクブランクの製造]
比較例2のマスクブランクは、位相シフト膜2の高透過層22、低透過層21および最上層23のスパッタ成膜に用いるスパッタリングガスに、クリプトン(Kr)および窒素(N2)の混合ガスを用いること以外は、実施例1と同様の手順で製造した。
次に、この比較例2のマスクブランク100を用い、実施例1と同様の手順で比較例2の位相シフトマスク200を作製した。この比較例2のハーフトーン型位相シフトマスク200の位相シフトパターン2aに対して、ArFエキシマレーザー光を積算照射量20kJ/cm2で照射する処理を行った。この照射処理の前後における位相シフトパターン2aのCD変化量は、2nm程度であり、位相シフトマスクとして使用可能な範囲のCD変化量であった。
[マスクブランクの製造]
実施例1と同様の手順で、主表面の寸法が約152mm×約152mmで、厚さが約6.35mmの合成石英ガラスからなる透光性基板1を準備した。次に、枚葉式DCスパッタ装置内に透光性基板1を設置し、モリブデン(Mo)とケイ素(Si)との混合焼結ターゲット(Mo:Si=12at%:88at%)を用い、アルゴン(Ar)、窒素(N2)およびヘリウム(He)の混合ガス(流量比 Ar:N2:He=8:72:100,圧力=0.2Pa)をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、透光性基板1上に、モリブデン、ケイ素および窒素からなる位相シフト膜を69nmの厚さで形成した。
次に、この比較例3のマスクブランク100を用い、実施例1と同様の手順で比較例3の位相シフトマスク200を作製した。この比較例3のハーフトーン型位相シフトマスク200の位相シフトパターン2aに対して、ArFエキシマレーザー光を積算照射量20kJ/cm2で照射する処理を行った。この照射処理の前後における位相シフトパターン2aのCD変化量は、20nm以上であり、位相シフトマスクとして使用可能な範囲を大きく超えるCD変化量であった。
Claims (12)
- 透光性基板上に、ArF露光光を所定の透過率で透過し、かつ透過するArF露光光に対して所定の位相シフトを生じさせる機能を有する位相シフト膜を備えるマスクブランクの製造方法であって、
高透過層形成工程と低透過層形成工程を行って高透過層と低透過層を備える前記位相シフト膜を形成する位相シフト膜形成工程と、
前記位相シフト膜が形成された後の前記透光性基板に対し、180℃以上の温度での加熱処理を行う加熱処理工程とを有し、
前記高透過層形成工程は、ケイ素ターゲット、または、ケイ素と半金属元素および非金属元素から選ばれる1以上の元素とを含有する材料からなるターゲットを用い、窒素系ガス、キセノンガスおよびヘリウムガスを含むスパッタリングガス中での反応性スパッタリングによって、前記高透過層を形成する工程であり、
前記低透過層形成工程は、ケイ素ターゲット、または、ケイ素と半金属元素および非金属元素から選ばれる1以上の元素とを含有する材料からなるターゲットを用い、窒素系ガス、キセノンガスおよびヘリウムガスを含むスパッタリングガス中での反応性スパッタリングによって、前記高透過層に比べて窒素含有量が相対的に少ない前記低透過層を形成する工程である
ことを特徴とするマスクブランクの製造方法。 - 前記位相シフト膜形成工程は、前記低透過層および高透過層を、同じ構成元素から形成する工程である
ことを特徴とする請求項1記載のマスクブランクの製造方法。 - 前記高透過層形成工程は、ケイ素ターゲットを用い、窒素ガスとキセノンガスとヘリウムガスとによるスパッタリングガス中での反応性スパッタリングによって前記高透過層を形成する工程であり、
前記低透過層形成工程は、ケイ素ターゲットを用い、窒素ガスとキセノンガスとヘリウムガスとによるスパッタリングガス中での反応性スパッタリングによって前記低透過層を形成する工程である
ことを特徴とする請求項1記載のマスクブランクの製造方法。 - 前記高透過層形成工程は、反応モードでの反応性スパッタリングによって前記高透過層を形成する工程であり、
前記低透過層形成工程は、メタルモードでの反応性スパッタリングによって前記低透過層を形成する工程である
ことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。 - 前記高透過層形成工程は、前記高透過層を、ケイ素と窒素との合計含有量に対する窒素の含有量の比率を50%以上で形成する工程であり、
前記低透過層形成工程は、前記低透過層を、ケイ素と窒素との合計含有量に対する窒素の含有量の比率を30%以上50%未満で形成する工程である
ことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。 - 前記高透過層形成工程は、前記高透過層を、ArF露光光に対する屈折率nが2.5以上であり、消衰係数kが1.0未満に形成する工程であり、
前記低透過層形成工程は、前記低透過層を、ArF露光光に対する屈折率nが2.5未満であり、かつ消衰係数kが1.0以上に形成する工程である
ことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。 - 前記位相シフト膜形成工程は、前記位相シフト膜における前記高透過層の合計の厚さを、前記低透過層の合計の厚さよりも厚く形成する工程である
ことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。 - 前記位相シフト膜形成工程は、前記高透過層と前記低透過層との積層構造の組み合わせを2組以上備える位相シフト膜を形成する工程である
ことを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。 - 前記透光性基板から最も離れた位置に前記位相シフト膜の最上層を形成する最上層形成工程を有し、
前記最上層形成工程は、ケイ素ターゲット、または、ケイ素と半金属元素および非金属元素から選ばれる1以上の元素とを含有する材料からなるターゲットを用い、窒素系ガス、キセノンガスおよびヘリウムガスを含むスパッタリングガス中での反応性スパッタリングによって前記最上層を形成する工程である
ことを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。 - 前記加熱処理工程後の前記最上層は、少なくとも表層が酸化されていることを特徴とする請求項9記載のマスクブランクの製造方法。
- 請求項1から10のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法によって製造されたマスクブランクの前記位相シフト膜に、転写パターンを形成する工程を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
- 請求項11記載の位相シフトマスクの製造方法により製造された位相シフトマスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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