JP6432636B2 - フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6432636B2 JP6432636B2 JP2017073498A JP2017073498A JP6432636B2 JP 6432636 B2 JP6432636 B2 JP 6432636B2 JP 2017073498 A JP2017073498 A JP 2017073498A JP 2017073498 A JP2017073498 A JP 2017073498A JP 6432636 B2 JP6432636 B2 JP 6432636B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shift
- shift film
- film
- photomask
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
Description
D1>−0.5・D2+45かつ
D1<−0.5・D2+75
の関係を満足させることが好ましい。
・NA: 1.35
・sigma:QS X−0deg BL:32deg/Y−90deg BL:37deg
・polarization:Azimuthally polarizaion
・Target: 52nm 密集HOLE(Negative tone develop)
・Pitch:100nm
・第1位相シフト膜102bの屈折率n1:2.60
・第1位相シフト膜102bの消衰係数k1:0.35
・第2位相シフト膜102aの屈折率n2:1.85
・第2位相シフト膜102aの消衰係数k2:0.004
<比較例>
透過率:6%
膜厚:75nm
位相差:177.0度
屈折率n:2.3
消衰係数k:0.55
組成はモリブデン含有量10原子%、ケイ素含有量30原子%、酸素含有量10原子%、窒素含有量50原子%である。
まず、窒化ケイ素系材料を用いた第1位相シフト膜102b及び酸窒化ケイ素系材料を用いた第2位相シフト膜102aの膜厚と、光透過率との関係について評価を行う。本実施例では、位相シフト膜102の透過率が、30%、40%、50%、60%を実現可能な第1位相シフト膜102b及び第2位相シフト膜102aの組み合わせを計算により求め、上で述べた比較例との比較を行う。以下では、透過率が30%、40%、50%、60%である位相シフト膜102で、下層膜に第1位相シフト膜102bを、そして上層膜に第2位相シフト膜102aを用いた位相シフト膜をそれぞれ、「実施例1の位相シフト膜102」、「実施例2の位相シフト膜102」、「実施例3の位相シフト膜102」、「実施例4の位相シフト膜102」と呼ぶ。
次いで、実施例1〜4の位相シフト膜102を用いたフォトマスク400、および比較例の位相シフト膜102を用いたフォトマスク400について、ArFエキシマレーザー露光光の波長における各光透過率に対して、NILS、DOF、MEEF、EMFバイアスを計算により求め、また各実施例の比較例に対する改善率、各実施例の改善率の平均をまとめた結果を表4に示す。また、この評価においては、より良好な転写特性を実現するため、フォトマスク400の位相差は180度であるとして評価を行った。
D1>−0.5・D2+45かつ
D1<−0.5・D2+75
を満たす領域である。このことから転写特性の観点では、D1とD2が上の式を満たす範囲にあることが好ましいといえる。
装置:ICP(Inductively Coupled Plasma=誘導結合プラズマ)方式
ガス:Cl2+O2+He、ガス圧力:6mTorr
ICP電力:400W
バイアスパワー:15W
装置:ICP(Inductively Coupled Plasma=誘導結合プラズマ)方式
ガス:Cl2+O2+He、ガス圧力:6mTorr
ICP電力:400W
バイアスパワー:30W
装置:ICP
ガス:SF6+O2、ガス圧力:5mTorr
ICP電力:325W
装置:ICP(Inductively Coupled Plasma=誘導結合プラズマ)方式
ガス:Cl2+O2+He、ガス圧力:8mTorr
ICP電力:500W
バイアスパワー:10W
101a…エッチングマスクパターン
102…位相シフト膜
102a…第2位相シフト膜
102b…第1位相シフト膜
102c…位相シフト膜パターン
103…透光性基板
104…レジスト膜
104a…第1のレジストパターン
104b…レジスト膜
104c…第2のレジストパターン
105…有効エリア
106…外周部パターン
107…パターン加工膜
107a…パターン加工パターン
108…レジスト膜
108a…第1のレジストパターン
200、250、500、550…フォトマスクブランク
300…フォトマスク
400…フォトマスク
Claims (8)
- 波長193nmの露光光が適応されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、
前記フォトマスクブランクは、
透光性基板と、
該透光性基板の上に形成され、位相シフト効果をもたらす位相シフト膜と、
前記位相シフト膜の上に形成される遮光膜と、
を備え、
前記位相シフト膜は、
窒化ケイ素を用いた第1位相シフト膜と、
酸窒化ケイ素を用いた第2位相シフト膜と、
が積層されて構成されており、
前記位相シフト膜の前記露光光に対する光透過率は30%以上であり、
前記第1位相シフト膜の屈折率n1は2.5以上かつ2.75以下で、前記第2位相シフト膜の屈折率n2は1.55以上かつ2.20以下であり、
前記第1位相シフト膜の消衰係数k1は0.2以上かつ0.4以下であり、前記第2位相シフト膜の消衰係数k2は0より大きくかつ0.1以下であり、
前記位相シフト膜の総膜厚は、70nmより大きく114nm以下である、
ことを特徴とする、フォトマスクブランク。 - 前記位相シフト膜は、前記透光性基板の上に形成された前記第1位相シフト膜の上に、
前記第2位相シフト膜が積層されてなる、
ことを特徴とする、請求項1記載のフォトマスクブランク。 - 前記遮光膜は、フッ素系ドライエッチングでは実質的にエッチングされず、酸素を含む
塩素系ドライエッチングではエッチングが可能であり、クロム含有量が20原子%以上で
ある、
ことを特徴とする、請求項1又は2に記載のフォトマスクブランク。 - 波長193nmの露光光が適応されるフォトマスクであって、前記フォトマスクは、透光性基板と、該透光性基板の上に積層された位相シフト膜に形成されたパターンである回路パターンとを備え、
前記位相シフト膜は、
窒化ケイ素を用いた第1位相シフト膜と、
酸窒化ケイ素を用いた第2位相シフト膜と、
が積層されて構成されており、
前記位相シフト膜の前記露光光に対する光透過率は30%以上であり、
前記第1位相シフト膜の屈折率n1は2.5以上かつ2.75以下で、前記第2位相シフト膜の屈折率n2は1.55以上かつ2.20以下であり、
前記第1位相シフト膜の消衰係数k1は0.2以上かつ0.4以下であり、前記第2位相シフト膜の消衰係数k2は0より大きくかつ0.1以下であり、
前記位相シフト膜の総膜厚は、70nmより大きく114nm以下である、
ことを特徴とする、フォトマスク。 - 前記位相シフト膜は、前記第1位相シフト膜が前記透光性基板の上に形成され、さらに前記第1位相シフト膜の上に前記第2位相シフト膜が積層されてなることを特徴とする、
請求項4記載のフォトマスク。 - 前記フォトマスクは、前記回路パターンを含む有効エリアの外周部に位置する前記位相シフト膜の上に、遮光膜が積層されており、
前記遮光膜は、フッ素系ドライエッチングでは実質的にエッチングされず、酸素を含む塩素系ドライエッチングではエッチングが可能であり、クロム含有量が20原子%以上である、
ことを特徴とする請求項4または5に記載のフォトマスク。 - 前記外周部に設けられた前記遮光膜の、前記露光光に対する光透過率は、0.1%以下である、
ことを特徴とする、請求項6に記載のフォトマスク。 - 請求項1ないし3のいずれか一項に記載のフォトマスクブランクを用いた、フォトマスクの製造方法であって、
前記遮光膜に対して、酸素を含む塩素系ガスを用いるドライエッチングを行うことにより、前記遮光膜にパターンを形成する工程と、
前記遮光膜に形成されたパターンをマスクとして、前記位相シフト膜にフッ素系ガスを用いるドライエッチングを行うことによって、前記位相シフト膜に回路パターンと該回路パターンを包含するエリアの外周部を形成する外周部パターンを形成する工程と、
前記外周部パターンの上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして、酸素を含む塩素系ガスを用いるドライエッチングを行うことによって、前記遮光膜の一部を除去する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
を有することを特徴とする、フォトマスクの製造方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017073498A JP6432636B2 (ja) | 2017-04-03 | 2017-04-03 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 |
EP18781333.2A EP3608718A4 (en) | 2017-04-03 | 2018-04-02 | Photo mask blank, photo mask and photo mask manufacturing process |
PCT/JP2018/014059 WO2018186325A1 (ja) | 2017-04-03 | 2018-04-02 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 |
KR1020197028000A KR102559145B1 (ko) | 2017-04-03 | 2018-04-02 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 포토마스크의 제조 방법 |
CN201880021110.2A CN110462510B (zh) | 2017-04-03 | 2018-04-02 | 光掩模坯料、光掩模及光掩模的制造方法 |
TW107111584A TWI770155B (zh) | 2017-04-03 | 2018-04-02 | 空白光罩、光罩及光罩之製造方法 |
SG11201908669P SG11201908669PA (en) | 2017-04-03 | 2018-04-02 | Photomask blank, photomask, and photomask manufacturing method |
US16/578,938 US11187974B2 (en) | 2017-04-03 | 2019-09-23 | Photomask blank, photomask, and photomask manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017073498A JP6432636B2 (ja) | 2017-04-03 | 2017-04-03 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018180015A JP2018180015A (ja) | 2018-11-15 |
JP6432636B2 true JP6432636B2 (ja) | 2018-12-05 |
Family
ID=63713504
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017073498A Active JP6432636B2 (ja) | 2017-04-03 | 2017-04-03 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11187974B2 (ja) |
EP (1) | EP3608718A4 (ja) |
JP (1) | JP6432636B2 (ja) |
KR (1) | KR102559145B1 (ja) |
CN (1) | CN110462510B (ja) |
SG (1) | SG11201908669PA (ja) |
TW (1) | TWI770155B (ja) |
WO (1) | WO2018186325A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6896694B2 (ja) * | 2018-12-25 | 2021-06-30 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
JP7255512B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2023-04-11 | 信越化学工業株式会社 | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6045954A (en) * | 1998-06-12 | 2000-04-04 | Industrial Technology Research Institute | Formation of silicon nitride film for a phase shift mask at 193 nm |
CN1896868B (zh) * | 2001-11-27 | 2012-06-20 | Hoya株式会社 | 半色调型相移掩膜坯料、半色调型相移掩膜及其制造方法 |
JP4707922B2 (ja) * | 2002-04-26 | 2011-06-22 | Hoya株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
US7011910B2 (en) | 2002-04-26 | 2006-03-14 | Hoya Corporation | Halftone-type phase-shift mask blank, and halftone-type phase-shift mask |
JP2003322952A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Mitsubishi Electric Corp | 高透過率型ハーフトーン位相シフトマスクおよび半導体装置の製造方法 |
JP5702920B2 (ja) | 2008-06-25 | 2015-04-15 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクおよび位相シフトマスクブランクの製造方法 |
TWI457697B (zh) * | 2009-01-15 | 2014-10-21 | Shinetsu Chemical Co | 光罩製造方法,空白光罩與乾式蝕刻法 |
KR101168406B1 (ko) * | 2009-05-26 | 2012-07-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 하프톤 마스크 및 이의 제조 방법 |
JP5682493B2 (ja) * | 2010-08-04 | 2015-03-11 | 信越化学工業株式会社 | バイナリーフォトマスクブランク及びバイナリーフォトマスクの製造方法 |
JP5483366B2 (ja) * | 2011-03-11 | 2014-05-07 | Hoya株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 |
US9625806B2 (en) * | 2013-01-15 | 2017-04-18 | Hoya Corporation | Mask blank, phase-shift mask, and method for manufacturing the same |
WO2015025922A1 (ja) * | 2013-08-21 | 2015-02-26 | 大日本印刷株式会社 | マスクブランクス、ネガ型レジスト膜付きマスクブランクス、位相シフトマスク、およびそれを用いるパターン形成体の製造方法 |
JP6379556B2 (ja) * | 2013-08-21 | 2018-08-29 | 大日本印刷株式会社 | マスクブランクス、ネガ型レジスト膜付きマスクブランクス、位相シフトマスク、およびそれを用いるパターン形成体の製造方法 |
JP6264238B2 (ja) * | 2013-11-06 | 2018-01-24 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、ハーフトーン位相シフト型フォトマスク及びパターン露光方法 |
JP6524614B2 (ja) * | 2014-05-27 | 2019-06-05 | 大日本印刷株式会社 | マスクブランクス、ネガ型レジスト膜付きマスクブランクス、位相シフトマスク、およびそれを用いるパターン形成体の製造方法 |
JP6313678B2 (ja) * | 2014-07-14 | 2018-04-18 | Hoya株式会社 | マスクブランクの製造方法、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
JP2016035559A (ja) * | 2014-08-04 | 2016-03-17 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びその製造方法 |
KR101579848B1 (ko) * | 2014-08-29 | 2015-12-23 | 주식회사 에스앤에스텍 | 위상 반전 블랭크 마스크 및 포토마스크 |
JP6380204B2 (ja) | 2015-03-31 | 2018-08-29 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフトマスクブランク、ハーフトーン位相シフトマスク及びパターン露光方法 |
JP6418035B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2018-11-07 | 信越化学工業株式会社 | 位相シフトマスクブランクス及び位相シフトマスク |
JP6341129B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2018-06-13 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスク |
JP6544300B2 (ja) * | 2015-08-31 | 2019-07-17 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、その製造方法、及びハーフトーン位相シフト型フォトマスク |
US9897911B2 (en) | 2015-08-31 | 2018-02-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask blank, making method, and halftone phase shift photomask |
JP6451561B2 (ja) * | 2015-09-03 | 2019-01-16 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
-
2017
- 2017-04-03 JP JP2017073498A patent/JP6432636B2/ja active Active
-
2018
- 2018-04-02 CN CN201880021110.2A patent/CN110462510B/zh active Active
- 2018-04-02 TW TW107111584A patent/TWI770155B/zh active
- 2018-04-02 WO PCT/JP2018/014059 patent/WO2018186325A1/ja unknown
- 2018-04-02 SG SG11201908669P patent/SG11201908669PA/en unknown
- 2018-04-02 KR KR1020197028000A patent/KR102559145B1/ko active IP Right Grant
- 2018-04-02 EP EP18781333.2A patent/EP3608718A4/en active Pending
-
2019
- 2019-09-23 US US16/578,938 patent/US11187974B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190134619A (ko) | 2019-12-04 |
US11187974B2 (en) | 2021-11-30 |
JP2018180015A (ja) | 2018-11-15 |
TW201842399A (zh) | 2018-12-01 |
CN110462510A (zh) | 2019-11-15 |
KR102559145B1 (ko) | 2023-07-24 |
US20200012185A1 (en) | 2020-01-09 |
SG11201908669PA (en) | 2019-10-30 |
EP3608718A4 (en) | 2021-01-13 |
TWI770155B (zh) | 2022-07-11 |
EP3608718A1 (en) | 2020-02-12 |
WO2018186325A1 (ja) | 2018-10-11 |
CN110462510B (zh) | 2023-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6729508B2 (ja) | フォトマスクブランク及びフォトマスク | |
JP6601245B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びマスクパターン形成方法 | |
WO2010147172A1 (ja) | マスクブランク及び転写用マスク、並びに転写用マスクの製造方法 | |
KR102249017B1 (ko) | 포토마스크 블랭크 | |
CN106547167B (zh) | 光掩模坯、制备方法和光掩模 | |
WO2011074430A1 (ja) | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 | |
KR20180103719A (ko) | 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크 | |
TWI752019B (zh) | 具有多層遮光層的光罩 | |
JP6988697B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク | |
JP6432636B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 | |
JP2011222612A (ja) | Euv用反射型マスク及びeuv用反射型マスク製造方法 | |
TW201945827A (zh) | 遮罩基底、相位轉移遮罩及半導體元件之製造方法 | |
WO2020241116A1 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク | |
JP4923465B2 (ja) | 極端紫外線露光用マスクブランク、極端紫外線露光用マスク及びその製造方法並びにパターン転写方法 | |
JP2019215467A (ja) | フォトマスク及びフォトマスクブランクス | |
CN115933308A (zh) | 掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 | |
CN116018556A (zh) | 相移掩模坯、相移掩模以及相移掩模的制造方法 | |
WO2016140044A1 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びマスクパターン形成方法 | |
JP7409830B2 (ja) | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 | |
JP7280171B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク | |
JP2002072454A (ja) | ホトマスク及びその製造方法 | |
JP4539955B2 (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法並びに露光方法 | |
JP2008310092A (ja) | フォトマスク | |
KR20070119377A (ko) | 위상 반전 마스크 및 그의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170508 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180410 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180528 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181009 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181022 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6432636 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |