JPH08152706A

JPH08152706A - 位相シフトマスクの製造方法及びスパッタリング装置

Info

Publication number: JPH08152706A
Application number: JP29623494A
Authority: JP
Inventors: Naoyuki Ishiwatari; 直行石渡; Hideaki Hasegawa; 秀明長谷川; Koji Nochida; 浩司後田
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1994-11-30
Filing date: 1994-11-30
Publication date: 1996-06-11

Abstract

(57)【要約】【目的】位相シフターパターンを形成する際、工程数
を増やすことなくチャージアップ防止用膜を容易に形成
することができるとともに、工程数を増やすことなくチ
ャージアップ防止用膜を下地と選択性良く容易に剥離す
ることができる。【構成】透明基板１上に少なくとも酸素または窒素を
含むクロム系材質からなる減衰シフター膜２及びクロム
膜３を順次形成する工程と、次いで、該クロム膜３上に
電子線レジスト４を塗布した後、該電子線レジスト４を
パターン描画する工程と、次いで、該電子線レジスト４
を現像処理してレジストパターン４ａを形成する工程
と、次いで、該レジストパターン４ａをマスクとして、
該クロム膜３及び該減衰シフター膜２を一括にエッチン
グして、減衰シフターパターン２ａを形成する工程と、
次いで、該レジストパターン４ａ及び該クロム膜３を除
去する工程とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、位相シフトマスクの製
造方法に係り、詳しくは、減衰型位相シフトマスクの製
造技術に関する。また、上記減衰型位相シフトマスクの
シフタや遮光膜などの製造に適用できる他、半導体素子
やフォトマスク等の製造にも応用されるスパッタ技術に
関する。

【０００２】近年、半導体素子の微細化が急速に進んで
おり、ウェーハ上に０．３〜０．５μｍ程度の微細なパ
ターンを形成する技術が要求されている。このような微
細なパターンを形成する方法として、位相シフトマスク
を用いて解像力を向上させる方法が提案されているが、
この方法を実用化するためには、位相シフトマスク自体
の製造方法を確立する必要がある。また、特にシフタや
遮光膜などの製造技術に関しては、通常スパッタ技術が
用いられるが、膜厚に加えて膜質の均一性が求められて
いる。

【０００３】

【従来の技術】減衰型位相シフトマスクのシフター材料
は、通常、クロム（以下Ｃｒ）系の材料、例えば酸化ク
ロム（以下ＣｒＯｘ）や酸化窒化クロム（以下ＣｒＯｘ
Ｎｙ）等が用いられている。一般に、金属の酸化物や窒
化物は、導電性に乏しいため、このような材料を用いて
マスクを作製する際には、電子線描画による帯電を防止
する必要がある。その方法としては、レジスト上に導電
性のポリマーを回転塗布するというのが一般的に行われ
ている。以下、具体的に従来の位相シフトマスクの製造
方法を図面を用いて説明する。

【０００４】図８，９は従来の減衰型位相シフトマスク
の製造方法を示す図である。まず、石英等からなる透明
基板１００１上に、ＣｒＯ_X、ＣｒＯ_XＮ_Y等の減衰シフ
ター膜２をスパッタリング、蒸着により成膜する（図８
（ａ））。次に、減衰シフター膜１００２上に電子線レ
ジスト１００３を塗布し、電子線レジスト１００３のベ
ーキングを行った後（図８（ｂ））、電子線レジスト１
００３上に導電性ポリマー１００４を塗布し、導電性ポ
リマー１００４のベーキングを行う（図８（ｃ））。

【０００５】次に、導電性ポリマー１００４のパターン
描画を行った後、導電性ポリマー１００４を純水、有機
溶媒等で剥離し、その後、パターン描画した電子線レジ
スト１００３の現像を行ってレジストパターン１００３
ａを形成する（図９（ａ））。そして、レジストパター
ン１００３ａをマスクとして、減衰シフター膜１００２
のエッチングを行って減衰シフターパターン１００２ａ
を形成した後（図９（ｂ））、レジストパターン１００
３ａを除去することにより、図９（ｃ）に示すような位
相シフトマスクを得ることができる。

【０００６】従来の位相シフトマスクの製造方法では、
ハーフトーン構造にするために減衰シフター膜１００２
を金属の酸化物で構成しているため、導電性ポリマー１
００４がない状態で電子線レジスト１００３を電子線で
描画すると、チャージアップが生じて、パターン位置精
度が悪くなってしまう。このため、前述した従来の位相
シフトマスクの製造方法は、電子線レジスト１００３上
を導電性ポリマー１００４で覆った状態で電子線レジス
ト１００３を電子線で描画しているため、チャージアッ
プを回避することができるという利点を有する。なお、
導電性ポリマー１００４は、電子線レジスト１００３を
電子線で描画する時にチャージアップを防止するため
に、乾板周辺部を支持する基板ホルダの導通ピンと電気
的接続されている。

【０００７】次に、図１０は従来のスパッタリング装置
の構成を示す図である。前記したように、上記位相シフ
トマスクのシフタや遮光膜の製造にはスパッタリング装
置が用いられる。図１０において、２００１は基板ホル
ダー２００２に支持された基板であり、２００３は防着
板であり、２００４はチャンバー２００３下の中央部に
配置された鉄心であり、２００５は鉄心２００４を取り
囲むように配置されたリング形状の磁石である。２００
６は鉄心２００４及び磁石２００５上のチャンバー２０
０３下部に配置されたターゲットであり、２００７は基
板２００１とターゲット２００６間のチャンバー２００
３側壁に、かつチャンバー２００３中央部を開口するよ
うに配置されたアパーチャである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た図８，９に示す位相シフトマスクの製造方法では、チ
ャージアップを防止するために電子線レジスト１００３
上を導電性ポリマー１００４で覆った状態で電子線レジ
スト１００３を電子線描画しているため、導電性ポリマ
ー１００４を一々塗布、ベーク等を行わなければならな
いうえ、電子線レジスト１００３を電子線描画後に剥離
しなければならない等、工程数が増加するという問題が
あった。

【０００９】また、導電性ポリマー１００４は、電子線
レジスト１００３と同様ポリマーであり、電子線レジス
ト１００３から選択性良く剥離しなけばならないが、電
子線レジスト１００３の種類によってはマッチングを取
ることが困難となる。この場合、電子線レジスト１００
３を電子線描画した後に電子線レジスト１００３から導
電性ポリマー１００４を剥離する際、電子線レジスト１
００３から導電性ポリマー１００４を電子線レジスト１
００３表面にピンホールが発生する等、剥離不良が生じ
て異物残りが生じる等、問題があった。

【００１０】次に、上記した図１０に示す従来のスパッ
タリング装置では、図１１に示す如く、ターゲット２０
０６周囲を覆うようにアパーチャ２００７を配置するこ
とにより膜厚分布のみを向上させていたが、図１１，１
２に示す如く、ターゲット２００６上で中央部にデポジ
ションが起きる領域２００６ａ（例えば８インチφのタ
ーゲット上に約２インチφ）とエロージョン領域２００
６ｂが生じ、図１３に示す如く、プラズマをピンチする
磁場が生じるため、ターゲット２００６上の成膜条件が
中心部と周辺部で異なる。

【００１１】このため、膜厚分布を向上させようとし
て、ターゲット２００６周囲を覆うようにアパーチャ２
００７を配置しても、ターゲット２００６上のプラズマ
の強度分布が均一ではないので、成膜速度が均一になら
なくなり、また成膜される膜質も均一にならなくなると
いう問題があった。そこで、本発明は、位相シフターパ
ターンを形成する際、工程数を増やすことなくチャージ
アップ防止用膜を容易に形成することができるととも
に、工程数を増やすことなくチャージアップ防止用膜を
下地と選択性良く容易に剥離することができる位相シフ
トマスクの製造方法と、例えば位相シフトマスクのシフ
タなどスパッタリングされる膜の膜厚及び膜質の均一性
を向上させることができるスパッタリング技術とを提供
することを目的としている。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
透明基板上に少なくとも酸素または窒素を含むクロム系
材質からなる減衰シフター膜及びクロム膜を順次形成す
る工程と、次いで、該クロム膜上に電子線レジストを塗
布した後、該電子線レジストをパターン描画する工程
と、次いで、該電子線レジストを現像処理してレジスト
パターンを形成する工程と、次いで、該レジストパター
ンをマスクとして、該クロム膜及び該減衰シフター膜を
一括にエッチングして、減衰シフターパターンを形成す
る工程と、次いで、該レジストパターン及び該クロム膜
を除去する工程とを含むことを特徴とするものである。

【００１３】請求項２記載の発明は、上記請求項１記載
の発明において、前記クロム膜の膜厚は、４０オングス
トローム以上１００オングストローム以下の範囲にする
ことを特徴とするものである。請求項３記載の発明は、
上記請求項１，２記載の発明において、前記クロム膜の
除去は、加熱した濃硫酸と過酸化水素の混液若しくは加
熱した希硫酸液中に浸漬することにより行うことを特徴
とするものである。

【００１４】請求項４記載の発明は、上記請求項１乃至
３記載の発明において、前記減衰シフター膜及び前記ク
ロム膜は、スパッタリング方法により成膜することを特
徴とするものである。請求項５記載の発明は、鉄心と、
該鉄心を取り囲むように配置されたマグネットと、該鉄
心及び該マグネット上方に配置されたターゲットと、該
ターゲット上方に配置されたアパーチャとを有し、かつ
該ターゲットと対向するように、該アパーチャ上方に配
置された試料上にスパッタリング成膜するスパッタリン
グ装置において、該アパーチャを、該ターゲットの有効
なエロージョン領域以外のデポジションが起きる領域か
らのスパッタ作用を遮蔽するように該ターゲットと該試
料の間に配置してなることを特徴とするものである。

【００１５】

【作用】本発明では、後述する実施例１の図１，２に示
す如く、レジスト４を電子線で描画する際のチャージア
ップ防止用のＣｒ膜３を減衰シフター膜２のＣｒＯｘＮ
ｙと同系の材質で構成したため、同一のターゲットを用
い、ガスを切り換えればよいので、減衰シフター膜２及
びＣｒ膜３を同一のチャンバーで真空を破ることなく連
続的に成膜することができる。このため、従来の導電性
ポリマーを形成する場合よりも、工程数を増やすことな
くチャージアップ防止用のＣｒ膜３を容易に形成するこ
とができる。

【００１６】また、本発明では、後述する実施例１の図
１，２に示す如く、レジストパターン４ａをマスクとし
てＣｒ膜３及び減衰シフター膜２を一括にエッチングし
て減衰シフターパターン２ａを形成した後、レジストパ
ターン４ａとＣｒ膜３を酸性の溶液で除去するように構
成したため、減衰シフターパターン２ａ及び透明基板１
にダメージを与えることなく、減衰シフターパターン２
ａから容易に、かつ確実にＣｒ膜３を除去することがで
きる。減衰シフターパターン２ａは、安定な材質である
ため酸性の溶液にほとんど反応しない。

【００１７】次に、本発明では、後述する実施例２の図
４，５に示す如く、アパーチャ１７を、成膜条件が微妙
に変化するターゲット１３のデポジションが起こる領域
１３ａを遮蔽するようにターゲット１３と試料１５の間
に配置するとともに、更に、有効な領域での遮蔽量によ
って膜厚調整を行うように配置して、スパッタリング成
膜を行うように構成する。

【００１８】このため、同じターゲット１３上でも膜質
の変化を引き起こすデポジションが起きる領域では成膜
されないようにプラズマをアパーチャ１７により遮蔽す
ることができるとともに、膜厚を均一にするために成膜
に有効な領域でもプラズマをアパーチャ１７により遮蔽
することができるので、スパッタリング成膜される膜の
膜質と膜厚の均一性をあわせて向上させることができ
る。

【００１９】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。（実施例１）図１，２は本発明に係る実施例１の位相シ
フトマスクの製造方法を示す図である。図示例の位相シ
フトマスクは、露光波長３６５ｎｍでの使用を前提とし
ている。

【００２０】まず、石英ガラス等の光学的に透明な材料
からなる厚さが一般に２〜６ｍｍ程度の透明基板１上に
ＣｒＯｘ、ＣｒＯｘＮｙ等の減衰シフター膜２をスパッ
タリングや蒸着で成膜する。ここで、減衰シフター膜２
として、例えば反応性スパッタリングによりＣｒＯｘＮ
ｙ（ｎ＝２．５、ｋ＝０．５）を成膜する条件は、例え
ばパワーを１１００Ｗとし、ターゲットをＣｒターゲッ
トとし、Ｎ₂ガス流量を１２．０ｓｃｃｍとし、Ｏ₂ガ
ス流量を４．８ｓｃｃｍとし、処理圧を２．３×１０^-3
Ｔｏｒｒとし、成膜時間を４０分とする。この時、Ｃｒ
ＯｘＮｙ減衰シフター膜２は、膜厚１２５ｎｍで成膜さ
れる。

【００２１】この減衰シフター膜２は、透過光の位相を
１８０度回転させる機能を有する。位相を反転させるの
に必要な膜厚ｔは、次の（１）式により与えられる。

【００２２】

【数１】

【００２３】但し、（１）式において、λは露光波長と
し、Ｎは減衰シフターの複素屈折率とする。次に、減衰
シフター膜２を成膜したチャンバーと同一のチャンバー
を用い、反応性スパッタリング等により減衰シフター膜
２上にＣｒ膜３を４０オングストローム程度の厚さで成
膜する（図１（ａ））。この時、Ｃｒ膜３の成膜条件
は、例えばパワーを３４０Ｗとし、ターゲットをＣｒタ
ーゲットとし、Ａｒガス流量を１２ｓｃｃｍとし、処理
圧を２．３×１０^-3Ｔｏｒｒとし、成膜時間を１分とす
る。

【００２４】次に、Ｃｒ膜３上に膜厚５０００オングス
トローム程度の電子線レジスト４を塗布した後（図１
（ｂ））、電子線を使用してレジスト４のパターン描画
を行う（図１（ｃ））。その後、パターン描画したレジ
スト４の現像を行ってレジストパターン４ａを形成する
（図２（ａ））。次に、レジストパターン４ａをマスク
としてＣｒ膜３及び減衰シフター膜２を選択的にエッチ
ングして、減衰シフターパターン２ａを形成する（図２
（ｂ））。

【００２５】そして、レジストパターン４ａを除去し、
洗浄を行った後に、９０〜１００℃に加熱した濃硫酸と
過酸化水素の混液、若しくは同様の温度に加熱した濃硫
酸と純水の混液（容量比で１対１）に２時間浸漬して、
減衰シフターパターン２ａ上に残存するＣｒ膜３を除去
することにより、図２（ｃ）に示すような位相シフトマ
スクを得ることができる。

【００２６】このように、本実施例では、レジスト４を
電子線で描画する際のチャージアップ防止用のＣｒ膜３
を減衰シフター膜２のＣｒＯｘＮｙと同系の材質で構成
したため、同一のターゲットを用い、ガスを切り換えれ
ばよいので、減衰シフター膜２及びＣｒ膜３を同一のチ
ャンバーで真空を破ることなく連続的に成膜することが
できる。

【００２７】このため、従来の導電性ポリマーを形成す
る場合よりも工程数を増やすことなくチャージアップ防
止用のＣｒ膜３を容易に形成することができる。しか
も、減衰シフター膜２及びＣｒ膜３を真空系で連続成膜
することができるため、パーティクル等を低減して膜質
を良好にすることができる。本実施例では、レジストパ
ターン４ａをマスクとしてＣｒ膜３及び減衰シフター膜
２を一括でエッチングして減衰シフターパターン２ａを
形成した後、レジストパターン４ａとＣｒ膜３を酸性の
溶液で除去しているため、減衰シフターパターン２ａ及
び透明基板１にダメージを与えることなく、減衰シフタ
ーパターン２ａから容易に、かつ確実にＣｒ膜３を除去
することができる。

【００２８】なお、ＳｉＯ₂透明基板１及びＣｒＯｘＮ
ｙ減衰シフターパターン２ａは、安定な材質であるた
め、酸性の溶液にほとんど反応しない。また、減衰シフ
ター膜のみを成膜した基板を前記の混液に２時間浸漬し
ても、その前後において透過率、反射率、膜厚及びパタ
ーン形状共に変化がないことを実験により確認した。本
実施例では、減衰シフター膜２上をＣｒ膜３で覆った状
態でレジスト４を電子線で描画したため、従来と同様、
チャージアップを回避することができる。なお、この
時、Ｃｒ膜３は、チャージアップを防止するために、乾
板周辺部を支持する基板ホルダの導通ピンと電気的接続
されている。

【００２９】次に、図３は本発明の薄膜Ｃｒを形成した
場合と比較例の薄膜Ｃｒを形成しない場合における帯電
防止効果を示す図である。図３では、電子線描画装置の
サブフィールドの配置精度（理想位置からのずれ量）を
測定した結果である。比較例１は、石英基板上に減衰シ
フターパターンのみを形成し薄膜Ｃｒを形成していない
場合であり、本発明１は、石英基板上に形成した減衰シ
フターパターン上に膜厚２０オングストロームの薄膜Ｃ
ｒを成膜した場合であり、本発明２は、石英基板上に形
成した減衰シフターパターン上に膜厚４０オングストロ
ームの薄膜Ｃｒを成膜した場合であり、比較例２は、石
英基板上に厚膜Ｃｒ（６００オングストローム）及びＣ
ｒＯｘＮｙ膜（３００オングストローム）を形成した通
常のマスクの場合である。

【００３０】全てのサンプルにおいて条件は共通とし
た。ポジ型レジスト（日本ゼオン製、商品名；ＺＥＰ−
５２０）を３０００オングストロームの厚さに塗布し、
電子線描画装置の加速電圧を１５ｋＶとし、電流密度を
１０アンペア／ｃｍ³とし、露光量を１０μＣ／ｃｍ³
として描画を行った。位置精度の測定には、ニコン社
製、光波干渉式座標測定機３ｉ型を使用した。

【００３１】比較例１の減衰シフターパターンのみの場
合では、薄膜Ｃｒを形成していないため、帯電による位
置精度の悪化が顕著に生じていることが判る。これに対
し、本発明１の減衰シフターパターン上に２０オングス
トロームの薄膜Ｃｒを形成した場合では、比較例１と比
較して帯電による位置精度の悪化がかなり改善されてい
るが、比較例２の通常のマスクと比較すると、帯電防止
効果が劣っている。

【００３２】なお、比較例２の通常のマスクは、６００
オングストローム程度と厚膜Ｃｒを形成しているため、
帯電による位置精度の悪化は生じない。薄膜クロムを４
０オングストロームと厚く形成した本発明２では、本発
明１よりも帯電防止効果が向上しており、比較例２の通
常のマスクと略同じ結果が得られており、十分な帯電防
止効果が得られていることが判る。

【００３３】この図３の結果から、本発明において、薄
膜Ｃｒの膜厚は、十分な帯電防止効果を得ることを考慮
すると、４０オングストローム以上にすることが好まし
い。また、薄膜Ｃｒの剥離を考慮すると、１００オング
ストローム以下にすることが好ましい。なお、上記実施
例１では、減衰シフターパターン２ａに窒素を含有させ
ることによりＣｒＯｘＮｙから構成して所望の光学特性
を得ることができる好ましい態様の場合を説明したが、
本発明はこれのみに限定されるものではなく、要は減衰
シフターパターン２ａを酸素もしくは窒素を含むクロム
系の材質から構成する場合であればよい。（実施例２）図４は本発明に係る実施例２のスパッタリ
ング装置の構成を示す図、図５は図４に示すスパッタリ
ング装置におけるアパーチャがターゲット上のデポジシ
ョンが起きる領域を遮蔽する様子を示す図である。

【００３４】図４，５において、１１は鉄心であり、１
２は鉄心１１を取り囲むように配置された磁石であり、
１３は鉄心１１及びマグネット１２上方に、かつチャン
バー１４下部に配置されたターゲットである。１５はタ
ーゲット１３と対向するようにホルダ１６に支持された
試料（基板）であり、１７はターゲット１３の有効なエ
ロージョン領域以外のデポジションが起きる領域１３ａ
からのスパッタ作用を完全に遮蔽するようにターゲット
１３と試料１５の間に配置するとともに、有効な領域で
の遮蔽量によって膜厚制御を行うように配置されたアパ
ーチャである。

【００３５】このように、本実施例では、アパーチャ１
７を、成膜条件が微妙に変化するターゲット１３のデポ
ジションが起きる領域１３ａを遮蔽するようにターゲッ
ト１３と試料１５との間に配置するとともに、更に有効
な領域での遮蔽量によって膜厚調整を行うように配置し
て、スパッタリング成膜を行うように構成している。こ
のため、同じターゲット１３上でも膜質の変化を引き起
こすデポジションが起きる領域では成膜されないように
プラズマをアパーチャ１７により遮蔽することができる
とともに、膜厚を均一にするために成膜に有効な領域で
もプラズマをアパーチャ１７により遮蔽することができ
るので、スパッタリング成膜される膜の膜質と膜厚の均
一性を向上させることができる。

【００３６】次に、図６は図４，５に示す本発明と図１
０に示す比較例におけるアパーチャを用いてＣｒＯｘＮ
ｙ膜を成膜した場合のＣｒＯｘＮｙの屈折率（ｎ）分布
を示す図、図７は図４，５に示す本発明と図１０に示す
比較例におけるアパーチャを用いてＣｒＯｘＮｙ膜を成
膜した場合のＣｒＯｘＮｙ膜の吸光係数（ｋ）の分布を
示す図である。

【００３７】ここで、バッチ式マグネトロンＤＣスパッ
タ成膜条件は、酸素流量を４．８ｓｃｃｍとし、窒素流
量を１２．０ｓｃｃｍとし、出力を１２００Ｗとし、処
理圧を２．３×１０^-3Ｔｏｒｒとし、ターゲット：アパ
ーチャの面積比を１６：７とする。なお、デポジション
領域は、８インチφで約２インチφ程度であり、そのデ
ポジション領域の２インチφに対して約４インチφの領
域をアパーチャによって遮蔽する。

【００３８】この図６，７の結果から、本発明によれ
ば、スパッタリング成膜したＣｒＯｘＮｙ膜の屈折率
（ｎ）分布及び吸光係数（ｋ）分布共、比較例と比較し
てばらつきが著しく小さくなっており、膜厚と膜質の分
布が向上していることが判る。なお、上記実施例２で
は、ＣｒＯｘＮｙをスパッタリング成膜する場合を示し
たが、本発明はこれのみに限定されるものではなく、ア
モルファスカーボン等の他の膜の成膜に関しても、同様
な膜質の均一性が得られることは言うまでもない。

【００３９】

【発明の効果】本発明によれば、位相シフターパターン
を形成する際、工程数を増やすことなくチャージアップ
防止用膜を容易に形成することができるとともに、工程
数を増やすことなくチャージアップ防止用膜を下地と選
択性良く容易に剥離することができる他、スパッタリン
グされる膜の膜厚及び膜質の均一性を向上させることが
できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る実施例１の位相シフトマスクの製
造方法を示す図である。

【図２】本発明に係る実施例１の位相シフトマスクの製
造方法を示す図である。

【図３】本発明の薄膜クロムを形成した場合と比較例の
薄膜クロムを形成していない場合における帯電防止効果
を示す図である。

【図４】本発明に係る実施例２のスパッタリング装置の
構成を示す図である。

【図５】図４に示すスパッタリング装置におけるアパー
チャがターゲット上のデポジションが起きる領域を遮蔽
する様子を示す図である。

【図６】本発明と比較例におけるアパーチャを用いて酸
化クロム膜を成膜した場合の酸化クロム膜の屈折率
（ｎ）分布を示す図である。

【図７】本発明と比較例におけるアパーチャを用いて酸
化クロム膜を成膜した場合の酸化クロム膜の吸光係数
（ｋ）分布を示す図である。

【図８】従来の位相シフトマスクの製造方法を示す図で
ある。

【図９】従来の位相シフトマスクの製造方法を示す図で
ある。

【図１０】従来のスパッタリング装置の構成を示す図で
ある。

【図１１】図１０に示すスパッタリング装置による課題
を示す図である。

【図１２】図１０に示すスパッタリング装置による課題
を示す図である。

【図１３】図１０に示すスパッタリング装置による課題
を示す図である。

【符号の説明】

１透明基板２減衰シフター膜２ａ減衰シフターパターン３Ｃｒ膜４レジスト４ａレジストパターン１１鉄心１２磁石１３ターゲット１３ａデポジションが起きる領域１４チャンバー１５試料１６ホルダ１７アパーチャ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板（１）上に酸素を含むクロム系材
質からなる減衰シフター膜（２）及びクロム膜（３）を
順次形成する工程と、次いで、該クロム膜（３）上に電
子線レジスト（４）を塗布した後、該電子線レジスト
（４）をパターン描画する工程と、次いで、該電子線レ
ジスト（４）を現像処理してレジストパターン（４ａ）
を形成する工程と、次いで、該レジストパターン（４
ａ）をマスクとして、該クロム膜（３）及び該減衰シフ
ター膜（２）を一括にエッチングして、減衰シフターパ
ターン（２ａ）を形成する工程と、次いで、該レジスト
パターン（４ａ）及び該クロム膜（３）を除去する工程
とを含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方
法。
【請求項２】前記クロム膜（３）の膜厚は、４０オング
ストローム以上１００オングストローム以下の範囲にす
ることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスクの
製造方法。
【請求項３】前記クロム膜（３）の除去は、加熱した濃
硫酸と過酸化水素の混液若しくは加熱した希硫酸液中に
浸漬することにより行うことを特徴とする請求項１，２
記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項４】前記減衰シフター膜（２）及び前記クロム
膜（３）は、スパッタリング方法により成膜することを
特徴とする請求項１乃至３記載の位相シフトマスクの製
造方法。
【請求項５】鉄心（１１）と、該鉄心を取り囲むように
配置されたマグネット（１２）と、該鉄心（１１）及び
該マグネット（１２）上方に配置されたターゲット（１
３）と、該ターゲット（１３）上方に配置されたアパー
チャ（１７）とを有し、かつ該ターゲット（１３）と対
向するように、該アパーチャ（１７）上方に配置された
試料（１５）上にスパッタリング成膜するスパッタリン
グ装置において、該アパーチャ（１７）を、該ターゲッ
ト（１３）の有効なエロージョン領域以外のデポジショ
ンが起きる領域（１３ａ）からのスパッタ作用を遮蔽す
るように該ターゲット（１３）と該試料（１５）の間に
配置してなることを特徴とするスパッタリング装置。