JPH1020471A - 露光マスクの製造方法 - Google Patents
露光マスクの製造方法Info
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- JPH1020471A JPH1020471A JP17191896A JP17191896A JPH1020471A JP H1020471 A JPH1020471 A JP H1020471A JP 17191896 A JP17191896 A JP 17191896A JP 17191896 A JP17191896 A JP 17191896A JP H1020471 A JPH1020471 A JP H1020471A
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- translucent
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
Abstract
(57)【要約】
【課題】 透光部通過光と位相シフタ通過光の位相差、
位相シフタ通過光の強度の露光による経時変化、薬品等
による経時変化を低減させる。 【解決手段】 基板１０１上に半透明膜１０３を形成す
ると同時に基板１０１を３００℃に加熱し、その後基板
１０１を成膜チャンバから取り出す。
位相シフタ通過光の強度の露光による経時変化、薬品等
による経時変化を低減させる。 【解決手段】 基板１０１上に半透明膜１０３を形成す
ると同時に基板１０１を３００℃に加熱し、その後基板
１０１を成膜チャンバから取り出す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は露光マスクの製造方
法に関し、特に位相シフトマスクの形成方法に関する。
法に関し、特に位相シフトマスクの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レジストパターンを形成する際に、従来
は透光部と遮光部とを石英基板上に形成したマスクに光
を照射し、ウエハ上に透光部からの光を結像させること
でウエハ上に石英基板のパターンを形成するという方法
が用いられてきた。
は透光部と遮光部とを石英基板上に形成したマスクに光
を照射し、ウエハ上に透光部からの光を結像させること
でウエハ上に石英基板のパターンを形成するという方法
が用いられてきた。
【０００３】しかし、デバイスがより微細になるにした
がって、従来の露光マスクでは隣接するパターン間にお
ける光の回折が原因となってウエハ上に微細パターンを
形成することが次第に困難になりつつあった。これを解
決する方法として位相シフト法がある。この手法は透光
部に位相反転層（位相シフタ、半透明膜）を設け隣接す
るパターンからの光の回折の影響を除去し、パターン精
度の向上を図るものである。
がって、従来の露光マスクでは隣接するパターン間にお
ける光の回折が原因となってウエハ上に微細パターンを
形成することが次第に困難になりつつあった。これを解
決する方法として位相シフト法がある。この手法は透光
部に位相反転層（位相シフタ、半透明膜）を設け隣接す
るパターンからの光の回折の影響を除去し、パターン精
度の向上を図るものである。
【０００４】この位相シフト法のなかでも、隣接する２
つの透光部に対し交互に１８０度の位相差を設けるよう
にしたものがレベンソン型位相シフタを用いた位相シフ
ト法である。この方法では３つ以上のパターンが隣接す
る場合、効果を発揮することは難しい。この問題を解決
するためにはデバイス設計を根本から見直す必要があ
り、直ちに実用化するにはかなりの困難がある。
つの透光部に対し交互に１８０度の位相差を設けるよう
にしたものがレベンソン型位相シフタを用いた位相シフ
ト法である。この方法では３つ以上のパターンが隣接す
る場合、効果を発揮することは難しい。この問題を解決
するためにはデバイス設計を根本から見直す必要があ
り、直ちに実用化するにはかなりの困難がある。
【０００５】位相シフト法のなかでデバイス設計変更を
必要としないものとしてハーフトーン型位相シフタを用
いた位相シフト法がある。この方法で位相シフト効果を
最大限に発揮させるためには、透光部と位相シフタとを
通過した光の位相差と、透光部と位相シフタとを通過し
た光の振幅透過率比を最適化することが重要である。こ
の位相差と振幅透過率比とは透光部と位相シフタの光学
定数と膜厚とにより一意的に決まる。つまり所望の位相
差と振幅透過率比とを得るためには透光部と位相シフタ
の光学定数と膜厚とがある関係を満足する必要がある。
そこで振幅透過率及び位相差の条件を満足する光学定数
を有する膜を半透明膜に用いることによって、ハーフト
ーン型位相シフタの能力を最大限に発揮させることがで
きる。上記条件の光学定数を満足するマスクは、例えば
ｇ線を露光光源とした場合はアモルファスＳｉがその材
料に挙げられる。
必要としないものとしてハーフトーン型位相シフタを用
いた位相シフト法がある。この方法で位相シフト効果を
最大限に発揮させるためには、透光部と位相シフタとを
通過した光の位相差と、透光部と位相シフタとを通過し
た光の振幅透過率比を最適化することが重要である。こ
の位相差と振幅透過率比とは透光部と位相シフタの光学
定数と膜厚とにより一意的に決まる。つまり所望の位相
差と振幅透過率比とを得るためには透光部と位相シフタ
の光学定数と膜厚とがある関係を満足する必要がある。
そこで振幅透過率及び位相差の条件を満足する光学定数
を有する膜を半透明膜に用いることによって、ハーフト
ーン型位相シフタの能力を最大限に発揮させることがで
きる。上記条件の光学定数を満足するマスクは、例えば
ｇ線を露光光源とした場合はアモルファスＳｉがその材
料に挙げられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このマスクを製造する
工程においては、石英基板上にスパッタリング法により
半透明膜であるＳｉを堆積させる。その後、このままの
状態でパターニングを施し、位相シフトマスクを形成す
る。このとき、透光部通過光と位相シフタ通過光との位
相差を１８０度となるように半透明膜の膜厚を設定して
も、半透明膜が酸化膜で形成されているため、半透明膜
が自然酸化され、膜厚が２０オングストロームから４０
オングストローム程度まで成長する。そうすると半透明
膜の屈折率、消衰係数が小さくなるなど半透明膜の光学
定数の経時変化がおこり、次第に理想的な位相差及び振
幅透過率比からずれてしまい、半透明膜として不適切な
膜質になるという問題があった。また、位相シフトマス
クの露光、さらには酸、アルカリ等の薬品に浸すことに
よっても、理想的な位相差及び透過率比からずれてしま
うという問題があった。
工程においては、石英基板上にスパッタリング法により
半透明膜であるＳｉを堆積させる。その後、このままの
状態でパターニングを施し、位相シフトマスクを形成す
る。このとき、透光部通過光と位相シフタ通過光との位
相差を１８０度となるように半透明膜の膜厚を設定して
も、半透明膜が酸化膜で形成されているため、半透明膜
が自然酸化され、膜厚が２０オングストロームから４０
オングストローム程度まで成長する。そうすると半透明
膜の屈折率、消衰係数が小さくなるなど半透明膜の光学
定数の経時変化がおこり、次第に理想的な位相差及び振
幅透過率比からずれてしまい、半透明膜として不適切な
膜質になるという問題があった。また、位相シフトマス
クの露光、さらには酸、アルカリ等の薬品に浸すことに
よっても、理想的な位相差及び透過率比からずれてしま
うという問題があった。
【０００７】本発明は上記問題点に鑑み、透光部通過光
と位相シフタ通過光の位相差、位相シフタ通過光の強度
の露光による経時変化、薬品等による経時変化を低減さ
せることを目的とする。
と位相シフタ通過光の位相差、位相シフタ通過光の強度
の露光による経時変化、薬品等による経時変化を低減さ
せることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明の露光マスクの製造方法では、成膜チャン
バ内において、基板を加熱しながら半透明膜を成膜する
工程を具備することを特徴とする。
めに、本発明の露光マスクの製造方法では、成膜チャン
バ内において、基板を加熱しながら半透明膜を成膜する
工程を具備することを特徴とする。
【０００９】本発明によれば、半透明膜を基板上に形成
すると同時に基板を成膜チャンバ内で加熱しているので
半透明膜の膜質が稠密になり、大気中にこのマスクを放
置いたとしても、ステッパ等によりこのマスクを露光し
たとしても、あるいはこのマスクを酸、アルカリ薬品等
に浸したとしてもこのマスクにおける半透明膜の膜厚、
光学定数の変化はない。
すると同時に基板を成膜チャンバ内で加熱しているので
半透明膜の膜質が稠密になり、大気中にこのマスクを放
置いたとしても、ステッパ等によりこのマスクを露光し
たとしても、あるいはこのマスクを酸、アルカリ薬品等
に浸したとしてもこのマスクにおける半透明膜の膜厚、
光学定数の変化はない。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の第
１の実施例である露光マスクの製造方法を説明する。こ
の露光用マスクは半透明膜パターンとしてスパッタリン
グ法で形成したＳｉパターンを用いたことを特徴とし、
ｇ線投影露光用マスクとして用いられるものである。
１の実施例である露光マスクの製造方法を説明する。こ
の露光用マスクは半透明膜パターンとしてスパッタリン
グ法で形成したＳｉパターンを用いたことを特徴とし、
ｇ線投影露光用マスクとして用いられるものである。
【００１１】まず、図１に示すように石英からなる基板
１０１上に導電性膜１０２を成膜する。その後、図１１
に示すようなシーケンスで基板１０１を約３００℃に加
熱しながらスパッタリング法により膜厚５９ｎｍのＳｉ
からなる半透明膜１０３を形成する。
１０１上に導電性膜１０２を成膜する。その後、図１１
に示すようなシーケンスで基板１０１を約３００℃に加
熱しながらスパッタリング法により膜厚５９ｎｍのＳｉ
からなる半透明膜１０３を形成する。
【００１２】この後、図２に示すように、成膜チャンバ
（図示せず）から基板１０１を取り出すことにより半透
明膜１０３上に自然酸化膜である絶縁膜１０４が成長す
る。この絶縁膜１０４及び半透明膜１０３を透過した光
と、基板１０１及び導電性膜１０２を透過した光との位
相差は水銀ランプのｇ線に対して１８０度と位相がシフ
トする。また、絶縁膜１０４及び半透明膜１０３を透過
した光の透過率は透明部である基板１０１、導電性膜１
０２の透過率に対し２％である。
（図示せず）から基板１０１を取り出すことにより半透
明膜１０３上に自然酸化膜である絶縁膜１０４が成長す
る。この絶縁膜１０４及び半透明膜１０３を透過した光
と、基板１０１及び導電性膜１０２を透過した光との位
相差は水銀ランプのｇ線に対して１８０度と位相がシフ
トする。また、絶縁膜１０４及び半透明膜１０３を透過
した光の透過率は透明部である基板１０１、導電性膜１
０２の透過率に対し２％である。
【００１３】次に、図３に示すように、電子線用レジス
ト１０５を膜厚０．５μｍで堆積する。そして図４に示
すようにこの電子線用レジスト１０５上から電子線によ
り３μＣ／ｃｍ2 で描画し、さらに現像を行ってレジス
トパターン１０５′を形成する。ここで半透明膜１０３
を成膜する前に導電性膜を形成するのは電子線による基
板１０１中の電子のチャージアップを防止するためであ
る。
ト１０５を膜厚０．５μｍで堆積する。そして図４に示
すようにこの電子線用レジスト１０５上から電子線によ
り３μＣ／ｃｍ2 で描画し、さらに現像を行ってレジス
トパターン１０５′を形成する。ここで半透明膜１０３
を成膜する前に導電性膜を形成するのは電子線による基
板１０１中の電子のチャージアップを防止するためであ
る。
【００１４】レジストパターン１０５′形成後、図５に
示すように、このレジストパターン１０５′をマスクと
してＣＦ4 とＯ2 との混合ガスによるプラズマエッチン
グにより、レジストパターン１０５′から露出する半透
明膜１０３、絶縁膜１０４をエッチング除去する。
示すように、このレジストパターン１０５′をマスクと
してＣＦ4 とＯ2 との混合ガスによるプラズマエッチン
グにより、レジストパターン１０５′から露出する半透
明膜１０３、絶縁膜１０４をエッチング除去する。
【００１５】最後にレジストパターン１０５′を除去
し、半透明膜パターン１０３′、絶縁膜パターン１０
４′を得ることができる。このようにして所望の位相シ
フトマスクが形成される。
し、半透明膜パターン１０３′、絶縁膜パターン１０
４′を得ることができる。このようにして所望の位相シ
フトマスクが形成される。
【００１６】図１３は露光用マスクの半透明膜の透過率
の経時変化である。黒丸印は半透明膜としてＳｉを基板
上にスパッタしたままの試料、黒三角印はスパッタ後チ
ャンバ内部で加熱した試料の結果である。これらより、
スパッタ後チャンバ内部で加熱を加えることによって半
透明膜の透過率の経時変化は大幅に抑えられることがわ
かる。以上、本発明の第１の実施例によれば、スパッタ
チャンバ内で酸化膜である半透明膜を成膜中に加熱する
ことで半透明膜を稠密にし、光学的に安定させることが
できる。なお、この例では半透明膜１０３、絶縁膜１０
４の加工をプラズマエッチングで行ったが、リアクティ
ブイオンエッチングあるいはウエットエッチングで行う
ようにしてもよい。
の経時変化である。黒丸印は半透明膜としてＳｉを基板
上にスパッタしたままの試料、黒三角印はスパッタ後チ
ャンバ内部で加熱した試料の結果である。これらより、
スパッタ後チャンバ内部で加熱を加えることによって半
透明膜の透過率の経時変化は大幅に抑えられることがわ
かる。以上、本発明の第１の実施例によれば、スパッタ
チャンバ内で酸化膜である半透明膜を成膜中に加熱する
ことで半透明膜を稠密にし、光学的に安定させることが
できる。なお、この例では半透明膜１０３、絶縁膜１０
４の加工をプラズマエッチングで行ったが、リアクティ
ブイオンエッチングあるいはウエットエッチングで行う
ようにしてもよい。
【００１７】次に本発明の第２の実施例である露光マス
クの製造方法を説明する。この露光用マスクについて
も、半透明膜パターンとしてスパッタリング法で形成し
たＳｉパターンを用いたことを特徴とし、ｇ線投影露光
用マスクとして用いられるものである。
クの製造方法を説明する。この露光用マスクについて
も、半透明膜パターンとしてスパッタリング法で形成し
たＳｉパターンを用いたことを特徴とし、ｇ線投影露光
用マスクとして用いられるものである。
【００１８】まず、図６に示すように石英からなる基板
１０１上にスパッタリング法により膜厚５９ｎｍのＳｉ
からなる半透明膜１０３を形成する。ここで、図１１に
示すようなシーケンスで基板１０１を約３００℃に加熱
する。
１０１上にスパッタリング法により膜厚５９ｎｍのＳｉ
からなる半透明膜１０３を形成する。ここで、図１１に
示すようなシーケンスで基板１０１を約３００℃に加熱
する。
【００１９】この後、図７に示すように、成膜チャンバ
から基板１０１を取り出すことにより半透明膜１０３上
に自然酸化膜である絶縁膜１０４が成長する。この絶縁
膜１０４及び半透明膜１０３を透過した光と、基板１０
１を透過した光との位相差は水銀ランプのｇ線に対して
１８０度と位相がシフトする。また、絶縁膜１０４及び
半透明膜１０３を透過した光の透過率は透明部である基
板１０１、導電性膜１０２の透過率に対し２％である。
から基板１０１を取り出すことにより半透明膜１０３上
に自然酸化膜である絶縁膜１０４が成長する。この絶縁
膜１０４及び半透明膜１０３を透過した光と、基板１０
１を透過した光との位相差は水銀ランプのｇ線に対して
１８０度と位相がシフトする。また、絶縁膜１０４及び
半透明膜１０３を透過した光の透過率は透明部である基
板１０１、導電性膜１０２の透過率に対し２％である。
【００２０】次に、図８に示すように、フォトレジスト
１０６を膜厚０．５μｍで堆積する。そして図９に示す
ようにこのフォトレジスト１０６上からレーザ光により
５０ｍＪで描画し、さらに現像を行ってレジストパター
ン１０６′を形成する。
１０６を膜厚０．５μｍで堆積する。そして図９に示す
ようにこのフォトレジスト１０６上からレーザ光により
５０ｍＪで描画し、さらに現像を行ってレジストパター
ン１０６′を形成する。
【００２１】レジストパターン１０６′形成後、図１０
に示すように、このレジストパターン１０６′をマスク
としてＣＦ4 とＯ2 との混合ガスによるプラズマエッチ
ングにより、レジストパターン１０6 ′から露出する半
透明膜１０３、絶縁膜１０４をエッチング除去する。
に示すように、このレジストパターン１０６′をマスク
としてＣＦ4 とＯ2 との混合ガスによるプラズマエッチ
ングにより、レジストパターン１０6 ′から露出する半
透明膜１０３、絶縁膜１０４をエッチング除去する。
【００２２】最後にレジストパターン１０６′を除去
し、半透明膜パターン１０３′、絶縁膜パターン１０
４′を得ることができる。このようにして所望の位相シ
フトマスクが形成される。
し、半透明膜パターン１０３′、絶縁膜パターン１０
４′を得ることができる。このようにして所望の位相シ
フトマスクが形成される。
【００２３】以上、本発明の第２の実施例によれば、ス
パッタチャンバ内で酸化膜である半透明膜を成膜中に加
熱することで半透明膜を稠密にし、光学的に安定させる
ことができる。なお、この例では半透明膜１０３、絶縁
膜１０４の加工をプラズマエッチングで行ったが、リア
クティブイオンエッチングあるいはウエットエッチング
で行うようにしてもよい。また、本実施例では露光の際
にレーザ光を用いているために、基板１０１内のチャー
ジアップを引き起こすことがなく、第１の実施例のよう
な導電性膜１０２を基板１０１上に被覆する必要はな
い。
パッタチャンバ内で酸化膜である半透明膜を成膜中に加
熱することで半透明膜を稠密にし、光学的に安定させる
ことができる。なお、この例では半透明膜１０３、絶縁
膜１０４の加工をプラズマエッチングで行ったが、リア
クティブイオンエッチングあるいはウエットエッチング
で行うようにしてもよい。また、本実施例では露光の際
にレーザ光を用いているために、基板１０１内のチャー
ジアップを引き起こすことがなく、第１の実施例のよう
な導電性膜１０２を基板１０１上に被覆する必要はな
い。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、光学的に安定な膜質を
有する、位相シフタである半透明膜を作成することがで
きる。
有する、位相シフタである半透明膜を作成することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の露光マスクの製造工程
図
図
【図２】本発明の第１の実施例の露光マスクの製造工程
図
図
【図３】本発明の第１の実施例の露光マスクの製造工程
図
図
【図４】本発明の第１の実施例の露光マスクの製造工程
図
図
【図５】本発明の第１の実施例の露光マスクの製造工程
図
図
【図６】本発明の第２の実施例の露光マスクの製造工程
図
図
【図７】本発明の第２の実施例の露光マスクの製造工程
図
図
【図８】本発明の第２の実施例の露光マスクの製造工程
図
図
【図９】本発明の第２の実施例の露光マスクの製造工程
図
図
【図１０】本発明の第２の実施例の露光マスクの製造工
程図
程図
【図１１】半透明膜成膜中の加熱のパワー、基板温度、
圧力のシーケンス
圧力のシーケンス
【図１２】半透明膜成膜後の加熱のパワー、基板温度、
圧力のシーケンス
圧力のシーケンス
【図１３】半透明膜の膜厚の経時変化を示す図
１０１ 基板 １０２ 導電性膜 １０３ 半透明膜 １０４ 絶縁膜 １０５ 電子線用レジスト １０６ フォトレジスト １０５′１０６′ レジストパターン
Claims (12)
- 【請求項１】 成膜チャンバ内においてマスク基板を所
定の温度に加熱する工程と、前記成膜チャンバ内におい
て半透明膜を前記所定の温度に加熱されている前記マス
ク基板の上に成膜する工程を具備することを特徴とする
露光マスクの製造方法。 - 【請求項２】 前記マスク基板の加熱温度は２５０℃以
上５００℃以下であることを特徴とする請求項１記載の
露光マスクの製造方法。 - 【請求項３】 前記半透明膜はＳｉの酸化物あるいは窒
化物であることを特徴とする請求項２記載の露光マスク
の製造方法。 - 【請求項４】 前記半透明膜はＣｒ、Ｍｏ、Ｗのシリサ
イドであることを特徴とする請求項２記載の露光マスク
の製造方法。 - 【請求項５】 前記半透明膜はＣｒ、Ｍｏ、Ｗ等の酸化
物あるいは窒化物であることを特徴とする請求項２記載
の露光マスクの製造方法。 - 【請求項６】 成膜チャンバ内において、基板上に半透
明膜を成膜後、前記成膜チャンバ内の雰囲気を変えるこ
となく基板を加熱することを特徴とする露光マスクの製
造方法。 - 【請求項７】 前記マスク基板の加熱温度は２５０℃以
上５００℃以下であることを特徴とする請求項６記載の
露光マスクの製造方法。 - 【請求項８】 前記半透明膜はＳｉの酸化物あるいは窒
化物であることを特徴とする請求項６記載の露光マスク
の製造方法。 - 【請求項９】 前記半透明膜はＣｒ、Ｍｏ、Ｗのシリサ
イドであることを特徴とする請求項６記載の露光マスク
の製造方法。 - 【請求項１０】 前記半透明膜はＣｒ、Ｍｏ、Ｗ等の酸
化物あるいは窒化物であることを特徴とする請求項６記
載の露光マスクの製造方法。 - 【請求項１１】 マスク基板上に導電性膜を形成する工
程と、 成膜チャンバ内において前記マスク基板を２５０℃以上
５００℃以下の温度範囲に加熱しながら、この導電性膜
表面にＳｉからなる半透明膜をスパッタリング法で形成
する工程と、 前記マスク基板を前記成膜チャンバから取り出すことで
この半透明膜を自然酸化させ、前記半透明膜表面に絶縁
膜を形成する工程と、 この絶縁膜表面にレジストを堆積させ、電子線によりパ
ターニングする工程と、 前記パターニング工程により形成されたレジストパター
ンを用いて前記半透明膜、前記絶縁膜をパターニングす
る工程とを具備することを特徴とする露光マスクの製造
方法。 - 【請求項１２】 成膜チャンバ内において、マスク基板
上に半透明膜をスパッタリング法で形成する工程と、 前記マスク基板を２５０℃以上５００℃以下に加熱する
工程と、 前記マスク基板を前記成膜チャンバから取り出すことで
この半透明膜を自然酸化させ、前記半透明膜表面に絶縁
膜を形成する工程と、 この絶縁膜表面にレジストを堆積させ、レーザ光により
パターニングする工程と、 前記パターニング工程により形成されたレジストパター
ンを用いて前記半透明膜、前記絶縁膜をパターニングす
る工程とを具備することを特徴とする露光マスクの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17191896A JPH1020471A (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | 露光マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17191896A JPH1020471A (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | 露光マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1020471A true JPH1020471A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=15932266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17191896A Pending JPH1020471A (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | 露光マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1020471A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11258772A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-24 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| KR100328448B1 (ko) * | 1999-12-29 | 2002-03-16 | 박종섭 | 반도체 소자의 위상반전 마스크 제조방법 |
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