JP5483366B2 - ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、位相シフターによる光の干渉作用を利用して転写パターンの解像度を向上できるようにした位相シフトマスク及びその素材としての位相シフトマスクブランク等に関し、特にハーフトーン型の位相シフトマスク及びブランク等に関する。

位相シフト法は、光リソグラフィーにおける超解像技術の一つであり、同方法を用いることにより、同じ露光波長を使用した場合であって通常のフォトマスクを使用した場合と比較して、転写像のコントラストを向上させたり、あるいは波長限界を超える微細パターンを転写することが可能となる。位相シフト法では、微細パターンを転写するためのマスクとして位相シフトマスクが使用される。

位相シフトマスクの１つにハーフトーン型位相シフトマスクがある。このハーフトーン型位相シフトマスクは、マスク作製時のパターン加工が比較的容易であることから、コンタクトホール形成を主たる用途として広く用いられるようになった。ハーフトーン型位相シフトマスクは、光透過部と、光半透過性を有しかつ位相シフト機能を有するハーフトーン位相シフター部からなり、両者を透過してくる光の位相を通常１８０°ずらすことで、パターン境界部分において光の相互干渉を起こさせることにより、転写像のコントラストを向上させる。ハーフトーン型位相シフトマスクは、ハーフトーン位相シフター部の層構成の面から、単層型と多層型とに大別できる。その中で、多層型は、前記ハーフトーン位相シフター部が、遮光層と、透明層との組合せからなるものが多い。ここでいう、遮光層とは露光波長において遮光性を有する材料からなる層であり、透明層とは露光波長において光透過率が８０％以上あるような透明材料からなる層である。このような多層型ハーフトーン型位相シフトマスクでは、遮光層によってハーフトーン型位相シフトマスクとして使用可能な透過率範囲に調整し、透明層によって位相シフトマスクとして必要な、パターン開口部（光透過部）に対して１８０°の位相シフト量を与えるといったように、各層に独立した役割・機能をもたせている。

［発明が解決しようとする課題］
ところで、今後更な回路パターンの微細化に対応するには、位相シフト法による超解像技術を駆使してもなお、露光波長の短波長化が避けられなくなってきており、現在、次の世代の露光光源として、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ光、及び波長１５７ｎｍのＦ₂エキシマレーザ光が検討されている。しかしながら、これらの露光波長において光透過率が８０％以上あるような透明材料となると、ＣａＦ₂や高純度石英などごく一部であり、多くの材料は少なくとも２０％程度の光を吸収し、少なくとも１０％程度の光を反射してしまう。つまり、ＣａＦ₂や高純度石英以外の材料を用いた場合、短波長化前に透明層に相当した層は、短波長化後には光透過率が７０％未満の高透過率層となってしまう。したがって、上述と同様の短波長化前の構成からなる多層型のハーフトーン型位相シフトマスクを考えた場合、これまで透明層とされていた層についても、透過率を抑制する効果が自動的に発現してしまい、ハーフトーン型位相シフトマスクとして必要な透過率を下回ってしまう。
この問題を解決するひとつの方法として、短波長化前の透明層に対応する短波長化後の高透過率層の膜厚を薄くする手段が考えられるが、その場合には、この高透過率層による位相シフト量が不十分となる。

本発明はこのような背景の下になされたものであり、Ｆ₂エキシマレーザの波長１５７ｎｍを含む１４０〜２００ｎｍの波長範囲において、上述した高透過率層に付随して発現してしまう透過率抑制効果が問題とならないような、多層型ハーフトーン型位相シフトマスク及びその素材となるハーフトーン型位相シフトマスクブランクの提供を目的とする。

［課題を解決するための手段］
本発明は以下の構成を有する。

（構成１） 透明基板上に、露光光を透過させる光透過部と、露光光の一部を透過させると同時に透過した光の位相を所定量シフトさせる位相シフター部を有するハーフトーン型位相シフトマスクを製造するために用いるハーフトーン型位相シフトマスクブランクであり、透明基板上に前記位相シフター部を形成するための位相シフター膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
前記位相シフター膜が、透過率調整を主たる機能とする低透過率層と、位相シフト量の調整を主たる機能とする高透過率層の２層からなり、
前記低透過率層の消衰係数をＫ₁、前記高透過率層の消衰係数をＫ₂としたとき、波長１４０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲から選ばれる露光波長λにおいて、Ｋ₂＜Ｋ₁≦３．０の範囲であって、
前記低透過率層の膜厚をｄ₁としたときに、前記露光波長λにおいて、０．００１≦Ｋ₁ｄ₁／λ≦０．５００であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。

（構成２） 構成１記載のλが、ＡｒＦエキシマレーザの波長１９３ｎｍ付近である場合に、０．０１０≦Ｋ₁ｄ₁／λ≦０．５００であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。

（構成３） 構成１記載のλが、Ｆ₂エキシマレーザの波長１５７ｎｍ付近である場合に、０．００１≦Ｋ₁ｄ₁／λ≦０．２５０であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。

（構成４） 前記高透過率層の屈折率をｎ₂、消衰係数Ｋ₂としたときに、波長１４０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲から選ばれる露光波長λにおいて、ｎ₂≧１．５かつＫ₂≦０．４５であることを特徴とする構成１〜３のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランク。

（構成５） 構成４記載のλが、ＡｒＦエキシマレーザの波長１９３ｎｍ付近である場合に、ｎ₂≧１．７かつＫ₂≦０．４５であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。

（構成６） 構成４記載のλが、Ｆ₂エキシマレーザの波長１５７ｎｍ付近である場合に、ｎ₂≧１．５かつＫ₂≦０．４０であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。

（構成７） 透明基板上に、露光光を透過させる光透過部と、露光光の一部を透過させると同時に透過した光の位相を所定量シフトさせる位相シフター部を有するハーフトーン型位相シフトマスクを製造するために用いるハーフトーン型位相シフトマスクブランクであり、透明基板上に前記位相シフター部を形成するための位相シフター膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
前記位相シフター膜が、透過率調整を主たる機能とする低透過率層と、位相シフト量の調整を主たる機能とする高透過率層とを、それぞれ少なくとも１層づつ有する３層以上の多層膜からなり、
前記低透過率層の消衰係数をＫ₃、前記高透過率層の消衰係数をＫ₄としたとき、波長１４０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲から選ばれる露光波長λにおいて、Ｋ₄＜Ｋ₃≦３．０の範囲であって、
前記低透過率層の膜厚をｄ₃としたときに、前記露光波長λにおいて、０．００１≦Ｋ₃ｄ₃／λ≦０．５００であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。

（構成８） 構成７記載のλが、ＡｒＦエキシマレーザの波長１９３ｎｍ付近である場合に、０．０１０≦Ｋ₃ｄ₃／λ≦０．５００であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。

（構成９） 構成７記載のλが、Ｆ₂エキシマレーザの波長１５７ｎｍ付近である場合に、０．００１≦Ｋ₃ｄ₃／λ≦０．２５０であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。

（構成１０） 前記高透過率層の屈折率をｎ₄、消衰係数Ｋ₄としたときに、波長１４０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲から選ばれる露光波長λにおいて、ｎ₄≧１．５かつＫ₄≦０．４５であることを特徴とする構成７〜９のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランク。

（構成１１） 構成１０記載のλが、ＡｒＦエキシマレーザの波長１９３ｎｍ付近である場合に、ｎ₄≧１．７かつＫ₄≦０．４５であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。

（構成１２） 構成１０記載のλが、Ｆ₂エキシマレーザの波長１５７ｎｍ付近である場合に、ｎ₄≧１．５かつＫ₄≦０．４０であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。

（構成１３） 構成１〜１２のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおける位相シフター膜を、所定のパターンが得られるように選択的に除去するパターニング処理を施すことにより得られた、光透過部と位相シフター部とからなるマスクパターンを有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。

（構成１４） 構成１３に記載のハーフトーン型位相シフトマスクを用いてパターン転写を行うことを特徴とするパターン転写方法。

なお、本発明において、「高透過率層」、「低透過率層」は、層同士を比較した場合の相対的な透過率の高低を表しており、低透過率層の消衰係数は高透過率層の消衰係数よりも大きいものとなる。

［作用］
上記構成１によれば、低透過率層の消衰係数Ｋ₁、及び低透過率層の膜厚をｄ₁としたときのＫ₁ｄ₁／λの値をそれぞれ規定することによって、波長λ＝１４０〜２００ｎｍの真空紫外領域において上述した高透過率層に付随して発現してしまう透過率抑制効果が問題とならず、十分な光透過率、すなわち、ハーフトーン型位相シフトマスクに必要な３％〜４０％の範囲の光透過率を確保することが可能となる。
これに対し、低透過率層の消衰係数Ｋ₁が、波長１４０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲から選ばれる露光波長λにおいて、Ｋ₁＞３．０となるか、あるいは、低透過率層の膜厚をｄ₁としたときに、波長１４０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲から選ばれる露光波長λにおいて、Ｋ₁ｄ₁／λ＞０．５００となる場合には、ハーフトーン型位相シフトマスクに必要な３％〜４０％の範囲の光透過率を得ることができない。
また、低透過率層の消衰係数Ｋ₁が、波長１４０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲から選ばれる露光波長λにおいて、Ｋ₁ｄ₁／λ＜０．００１となる場合には、逆に光透過率が高くなりすぎるため、ハーフトーン型位相シフトマスクとしては不適となる。
以上の条件をふまえた、低透過率層の材料としては、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｗ、Ａｌから選ばれる少なくとも１種以上を主たる成分とする金属膜、金属窒化物膜、金属酸窒化物膜が望ましい。これらのうち、成膜や加工の制御の観点からは、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒや、ＴａＮ_x、ＣｒＮ_x、ＴｉＮ_x、ＡｌＮ_x、、ＺｒＮ_x、などが特に好ましい。
なお、低透過率層と高透過率層の積層の順番についてはどちらが上層でも構わない。ただし、反射率を低減するという観点からは、高透過率層が最上層となることが好ましい。

上記構成２では、特にＡｒＦエキシマレーザの露光波長１９３ｎｍ付近で、所望の位相シフト量及び光透過率が得られるようなＫ₁ｄ₁／λの値を規定している。
光透過率の観点からより好ましい範囲は、０．０４０≦Ｋ₁ｄ₁／λ≦０．３００である。同様に、位相シフト量の観点からより好ましい範囲は、０．０１０≦Ｋ₁≦２．５０である。

上記構成３では、特にＦ₂エキシマレーザの露光波長１５７ｎｍ付近で、所望の位相シフト量及び光透過率が得られるようなＫ₁ｄ₁／λの値を規定している。 光透過率の観点からより好ましい範囲は、０．０４０≦Ｋ₁ｄ₁／λ≦０．２００である。同様に、位相シフト量の観点からより好ましい範囲は、０．０１０≦Ｋ₁≦２．７０である。

上記構成４によれば、上記構成１〜３において、高透過率層の屈折率をｎ₂、消衰係数Ｋ₂としたときに、波長１４０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲から選ばれる露光波長λにおいて、ｎ₂≧１．５かつＫ₂≦０．４５である場合に、所望の位相シフト量及び光透過率を得ることが可能となる。
これに対し、Ｋ₂＞０．４５である場合には、ハーフトーン型位相シフトマスクに必要な３％〜４０％の範囲の光透過率を得ることができない。
また、ｎ₂＜１．５である場合には、必要な位相シフト量を得るための高透過率層の膜厚が大きくなりすぎるため、パターン形状のアスペクト比が高く、幅が狭く高さの高い不安定な形状となるという問題がある。
以上の条件をふまえた、高透過率層の材料としては、ＳｉＯ_xＮ_y、ＳｉＯ_x、ＣａＦ₂、ＭｇＦ₂などが挙げられる。これらは微量金属や微量元素を含むものであってもよい。

上記構成５では、特にＡｒＦエキシマレーザの露光波長１９３ｎｍ付近で、所望の位相シフト量及び光透過率が得られるような高透過率層のＫ₂、及びｎ₂の値を規定している。
位相シフト量の観点からより好ましい範囲は、ｎ₂≧２．０、光透過率の観点からより好ましい範囲はＫ₂≦０．４０である。

上記構成６では、特にＦ₂エキシマレーザの露光波長１５７ｎｍ付近で、所望の位相シフト量及び光透過率が得られるような高透過率層のＫ₂、及びｎ₂の値を規定している。
位相シフト量の観点からより好ましい範囲は、ｎ₂≧１．７、光透過率の観点からより好ましい範囲はＫ₂≦０．３８である。

上記構成７〜１２によれば、上記構成１〜６までに述べた２層膜の各層を細分化し、任意の態様で多層化した場合において、波長１４０〜２００ｎｍの真空紫外領域において上述した高透過率層に付随して発現してしまう透過率抑制効果が問題とならず、十分な光透過率、すなわち、ハーフトーン型位相シフトマスクに必要な３％〜４０％の範囲の光透過率を確保することが可能となる。
多層化の態様は、低透過率層と高透過率層とを交互に積層する態様の他、低透過率層又は高透過率層が２層以上直接積層された部分を多層膜中に含む態様なども含まれる。
これらの場合、低透過率層と高透過率層の積層の順番についてはどちらが上層でも構わない。ただし、反射率を低減するという観点からは、高透過率層が最上層となることが好ましい。
多層膜において、低透過率層又は高透過率層が２層以上ある場合にあっては、２層以上ある低透過率層のうちのそれぞれの層の材料及び組成は同じであっても構わないし、異なってもよい。同様に、２層以上ある高透過率層のうちのそれぞれの層の材料及び組成は同じであっても構わないし、異なってもよい。

［実施例］
以下、本発明の実施例について説明する。

実施例１〜７、比較例１〜３
実施例１〜７及び比較例１〜３は、Ｆ₂エキシマレーザの露光波長１５７ｎｍ付近に対応したハーフトーン型位相シフトマスクブランクに関する。
実施例１〜６及び比較例１〜３では、透明ＣａＦ₂基板上に、ＲＦ反応性スパッタリング法により、表１に示す材料からなる低透過率層を、適当な金属ターゲット及び反応性ガスを用いて成膜した。
次いで、上記低透過率層上に、Ｓｉターゲットを用い、反応性ガスとして窒素及び酸素を導入してＳｉＯ_xＮ_y組成の高透過率層を成膜して、２層膜からなる位相シフター膜を形成した。
なお、２層膜における各層の膜厚は、波長１５７ｎｍにおいて位相シフト量が１８０°となるように設定している。また、ＳｉＯ_xＮ_y膜は、波長１５７ｎｍにおける膜の屈折率ｎが２．２、消衰係数Ｋが０．２となるように、反応性ガスである窒素及び酸素の量を調整して成膜した。
実施例７は、多層膜に関するものであり、表１に示す材料からなる低透過率層と、実施例１〜６と同じ屈折率ｎ：２．２、消衰係数Ｋ：０．２を有する高透過率層（ＳｉＯ_xＮ_y層）を交互に２回ずつ成膜して、４層膜からなる位相シフター膜を形成した。

エリプソメーターを用いた測定によって得られた、各実施例及び比較例における低透過率層の消衰係数Ｋ、Ｋｄ／λの値を表２に示す。また、真空紫外分光光度計を用いた測定によって得られた、２層膜又は４層膜の波長１５７ｎｍにおける透過率、反射率の値を表２に示す。ここで、ｄは低透過率層の膜厚（ｎｍ）又は膜厚の総和（ｎｍ）を指し、λはＦ₂エキシマレーザの波長１５７ｎｍを指す。

表２から、各実施例１〜７とも１５７ｎｍにおいてハーフトーン型位相シフトマスクとして十分な３〜４０％の光透過率を示している。一方、比較例１〜２のように、低透過率層のＫｄ／λの値が大きい場合には、十分な光透過率が得られていない。逆に、比較例３のように、低透過率層のＫｄ／λの値が小さい場合には、光透過率が大きすぎるため、ハーフトーン型位相シフトマスクとしては不適当である。なお、比較例３の低透過率層は、高透過率層のＳｉＯ_xＮ_y膜に比べ窒素量が多いＳｉＯ_xＮ_y膜である。
なお、高透過率層の材料を酸素量の少ないＳｉＯ_xＮ_y膜とし、この高透過率層の１５７ｎｍにける消衰係数Ｋ＞０．４０とした場合、十分な光透過率を得ることができないことを確認した。また、この高透過率層の１５７ｎｍにける屈折率ｎ＜１．５である場合には、必要な位相シフト量を得るための高透過率層の膜厚が大きくなりすぎるため、パターン形状のアスペクト比が高く、不安定な形状となることを確認した。

実施例８〜１０、比較例４〜５
実施例８〜１０及び比較例４〜５は、ＡｒＦエキシマレーザの露光波長１９３ｎｍ付近に対応したハーフトーン型位相シフトマスクブランクに関する。
実施例８〜１０及び比較例４〜５では、透明ＣａＦ₂基板上に、ＲＦ反応性スパッタリング法により、表３に示す材料からなる低透過率層を、適当な金属ターゲット及び反応性ガスを用いて成膜した。
次いで、上記低透過率層上に、Ｓｉターゲットを用い、反応性ガスとして窒素及び酸素を導入してＳｉＯ_xＮ_y組成の高透過率層を成膜して、２層膜からなる位相シフター膜を形成した。
なお、２層膜における各層の膜厚は、波長１９３ｎｍにおいて位相シフト量が１８０°となるように設定している。また、ＳｉＯ_xＮ_y膜は、波長１９３ｎｍにおける膜の屈折率ｎが２．２、消衰係数Ｋが０．１１となるように、反応性ガスである窒素及び酸素の量を調整して成膜した。

エリプソメーターを用いた測定によって得られた、各実施例及び比較例における低透過率層の消衰係数Ｋ、Ｋｄ／λの値を表４に示す。また、真空紫外分光光度計を用いた測定によって得られた、２層膜の波長１９３ｎｍにおける透過率、反射率の値を表４に示す。ここで、ｄは低透過率層の膜厚（ｎｍ）を指し、λはＡｒＦエキシマレーザの波長１９３ｎｍを指す。

表４から、各実施例８〜１０とも１９３ｎｍにおいてハーフトーン型位相シフトマスクとして適当な光透過率を示している。一方、比較例４のように、Ｋｄ／λの値が大きい場合には、十分な光透過率が得られていない。逆に、比較例５のように、Ｋｄ／λの値が小さい場合には、光透過率が大きすぎるため、ハーフトーン型位相シフトマスクとしては不適当である。
なお、高透過率層の材料を酸素量の少ないＳｉＯ_xＮ_y膜とし、この高透過率層の１９３ｎｍにける消衰係数Ｋ＞０．４５とした場合、十分な光透過率を得ることができないことを確認した。また、この高透過率層の１９３ｎｍにける屈折率ｎ＜１．７である場合には、必要な位相シフト量を得るための高透過率層の膜厚が大きくなりすぎるため、パターン形状のアスペクト比が高く、不安定な形状となることを確認した。

本発明は上述した実施例の範囲に限定されない。
例えば、実施例に示す材料、成膜条件等に限定されない。
また、各層を成膜する際のスパッタガスとしては、窒素、酸素、一酸化窒素、二酸化窒素、一酸化二窒素等の各種窒素源、酸素源と、アルゴンあるいはキセノン等の不活性ガスを適宜混合したスパッタガスを用いることが可能である。また、スパッタリング法の方式や、スパッタ装置の電力印加方式（ＲＦ、ＤＣなど）、スパッタ出力、ガス圧、基板加熱の有無等に関しては、用いるターゲット及びガスの種類、また目的とする膜特性に応じて適宜選択することが可能である。
また、基板材料は、高純度石英基板などを適宜用いることが可能である。

［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、Ｆ₂エキシマレーザの波長１５７ｎｍを含む１４０〜２００ｎｍの波長範囲において、従前の２層又は多層膜からなるハーフトーン型位相シフトマスクを使用する上で生じていた、高透過率層に付随して発現してしまう透過率抑制効果が問題となることがなく、したがって、これらの波長範囲において使用可能な多層型ハーフトーン型位相シフトマスク及びそのマスクブランクを提供できる。

Claims (10)

1. 透明基板上に、露光光を透過させる光透過部と、露光光の一部を透過させると同時に透過した光の位相を所定量シフトさせる位相シフター部を有するハーフトーン型位相シフトマスクを製造するために用いるハーフトーン型位相シフトマスクブランクであり、透明基板上に前記位相シフター部を形成するための位相シフター膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法において、
   前記位相シフトマスクブランクは、ＡｒＦエキシマレーザの露光波長１９３ｎｍ付近に対応したものであり、
   前記位相シフター膜が、透過率調整を主たる機能とする低透過率層と、位相シフト量の調整を主たる機能とする高透過率層と含み、
   前記低透過率層は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｗ、Ａｌから選ばれる少なくとも１種以上を主たる成分とする金属膜、金属窒化物膜、または金属酸窒化物膜であり、
   前記位相シフター膜の最上層は、高透過率層であり、ＳｉＯ _ｘ Ｎ _ｙ 又はこれらに金属を含む材料からなり、
   前記低透過率層の消衰係数をＫ_１、前記高透過率層の消衰係数をＫ_２としたとき、前記露光波長λにおいて、Ｋ_２＜Ｋ_１≦３．０の範囲であり、
   前記低透過率層の膜厚をｄ_１としたときに、前記露光波長λにおいて、０．０１０≦Ｋ_１ｄ_１／λ≦０．５００であり、
   前記高透過率層の屈折率をｎ_２、消衰係数Ｋ_２としたときに、ｎ_２≧１．７かつＫ_２≦０．４５の範囲を満たすことによって、
   前記露光波長において所望の位相シフト量及び光透過率を有する位相シフト膜を形成することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法。
2. 前記露光波長λにおいて、０．０４０≦Ｋ_１ｄ_１ ／λ≦０．３００であることを特徴とする請求項１に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法。
3. 前記低透過率層の消衰係数Ｋ_１が０．０１０≦Ｋ_１≦２．５０であることを特徴とする請求項１又は２に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法。
4. 前記高透過率層の屈折率ｎ_２がｎ_２≧２．０であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法。
5. 前記高透過率層の消衰係数Ｋ_２がＫ_２≦０．４０であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法。
6. 前記位相シフター膜が、前記低透過率層と前記高透過率層との２層からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法。
7. 前記位相シフター膜が、前記低透過率層と前記高透過率層とをそれぞれ少なくともの１層づつ有する３層以上の多層膜からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法。
8. 前記透明基板上に前記低透過率層と前記高透過率層とがこの順に形成され、
   前記低透過率層は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａから選ばれる少なくとも１種以上を主たる成分とする金属膜、金属窒化物膜、または金属酸窒化物膜であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法。
9. 請求項１〜８のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおける位相シフター膜を、所定のパターンが得られるように選択的に除去するパターニング処理を施すことにより得られた、光透過部と位相シフター部とからなるマスクパターンを有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
10. 請求項９に記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法によって製造されたハーフトーン型位相シフトマスクを用いてパターン転写を行うことを特徴とするパターン転写方法。